冯0 ; 12/06
准确的我
2
RTC，集成
TCXO /晶体/ FRAM
概述
该DS32X35准确的实时时钟（RTC）是一个温
perature补偿时钟/日历，其中包括一个
集成的32.768kHz晶体和非易失性的银行
存储器在单个封装中。非易失性存储器是
可在两种密度：2048 ×8和8192 ×8位。
晶体谐振器的集成提高了
所述装置的长期精确度，并减少
的片部计数了生产线。该装置
作为工作在I从站设备
2
C串行接口，
而在商业和工业温可
perature范围在300万， 20引脚SO封装。
该DS32X35包括非易失性存储器银行
不要求一个备份电源，以便main-
泰恩存储器内容。此外，没有读出或
写周期的限制。存储器阵列可以是
在最大循环速率为访问的生命
产品具有无机械磨损。
其它特性包括时间的日两个报警，一
可选择的输出，提供中断或亲
可编程方波，经过校准的32.768kHz
方波输出。复位输入/输出引脚提供
上电复位。另外，复位引脚监视
作为一个按键输入，产生外部复位。
一个精密的温度补偿基准和
比较器电路监视V的状态
CC
和自动
neces-时matically切换到备用电源
萨利。备用电源维护的操作
TCXO，时钟，报警，和RTC我
2
C操作。
特点
o
集成的32.768kHz晶体
o
高速（400kHz ）I
2
C接口
o
RTC计算秒，分，小时，星期，日期，
月份和闰年补偿，有效期
有效期至2100年
o
RTC精度± 2ppm的从0 ° C至+ 40°C
o
RTC精度± 3.5ppm的温度范围为-40 ° C至0 ℃，
+ 40 ° C至+ 85°C
o
非易失性存储器具有10年的保证
备份时间和写保护
o
非易失性存储器的两个可用密度
2048字节（ DS32B35 ）
8192字节（ DS32C35 ）
o
没有对存储周期限制
o
电源开关电路选择主之间
电源和备用电池的RTC
o
可编程方波的频率
的32.768kHz ， 8.192kHz ， 4.096kHz或1Hz的
o
两个时间的日历闹钟
o
复位输出/按钮复位（去抖）
输入
o
可编程输出提供或中断
方波
o
校准的32.768kHz开漏输出
o
温度传感器为± 3 °C精度
o
3.3V工作电压
o
商用和工业温度范围
o
300密耳， 20引脚SO封装
o
美国保险商实验室（ UL ）认可
引脚配置和订货信息出现在年底
数据资料。
DS32x35
应用
服务器
远程信息处理
实用功率计
全球定位系统
典型工作电路
V
CC
V
CC
R
PU
= t
R
/C
B
R
PU
R
PU
SCL
SCL
SDA
WP
RST
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
CC
INT / SQW
32kHz
V
BAT
GND
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
CC
中央处理器
DS32x35
按钮
RESET
GND
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Maxim Integrated Products版权所有
1
对于定价，交付和订购信息，请联系马克西姆直接在1-888-629-4642 ，
或访问Maxim的网站www.maxim-ic.com 。
准确的我
2
RTC，集成
TCXO /晶体/ FRAM
DS32x35
绝对最大额定值
任何引脚对地......- 0.3V至+ 5.0V的电压范围
工作温度范围..........................- 40 ° C至+ 85°C
结温................................................ ...... + 125°C
存储温度范围...............................- 40 ° C至+ 85°C
焊接温度（焊接， 10秒） ............... + 260℃
焊接温度................................................ ....查看
IPC / JEDEC J- STD- 020规范
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数和功能
