DS64MB201
DS64MB201双车道2 ： 1/1 ： 2复用器/缓冲器，具有均衡和去加重
文献编号： SNLS307B
DS64MB201双车道2 ： 1/1 ： 2复用器/缓冲器，具有均衡和去加重
2011年3月1日
DS64MB201
双通道2 ： 1/1 ： 2复用器/缓冲器，具有均衡和
去加重
概述
该DS64MB201是一款双通道2 ： 1多路复用器和1 ： 2开关
或扇出缓冲器与信号调理适合SATA /
SAS和其他高速总线的应用程序高达6.4 Gbps的。
该设备同时执行接收均衡和发送
去加重，从而使物理放置位置的最大灵活性
精神疾病的系统内。接收机的连续时间线性
均衡器（ CTLE ）提供高达+33 dB的提升，在3 GHz的
而能够打开一个输入的眼睛是完全的
由于符号间干扰（ISI）关闭引起的
互联媒介。该发射器具有亲
可编程输出去加重驱动程序，并允许振幅
电压电平可以从600 MVP - 对选择为1200 MVP - 对
以适应多种应用场景。信号调节
设置都可以通过控制引脚设置或SMBus可编程
界面。
为了实现无缝的升级，从SAS / SATA 3.0 Gbps至6.0
Gbps的数据速率，而不会影响物理范围，
DS64MB201自动检测输入数据速率
并选择最佳的去加重的脉冲宽度。该装置
检测到的带外（ OOB）的空闲和活动信号
SAS / SATA规范并穿过具有最小
信号失真。
特点
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高达6.4 Gbps的双重泳道2 ： 1复用器， 1：2开关或扇出
可调节接收端均衡了+33 dB增益
可调发射去加重到-12分贝
可调发射VOD
在6.4 Gbps的40 “ FR4走线<0.25 UI残留的DJ
SATA / SAS ： OOB信号传递
可调电气空闲检测阈值
低功耗
通过引脚选择信号调理可编程或
SMBus接口
单2.5V电源工作
>6千伏HBM ESD额定值
3.3V宽容SMBus接口
高速信号流，直通引脚排列封装： 54引脚LLP
（10毫米× 5.5毫米）
应用
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SATA （ 1.5 ， 3.0和6 Gbps的）
SAS （ 1.5 ， 3.0和6 Gbps的）
XAUI （ 3.125 Gbps）的， RXAUI （ 6.25 Gbps）的
sRIO的 - 串行快速I / O
光纤通道（ 4.25 Gbps）的
的10GBase - CX4和InfiniBand （ SDR & DDR ）
FR- 4背板走线
典型用途
30076480
2011美国国家半导体公司
300764
www.national.com
DS64MB201
引脚说明
引脚名称
SIA0 + ， SIA0- ，
SIA1 + ， SIA1-
SOA0 + ， SOA0- ，
SOA1 + ， SOA1-
SIB0 + ， SIB0- ，
SIB1 + ， SIB1-
SOB0 + ， SOB0- ，
SOB1 + ， SOB1-
DIN0 + ， DIN0- ，
DIN1 + ， DIN1-
引脚数
45, 44,
40, 39
35, 34,
31, 30
43, 42,
38, 37
33, 32,
29, 28
10, 11,
15, 16
I / O类型
一，慢性粒细胞白血病
引脚说明
反相和非反相CML差分输入到均衡器。门控
内置50Ω终端电阻连接SIA_n +连接到VDD和SIA_n-到VDD
当启用。
反相和非反相低功耗差分信号50Ω输出，
去加重。交流完全兼容耦合CML输入。
反相和非反相CML差分输入到均衡器。门控
内置50Ω终端电阻连接SIB_n +连接到VDD和SIB_n-到VDD
当启用。
反相和非反相低功耗差分信号50Ω输出，
去加重。交流完全兼容耦合CML输入。
反相和非反相CML差分输入到均衡器。门控
内置50Ω终端电阻连接SIB_n +连接到VDD和SIB_n-到VDD
当启用。
反相和非反相低功耗差分信号50Ω输出，
去加重。交流完全兼容耦合CML输入。
差分高速I / O的
O
一，慢性粒细胞白血病
O
一，慢性粒细胞白血病
DOUT0 + DOUT0- ，3，4 ，
DOUT1 + DOUT1- 7,8
控制引脚 - 共享（ LVCMOS ）
ENSMB
48
O
我， LVCMOS瓦特/系统管理总线（SMBus ）的使能引脚。
内部上拉HIGH =寄存器访问：提供访问内部数字寄存器
下
控制等功能均衡，去加重， VOD ，速率，信道
掉电和空闲检测阈值。
LOW =引脚模式：访问SMBus的寄存器被禁止和控制
引脚用于设置视频点播，速度，空闲检测，均衡和脱离
重点设置。
请参考“的SMBus配置寄存器”部分和电气
