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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符D型号页 > 首字符D的型号第45页 > DS5002FP
DS5002FP
安全微处理器芯片
www.maxim-ic.com
特点
·
8051兼容微处理器
安全/敏感的应用
- 访问32 ， 64 ，或128字节
非易失性SRAM的程序和/或
数据存储
- 在系统通过片上串行编程
PORT
-
能够修改自己的程序或
在端系统中的数据存储
固件安全性
- 存储加密的形式存储
- 使用片内64位密钥加密
- 自动真随机密钥生成器
- 自毁输入（ SDI ）
- 可选面漆防止探针
(DS5002FPM)
- 比以前提高了安全性
代
- 保护存储内容被盗版
防撞操作
- 维护所有非易失资源
超过10年在没有电源的
- 掉电复位
- 预警电源故障中断
- 看门狗定时器
引脚分配
BA11
P0.5/AD5
PE1
P0.6/AD6
BA10
P0.7/AD7
CE1
NC
CE1N
BD7
ALE
BD6
NC
BD5
P2.7/A15
BD4
80 79 78 77 76 75 74 73 72 71 70 69 68 67 66 65
·
P0.4AD4
CE2
PE2
BA9
P0.3/AD3
BA8
P0.2/AD2
BA13
P0.1/AD1
读/写
P0.0/AD0
VCC0
VCC
MSEL
P1.0
BA14
P1.1
BA12
P1.2
BA7
P1.3
PE3
PE4
BA6
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
DS5002FP
25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
P2.6/A14
CE3
CE4
BD3
P2.5/A13
BD2
P2.4/A12
BD1
P2.3/A11
BD0
VLI
SDI
GND
P2.2/A10
P2.1/A9
P2.0/A8
XTAL1
XTAL2
P3.7/RD
P3.6/WR
P3.5/TI
PF
VRST
P3.4/T0
描述
该DS5002FP安全微处理器芯片是的DS5001FP 128K软件的安全版本
微处理器芯片。除了存储器和DS5001FP的I / O的功能增强，安全
微处理器芯片集成在任何可用的处理器上最先进的安全功能。该
在DS5002FP的安全特性包括其目的是为了抵御各种级别的机制，一个数组
的威胁，包括观察，分析和物理攻击。其结果，付出巨大的努力将是
需要获得有关存储器内容的任何信息。此外，在“软”性
DS5002FP中允许的频繁修改安全信息，从而最大限度地减少了任何的值
通过这样的巨大的努力获得安全信息。
注意：
该器件的一些修订可能偏离从已知公布的技术规格
勘误表。任何器件的多个版本可能同时获得通过不同的销售
通道。欲了解器件勘误表的信息，请点击这里：
http://dbserv.maxim-ic.com/errata.cfm 。
1 29
052599
P1.4
BA5
P1.5
BA4
P1.6
BA3
P1.7
PROG
BA2
RST
BA1
P3.0/RXD
BA0
P3.1/TXD
P3.2/INT0
P3.3/INT1
·
DS5002FP
该DS5002FP实现了安全系统，这是其前身的改进版，
DS5000FP 。如DS5000FP ， DS5002FP的加载和执行加密应用软件
形式。高达128 KB的标准SRAM可以通过其字节宽度的总线进行访问。该RAM被转换
由DS5002FP进入锂电供电的非易失性存储程序和数据。数据被保持为
超过10年的在室温下具有非常小的锂电池。在RAM的结果，该内容
和软件的执行出现不可理解到外部观察者。的加密算法
使用内部存储和保护密钥。任何试图发现其删除键值结果，
渲染RAM无用的加密内容。
安全微处理器芯片提供了许多重要的增强功能的软件安全
在上一代DS5000FP实施。首先， DS5002FP提供了一个强大的软件
加密算法，该算法采用了DES加密元素。第二，该加密是根据
一个64位的密钥字，相比于DS5000FP的40位密钥。第三，该密钥只能从一个装
片上真正的随机数发生器。其结果，真实的密钥值从不由用户已知的。第四，
自毁输入引脚（ SDI ）提供给接入外部篡改检测电路。或
未经Ⅴ的存在
CC
，激活SDI引脚具有相同的效果重置安全锁：
关键字和48字节的向量RAM区立即删除。第五，可选的顶涂层
模具防止使用微探针技术的信息的访问。最后，客户专用版本
在DS5002FP的，可它包含一个一类的加密算法。
当作为一个安全系统的设计的一部分，基于所述DS5002FP中可以典型地为系统中实现
提供安全的水平，这需要更多的时间和资源来败比它值得
未经授权的个人谁有理由去尝试。对于谁想要一个预先构建模块使用的用户
DS5002FP的RAM，锂电池，和一个实时时钟，所述DS2252T可用，并且在所描述
单独的数据表。
订购信息
以下设备可作为从达拉斯半导体标准产品：
产品编号
DS5002FP-16
DS5002FPM-16
描述
80引脚QFP封装，
马克斯。时钟频率为16 MHz ，
0 ° C至70 ° C温度范围
80引脚QFP封装，
马克斯。时钟频率为16 MHz ，
0 ° C至70 ° C温度范围，
内置探针盾
操作信息包含在用户手册的安全微处理器，数据手册的章节。
该数据手册提供订购信息，引出线，和电气规范。
框图
图1是一个方框图，示出DS5002FP中的内部架构。该DS5002FP是
在DS5001FP 128k柔性微处理器芯片的安全实施。其结果是，它工作在一个
同样的方式向DS5001FP除非另有说明。看到DS5001FP数据表的操作
详细信息。
2 29
DS5002FP
DS5002FP框图
图1
3 29
DS5002FP
引脚说明
针
11, 9, 7, 5, 1,
79, 77, 75
15, 17, 19, 21,
25, 27, 29, 31
49, 50, 51, 56,
58, 60, 64, 66
36
38
39
40
41
44
45
46
34
70
47, 48
52
13
12
描述
P0.0 - P0.7.