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件，操作不暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
建议的直流工作条件
(T
A
= -40° C到+ 85 ℃，除非另有说明。 ）（注1,2 ）
参数
电源电压
电池电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
BAT
V
IH
V
IL
（注3）
（注4 ）
条件
民
2.70
2.3
0.7 x
V
CC
-0.3
典型值
3.3
3.0
最大
3.63
3.6
V
CC
+
0.3
+0.3 x
V
CC
单位
V
V
V
V
电气特性
(V
CC
= 2.7V至3.63V ，
T
A
= -40° C到+ 85 ℃，除非另有说明。 ） （注1）
参数
主动电源电流
符号
I
CCA
V
CC
= 3.63V,
SCL = 400kHz的
（注5 ）
条件
访问RTC寄存器
访问FRAM
内存
民
典型值
最大
260
260
110
575
2.45
I
OL
= 3毫安
I
OL
= 1毫安
输出高阻抗
-1
-1
RST
高阻抗（注6）
V
IN
= V
白细胞介素（最大）
V
IN
= V
IH（分钟）
-200
50
1
2.575
2.70
0.4
0.4
+1
+1
+10
A
单位
待机电源电流
温度转换电流
电源失效电压
逻辑0输出
32kHz,
INT / SQW ，
SDA
逻辑0输出
RST
输出漏电流
32kHz,
INT / SQW ，
SDA
输入漏
SCL
RST
I / O泄漏
WP输入电阻
I
CCS
I
TC
V
PF
V
OL
V
OL
I
泄漏
I
LI
I
OL
R
IN
V
CC
= 3.63V ， SCL = 0千赫兹，
32kHz的上， SQW关闭（注5 ）
V
CC
= 3.65V ， SCL = 0千赫兹，
在32kHz时， SQW关闭
A
A
V
V
V
A
A
A
kΩ
MΩ
2
_____________________________________________________________________
准确的我
2
RTC，集成
TCXO /晶体/ FRAM
电气特性（续）
(V
CC
= 2.7V至3.63V ，
T
A
= -40° C到+ 85 ℃，除非另有说明。 ） （注1）
参数
V
BAT
漏电流
(V
CC
活动）
输出频率
频率稳定度对比
温度
频率稳定度比。电压
符号
I
BATLKG
f
OUT
Δf/f
OUT
ΔF / V
-40°C
每个频率灵敏度LSB
ΔF / LSB
指定在：
+25°C
+70°C
+85°C
温度传感器精度
温度转换时间
温度
t
CONV
V
CC
= 3.3V或V
BAT
= 3.3V
-3
125
V
CC
= 3.3V或V
BAT
= 3.3V
-40 ℃至0 ℃下
V
CC
= 3.3V或
V
BAT
= 3.3V
0 ° C至+ 40°C
-40 ° C至+ 85°C
-3.5
-2
-3.5
1
0.7
0.1
0.4
0.8
+3
200
°C
ms
PPM
条件
民
典型值
25
32.768
+3.5
+2
+3.5
PPM / V
PPM
最大
100
单位
nA
千赫
DS32x35
电气特性
(V
CC
= 0V, V
BAT
= 2.3V至3.6V ，
T
A
= -40° C到+ 85 ℃，除非另有说明。 ） （注1）
参数
有源电池电流
符号
I
BATA
条件
EOSC
= 0， BBSQW = 0，
SCL = 400kHz的（注5 ）
V
BAT
= 3.6V
民
典型值
最大
70
单位
A
计时电池电流
I
BATT
EOSC
= 0， BBSQW = 0，
EN32kHz = 1，
V
BAT
= 3.6V
SCL ，SDA = = 0V或
SCL SDA = = V
BAT
（注5 ）
EOSC
= 0， BBSQW = 0，
SCL ，SDA = = 0V或
SCL SDA = = V
BAT
0.84
3.0
A
温度转换电流
数据保持电流
I
BATTC
I
BATDR
V
BAT
= 3.6V
575
100
A
nA
EOSC
= 1 ， SCL ，SDA = = 0V ， + 25°C
