DN2530
N沟道耗尽型模式
垂直的DMOS场效应管
订购信息
BV
DSX
/
BV
DGX
300V
*
同SOT- 89 。
R
DS （ ON）
（最大）
12
I
DSS
（分钟）
200mA
订单号码/套餐
TO-92
DN2530N3
TO-243AA*
DN2530N8
产品标识为TO- 243AA ：
DN5T
哪里
= 2个星期的α-日期代码
产品发货2000件载带卷盘。
特点
高输入阻抗
低输入电容
快速开关速度
低导通电阻
无二次击穿
低输入和输出泄漏
先进的DMOS技术
不建议用于新设计。请使用DN3535或
DN3545代替。
这些耗尽模式（常开）晶体管利用一个AD-
vanced垂直DMOS结构和Supertex公司的成熟的
硅栅的制造工艺。这种结合产生
与双极晶体管的功率处理能力的设备
器和具有高输入阻抗和正温度
系数固有的MOS器件。所有MOS特性
结构，这些设备是无热失控和
热诱导的二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适用于范围广泛
开关和放大应用的高击穿
电压，高输入阻抗，低输入电容，并快速
开关速度是期望的。
应用
常通开关
固态继电器
转换器
线性放大器器
恒流源
电源电路
电信
封装选项
D
绝对最大额定值
漏极至源极电压
漏极至栅极电压
栅极 - 源极电压
工作和存储温度
焊接温度*
*
1.6毫米的情况下10秒的距离。
12/13/01
G
BV
DSX
BV
DGX
±
20V
-55 ° C至+ 150°C
300°C
D
S
TO-243AA
(SOT-89)
SGD
TO-92
注意：
参考尺寸封装外形部分。
Supertex公司公司不建议使用其产品在生命支持应用程序除非收到足够的"products责任将不会有意地销售其产品用于此类应用
agreement." Supertex公司赔偿保险不承担设备使用说明的责任，并限制其更换设备来确定赔偿责任是有缺陷的，由于
做工。没有责任承担可能的遗漏或不准确。电路和规格如有变更，恕不另行通知。有关最新的产品规格，请参阅
1
Supertex公司网站： http://www.supertex.com 。有关Supertex公司所有产品完全责任的信息，请参阅最新的数据手册或向Supertex公司网站上的法律/免责声明页面。
DN2530
热特性
包
TO-92
TO-243AA
I
D
（连续） *
175mA
200mA
I
D
（脉冲的）
500mA
500mA
功耗
@ T
A
= 25
°
C
0.74W
1.6
θ
jc
°
C / W
125
15
θ
ja
°
C / W
170
78
I
DR
*
175mA
200mA
I
DRM
500mA
500mA
*
I
D
（续）由最大限制额定牛逼
j
.
安装在FR4板， 25毫米x 25mm的X 1.57毫米。显著P
D
增加可能在陶瓷基板。
电气特性
（ 25°C ，除非另有规定）
符号
BV
DSX
V
GS （ OFF ）
V
GS （ OFF ）
I
GSS
I
D（关闭）
参数
漏 - 源
击穿电压
栅 - 源电压OFF
改变V
GS （ OFF ）
随温度
门体漏电流
漏极至源极漏电流
民
300
–1.0
–3.5
4.5
100
10
1
I
DSS
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
G
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
饱和漏极至源极电流
静态漏 - 源
导通状态电阻
变化在研发
DS （ ON）
随温度
正向跨导
输入电容
共源输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向压降
反向恢复时间
600
300
300
30
5
10
15
15
20
1.8
V
ns
V
GS
= -10V ，我
SD
= 150毫安
V
GS
= -10V ，我
SD
= 1A
ns
V
DD
= 25V,
I
D
= 150毫安，
R
根
= 25
pF
200
12
1.1
典型值
最大
单位
V
V
毫伏/°C的
nA
A
mA
mA
%/°C
m
条件
V
GS
= -5V ，我
D
= 100A
V
DS
= 25V ，我
D
= 10A
V
DS
= 25V ，我
D
= 10A
V
GS
=
±
20V, V
DS
= 0V
V
GS
= -10V, V
DS
=最大额定值
V
GS
= -10V, V
DS
= 0.8最高评级
T
A
= 125°C
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V
V
GS
= 0V时，我
D
= 150毫安
V
GS
= 0V时，我
D
= 150毫安
I
D
= 150毫安，V
DS
= 10V
V
GS
= -10V, V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
注意事项：
1.所有的DC参数，除非另有说明， 100％在25℃下进行测试。 （脉冲测试： 300μS脉冲， 2 ％的占空比）。
2.所有参数交流采样测试。
开关波形和测试电路
0V
90%
10%
t
（上）
输入
-10V
脉冲
发电机
R
根
t
（关闭）
t
r
t
D（关闭）
t
F
10%
t
D（上）
V
DD
10%
输入
产量
0V
90%
90%
2
V
DD
R
L
产量
D.U.T.