通用I / O端口0，该端口为漏极开路，不能驱动逻辑1。它要求
外部上拉电阻。端口0也是多路复用扩展的地址/数据总线。当以这种方式使用时，它
不需要上拉电阻。
P1.0 - P1.7.
通用I / O端口1 。
P2.0 - P2.7.
通用I / O端口2.也可作为扩展地址总线的最高位。
P3.0 RXD 。
通用I / O端口引脚3.0 。还作为接收信号的上板的UART 。
该引脚不应直接连接到PC的COM口。
P3.1 TXD 。
通用I / O端口引脚3.1 。还用作用于上板的UART发送信号。
该引脚不应直接连接到PC的COM口。
P3.2
INT0
.
通用I / O端口引脚3.2 。也用作活性低外部中断0 。
P3.3
INT1
.
通用I / O端口引脚3.3 。也用作活性低外部中断1 。
P3.4 T0 。
通用I / O端口引脚3.4 。也可作为定时器0的输入。
P3.5 T1 。
通用I / O端口引脚3.5 。也可作为定时器1的输入。
P3.6
WR
.
通用I / O端口引脚。也可作为写选通的扩展总线操作。
P3.7
RD
.
通用I / O端口引脚。也可作为读选通扩展总线操作。
RST -
高电平有效复位输入。适用于该引脚为逻辑1时启动复位状态。这个引脚上拉
内部倒使该引脚可以悬空，如果不使用。一个RC上电复位电路是不是
需要的，不推荐使用。
ALE -
地址锁存使能。用于解复用的复用扩展的地址/数据总线上的端口0 。
这个引脚通常连接到时钟输入上的“ 373型透明锁存器。
XTAL2 ， XTAL1 。
用外部晶振连接到内部振荡器。 XTAL1是输入到一个
反相放大器和XTAL2是输出。
GND -
逻辑地。
V
CC
-
+5V
V
CCO
-
V
CC
输出。这是V之间的切换
CC
和V
LI
通过基于V的电平内部电路
CC
.
当功率大于锂输入，电源将被从V绘制
CC
。锂电池仍然孤立
从负载。当V
CC
低于V
LI
中，V
CCO
切换至V
LI
源。 V
CCO
应连接到
在V
CC
引脚的SRAM的。
V
LI
-
锂电池电压输入。连接到锂比V细胞更大
利民
和不大于Vout
蛞蝓
as
在电气规格所示。面值为+ 3V 。
BA14 - 0 。
字节宽度的地址总线位14-0 。这个总线是结合非多路复用数据总线
（ BD7-0 ）来访问NVSRAM 。使用进行解码
CE1
通过
CE4
。因此， BA15不
实际需要。读/写访问是由R /可控
W
。 BA14-0直接连接到8K ， 32K ， 128K或
SRAM 。如果一个8K的RAM时， BA13和BA14会悬空。如果一个128K的SRAM被使用的，微
转换
CE2
和
CE3
作为分别为A16和A15 。
BD7 - 0 。
字节宽数据总线7-0位。这8位双向总线是结合非多路复用
地址总线（ BA14-0 ）来访问NV SRAM 。解码进行上
CE1
和
CE2
。读/写访问
由R /可控
W
。 BD7-0直接连接到一个SRAM ，以及任选一种实时时钟或其他
外设。
R/
W
-
读/写。这个信号提供了写使能到字节宽的总线上的SRAM 。这是
由存储器映射和划分控制。所选的程序（ ROM）的块将被写
受保护的。
CE1
-
芯片使能1。这是主解码芯片使能为字节宽的总线上的内存访问。它
连接到芯片使能一个SRAM的输入。
CE1
是锂的支持。它将保持逻辑高
非活动状态时， V
CC
低于V
LI
.
