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DCR1375SBA28
相位控制晶闸管
DS4654-5.1 2005年5月( LN23955 )
取代2001年7月版DS4654-5.0
特点
双面冷却
高浪涌能力
低导通损耗
主要参数
V
DRM
I
T( AV )
I
TSM
的dV / dt *
的di / dt
2800V
2004A
35000A
1000V/s
500A/s
应用
高压电源转换器
直流电机控制
高压电源
电压额定值
第一部分和
订购
重复峰值
电压
V
DRM
和V
RRM
V
2800
2700
2600
2500
2400
条件
DCR1375SBA28
DCR1375SBA27
DCR1375SBA26
DCR1375SBA25
DCR1375SBA24
T
vj
= 0 ° C至125°C ,
I
DRM
= I
RRM
= 150毫安,
V
DRM
, V
RRM
t
p
= 10ms时,
V
帝斯曼
&放大器; V
RSM
=
V
DRM
&放大器; V
RRM
+ 100V
分别
较低的电压等级。
外形类型代码:L
(见包的详细信息以获取更多信息)
图。 1封装外形
订购信息
订购时,选择所需的部件号
在电压等级选择表所示。
例如:
DCR1375SBA28
注:请使用完整的部件号订购时
并引述任何今后的对应这个号码
关于您的订单。
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DCR1375SBA28
半导体
电流额定值
T
= 60 ° C除非另有说明
符号
双侧冷却
I
T( AV )
I
T( RMS )
I
T
参数
测试条件
马克斯。
单位
意思是通态电流
有效值
连续的(直接)通态电流
半波阻性负载
-
-
2004
3148
2846
A
A
A
单面冷却(阳极侧)
I
T( AV )
I
T( RMS )
I
T
意思是通态电流
有效值
连续的(直接)通态电流
半波阻性负载
-
-
1491
2342
2009
A
A
A
T
= 80 ° C除非另有说明
符号
双侧冷却
I
T( AV
I
T( RMS )
I
T
参数
测试条件
马克斯。
单位
意思是通态电流
有效值
连续的(直接)通态电流
半波阻性负载
-
-
1575
2475
2200
A
A
A
单面冷却(阳极侧)
I
T( AV )
I
T( RMS )
I
T
意思是通态电流
有效值
连续的(直接)通态电流
半波阻性负载
-
-
1150
1805
1520
A
A
A
2/9
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DCR1375SBA28
半导体
浪涌额定值
符号
I
TSM
It
I
TSM
It
2
2
参数
浪涌(非重复)通态电流
我吨融合
浪涌(非重复)通态电流
我吨融合
2
2
测试条件
10ms的半正弦波,T
= 125° C
V
R
= 50 % VRRM - 正弦
10ms的半正弦波,T
= 125° C
V
R
= 0
马克斯。
28
3.92×10
35
6.125×10
6
6
单位
kA
As
kA
As
2
2
热学和力学额定值
符号
R
日(J -C )
参数
热阻 - 结到管壳
测试条件
双侧冷却
单面冷却
DC
阳极DC
阴极DC
R
个( C-H)
热电阻 - 案件散热器
锁模力40.0kN
(带安装化合物)
T
vj
虚拟结温
导通状态(导通)
反向(阻塞)
T
英镑
F
m
存储温度范围
锁模力
双面
单面
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-55
36
马克斯。
0.013
0.021
0.034
0.003
0.006
135
125
125
44
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
°C
°C
kN
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DCR1375SBA28
半导体
动态特性
符号
I
RRM
/I
DRM
dv / dt的
的di / dt
参数
反向峰值和关态电流
马克斯。断态电压上升率直线
率通态电流上升
测试条件
在V
RRM
/V
DRM
, T
= 125° C
到67 %的V
DRM
, T
j
= 125°C ,门打开
从80 %的V
DRM
门源20V , 20Ω ,
t
r
<是1.0μs ,T
j
= 125° C
50Hz的重复
不重复
分钟。
-
-
-
-
马克斯。
150
1000
250
500
单位
mA
V / μs的
A / μs的
A / μs的
V
T( TO )
r
T
t
gd
阈值电压 - 低等级
通态斜率电阻 - 低级别
延迟时间
在T
vj
= 125° C
在T
vj
= 125° C
V