DN2530
典型性能曲线
BV
DSS
随温度的变化
1.1
50
导通电阻与漏电流
1.05
V
GS
= -5V
I
D
= 100A
40
V
GS
= 0V
BV
DSS
（归一化）
1.0
R
DS （ ON）
（欧姆）
-50
0
50
100
150
30
0.95
20
0.9
10
0.85
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
T
j
(°C)
传输特性
1.0
I
D
（安培）
V
GS
（关）和R
DS
随温度的变化
2.5
0.8
V
DS
= 10V
T
A
= -55°C
2
0.6
V
GS （ TH）
（归一化）
I
D
（安培）
T
A
= 25°C
T
A
= 125°C
RDS （ ON） @ ID = 150毫安
1.5
0.4
1
VGS （OFF） @ 10μA
0.5
0.2
0
-2
-1
0
1
2
0
-50
0
50
100
150
V
GS
（伏）
电容与漏 - 源极电压
200
V
GS
= -10V
150
C
国际空间站
15
T
j
(°C)
栅极驱动器的动态特性
10
VDS = 40V
5
VDS = 20V
250pF
0
C（皮法）
100
50
C
OSS
C
RSS
0
0
10
20
30
40
V
GS
（伏）
152pf
-5
0
1
2
3
4
5
V
DS
（伏）
Q
C
（ nanocoulombs ）
12/13/01
2001 Supertex公司保留所有权利。未经授权擅自使用或复制禁止的。
4
1235年波尔多驱动，桑尼维尔， CA 94089
电话： （ 408 ） 744-0100 传真： （ 408 ） 222-4895
www.supertex.com
DN2530
N沟道耗尽型垂直DMOS场效应管
特点
高输入阻抗
低输入电容
快速开关速度
低导通电阻
无二次击穿
低输入和输出泄漏
概述
该DN2530是一个低阈值耗尽模式（常开）
晶体管采用了先进的垂直DMOS结构，
Supertex公司的成熟的硅栅制造工艺。
这种结合产生了一种装置，具有功率处理
双极晶体管和具有高的输入能力
阻抗和正温度COEF网络cient固有
在MOS器件。所有MOS结构的特点，
设备是无热失控和热致
二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适合于
种类繁多的开关和放大的应用场合
高击穿电压，高输入阻抗，低输入
电容，和快速的开关速度是期望的。
应用
常通开关
固态继电器
转换器
线性放大器器
恒流源
电源电路
电信
订购信息
BV
DSX
/
BV
DGX
300V
R
DS （ ON）
（最大）
12Ω
I
DSS
（分钟）
200mA
封装选项
TO-243AA
1
DN2530N8
DN2530N8-G
TO-92
DN2530N3
DN2530N3-G
-G表示封装，符合RoHS标准（ “绿色” ）
1
同SOT- 89 。产品发货2000件载带卷盘。
绝对最大额定值
参数
漏极至源极电压
漏极至栅极电压
栅极 - 源极电压
工作和存储
温度
焊接温度*
价值
BV
DSX
BV
DGX
±20V
-55
O
C至+150
O
C
300
O
C
销刀豆网络gurations
D
绝对最大额定值是那些价值超过该设备损坏
可能会发生。在这些条件下的功能操作，是不是暗示。连续
该设备在绝对额定值级的操作可能会影响器件的可靠性。所有
电压参考器件接地。
*为1.6mm的情况下， 10秒的距离。
S摹
G
D
S
TO-92
（前视图）
TO-243AA
（ TOP VIEW ）
DN2530
热特性
包
TO-243AA
TO-92
I
D
（连续）
1
200mA
175mA
I
D
（脉冲的）
500mA
500mA
功耗
@T
A
= 25
O
C
1.6W
2
0.74W
Θ
jc
(
O
C / W ）
15
125
Θ
ja
(
O
C / W ）
78
2
170
I
DR1
200mA
175mA
I
DRM
500mA
500mA
注意事项：
1. I
D
（续）由最大限制额定牛逼
j
.
2.安装在FR4板， 25毫米x 25mm的X 1.57毫米
电气特性
符号
参数
民
典型值
最大
单位
条件
BV
DSX
V
GS （ OFF ）
ΔV
GS （ OFF ）
I
GSS
I
D（关闭）
I
DSS
R
DS （ ON）
ΔR
DS （ ON）
G
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
漏极至源极击穿电压
栅 - 源电压OFF
改变V
GS （ OFF ）
随温度
门体漏电流
漏极至源极漏电流
饱和漏极至源极电流
静态漏 - 源极导通状态
阻力
变化在研发
DS （ ON）
随温度
正向跨导
输入电容
共源输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向压降
反向恢复时间
300
-1.0
-
-
-
-
200
-
-
300
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
800
-
-3.5
4.5
100
10
1.0
-
12
1.1
-
300
30
5
10
15
15
20
1.8
-
V
V
毫伏/
O
C
nA
A
mA
mA
Ω
%/
O
C
mmho
pF
V
GS
= -5.0V ，我
D
= 100A
V
DS
= 25V ，我
D
= 10A
V
DS
= 25V ，我
D
= 10A
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
V
DS
=最大额定值，V
GS
= -10V
V
DS
= 0.8最大额定值，
V
GS
= -10V ，T
A
= 125
O
C
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V
V
GS
= 0V时，我
D
= 150毫安
V
GS
= 0V时，我
D
= 150毫安
V
DS
= 10V ，我
D
= 150毫安
V
GS
= -10V,
V
DS
= 25V,
F = 1MHz的
V
DD
= 25V,
I
D
= 150毫安，
R
根
= 25,
V
GS
= -10V ，我
SD
= 150毫安
V
GS
= -10V ，我
SD
= 1.0A
ns
V
ns
注意事项：
1.全直流参数100％测试25
O
C除非另有说明。 （脉冲测试： 300μS脉冲， 2 ％的占空比）。
2.所有参数交流采样测试。
开关波形和测试电路
0V
V
DD
R
L
产量
90%
输入
-10V
10%
t
（上）
脉冲
发电机
t
（关闭）
t
r
t
D（关闭）
t
F
R
根
t
D（上）
V
DD
10%
10%
输入
D.U.T.
产量
0V
90%
90%
2
QQ：2881677436 复制