CE2
-
芯片使能2，该芯片能够提供存取存储器的第二块32K 。它连接
到芯片使能一个SRAM的输入。当MSEL = 0，则微转换
CE2
到A16为128K ×8
SRAM 。
CE2
是锂和支持时，将保持在逻辑高电平V
CC
低于V
LI
.
描述
CE3
-
芯片使能3.该芯片能够提供存取存储器三分之一32K块。它连接到
芯片使能一个SRAM的输入。当MSEL = 0，则微转换
CE3
到A15为128K ×8
54
16, 8, 18, 80,
76, 4, 6, 20,
24, 26, 28, 30,
33, 35, 37
71, 69, 67, 65,
61, 59, 57, 55
10
74
2
针
63
4 29
DS5002FP
62
SRAM 。
CE3
是锂和支持时，将保持在逻辑高电平V
CC
低于V
LI
.
CE4
-
芯片使能4.该芯片能够提供存取内存四分之一32K块。它连接到
芯片使能一个SRAM的输入。当MSEL = 0时，该信号是未使用的。
CE4
是锂和支持
当将保持在逻辑高电平V
CC
低于V
LI
.
PE1
-
外设使能1。访问地址0000H和3FFFH当PES位之间的数据存储器
被设置为逻辑1。常用于芯片启动一字节宽的实时时钟，如DS1283 。
PE1
is
锂电池支持，并会保持在逻辑高电平时， V
CC
低于V
LI
。连
PE1
以电池供电的
功能而已。
PE2
-
外设使能2.访问地址4000H和7FFFh表示，当PES位之间的数据存储器
被设置为逻辑1 。
PE2
是锂和支持时，将保持在逻辑高电平V
CC
低于V
LI
.
CONNECT
PE2
仅由电池供电的功能。
PE3
-
外设使能3.访问地址为8000H和BFFFH当PES位之间的数据存储器
被设置为逻辑1 。
PE3
不是锂备份，并且可以连接到任何类型的外围设备的功能。如果
连接到电池供电的芯片，就需要额外的电路以保持在一个芯片使能
非活动状态时， V
CC
＆ LT ; V
LI
.
PE4
-
外设启用4.访问地址C000H -FFFFH的数据存储器时， PES位
被设置为逻辑1 。
PE4
不是锂备份，并且可以连接到任何类型的外围设备的功能。如果
连接到电池供电的芯片，就需要额外的电路以保持在一个芯片使能
非活动状态时， V
CC
＆ LT ; V
LI
.
PROG
-
上调用一个下降沿的引导加载程序。这个信号应抖使得仅
一个边缘被检测。如果连接到地，微将进入引导加载上电。这
信号被上拉到内部。
VRST
-
该I / O引脚（漏极开路输出，内部上拉）表示电源电压（V
CC
）下降
下面的V
CCmin
级别和微观处于复位状态。当这种情况发生时， DS5002FP将推动这一
引脚为逻辑0。因为是微型锂电池供电的，这个信号即使在V保证
CC
=0V.
因为它是一个I / O引脚，它也将强制复位，如果拉低到外部。这允许多个零件
同步他们的掉电复位。
PF
-
这个输出变为逻辑0 ，以指示该微已经切换到备份锂。这
对应于V
CC
＆ LT ; V
LI
。因为微是锂的支持下，该信号，即使在V保证
CC
= 0V 。这个信号的正常应用是控制锂供电电流来隔离电池支持
非电池供电的功能函数。
MSEL -
内存选择。该信号控制所述存储器的大小选择。当MSEL = + 5V时，
DS5002FP希望用32K ×8的SRAM 。当MSEL = 0V时， DS5002FP预计使用128K ×8
SRAM 。不管分区，模式等MSEL必须连接
SDI -
自毁输入。该引脚上的高电平有效使一个解锁过程。这导致了
破坏矢量RAM ，加密密钥，以及电力从V损失
CCO
。该引脚应
如果不使用接地。
CE1N
-
这是一个非电池供电的版本
CE1
。这是不是非常有用，因为可以DS5002FP
不能用的EPROM用于由于其加密。
NC -
不要连接。
78
3
22
23
32
42
43
14
53
72
73
5 29
DS5002FP
安全微处理器芯片
www.maxim-ic.com
概述
该DS5002FP安全微处理器芯片是
在DS5001FP 128k柔性的安全版本
微处理器芯片。除存储器和
的I / DS5001FP阿增强，安全
微处理器
芯片
整合
该
最
在任何可用的先进的安全功能
处理器。在DS5002FP的安全功能
包括的机制的阵列被设计成
抵御各种级别的威胁，包括观察，
分析和物理攻击。其结果是，大规模的
需要努力来获取有关的任何信息
存储器的内容。此外， “软”性
在DS5002FP允许的频繁修改
安全信息，从而最小化的值
通过这样一个庞大获得的任何安全信息
努力。
特点
8051兼容微处理器
安全/敏感的应用
访问32kB的64kB的， NV SRAM为，或128kB的
程序和/或数据存储
在系统编程通过片上串行
PORT
可以调节自身的程序或数据存储器
中端系统
固件安全性
存储加密的形式存储
加密算法采用片内64位密钥
自动操作的真随机密钥生成器
自毁输入（ SDI ）
可选的顶部敷层防止微探针
(DS5002FPM)
提高安全性上一代产品
保护存储内容被盗版
防冲击工作
保持非易失资源超过10
