DCR1375SBA28
相位控制晶闸管
DS4654-5.1 2005年5月( LN23955 )
取代2001年7月版DS4654-5.0
特点
双面冷却
高浪涌能力
低导通损耗
主要参数
V
DRM
I
T( AV )
I
TSM
的dV / dt *
的di / dt
2800V
2004A
35000A
1000V/s
500A/s
应用
高压电源转换器
直流电机控制
高压电源
电压额定值
第一部分和
订购
数
重复峰值
电压
V
DRM
和V
RRM
V
2800
2700
2600
2500
2400
条件
DCR1375SBA28
DCR1375SBA27
DCR1375SBA26
DCR1375SBA25
DCR1375SBA24
T
vj
= 0 ° C至125°C ,
I
DRM
= I
RRM
= 150毫安,
V
DRM
, V
RRM
t
p
= 10ms时,
V
帝斯曼
&放大器; V
RSM
=
V
DRM
&放大器; V
RRM
+ 100V
分别
较低的电压等级。
外形类型代码:L
(见包的详细信息以获取更多信息)
图。 1封装外形
订购信息
订购时,选择所需的部件号
在电压等级选择表所示。
例如:
DCR1375SBA28
注:请使用完整的部件号订购时
并引述任何今后的对应这个号码
关于您的订单。
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DCR1375SBA28
半导体
动态特性
符号
I
RRM
/I
DRM
dv / dt的
的di / dt
参数
反向峰值和关态电流
马克斯。断态电压上升率直线
率通态电流上升
测试条件
在V
RRM
/V
DRM
, T
例
= 125° C
到67 %的V
DRM
, T
j
= 125°C ,门打开
从80 %的V
DRM
门源20V , 20Ω ,
t
r
<是1.0μs ,T
j
= 125° C
50Hz的重复
不重复
分钟。
-
-
-
-
马克斯。
150
1000
250
500
单位
mA
V / μs的
A / μs的
A / μs的
V
T( TO )
r
T
t
gd
阈值电压 - 低等级
通态斜率电阻 - 低级别
延迟时间
在T
vj
= 125° C
在T
vj
= 125° C
V
D
= 67% V
DRM
,门源30V , 15Ω
t
r
= 0.5μs的,T
j
= 25° C
-
-
-
1.02
0.259
2
V
m
s
t
q
打开-O FF时间
I
T
= 800A ,T
p
= 1毫秒,T
j
= 125°C ,V = 50V ,
R
的di / dt = 20A / μs的,V
DR
= 67% V
DRM
dV
DR
/ DT = 20V / μs的线性
400
s
Q
S
I
L
I
H
存储电荷
闭锁电流
保持电流
I
T
= 800A ,T
j
= 125°C , di / dt的 - 1A / μs的,
T
j
= 25 ° C,V = 5V
D
T
j
= 25℃ ,R =
∞
克-K
-
-
-
1500
500
260
C
mA
mA
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