DS55451 2 3 4 DS75451 2 3 4系列双外围驱动器
1995年2月
DS55451 2 3 4 DS75451 2 3 4系列
DUAL外设驱动程序
概述
该DS7545X系列双外设驱动程序是一个家庭
在系统设计中使用通用的设备使用TTL
逻辑的典型应用包括高速缓存的逻辑
电力驱动继电器驱动器灯驱动器MOS驱动总线
驱动程序和内存司机
该DS55451 DS75451 DS55452 DS75452 DS55453
DS75453和DS55454 DS75454是双周边及
的NAND或NOR和司机分别（正逻辑）
与逻辑门内部连接到输出
的NPN输出晶体管的基极
特点
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
300毫安输出电流能力
高电压输出
无输出闭锁在20V
高速开关
逻辑功能的选择
TTL兼容的二极管钳位输入
标准电源电压
取代TI ''A' '和' 'B' '系列
连接图
（双列直插式和金属罐封装）
TL F 5824- 2
TL F 5824 - 3
TL F 5824 - 4
TL F 5824 - 5
顶视图
订单号DS55451J - 8
DS75451M或DS75451N
顶视图
订单号DS55452J - 8
DS75452M或DS75452N
顶视图
订单号DS55453J - 8
DS75453M或DS75453N
顶视图
订单号DS55454J - 8
DS75454M或DS75454N
见NS包装数J08A M08A或N08E
见注5和附录E关于SO封装功耗限制
TL F 5824-6
TL F 5824 - 7
TL F 5824 - 8
顶视图
订单号DS55451H
顶视图
订单号DS55452H
见NS包装数H08C
顶视图
订单号DS55453H
（引脚4是与本案电接触）
C
1995年全国半导体公司
TL F 5824
RRD - B30M105印制在U S A
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
电源电压（V
CC
） （注2 ）
输入电压
国米发射极电压（注3 ）
输出电压（注4 ）
DS55451 DS75451 DS55452 DS75452
DS55453 DS75453 DS55454 DS75454
输出电流（注5 ）
DS55451 DS75451 DS55452 DS75452
DS55453 DS75453 DS55454 DS75454
DS75451 2 3 4最大功率（注5）
功耗在25℃
腔体套餐
模压DIP封装
TO-5包
SO封装
7 0V
5 5V
5 5V
30V
存储温度范围
引线温度（焊接4秒）
b
65℃，以
a
150 C
260 C
工作条件
民
电源电压（V
CC
)
DS5545X
DS7545X
温度（T
A
)
DS5545X
DS7545X
45
4 75
b
55
最大
55
5 25
a
125
a
70
单位
V
V
C
C
0
300毫安
减免腔封装7 3毫瓦C以上25°C减免模塑封装
7 7毫瓦C以上25°C减免TO- 5包5 1毫瓦C以上25°C
减额SO封装， 7 56毫瓦C以上25°C
1090毫瓦
957毫瓦
760毫瓦
632毫瓦
电气特性
DS55451 DS75451 DS55452 DS75452 DS55453 DS75453 DS55454 DS75454 （注6及7 ）
符号
V
IH
V
IL
V
I
V
OL
参数
高电平输入电压
低电平输入电压
输入钳位电压
低电平输出电压
V
CC
e
闵我
I
E B
12毫安
V
CC
e
民
V
IL
e
0 8V
I
OL
e
百毫安
I
OL
e
300毫安
V
IH
e
2V
I
OL
e
百毫安
I
OL
e
300毫安
I
OH
高电平输出电流
V
CC
e
民
（图7）
V
OH
e
30V V
IH
e
2V
V
IL
e
0 8V
I
I
I
IH
I
IL
I
CCH
输入电流最大
输入电压
高层次的输入电流
V
CC
e
MAX V
I
e
5 5V
（图9 ）
V
CC
e
MAX V
I
e
2 4V
（图9 ）
b
1
条件
最小值典型值
2
最大
单位
V
（图7）
08
b
1 5
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
DS55451 DS55453
DS75451 DS75453
DS55451 DS55453
DS75451 DS75453
DS55452 DS55454
DS75452 DS75454
DS55452 DS55454
DS75452 DS75454
DS55451 DS55453
DS75451 DS75453
DS55452 DS55454
DS75452 DS75454
0 25
0 25
05
05
0 25
0 25
05
05
05
04
08
07
05
04
08
07
300
100
300
100
1
40
b
1 6
（图7）
低电平输入电流
V
CC
e
MAX V
I
e
0 4V
（图8）
电源电流输出高V
CC
e
MAX V
I
e
5V
（图10 ）
V
I
e
0V
V
I
e
5V
V
I
e
0V
DS55451 DS75451
DS55452 DS75452
DS55453 DS75453
DS55454 DS75454
DS55451 DS75451
DS55452 DS75452
DS55453 DS75453
DS55454 DS75454