多年从事电力的缺失
掉电复位
预警电源故障中断
看门狗定时器
引脚配置
顶视图
BA11
P0.5/AD5
PE1
P0.6/AD6
BA10
P0.7/AD7
CE1
北卡罗来纳州
CE1N
BD7
ALE
BD6
北卡罗来纳州
BD5
P2.7/A15
BD4
80 79 78 77 76 75 74 73 72 71 70 69 68 67 66 65
P0.4AD4
CE2
PE2
BA9
P0.3/AD3
BA8
P0.2/AD2
BA13
P0.1/AD1
读/写
P0.0/AD0
V
CC0
V
CC
MSEL
P1.0
BA14
P1.1
BA12
P1.2
BA7
P1.3
PE3
PE4
BA6
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
达拉斯
半导体
DS5002FP
25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
P2.6/A14
CE3
CE4
BD3
P2.5/A13
BD2
P2.4/A12
BD1
P2.3/A11
BD0
VLI
SDI
GND
P2.2/A10
P2.1/A9
P2.0/A8
XTAL1
XTAL2
P3.7/RD
P3.6/WR
P3.5/TI
PF
VRST
P3.4/T0
订购信息
部分
DS5002FPM-16
DS5002FPM-16+
DS5002FMN-16
DS5002FMN-16+
温度范围
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
国内
微
探头
盾
是的
是的
是的
是的
PIN的
包
80 QFP
80 QFP
80 QFP
80 QFP
+
表示无铅/符合RoHS标准的器件。
选型指南在数据资料的最后。
注意：
该器件的一些修订可能偏离称为勘误表公布的规格。任何器件的多个版本
可能同时获得通过不同的销售渠道。欲了解器件勘误表的信息，请点击这里：
www.maxim-ic.com/errata 。
P1.4
BA5
P1.5
BA4
P1.6
BA3
P1.7
PROG
BA2
RST
BA1
P3.0/RXD
BA0
P3.1/TXD
P3.2/INT0
P3.3/INT1
QFP
1 25
REV ： 072806
DS5002FP安全微处理器芯片
电气规格
该DS5002FP坚持公布了DS5001FP所有的AC和DC电气规格。
绝对最大额定值
任何引脚对地的电压范围........................ 。 - 0.3V至（V
CC
+ 0.5V)
在V电压范围
CC
相对于地面.............................................................................. -0.3V至+ 6.0V
工作温度Range………………………………………………………………………………..-40°C至+ 85°C
存储温度* ...……………………………………………………………………………………..-55°C至+ 125°C
焊接温度........................ .....见IPC / JEDEC J- STD- 020规范
这是一个额定值，设备的功能操作在这些或超出在操作上标明的任何其他条件
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值条件下，时间过长会影响可靠性。
*存储
温度被定义为所述设备当V的温度
CC
= 0V和V
LI
= 0V 。在该状态下的SRAM的内容是不
电池支持和不确定。
DC特性
(V
CC
= 5V ±10 ％ ，T
A
= 0 ° C至+ 70°C 。 ） **
参数
符号
输入低电压
V
IL
输入高电压
V
IH1
输入高电压
V
IH2
（ RST ， XTAL1 ，
PROG
)
输出低电压，在我
OL
= 1.6毫安
V
OL1
（端口1 ，2，3 ，
PF
)
输出低电压，在我
OL
= 3.2毫安
（端口0 ， ALE ， BA15-0 ， BD7-0 ，
V
OL2
R/
W
,
CE1N
,
CE
1–4,
PE
1–4, V
RST
)
输出高电压，在我
OH
= -80A
V
OH1
（端口1 ，2，3 ）
输出高电压，在我
OH
= -400A
（端口0 ， ALE ， BA15-0 ， BD7-0 ，
V
OH2
R/
W
,
CE1N
,
CE
1–4,
PE
1–4, V
RST
)
输入低电平电流
I
IL
V
IN
= 0.45V （端口1 ，2，3 ）
跳变电流; 1到0
V
IN
= 2.0V （端口1 ，2，3 ）
SDI输入低电压
SDI输入高电压
SDI下拉电阻
输入漏电流（端口0 ， MSEL ）
RST下拉电阻
VRST
上拉电阻
PROG
上拉电阻
条件
（注1 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注1 ， 13 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注1 ）