D
= 67% V
DRM
,门源30V , 15Ω
t
r
= 0.5μs的,T
j
= 25° C
-
-
-
1.02
0.259
2
V
m
s
t
q
打开-O FF时间
I
T
= 800A ,T
p
= 1毫秒,T
j
= 125°C ,V = 50V ,
R
的di / dt = 20A / μs的,V
DR
= 67% V
DRM
dV
DR
/ DT = 20V / μs的线性
400
s
Q
S
I
L
I
H
存储电荷
闭锁电流
保持电流
I
T
= 800A ,T
j
= 125°C , di / dt的 - 1A / μs的,
T
j
= 25 ° C,V = 5V
D
T
j
= 25℃ ,R =
克-K
-
-
-
1500
500
260
C
mA
mA
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DCR1375SBA28
半导体
门极触发特性和额定值
符号
V
GT
V
GD
I
GT
V
FGM
V
FGN
V
RGM
I
FGM
P
GM
P
G( AV )
参数
门极触发电压
门非触发电压
门极触发电流
峰值正向栅极电压
峰值正向栅极电压
峰值正向栅极电压
峰值正向栅电流
峰值功率门
平均功耗门
测试条件
V
DRM
= 5V ,T
= 25° C
在V
DRM ,
T
= 125° C
V
DRM
= 5V ,T
= 25° C
阳极相对于正
阴极
阳极负相对于
阴极
-
阳极相对于正
阴极
见附表所示。五
-
马克斯。
3
0.25
350
30
0.25
5
10
150
10
单位
V
V
mA
V
V
V
A
W
W
曲线
图2最大(极限)的通态特性
V
TM
方程
V
TM
= A + BLN (我
T
) + C.I
T
+ D.√I
T
哪里
A = 1.149986
B = -0.09990939
-5
C = 7.993598×10
D = 0.02290949
这些值是有效的对于T
j
= 125°C ,因为我500A到6500A
T
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DCR1375SBA
DCR1375SBA
相位控制晶闸管
超前信息
取代2000年10月版, DS4654-4.0
2001年DS4654-5.0月
特点
s
双面冷却
s
高浪涌能力
s
低导通损耗
主要参数
V
DRM
I
T( AV )
I
TSM
DVDT
的di / dt
2800V
2004A
35000A
1000V/
s
500A/
s
应用
s
高压电源转换器
s
高压电源
s
电机控制
电压额定值
类型编号
重复峰值
电压
V
DRM
V
RRM
V
2800
2700
2600
2500
2400
条件
DCR1375SBA28
DCR1375SBA27
DCR1375SBA26
DCR1375SBA25
DCR1375SBA24
T
vj
= 0至125℃ ,
I
DRM
= I
RRM
= 150毫安,
V
DRM
, V
RRM
t
p
= 10ms时,
V
帝斯曼
&放大器; V
RSM
=
V
DRM
&放大器; V
RRM
+ 100V
分别
较低的电压等级。
大纲类型代码: MU140 。
见包详细信息以获取更多信息。
图1封装外形
订购信息
订购时,选择显示所需的部件号
额定电压选择表。
例如:
DCR1375SBA26
注:请使用完整的部件号订购时
而报价在今后的任何对应关系这个数字与
您的订单。
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DCR1375SBA
电流额定值
T
= 60℃ ,除非另有说明。
符号
双侧冷却
I
T( AV )
I
T( RMS )
I
T
意思是通态电流
有效值
连续的(直接)通态电流
半波阻性负载
-
-
2004
3148
2846
A
A
A
参数
条件
马克斯。
单位
单面冷却(阳极侧)
I
T( AV )
I
T( RMS )
I
T
意思是通态电流
有效值
连续的(直接)通态电流
半波阻性负载
-
-
1491
2342
2009
A
A
A
电流额定值
T
= 80°C ,除非另有说明。
符号
双侧冷却
I
T( AV )
I
T( RMS )
I
T
意思是通态电流
有效值
连续的(直接)通态电流
半波阻性负载
-
-
1575
2475
2200
A
A
A
参数
条件
马克斯。
单位
单面冷却(阳极侧)
I
T( AV )
I
T( RMS )
I
T
意思是通态电流
有效值
连续的(直接)通态电流
半波阻性负载
-
-
1150
1805
1520
A
A
A
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DCR1375SBA
浪涌额定值
符号
I
TSM
I
2
t
I
TSM
I
2
t
参数
浪涌(非重复)通态电流
I
2
吨融合