_____________________________________________________________________
3
准确的我
2
RTC，集成
TCXO /晶体/ FRAM
DS32x35
AC电气特性
(V
CC
= 2.7V至3.63V ，T
A
= -40° C到+ 85 ℃，除非另有说明。 ） （注1）
参数
SCL时钟频率
总线空闲时间之间停止
和启动条件
保持时间（重复）启动
条件（注7 ）
SCL时钟的低电平时间
高周期SCL时钟
数据保持时间（注8,9）
数据建立时间（注10 ）
重复启动建立时间
条件
上升的SDA和SCL时间
信号（注11 ）
秋季的SDA和SCL时间
信号（注11 ）
停止条件建立时间
容性负载每个总线
线（注11 ）
I / O容量
INT / SQW ，
32kHz时， SCL ， SDA
按键去抖
RESET活动时间
振荡器停止标志（ OSF ）延迟
FRAM数据保留
符号
f
SCL
t
BUF
t
高清： STA
t
低
t
高
t
高清： DAT
t
苏： DAT
t
SU ： STA
t
R
t
F
t
苏： STO
C
B
C
I / O
PB
DB
t
RST
t
OSF
t
DR
（注12 ）
10
输出=高阻抗
（见
按钮复位时序
图）
10
18
250
250
100
快速模式
标准模式
快速模式
标准模式
快速模式
标准模式
快速模式
标准模式
快速模式
标准模式
快速模式
标准模式
快速模式
标准模式
快速模式
标准模式
快速模式
标准模式
快速模式
标准模式
快速模式
标准模式
条件
民
100
0
1.3
4.7
0.6
4.0
1.3
4.7
0.6
4.0
0
0
100
250
0.6
4.7
20 +
0.1C
B
20 +
0.1C
B
0.6
4.0
400
300
1000
300
300
0.9
典型值
最大
400
100
单位
千赫
μs
μs
μs
μs
μs
ns
μs
ns
ns
μs
pF
pF
ms
ms
ms
岁月
4
_____________________________________________________________________
准确的我
2
RTC，集成
TCXO /晶体/ FRAM
电源开关特性
(T
A
= -40 ° C至+ 85°C ，注意事项1，看
电源开关时序
图。 ）
参数
V
CC
下降时间; V
PF （MAX）
to
V
PF（ MIN）的
V
CC
上升时间; V
PF（ MIN）的
to
V
PF （MAX）
恢复上电时
符号
t
VCCF
t
VCCR
t
REC
（注13 ）
条件
民
300
0
2
典型值
最大
单位
s
s
ms
DS32x35
5
警告：负下冲低于-0.3V ，而部分是在电池供电的模式可能会导致数据丢失。
注1 ：
限制在-40 ° C的设计，而不是生产测试保证。
注2 ：
所有电压以地为参考。
注3 ：
为了尽量减少对V漏电流
BAT
当内部电源被切换到V
BAT
中，V
IH
最小必须高于
V
BAT
- 0.6V 。否则，有显著耗用电流由于在SCL和SDA管脚的输入级。
注4 ：
在32kHz的上拉电阻上的电压和
INT / SQW
引脚可高达5.5V的最大考虑V的电压
CC
.
注5 ：
电流是平均输入电流，其包括温度转换电流。
注6 ：
该
RST
引脚有一个内部50kΩ的（名义）上拉电阻到V
CC
.
注7 ：
在此期间后，第一个时钟脉冲。
注8 ：
所述的装置必须在内部提供至少300ns的用于SDA信号的保持时间（称为V
IH（分钟）
在SCL显的
纳尔），以桥接SCL下降沿的未定义区域。
注9 ：
最大吨
高清： DAT
只需要得到满足，如果设备没有延长低电平时间（T
低
）的SCL信号。
注10 ：
快速模式器件也可在标准模式下的系统中使用，但要求吨
苏： DAT
≥
为250ns然后必须满足。这
是自动的情况下，如果设备没有延长SCL信号的低电平周期。如果这样的器件延长了
在SCL信号，它必须输出下一个数据位到SDA线T的低周期
的R（最大）
+ t
苏： DAT
= 1000 + 250 = 1250ns
之前， SCL线被释放。
注11 ：
C
B
在pF的总线上的 - 总电容。
注12 ：
参数t
OSF
时的时间周期，则OSF标志被设置过的电压范围的振荡器必须停止
0.0V
≤
V
CC
≤
V
CC（ MAX）的
和2.0V
≤
V
BAT
≤
3.6V.