民
-0.3
2.0
3.5
典型值
最大
+0.8
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
单位
V
V
V
V
V
V
V
0.15
0.15
2.4
2.4
4.8
4.8
0.45
0.45
-50
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
（注12 ）
A
A
V
V
k
A
k
k
k
I
TL
V
ILS
V
IHS
R
SDI
I
IL
R
RE
R
VR
R
PR
V
PFW
-500
-600
2.0
25
40
30
4.7
40
0.4
V
CCO
60
+10
150
180
（注1 ）
（注1 ， 11 ）
0.45 ＆ LT ; V
IN
＆ LT ; V
CC
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
（注12 ）
电源失效报警电压
最低工作电压
工作电压
V
CCmin
V
CC
0 ° C至+ 70°C
（注1 ）
-40 ° C至+ 85°C
（注1 ， 12 ）
0 ° C至+ 70°C
（注1 ）
-40 ° C至+ 85°C
（注1 ， 12 ）
（注1 ）
2 25
4.25
4.1
4.00
3.85
V
CCmin
4.37
4.37
4.12
4.09
4.5
V
4.6
4.25
V
4.25
5.5
V
DS5002FP安全微处理器芯片
直流特性（续）
(V
CC
= 5V ±10 ％ ，T
A
= 0 ° C至+ 70°C 。 ） **
参数
符号
锂电池电源电压
V
LI
工作电流为16MHz
I
CC
在12MHz的空闲模式电流
停止模式电流
引脚电容
输出电源电压（V
CCO
)
输出电源电池备份
模式（V
CCO
,
CE1-4 ， PE
1–2)
输出电源电流（注6 ）
锂静态后盾
电流（注7 ）
I
空闲
I
停止
C
IN
V
CCO1
V
CCO2
I
CCO1
I
LI
条件
（注1 ）
（注2 ）
0 ° C至+ 70 ° C（注3 ）
-40 ° C至+ 85°C （注3 ， 12 ）
（注4 ）
（注5 ）
（注1,2 ）
0 ° C至+ 70 ° C（注1,8 ）
-40 ° C至+ 85°C （注1,8 ，
12)
V
CCO
= V
CC
- 0.45V
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
BAT = 3.0V （ 0 ° C至+ 70 ° C）
（注1 ）
BAT = 3.0V （ -40 ° C至+ 85°C ）
（注1 ， 12 ）
BAT = 3.3V （ 0 ° C至+ 70 ° C）
（注1 ）
民
2.5
典型值
最大
4.0
36
7.0
8.0
80
10
单位
V
mA
mA
A
pF
V
V
75
75
500
4.25
4.25
4.65
mA
nA
V
CC
-0.45
V
LI
-0.65
V
LI
-0.9
5
75
4.0
3.85
4.4
复位停止模式跳变点
**所有
参数适用于商业和工业温度操作，除非另有说明。
注1 ：
注2 ：
注3 ：
注4 ：
注5 ：
注6 ：
注7 ：
注8 ：
注9 ：
所有电压以地为参考。
最大工作我
CC
测量时，所有输出引脚断开; XTAL1驱动吨
CLKR
, t
CLKF
= 10纳秒，V
IL
= 0.5V ; XTAL2
断开连接; RST = PORT0 = V
CC
， MSEL = V
SS
.
空闲模式I
空闲
测量时，所有输出引脚断开; XTAL1驱动吨
CLKR
,t
CLKF
= 10ns的，V
IL
= 0.5V ; XTAL2
断开连接; PORT0 = V
CC
， RST = MSEL = V
SS
.
停止模式I
停止
测量时，所有输出引脚断开; PORT0 = V
CC
; XTAL2不连接; RST = MSEL = XTAL1 =
V
SS
.
销电容测量用测试频率： 1MHz的，T
A
= +25°C.
I
CCO1
是最大的平均工作电流可以从V绘制
CCO
在正常的操作。
I
LI
从V被汲取的电流
LI
输入时， V
CC
= 0V和V
CCO
断开。电池备份模式下为2.5V
≤
V
BAT
≤
4.0; V
CC
≤
V
BAT
; V
SDI
应
≤
V
ILS
对于我
BAT
马克斯。
V
CCO2
测定采用V
CC
＆ LT ; V
LI
和10μA对V最大负载
CCO
.
晶体的启动时间是获得结晶成从时刻振动运动的质量所需要的时间即功率是第一
施加到电路，直到第一个时钟脉冲是由内部振荡器产生的。用户应与晶体检查
供应商对这个时间的最坏情况说明。
SDI是去抖处理，以防止意外破坏。脉冲必须长于吨
SPR
要通过限变，但SDI是不
保证除非它比吨更长
SPA
.
V
IHS
最小值为2.0V或V
CCO
，以较低者为准。
此参数适用于工业温度运行。
PF
指定与V引脚工作
BAT
≥
3.0V.