特点 - 串行管理总线接口的详细信息。
我， LVCMOS
ENSMB = 1
SMBus的SDA（数据输入/输出双向）和SCL （时钟输入）引脚
被启用。
ENSMB = 1 （ SMBus模式）
SDA，SCL
49, 50
AD [ 3：0]
54 ， 53 ， 47 ， 46 I ， LVCMOS瓦特/ ENSMB = 1
内部上拉SMBus从地址输入。在SMBus模式下，这些引脚是用户组
下
SMBus从地址输入。
46,
49,
53
我，浮法，
LVCMOS
EQA / B / D，3级的输入控制均衡的水平。
EQA控制均衡的SIA0和SIA1输入的电平。
EQB控制均衡的SIB0和SIB1的输入电平。
EQD控制均衡的DIN0和DIN1输入的电平。
该引脚仅在ENSMB被拉高（低） 。
当ENSMB变高的SMBus控制寄存器提供独立
控制每个车道。看
表1
DEMA / B / D，3级的输入控制去加重的程度。
DEMA控制去加重的SOA0和SOA1输出的电平。
DEMB控制去加重的SOB0和SOB1的输出的电平。
DEMD控制去加重的DOUT0和DOUT1输出的电平。
该引脚仅在ENSMB被拉高（低） 。
当ENSMB变高的SMBus控制寄存器提供独立
控制每个车道。看
表2
ENSMB = 0（正常PIN模式）
EQA ，
EQB ，
EQD
DEMA ，
DEMB ，
DEMD
47,
50,
54
我，浮法，
LVCMOS
3
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DS64MB201
引脚名称
率
引脚数
21
I / O类型
我，浮法，
LVCMOS
引脚说明
率， 3级的输入控制去加重输出的脉冲宽度。
RATE = 0力 3 Gbps的，
RATE = 1的力量 6 Gbps的，
RATE =浮动启用自动速率检测。看
表2
TXIDLEDO ，三电平输入控制所述驱动器输出。
TXIDLEDO = 0禁用信号检测/静噪功能DOUT 。
TXIDLEDO = 1强制DOUT为静音（电气空闲） 。
TXIDLEDO =浮动使信号自动侦测/静噪功能DOUT
和信号检测电压阈值电平可以通过调整
SD_TH引脚。看
表3
TXIDLESO ，三电平输入控制所述驱动器输出。
TXIDLESO = 0禁用信号检测/静噪功能SOUT 。
TXIDLESO = 1强制SOUT为静音（电气空闲） 。
TXIDLESO =浮动使信号自动侦测/静噪功能SOUT
和信号检测电压阈值电平可以通过调整
SD_TH引脚。看
表3
控制引脚 - 这两种模式（ LVCMOS ）
TXIDLEDO
24
我，浮法，
LVCMOS
TXIDLESO
25
我，浮法，
LVCMOS
扇出
26
我， LVCMOS瓦特/扇出= 1时，允许广播模式下两个A / B输出。
内部上拉扇出= 0禁用取决于SEL0 ， SEL1引脚的输出之一。
下
SEE
表5
我， LVCMOS瓦特/ SEL0是通道0 ， SEL1是道1
内部上拉SEL0 ， SEL1 = 0选择B输入端和B输出。
下
SEL0 ， SEL1 = 1选择一个输入和一个输出。看
表5
我， LVCMOS瓦特/视频点播[1：0 ]来调整对所有输出的输出差分幅度电平。
内部上拉00组输出VOD = 600 MVP -P （默认）
下
01组输出VOD = 800 MVP -P
10组输出VOD = 1000 MVP -P
11组输出VOD = 1200 MVP -P
注：视频点播应该被设置为至少1000毫伏到达到规定DE
的水平。
I，模拟
阈值选择引脚电气空闲检测阈值。浮针违约
130 MVP -P （差） 。
SEE
表4
2.5V电源引脚。
DAP是大的金属接触的底侧上，位于其中心
54引脚的LLP封装。它应该连接到GND层与至少4
通过降低接地阻抗，提高了散热性能
该程序包。
注：磷酸二铵是主接地
无连接 - 离开引脚开路
SEL0 ， SEL1
19, 20
VOD0 ， VOD1
22, 23
类似物
SD_TH
27
动力
VDD
GND
9, 14, 36, 41,
51
DAP ， 52
动力
动力
NC
1, 2, 5, 6, 12,
13, 17, 18
1 = HIGH ， 0 =低， FLOAT = 3的输入状态。
FLOAT条件;不要开车密码;引脚内部偏置到中等水平的50 kΩ的上拉/下拉电阻。
内部上拉下来=内部30 kΩ上拉下拉电阻到GND上存在输入。
为LVCMOS / FLOAT输入输入边沿速率，必须从10-90 ％的速度低于50 ns 。
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4
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