注13 ：
只有当振荡器被使能，并运行此应用的延迟。如果
EOSC
位是1 ，叔
REC
被旁路和
RST
立即释放
LY变高。
_____________________________________________________________________
19-5340 ;转3 ; 7/10
准确的我
2
RTC，集成
TCXO /晶体/ FRAM
概述
该DS32B35 / DS32C35精确的实时时钟
（ RTC ）的时钟/日历，其中包括一个集成的
温度补偿型晶体振荡器（TCXO ） ，
水晶，和非易失性存储器（ FRAM ）的银行在
单个封装中。非易失性存储器是可用的
两种密度：2048 ×8和8192 ×8位。该集成
晶体谐振器的灰增强了长期
该器件的精度，以及降低了片
部计数了生产线。该器件工作
作为一个I从站设备
2
C串行接口，并
在商用和工业温度可用
范围在300万， 20引脚SO封装。
时钟/日历可以提供秒，分，时，日，
日期，月份和年份信息。在最后的日子
本月被自动调整为个月
少于31天，其中包括闰年修正。
该DS32B35 / DS32C35包括非易失性的银行
存储器，它不需要一个备用能量源
保持存储器的内容。此外，也有不
读或写周期的限制。可以在存储阵列
在最大循环速率为访问的生命
产品具有无机械磨损。
其它特性包括时间的日两个报警，一
可选的输出，提供中断或
可编程方波和校准
32.768kHz方波输出。复位输入/输出引脚
提供了一个上电复位为其他设备。
另外，复位引脚可以作为按键控制
输入用于产生外部复位。
精确的温度补偿参考电压进行
ENCE和比较器电路监视V的状态
CC
以检测电源故障，提供复位输出，并
自动切换到备用电源为
RTC / TCXO必要时。此外，该
RST
引脚
产生一个复位监控作为一个按键输入
外部。
特点
集成的32.768kHz晶体
高速（400kHz ）I
2
C接口
RTC计算秒，分，小时，星期，日期，
月份和闰年补偿，有效期
有效期至2100年
RTC精度± 2ppm的从0 ° C至+ 40°C
RTC精度± 3.5ppm的温度范围为-40 ° C至0 ℃，
+ 40 ° C至+ 85°C
非易失性存储器具有10年的保证
备份时间和写保护
非易失性存储器的两个可用密度
2048字节（ DS32B35 ）
8192字节（ DS32C35 ）
没有对存储周期限制
电源开关电路选择主之间
电源和备用电池的RTC
可编程方波的频率
的32.768kHz ， 8.192kHz ， 4.096kHz或1Hz的
两个时间的日历闹钟
复位输出/按钮复位（去抖）
输入
可编程输出提供或中断
方波
校准的32.768kHz开漏输出
温度传感器为± 3 °C精度
3.3V工作电压
商用和工业温度范围
300密耳， 20引脚SO封装
美国保险商实验室（ UL ）认可
DS32B35/DS32C35
订购信息
部分
DS32B35-33#
DS32B35-33IND#
DS32C35-33#
DS32C35-33IND#
温度范围
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
PIN- PACKAGE
20，
20，
20，
20，
应用
服务器
远程信息处理
实用功率计
全球定位系统
#Denotes符合RoHS标准的设备可能含有铅的
正在RoHS豁免权。率先完成的JESD97
类别e3中，并且与两个铅基和铅兼容
无铅焊接工艺。一" ＃ "上任何地方的顶标
表示符合RoHS标准的器件。
典型工作电路，引脚配置，并选择
指南在数据资料的最后。
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准确的我
2
RTC，集成
TCXO /晶体/ FRAM
DS32B35/DS32C35
绝对最大额定值
任何引脚对地......- 0.3V至+ 5.0V的电压范围
工作温度范围..........................- 40 ° C至+ 85°C
结温................................................ ...... + 125°C
存储温度范围...............................- 40 ° C至+ 85°C
结点至环境热阻（ θ
JA
） （注1 ）。... 55 ° C / W
注1 ：
结到外壳热阻（ θ
JC
） （注1 ） ...... 24 ° C / W
焊接温度（焊接， 10秒） ............... + 260℃
焊接温度（回流， 2个最大） .......................... + 260℃
（见
处理， PC板布局和组装
部分。 ）
封装的热电阻是用在JEDEC规范JESD51-7记载的方法得到，使用的是四