注10 ：
注11 ：
注12 ：
注13 ：
AC特性-SDI引脚
(V
CC
= 0V至5V ，T
A
= 0 ° C至+ 70°C ）。
参数
符号
SDI脉冲拒绝（注10 ）
SDI脉冲接受（注10 ）
t
SPR
t
SPA
条件
4.5V < V
CC
＆ LT ; 5.5V
V
CC
= 0V, V
BAT
= 2.9V
4.5V < V
CC
＆ LT ; 5.5V
V
CC
= 0V, V
BAT
= 2.9V
3 3
民
典型值
最大
1.3
4
单位
s
s
10
50
DS5002FP安全微处理器芯片
交流特性展开的总线模式时序规范
(V
CC
= 5V ±10 ％ ，T
A
= 0 ° C至+ 70°C 。 ） （图
1
和
图2）
#
参数
符号
条件
1振荡器频率
1 / t
CLK
2 ALE脉冲宽度
t
ALPW
3地址有效到ALE低
t
AVALL
4地址保持ALE低后
t
AVAAV
14
RD
脉冲宽度
t
RDPW
15
WR
脉冲宽度
t
WRPW
12MHz
t
RDLDV
16
RD
低到有效数据中
16MHz
经过17数据保持
RD
高
t
RDHDV
18数据浮动后
RD
高
t
RDHDZ
12MHz
19 ALE低到有效数据中
t
ALLVD
16MHz
12MHz
20有效的地址有效数据中
t
AVDV
16MHz
21 ALE低
RD
or
WR
低
t
ALLRDL
地址有效到
RD
or
WR
22
t
AVRDL
低
23数据有效到
WR
走出低
t
DVWRL
12MHz
t
DVWRH
24数据有效到
WR
高
16MHz
经过有效数据25
WR
高
t
WRHDV
26
RD
低到地址浮
t
RDLAZ
27
RD
or
WR
高到ALE高
t
RDHALH
民
1.0
2t
CLK
- 40
t
CLK
- 40
t
CLK
- 35
6t
CLK
- 100
6t
CLK
- 100
最大
16
单位
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
0
t
CLK
+ 50
ns
ns
ns
5t
CLK
- 165
5t
CLK
- 105
0
2t
CLK
- 70
8t
CLK
- 150
8t
CLK
- 90
9t
CLK
- 165
9t
CLK
- 105
3t
CLK
+ 50
3t
CLK
- 50
4t
CLK
- 130
t
CLK
- 60
7t
CLK
- 150
7t
CLK
- 90
t
CLK
-50
t
CLK
- 40
图1.扩展数据存储器读周期
4 25
DS5002FP安全微处理器芯片
图2.扩展数据存储器写周期
交流特性，外部时钟驱动
(V
CC
= 5V ±10 ％ ，T
A
= 0 ° C至+ 70°C 。 ） （图
3)
#
参数
符号
28
29
30
31
外部时钟高电平时间
外部时钟低电平时间
外部时钟上升时间
外部时钟下降时间
t
CLKHPW
t
CLKLPW
t
CLKR
t
CLKF
条件
12MHz
16MHz
12MHz
16MHz
12MHz
16MHz
12MHz
16MHz
民
20
15
20
15
最大
单位
ns
ns
20
15
20
15
ns
ns
图3.外部时钟时序
5 25
DS5002FP
安全微处理器芯片
www.maxim-ic.com
概述
该DS5002FP安全微处理器芯片是
在DS5001FP 128k柔性的安全版本
微处理器芯片。除存储器和
的I / DS5001FP阿增强，安全
微处理器
芯片
整合
该
最
在任何可用的先进的安全功能
处理器。在DS5002FP的安全功能
包括的机制的阵列被设计成
抵御各种级别的威胁，包括观察，
分析和物理攻击。其结果是，大规模的
需要努力来获取有关的任何信息
存储器的内容。此外， “软”性
在DS5002FP允许的频繁修改
安全信息，从而最小化的值
通过这样一个庞大获得的任何安全信息
努力。
特点
§
8051兼容微处理器
安全/敏感的应用
访问32kB的64kB的， NV SRAM为，或128kB的
程序和/或数据存储
在系统编程通过片上串行
PORT
可以调节自身的程序或数据存储器
中端系统
固件安全性
存储加密的形式存储
加密算法采用片内64位密钥
自动操作的真随机密钥生成器
自毁输入（ SDI ）
可选的顶部敷层防止微探针
(DS5002FPM)
提高安全性上一代产品
保护存储内容被盗版
防冲击工作
保持非易失资源超过10
多年从事电力的缺失
掉电复位
预警电源故障中断
看门狗定时器
§
引脚配置
顶视图
BA11
P0.5/AD5
PE1
P0.6/AD6
BA10
P0.7/AD7
CE1
北卡罗来纳州
CE1N
BD7
ALE
BD6
北卡罗来纳州
BD5
P2.7/A15
BD4
§
80 79 78 77 76 75 74 73 72 71 70 69 68 67 66 65
P0.4AD4
CE2
PE2
BA9
P0.3/AD3
BA8
P0.2/AD2
BA13
P0.1/AD1
读/写
P0.0/AD0
V
CC0
V
CC
MSEL
P1.0
BA14
P1.1
BA12
P1.2
BA7
P1.3
PE3
PE4
BA6
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