7
11
8
13
52
56
54
61
11
14
11
17
65
71
68
79
I
CCL
电源电流输出低V
CC
e
最大
（图10 ）
V
I
e
0V
V
I
e
5V
V
I
e
0V
V
I
e
5V
2
开关特性
DS55451 DS75451 DS55452 DS75452 DS55453 DS75453 DS55454 DS75454 （V
CC
e
5V牛逼
A
e
25 C)
符号
t
PLH
参数
传播延迟时间从低到高
电平输出
条件
C
L
e
15 pF的
L
e
50X
I
O
200毫安
（图14）
DS55451 DS75451
DS55452 DS75452
DS55453 DS75453
DS55454 DS75454
t
PHL
传播延迟时间高到低
电平输出
C
L
e
15 pF的
L
e
50X
I
O
200毫安
（图14）
DS55451 DS75451
DS55452 DS75452
DS55453 DS75453
DS55454 DS75454
t
TLH
t
THL
V
OH
转换时间由低到高级别
产量
过渡时间高到低级别
产量
高电平输出电压后，
开关
C
L
e
15 pF的
L
e
50X我
O
（图14）
C
L
e
15 pF的
L
e
50X我
O
（图14）
V
S
e
我20V
O
200mA
200毫安
民
典型值
18
26
18
27
18
24
16
24
5
7
V
S
b
6 5
最大
25
35
25
35
25
35
25
35
8
12
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
mV
300毫安
（图15）
注1
''绝对最大额定值''是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证除'工作温度范围''
它们不意味着暗示该设备应在这些限制下操作的''电气特性“”该表提供了条件，实际的设备
手术
注2
电压值是相对于网络的接地端子，除非另有说明
注3
多发射极晶体管的两个发射极之间的电压
注4
这应该被应用到任何输出时，它是在“ ”OFF“ ”状态下的最大电压
注5
这些双回路两部分可以进行额定电流但同时功耗平均在很短的时间间隔必须属于
连续耗散额定值
注6
除非另有说明，最小最大限制适用跨越
b
55 ℃
a
125℃的温度范围内为DS55450系列和跨越0 ℃至
a
70 C
为DS7545X系列的所有标准被定为V系列
CC
E A
5V和T
A
e
25 C
注7：
所有电流为器件引脚显示为阳性出来的器件引脚为负电压，所有引用到地面，除非另有说明，所有显示的值
为最大或最小的绝对值基础
3
DS55451 2 3 4 DS75451 2 3 4系列双外围驱动器
1995年2月
DS55451 2 3 4 DS75451 2 3 4系列
DUAL外设驱动程序
概述
该DS7545X系列双外设驱动程序是一个家庭
在系统设计中使用通用的设备使用TTL
逻辑的典型应用包括高速缓存的逻辑
电力驱动继电器驱动器灯驱动器MOS驱动总线
驱动程序和内存司机
该DS55451 DS75451 DS55452 DS75452 DS55453
DS75453和DS55454 DS75454是双周边及
的NAND或NOR和司机分别（正逻辑）
与逻辑门内部连接到输出
的NPN输出晶体管的基极
特点
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
300毫安输出电流能力
高电压输出
无输出闭锁在20V
高速开关
逻辑功能的选择
TTL兼容的二极管钳位输入
标准电源电压
取代TI ''A' '和' 'B' '系列
连接图
（双列直插式和金属罐封装）
TL F 5824- 2
TL F 5824 - 3
TL F 5824 - 4
TL F 5824 - 5
顶视图
订单号DS55451J - 8
DS75451M或DS75451N
顶视图
订单号DS55452J - 8
DS75452M或DS75452N
顶视图
订单号DS55453J - 8
DS75453M或DS75453N
顶视图
订单号DS55454J - 8
DS75454M或DS75454N
见NS包装数J08A M08A或N08E
见注5和附录E关于SO封装功耗限制
TL F 5824-6
TL F 5824 - 7
TL F 5824 - 8
顶视图
订单号DS55451H
顶视图
订单号DS55452H
见NS包装数H08C
顶视图
订单号DS55453H
（引脚4是与本案电接触）
C
1995年全国半导体公司
TL F 5824
RRD - B30M105印制在U S A
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
电源电压（V
CC
） （注2 ）
输入电压
国米发射极电压（注3 ）
输出电压（注4 ）
DS55451 DS75451 DS55452 DS75452
DS55453 DS75453 DS55454 DS75454
输出电流（注5 ）
DS55451 DS75451 DS55452 DS75452
DS55453 DS75453 DS55454 DS75454
DS75451 2 3 4最大功率（注5）
功耗在25℃
腔体套餐
模压DIP封装
TO-5包
SO封装
7 0V
5 5V
5 5V
30V
存储温度范围
引线温度（焊接4秒）
b
65℃，以
a
150 C
260 C
工作条件
民
电源电压（V
CC
)
DS5545X