层板。有关封装的热注意事项的详细信息，请参阅
www.maxim-ic.com/thermal-tutorial 。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数和功能
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件，操作不暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
(T
A
= -40° C到+ 85 ℃，除非另有说明。 ）（注2,3）
参数
电源电压
电池电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
BAT
V
IH
V
IL
（注4 ）
（注5 ）
条件
民
2.70
2.3
0.7 x
V
CC
-0.3
典型值
3.3
3.0
最大
3.63
3.6
V
CC
+
0.3
+0.3 x
V
CC
单位
V
V
V
V
电气特性
(V
CC
= 2.7V至3.63V ，
T
A
= -40 ° C至+ 85°C ，除非另有说明。 ） （注2 ）
参数
主动电源电流
符号
I
CCA
V
CC
= 3.63V,
SCL = 400kHz的
（注6 ）
条件
访问RTC
访问FRAM
内存
民
典型值
最大
260
260
110
575
2.45
I
OL
= 3毫安
I
OL
= 1毫安
输出高阻抗
-1
-1
RST
高阻抗（注7 ）
V
IN
= V
白细胞介素（最大）
V
IN
= V
IH（分钟）
-200
50
1
2.575
2.70
0.4
0.4
+1
+1
+10
μA
单位
待机电源电流
温度转换电流
电源失效电压
逻辑0输出
32kHz,
INT / SQW ，
SDA
逻辑0输出
RST
输出漏电流
32kHz,
INT / SQW ，
SDA
输入漏
SCL
RST
I / O泄漏
WP输入电阻
I
CCS
I
TC
V
PF
V
OL
V
OL
I
泄漏
I
LI
I
OL
R
IN
V
CC
= 3.63V ， SCL = 0千赫兹，
在32kHz时， SQW关（注6 ）
V
CC
= 3.65V ， SCL = 0千赫兹，
在32kHz时， SQW关闭
μA
μA
V
V
V
μA
μA
μA
k
M
2
_____________________________________________________________________
准确的我
2
RTC，集成
TCXO /晶体/ FRAM
电气特性（续）
(V
CC
= 2.7V至3.63V ，
T
A
= -40 ° C至+ 85°C ，除非另有说明。 ） （注2 ）
参数
V
BAT
漏电流
(V
CC
活动）
输出频率
频率稳定度对比
温度
频率稳定度比。电压
符号
I
BATLKG
f
OUT
f/f
OUT
F / V
-40°C
每个频率灵敏度LSB
F / LSB
指定在：
+25°C
+70°C
+85°C
温度传感器精度
温度转换时间
温度
t
CONV
V
CC
= 3.3V或V
BAT
= 3.3V
-3
125
V
CC
= 3.3V或V
BAT
= 3.3V
-40 ℃至0 ℃下
V
CC
= 3.3V或
V
BAT
= 3.3V
0 ° C至+ 40°C
-40 ° C至+ 85°C
-3.5
-2
-3.5
1
0.7
0.1
0.4
0.8
+3
200
°C
ms
PPM
条件
民
典型值
25
32.768
+3.5
+2
+3.5
PPM / V
PPM
最大
100
单位
nA
千赫
DS32B35/DS32C35
电气特性
(V
CC
= 0V, V
BAT
= 2.3V至3.6V ，
T
A
= -40 ° C至+ 85°C ，除非另有说明。 ） （注2 ）
参数
有源电池电流
符号
I
BATA
条件
EOSC
= 0， BBSQW = 0，
SCL = 400kHz的（注5 ）
V
BAT
= 3.6V
民
典型值
最大
70
单位
μA
计时电池电流
I
BATT
EOSC
= 0， BBSQW = 0，
EN32kHz = 1，
V
BAT
= 3.6V
SCL ，SDA = = 0V或
SCL SDA = = V
BAT
（注6 ）
EOSC
= 0， BBSQW = 0，
SCL ，SDA = = 0V或
SCL SDA = = V
BAT
0.84
3.0
μA
温度转换电流
I
BATTC
V
BAT
= 3.6V
575
μA
数据保持电流
（ RTC / TCXO寄存器）
I
BATDR
EOSC
= 1 ， SCL ，SDA = = 0V ， + 25°C
100
nA
_____________________________________________________________________
3
准确的我