达拉斯
半导体
DS5002FP
25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
P2.6/A14
CE3
CE4
BD3
P2.5/A13
BD2
P2.4/A12
BD1
P2.3/A11
BD0
VLI
SDI
GND
P2.2/A10
P2.1/A9
P2.0/A8
XTAL1
XTAL2
P3.7/RD
P3.6/WR
P3.5/TI
PF
VRST
P3.4/T0
订购信息
部分
DS5002FP-16
DS5002FPM-16
DS5002FP-16N
DS5002FMN-16
温度范围
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
PIN- PACKAGE
80 QFP
80 QFP
80 QFP
80 QFP
选型指南在数据资料的最后。
注意：
该器件的一些修订可能偏离称为勘误表公布的规格。任何器件的多个版本
可能同时获得通过不同的销售渠道。欲了解器件勘误表的信息，请点击这里：
www.maxim-ic.com/errata 。
P1.4
BA5
P1.5
BA4
P1.6
BA3
P1.7
PROG
BA2
RST
BA1
P3.0/RXD
BA0
P3.1/TXD
P3.2/INT0
P3.3/INT1
QFP
1 25
REV ： 030503
DS5002FP安全微处理器芯片
电气规格
该DS5002FP坚持公布了DS5001FP所有的AC和DC电气规格。绝对
最大额定值和独特的规格DS5002FP如下表所示。
绝对最大额定值
任何引脚对地的电压范围
在V电压范围
CC
相对于地
工作温度范围
存储温度*
焊接温度
-0.3V到（V
CC
+ 0.5V)
-0.3V至+ 6.0V
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
见IPC / JEDEC J- STD- 020A
这是一个额定值，设备的功能操作在这些或超出在操作上标明的任何其他条件
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值条件下，时间过长会影响可靠性。
*存储
温度被定义为所述设备当V的温度
CC
= 0V和V
LI
= 0V 。在该状态下的SRAM的内容是不
电池支持和不确定。
DC特性
(V
CC
= 5V ±10 ％ ，T
A
= 0 ° C至+ 70°C ）。
参数
输入低电压
输入高电压
输入高电压
（ RST ， XTAL1 ，
PROG
)
输出低电压，在我
OL
= 1.6毫安
（端口1 ，2，3 ，
PF
)
输出低电压，在我
OL
= 3.2毫安
（端口0 ， ALE ， BA15-0 ， BD7-0 ，R /
W
,
CE1N
,
CE
1–4,
PE
1–4, V
RST
)
输出高电压，在我
OH
= -80A
（端口1 ，2，3 ）
输出高电压，在我
OH
= -400A
（端口0 ， ALE ， BA15-0 ， BD7-0 ，R /
W
,
CE1N
,
CE
1–4,
PE
1–4, V
RST
)
输入低电平电流
V
IN
= 0.45V （端口1 ，2，3 ）
跳变电流; 1到0
V
IN
= 2.0V （端口1 ，2，3 ）
SDI输入低电压
SDI输入高电压
SDI下拉电阻
符号
V
IL
V
IH1
V
IH2
V
OL1
V
OL2
V
OH1
V
OH2
I
IL
I
TL
I
TL
V
ILS
V
IHS
R
SDI
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
（注12 ）
（注1 ）
（注1 ， 11 ）
条件
（注1 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注1 ， 13 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注1 ）
2.4
2.4
民
-0.3
2.0
3.5
0.15
0.15
4.8
4.8
-50
-500
-600
2.0
25
0.4
V
CCO
60
典型值
最大
+0.8
V
CC
+
0.3
V
CC
+
0.3
0.45
0.45
单位
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
V
V
k
2 25
DS5002FP安全微处理器芯片
直流特性（续）
(V
CC
= 5V ±10 ％ ，T
A
= 0 ° C至+ 70°C ）。
参数
符号
输入漏电流（端口0 ，
I
IL
MSEL ）
RST下拉电阻
VRST
上拉电阻
PROG
上拉电阻
条件
0.45 ＆ LT ; V
IN
＆ LT ; V
CC
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C （注12 ）
民
40
30
典型值
最大
+10
150
180
单位
A
k
k
k
R
RE
R
VR
R
PR
V
PFW
V
CCmin
V
LI
I
CC
I
空闲
I
停止
C
IN
V
CCO1
V
CCO2
I
CCO1
I
LI
电源失效报警电压
最低工作电压