DS7545X
温度（T
A
)
DS5545X
DS7545X
45
4 75
b
55
最大
55
5 25
a
125
a
70
单位
V
V
C
C
0
300毫安
减免腔封装7 3毫瓦C以上25°C减免模塑封装
7 7毫瓦C以上25°C减免TO- 5包5 1毫瓦C以上25°C
减额SO封装， 7 56毫瓦C以上25°C
1090毫瓦
957毫瓦
760毫瓦
632毫瓦
电气特性
DS55451 DS75451 DS55452 DS75452 DS55453 DS75453 DS55454 DS75454 （注6及7 ）
符号
V
IH
V
IL
V
I
V
OL
参数
高电平输入电压
低电平输入电压
输入钳位电压
低电平输出电压
V
CC
e
闵我
I
E B
12毫安
V
CC
e
民
V
IL
e
0 8V
I
OL
e
百毫安
I
OL
e
300毫安
V
IH
e
2V
I
OL
e
百毫安
I
OL
e
300毫安
I
OH
高电平输出电流
V
CC
e
民
（图7）
V
OH
e
30V V
IH
e
2V
V
IL
e
0 8V
I
I
I
IH
I
IL
I
CCH
输入电流最大
输入电压
高层次的输入电流
V
CC
e
MAX V
I
e
5 5V
（图9 ）
V
CC
e
MAX V
I
e
2 4V
（图9 ）
b
1
条件
最小值典型值
2
最大
单位
V
（图7）
08
b
1 5
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
DS55451 DS55453
DS75451 DS75453
DS55451 DS55453
DS75451 DS75453
DS55452 DS55454
DS75452 DS75454
DS55452 DS55454
DS75452 DS75454
DS55451 DS55453
DS75451 DS75453
DS55452 DS55454
DS75452 DS75454
0 25
0 25
05
05
0 25
0 25
05
05
05
04
08
07
05
04
08
07
300
100
300
100
1
40
b
1 6
（图7）
低电平输入电流
V
CC
e
MAX V
I
e
0 4V
（图8）
电源电流输出高V
CC
e
MAX V
I
e
5V
（图10 ）
V
I
e
0V
V
I
e
5V
V
I
e
0V
DS55451 DS75451
DS55452 DS75452
DS55453 DS75453
DS55454 DS75454
DS55451 DS75451
DS55452 DS75452
DS55453 DS75453
DS55454 DS75454
7
11
8
13
52
56
54
61
11
14
11
17
65
71
68
79
I
CCL
电源电流输出低V
CC
e
最大
（图10 ）
V
I
e
0V
V
I
e
5V
V
I
e
0V
V
I
e
5V
2
开关特性
DS55451 DS75451 DS55452 DS75452 DS55453 DS75453 DS55454 DS75454 （V
CC
e
5V牛逼
A
e
25 C)
符号
t
PLH
参数
传播延迟时间从低到高
电平输出
条件
C
L
e
15 pF的
L
e
50X
I
O
200毫安
（图14）
DS55451 DS75451
DS55452 DS75452
DS55453 DS75453
DS55454 DS75454
t
PHL
传播延迟时间高到低
电平输出
C
L
e
15 pF的
L
e
50X
I
O
200毫安
（图14）
DS55451 DS75451
DS55452 DS75452
DS55453 DS75453
DS55454 DS75454
t
TLH
t
THL
V
OH
转换时间由低到高级别
产量
过渡时间高到低级别
产量
高电平输出电压后，
开关
C
L
e
15 pF的
L
e
50X我
O
（图14）
C
L
e
15 pF的
L
e
50X我
O
（图14）
V
S
e
我20V
O
200mA
200毫安
民
典型值
18
26
18
27
18
24
16
24
5
7
V
S
b
6 5
最大
25
35
25
35
25
35
25
35
8
12
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
mV
300毫安
（图15）
注1
''绝对最大额定值''是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证除'工作温度范围''
它们不意味着暗示该设备应在这些限制下操作的''电气特性“”该表提供了条件，实际的设备
手术
注2
电压值是相对于网络的接地端子，除非另有说明
注3
多发射极晶体管的两个发射极之间的电压
注4
这应该被应用到任何输出时，它是在“ ”OFF“ ”状态下的最大电压
注5
这些双回路两部分可以进行额定电流但同时功耗平均在很短的时间间隔必须属于
连续耗散额定值
注6
除非另有说明，最小最大限制适用跨越
b
55 ℃
a
125℃的温度范围内为DS55450系列和跨越0 ℃至
a
70 C
为DS7545X系列的所有标准被定为V系列
CC
E A
5V和T
A
e
25 C
注7：
所有电流为器件引脚显示为阳性出来的器件引脚为负电压，所有引用到地面，除非另有说明，所有显示的值
为最大或最小的绝对值基础
3
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