2
RTC，集成
TCXO /晶体/ FRAM
DS32B35/DS32C35
AC电气特性
(V
CC
= 2.7V至3.63V ，T
A
= -40 ° C至+ 85°C ，除非另有说明。 ） （注2 ）
参数
SCL时钟频率
总线空闲时间之间停止
和启动条件
保持时间（重复）启动
条件（注8）
SCL时钟的低电平时间
高周期SCL时钟
数据保持时间（注9 ， 10 ）
数据建立时间（注11 ）
重复启动建立时间
条件
上升的SDA和SCL时间
信号（注12 ）
秋季的SDA和SCL时间
信号（注12 ）
停止条件建立时间
容性负载每个总线
线（注12 ）
I / O容量
INT / SQW ，
32kHz时， SCL ， SDA
按键去抖
RESET活动时间
振荡器停止标志（ OSF ）延迟
FRAM数据保留
符号
f
SCL
t
BUF
t
高清： STA
t
低
t
高
t
高清： DAT
t
苏： DAT
t
SU ： STA
t
R
t
F
t
苏： STO
C
B
C
I / O
PB
DB
t
RST
t
OSF
t
DR
（注13 ）
10
输出=高阻抗
（见
按钮复位时序
图）
10
18
250
250
100
快速模式
标准模式
快速模式
标准模式
快速模式
标准模式
快速模式
标准模式
快速模式
标准模式
快速模式
标准模式
快速模式
标准模式
快速模式
标准模式
快速模式
标准模式
快速模式
标准模式
快速模式
标准模式
条件
民
100
0
1.3
4.7
0.6
4.0
1.3
4.7
0.6
4.0
0
0
100
250
0.6
4.7
20 +
0.1C
B
20 +
0.1C
B
0.6
4.0
400
300
1000
300
300
0.9
典型值
最大
400
100
单位
千赫
μs
μs
μs
μs
μs
ns
μs
ns
ns
μs
pF
pF
ms
ms
ms
岁月
4
_____________________________________________________________________
准确的我
2
RTC，集成
TCXO /晶体/ FRAM
电源开关特性
(T
A
= -40 ° C至+ 85°C ，注2 ，见
电源开关时序
图。 ）
参数
V
CC
下降时间; V
PF （MAX）
to
V
PF（ MIN）的
V
CC
上升时间; V
PF（ MIN）的
to
V
PF （MAX）
恢复上电时
符号
t
VCCF
t
VCCR
t
REC
（注14 ）
条件
民
300
0
300
典型值
最大
单位
μs
μs
ms
DS32B35/DS32C35
警告：负下冲低于-0.3V ，而部分是在电池供电的模式可能会导致数据丢失。
注2 ：
注3 ：
注4 ：
注5 ：
注6 ：
注7 ：
注8 ：
注9 ：
注10 ：
注11 ：
限制在-40 ° C的设计，而不是生产测试保证。
所有电压以地为参考。
为了尽量减少对V漏电流
BAT
当内部电源被切换到V
BAT
中，V
IH
最小必须高于
V
BAT
- 0.6V 。否则，有显著耗用电流由于在SCL和SDA管脚的输入级。
在32kHz的上拉电阻上的电压和
INT / SQW
引脚可高达5.5V的最大考虑V的电压
CC
.
电流是平均输入电流，其包括温度转换电流。
该
RST
引脚有一个内部50kΩ的（名义）上拉电阻到V
CC
.
在此期间后，第一个时钟脉冲。
所述的装置必须在内部提供至少300ns的用于SDA信号的保持时间（称为V
IH（分钟）
在SCL显的
纳尔），以桥接SCL下降沿的未定义区域。
最大吨
高清： DAT
只需要得到满足，如果设备没有延长低电平时间（T
低
）的SCL信号。
快速模式器件也可在标准模式下的系统中使用，但要求吨
苏： DAT
≥
为250ns然后必须满足。这
是自动的情况下，如果设备没有延长SCL信号的低电平周期。如果这样的器件延长了
在SCL信号，它必须输出下一个数据位到SDA线T的低周期
的R（最大）
+ t
苏： DAT
= 1000 + 250 = 1250ns
之前， SCL线被释放。
C
B
在pF的总线上的 - 总电容。
参数t
OSF
时的时间周期，则OSF标志被设置过的电压范围的振荡器必须停止
0.0V
≤
V
CC
≤
V
CC（ MAX）的
和2.0V
≤
V
BAT
≤
3.6V.
只有当振荡器被使能，并运行此应用的延迟。如果
EOSC
位是1 ，叔
REC
被旁路和
RST
被立即
ately变高。状态
RST
不影响我
2
C接口， RTC ， TCXO ，或FRAM操作。
注12 ：
注13 ：
注14 ：
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5
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