锂电池电源电压
工作电流为16MHz
在12MHz的空闲模式电流
停止模式电流
引脚电容
输出电源电压（V
CCO
)
输出电源电池备份
模式（V
CCO
,
CE
1–4,
PE
1–2)
输出电源电流（注6 ）
锂静态后盾
电流（注7 ）
0 ° C至+ 70 ° C（注1 ）
-40 ° C至+ 85°C （注1 ， 12 ）
0 ° C至+ 70 ° C（注1 ）
-40 ° C至+ 85°C （注1 ， 12 ）
（注1 ）
（注2 ）
0 ° C至+ 70 ° C（注3 ）
-40 ° C至+ 85°C （注3 ， 12 ）
（注4 ）
（注5 ）
（注1,2 ）
0 ° C至+ 70 ° C（注1,8 ）
-40 ° C至+ 85°C （注1,8 ，
12)
V
CCO
= V
CC
- 0.45V
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
BAT = 3.0V （ 0 ° C至+ 70 ° C）
（注1 ）
BAT = 3.0V （ -40 ° C至+ 85°C ）
（注1 ， 12 ）
BAT = 3.3V （ 0 ° C至+ 70 ° C）
（注1 ）
4.25
4.1
4.00
3.85
2.5
4.7
40
4.37
4.37
4.12
4.09
4.5
4.6
4.25
4.25
4.0
36
7.0
8.0
80
10
V
V
V
mA
mA
A
pF
V
V
V
CC
-0.45
V
LI
-0.65
V
LI
-0.9
5
75
4.0
3.85
4.4
75
75
500
4.25
4.25
4.65
mA
nA
复位停止模式跳变点
AC特性
(V
CC
= 0V至5V ，T
A
= 0 ° C至+ 70°C ）。
参数
符号
SDI脉冲拒绝（注10 ）
SDI脉冲接受（注10 ）
t
SPR
t
SPA
条件
4.5V < V
CC
＆ LT ; 5.5V
V
CC
= 0V, V
BAT
= 2.9V
4.5V < V
CC
＆ LT ; 5.5V
V
CC
= 0V, V
BAT
= 2.9V
民
典型值
最大
2
4
单位
s
s
10
50
3 25
DS5002FP安全微处理器芯片
交流特性展开的总线模式时序规范
(V
CC
= 5V ±10 ％ ，T
A
= 0 ° C至+ 70°C 。 ） （图
1
和
图2）
#
参数
符号
条件
1振荡器频率
1 / t
CLK
2 ALE脉冲宽度
t
ALPW
3地址有效到ALE低
t
AVALL
4地址保持ALE低后
t
AVAAV
14
RD
脉冲宽度
t
RDPW
15
WR
脉冲宽度
t
WRPW
12MHz
t
RDLDV
16
RD
低到有效数据中
16MHz
经过17数据保持
RD
高
t
RDHDV
18数据浮动后
RD
高
t
RDHDZ
12MHz
19 ALE低到有效数据中
t
ALLVD
16MHz
12MHz
20有效的地址有效数据中
t
AVDV
16MHz
21 ALE低
RD
or
WR
低
t
ALLRDL
地址有效到
RD
or
WR
22
t
AVRDL
低
23数据有效到
WR
走出低
t
DVWRL
12MHz
t
DVWRH
24数据有效到
WR
高
16MHz
经过有效数据25
WR
高
t
WRHDV
26
RD
低到地址浮
t
RDLAZ
27
RD
or
WR
高到ALE高
t
RDHALH
民
1.0
2t
CLK
- 40
t
CLK
- 40
t
CLK
- 35
6t
CLK
- 100
6t
CLK
- 100
最大
16
单位
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
0
t
CLK
+ 50
ns
ns
ns
5t
CLK
- 165
5t
CLK
- 105
0
2t
CLK
- 70
8t
CLK
- 150
8t
CLK
- 90
9t
CLK
- 165
9t
CLK
- 105
3t
CLK
+ 50
3t
CLK
- 50
4t
CLK
- 130
t
CLK
- 60
7t
CLK
- 150
7t
CLK
- 90
t
CLK
-50
t
CLK
- 40
图1.扩展数据存储器读周期
4 25
DS5002FP安全微处理器芯片
图2.扩展数据存储器写周期
交流特性，外部时钟驱动
(V
CC
= 5V ±10 ％ ，T
A
= 0 ° C至+ 70°C 。 ） （图
3)
#
参数
符号
28
29
30
31
外部时钟高电平时间
外部时钟低电平时间
外部时钟上升时间
外部时钟下降时间
t
CLKHPW
t
CLKLPW
t
CLKR
t
CLKF
条件
12MHz
16MHz
12MHz
16MHz
12MHz
16MHz
12MHz
16MHz
民
20
15
20
15
最大
单位
ns
ns
20
15
20
15
ns
ns
图3.外部时钟时序
5 25
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DCR011203U
DF19L-30S-1HGND
DX31A-100SW-LNA
DSPIC30F8013BT-20E/PT-ES
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