DRV401-EP
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SBVS104 - 2008年1月
传感器信号调理IC，适用于
闭环磁流传感器
1
特点
专为从传感器
VACUUMSCHMELZE （VAC）
单电源供电： 5 V
输出功率： H桥
设计用于驱动感性负载
卓越的DC精度
系统带宽宽
高清晰度，低温度漂移
内置消磁系统
广泛的故障检测
外部高功率驱动器选件
23
支持国防，航天，
和医疗应用
控制基线
一个封装/测试网站
一个网站制作
提供军用（ -55°C / 125°C ）
温度范围
(1)
延长产品生命周期
扩展产品更改通知
产品可追溯性
应用
发电机/发电机监控
频率和电压逆变器
电机驱动控制器
系统功耗
光伏发电系统
(1)
自定义的温度范围内工作
描述/订购信息
该DRV401被设计成从通过由特定磁电流传感器控制和信号处理
VACUUMSCHMELZE有限公司& Co. KG的（ VAC ） 。各种电流范围和机械配置的
可用。结合VAC感应器， DRV401监测交流和直流电流测量精度高。
提供的功能包括：探头激励，该探测信号的信号调节，信号环路放大器，一个
对于补偿线圈的H桥驱动器，和一个模拟信号的输出级，提供了一个输出电压
正比于初级电流。它提供过载和故障检测，以及瞬态噪声抑制。
该DRV401可直接驱动补偿线圈或连接到外部电源驱动。因此，该
DRV401结合了传感器，以测量小到非常大的电流。
保持最高的精度， DRV401可以消磁（消磁）的传感器，在上电和上
的需求。
1
2
3
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
使用PowerPad是德州仪器的商标。
所有其他商标均为其各自所有者的财产。
2008 ，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
订购信息
(1)
产品
DRV401
(1)
(2)
PACKAGE -LEAD
SO-20
封装标识
(2)
DWP
包装标志
DRV401M
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站www.ti.com 。
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
专利正在申请中。
赔偿金
PWM
补偿绕组
初级绕组
磁芯
现场探头
IS2
I
P
IS1
探头
接口
积分
滤波器
H桥
司机
V
REF
V
OUT
REF
IN
PWM
I
COMP1
I
COMP2
R
S
DRV401
差异
AMP
时间，错误检测，
和电源控制
消磁
V
REF
+ 5V GND
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
电源电压
电压
信号输入
终端：
I
COMP
短路
(4)
工作结温
储存温度
ESD额定值
(1)
(2)
(3)
(4)
2
人体模型
（ HBM）的
销IA
IN1
和IA
IN2
只
所有其他引脚
–55
–55
(2)
最大
+7
V
DD
+ 0.5
+10
±75
±25
+250
+150
+150
1
4
单位
V
V
V
mA
mA
mA
°C
°C
kV
kV
–0.5
–10
(2)
差分放大器
(3)
电流IS1和IS2
电流（销比IS1和IS2等）
强调以上这些额定值可能会造成永久性的损害。长期在绝对最大条件下工作会
降低设备的可靠性。这些压力额定值只，设备的这些功能操作或以后的任何其他条件
这些规定的不支持。
输入端子的二极管钳位到电源轨。输入信号可以摆动超过0.5 V至供电轨以外绝
有电流限制，除了差动放大器的输入引脚。
这些输入端无内部免受过电压。所述差分放大器的输入引脚必须限制在5毫安，最大值或
± 10 V ，最大。
功率限制;遵守最高结温。
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电气特性
(1)
粗体
限额适用于特定的温度范围：T已
J
= -55 ° C至+ 125°C 。
在T
A
= + 25 ° C和V
DD1
= V
DD2
= + 5V与外部100kHz的滤波器带宽和零输出电流I
COMP
中，除非另有说明。
参数
差分放大器
失调电压
V
OS
dV
OS
/ DT
V
OS
CMRR
PSRR
失调电压， RTO
(2) (3)
漂移， RTO
(3)
(2) (3)
条件
R
L
= 10 kΩ至2.5 V ，
V
REFIN
= 2.5 V
获得4 V / V
获得4 V / V
-1 V至6 V ，V
REF
= 2.5 V
V
REF
不包括
DRV401
民
典型值
最大
单位
±0.01
±0.1
±0.1
±0.17
mV
μV/°C
mV
V/V
V/V
V
失调电压， RTO
VS共模， RTO
VS电源， RTO
共模电压范围
±50
±4
–1