浪涌(非重复)通态电流
I
2
吨融合
条件
10ms的半正弦;牛逼
= 125
o
C
V
R
= 50% V
RRM
- 1/4正弦
10ms的半正弦;牛逼
= 125
o
C
V
R
= 0
马克斯。
28
3.92 x 10
6
35
6.125 x 10
6
单位
kA
A
2
s
kA
A
2
s
热学和机械数据
符号
参数
条件
双侧冷却
R
日(J -C )
热阻 - 结到管壳
单面冷却
阴极DC
锁模力40KN
与安装复合
导通状态(导通)
T
vj
虚拟结温
反向(阻塞)
T
英镑
-
存储温度范围
锁模力
-
–55
36.0
125
125
44.0
o
分钟。
dc
阳极DC
-
-
-
-
-
-
马克斯。
0.013
0.021
0.034
0.003
0.006
135
单位
o
C / W
o
C / W
C / W
C / W
C / W
o
o
双面
单面
o
R
个( C-H)
热电阻 - 案件散热器
o
C
C
C
o
kN
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DCR1375SBA
动态特性
符号
I
RRM
/I
DRM
dv / dt的
参数
反向峰值和关态电流
断态电压上升的最大线性速度
条件
在V
RRM
/V
DRM
, T
= 125
o
C
到67 %的V
DRM
T
j
= 125
o
C.
从80 %的V
DRM
门源20V , 20Ω
t
r
是1.0μs 。牛逼
j
= 125
o
C.
在T
vj
= 125
o
C
在T
vj
= 125
o
C
V
D
= 67% V
DRM
,门源30V , 15Ω
上升时间0.5μs的,T
j
= 25
o
C
50Hz的重复
不重复
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
150
1000
250
500
1.02
0.259
2
单位
mA
V / μs的
A / μs的
A / μs的
V
m
s
的di / dt
率通态电流上升
V
T( TO )
r
T
t
gd
阈值电压
通态斜率电阻
延迟时间
I
T
= 800A ,T
p
为1ms ,T
j
= 125C,
t
q
打开-O FF时间
V
R
= 50V ,二
RR
/ DT = 20A / μs的,
V
DR
= 67% V
DRM
, DV
DR
/ DT = 20V / μs的线性
T
j
= 25
o
C,V
D
= 5V
T
j
= 25
o
C,V
克-K
=
400
-
s
I
L
I
H
闭锁电流
保持电流
-
-
500
260
mA
mA
门极触发特性和额定值
符号
V
GT
I
GT
V
GD
V
FGM
V
FGN
V
RGM
I
FGM
P
GM
P
G( AV )
参数
门极触发电压
门极触发电流
门非触发电压
峰值正向栅极电压
峰值正向栅极电压
峰值反向栅极电压
峰值正向栅电流
峰值功率门
平均功耗门
阳极相对于阴极为正的
见附表,门特性曲线
条件
V
DRM
= 5V ,T
= 25
o
C
V
DRM
= 5V ,T
= 25
o
C
在V
DRM
T
= 125
o
C
阳极相对于阴极为正的
阳极负相对于阴极
马克斯。
3.0
350
0.25
30
0.25
5
10
150
10
单位
V
mA
V
V
V
V
A
W
W
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DCR1375SBA
曲线
8000
脉冲的条件下测定
T
j
= 125C
7000
6000
5000
瞬时通态电流I
T
- (A)
6000
5000
4000
功耗 - ( W)
4000
3000
3000
2000
2000
1000
1000
特区
半波
3相
6相
1000
2000
3000
4000
0
0.5
1.0
2.0
3.0
1.5
2.5
瞬时通态电压,V
T
- (V)
3.5
0
0
意思是通态电流I
T( AV )
- (A)
图2最大(极限)的通态特性
V
TM
公式: -
V
TM
= A + BLN (我
T
) + C.I
T
+ D.√I
T
A = 1.149986
B = –0.09990939
C = 7.993598 ×10
–5
D = 0.02290949
这些值是有效的对于T
j
= 125℃下我
T
500A到6500A
哪里
图3耗散曲线
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
    -
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电话:15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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