±280
±50
(V
DD
) + 1
信号输入
信号输出
信号超量程指示
（超范围） ，延迟
(3)
从负轨电压输出摆幅
(3)
,
超范围触发电平
从正电源轨电压putput挥杆
(3)
,
超范围触发电平
I
SC
短路电流
(3)
增益，V
OUT
/V
IN_DIFF
增益误差
增益误差漂移
线性误差
(1)
(2)
(3)
(4)
R
L
= 1 k
V
IN
= 1V步骤
(3)
(4)
为2.53.5
+48
V
DD
– 85
V
DD
– 48
–18
+20
4
±0.02
±0.1
10
＝0.3
+85
s
mV
mV
mA
mA
V/V
%
PPM /°C的
PPM
I = 2.5毫安， CMP级别之旅
I = -2.5毫安， CMP级别之旅
V
OUT
连接到GND
V
OUT
连接到V
DD
对于电迁移下降曲线，请参阅http://focus.ti.com/pdfs/hirel/mltry/EP_Reliability_Information.pdf 。
与输出（ RTO ）的参数值。
见典型特性曲线。
总输入电阻和比较器的阈值电流是反相关。参见图2a中。
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3
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电气特性（续）
粗体
限额适用于特定的温度范围：T已
J
= -55 ° C至+ 125°C 。
在T
A
= + 25 ° C和V
DD1
= V
DD2
= + 5V与外部100kHz的滤波器带宽和零输出电流I
COMP
中，除非另有说明。
参数
频率响应
BW
–3dB
SR
带宽
(5)
压摆率
(5)
建立时间，大信号
(5)
建立时间
(5)
输入阻抗
迪FF erential
共模
外部基准输入
噪音
e
n
输出电压噪声密度， F = 1 kHz时，
RTO
(5)
补偿回路关闭
170
纳伏/赫兹÷
16.5
41
41
20
50
50
23.5
59
59
k
k
k
CMVR = -1 V至= + 4V
的dV ±2 V至1％ ，
无需外部滤波器
的dV ± 0.4 V至0.01 ％
2
6.5
0.9
14
兆赫
V / μs的
s
s
条件
DRV401
民
典型值
最大
单位
补偿回路
DC稳定性
偏移误差
(6)
失调误差漂移
(5)
增益，增益脚= L
(5)
PSRR
电源抑制比
开环增益，两种模式， 7.8千赫
探头线圈回路
输入电压钳位范围
内部电阻， IS1 IS2或到V
DD1 (5)
R
高
R
低
内部电阻， IS1 IS2或以GND1
(5)
探头F = 250千赫，
R
负载
= 20
从50％的PWM的偏差，
引脚增益= L
从50％的PWM的偏差，
引脚增益= L
|V
ICOMP1
| – |V
ICOMP2
|
探头环F = 250千赫
引脚增益H / L
场探头电流< 50毫安
–0.7
47
60
PPM的R
高
+ R
低
–200
0.03
7.5
25
500
24/32
-0.7到V
DD
59
75
300
134
(7)
%
PPM /°C的
200
PPM / V
PPM / V
dB
V
71
90
1500
200
34
310
PPM
mA
ns
千赫
s
mA
V
PP
V
57
2.505
mA
V
PPM /°C的
频率响应
IS1之间的电阻不匹配
IS2
(5)
总输入电阻
(7)
比较器的阈值电流
22
250
250
28
280
35
最低探循环半周期
(5)
探头环的最小频率
无振荡检测（错误）抑制
补偿线圈驱动， H桥
峰值电流
(5)
电压摆幅
输出共模电压
断线检测，阈值电流
(8)
参考电压
电压
(5)
漂移
(5)
(6)
(7)
(8)
4
(5)
V
ICOMP1
– V
ICOMP2
= 4.0V
PP
20
负载
I
COMP1
我
COMP2
抱怨
空载
空载
2.495
4.2
250
V
DD2
/2
33
2.5
±5
见典型特性曲线。
对于交流电压传感器， PWM 0.2％偏移约相当于10 mA的初级电流每绕组抵销。
总输入电阻和比较器的阈值电流是反相关。参见图2a中。
SEE
补偿DRIVER
应用信息一节。
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电气特性（续）
粗体
限额适用于特定的温度范围：T已
J
= -55 ° C至+ 125°C 。
在T
A
= + 25 ° C和V
DD1
= V
DD2
= + 5V与外部100kHz的滤波器带宽和零输出电流I
COMP
中，除非另有说明。
参数
漂移
(5)
PSRR
(5)
条件
空载
负载GND / V
DD
,
DL = 0 mA至5毫安
REF
OUT
连接到V
DD
REF
OUT
连接到GND
DRV401
民
2.491
±15
0.15
+20
–18
106
130
(7)
典型值
最大
2.509
±200
单位
V
V/V
毫伏/毫安
mA
mA
ms
负载调整率
(5)
I
SC
短路电流
退磁
长短
数字I / O
逻辑输入（ DEMAG ，增益和
CCdiag销）
拉大电流（ CCdiag ）
拉小电流（ CCdiag ）
逻辑输入漏电流
逻辑电平，输入： L / H
迟滞
输出（误差和超范围
销）
逻辑电平，输出：L
逻辑电平，输出：H
输出（ PWM和PWM引脚）
逻辑电平L
逻辑电平H
电源
V
DD
V
RST
I
Q
额定电压范围
上电复位门限
静态电流[I （V
DD1
） + I （V
DD2
)]
掉电电压等级
(9)
欠压指示延迟
温度范围
T
J
T
J
θ
JA
指定范围
工作范围
封装热阻
SO使用PowerPad
表面贴装
(10)
–40
–50
27
+125
+150
°C
°C
° C / W
I
COMP
= 0 mA时，
传感器未连接
5
135
4.5
5
1.8
6.8
5.5
V
V
mA
V
s
推挽式
4毫安汇
4毫安源
0.2
(V
DD
) – 0.4
V
V
4毫安汇
0.3
没有内部上拉
V
CMOS型水平
3.5 < V
IN
＆ LT ; V
DD
0℃， V
IN
< 1.5
0℃， V
IN
＆ LT ; V
DD
160
5
0.01
2.1/2.8
0.7
5
A
A
A
V
V
见时序图
（ 9 ）参见典型特性曲线。
（ 10 ）参见
应用信息
一节，功耗，布局的考虑，并适当的PCB焊接和信息
散热技术。
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传感器信号调理IC，适用于
闭环磁流传感器
1
特点
专为从传感器
VACUUMSCHMELZE （VAC）
单电源供电： 5 V
输出功率： H桥
设计用于驱动感性负载
卓越的DC精度
系统带宽宽
高清晰度，低温度漂移
内置消磁系统
广泛的故障检测
外部高功率驱动器选件
23
支持国防，航天，
和医疗应用
控制基线
一个封装/测试网站
一个网站制作
提供军用（ -55°C / 125°C ）
温度范围
(1)
延长产品生命周期
扩展产品更改通知
产品可追溯性
应用
发电机/发电机监控
频率和电压逆变器
电机驱动控制器
系统功耗
光伏发电系统
(1)
自定义的温度范围内工作
描述/订购信息
该DRV401被设计成从通过由特定磁电流传感器控制和信号处理
VACUUMSCHMELZE有限公司& Co. KG的（ VAC ） 。各种电流范围和机械配置的
可用。结合VAC感应器， DRV401监测交流和直流电流测量精度高。
提供的功能包括：探头激励，该探测信号的信号调节，信号环路放大器，一个
对于补偿线圈的H桥驱动器，和一个模拟信号的输出级，提供了一个输出电压
正比于初级电流。它提供过载和故障检测，以及瞬态噪声抑制。
该DRV401可直接驱动补偿线圈或连接到外部电源驱动。因此，该
DRV401结合了传感器，以测量小到非常大的电流。
保持最高的精度， DRV401可以消磁（消磁）的传感器，在上电和上
的需求。
1
2
3
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
使用PowerPad是德州仪器的商标。
所有其他商标均为其各自所有者的财产。
版权所有2008-2009 ，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
订购信息
(1)
产品
DRV401
(1)
(2)
PACKAGE -LEAD
SO-20
封装标识
(2)
DWP
包装标志
DRV401M
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站www.ti.com 。
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
专利正在申请中。
赔偿金
PWM
补偿绕组
初级绕组
磁芯
现场探头
IS2
I
P
IS1
探头
接口
积分
滤波器
H桥
司机
V
REF
V
OUT
REF
IN
PWM
I
COMP1
I
COMP2
R
S
DRV401
差异
AMP
时间，错误检测，
和电源控制
消磁
V
REF
+ 5V GND
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
电源电压
电压
信号输入
终端：
I
COMP
短路
(4)
工作结温
储存温度
ESD额定值
(1)
(2)
(3)
(4)
2
人体模型
（ HBM）的
销IA
IN1
和IA
IN2
只
所有其他引脚
–55
–55
(2)
最大
+7
V
DD
+ 0.5
+10
±75
±25
+250
+150
+150
1
4
单位
V
V
V
mA
mA
mA
°C
°C
kV
kV
–0.5
–10
(2)
差分放大器
(3)
电流IS1和IS2
电流（销比IS1和IS2等）
强调以上这些额定值可能会造成永久性的损害。长期在绝对最大条件下工作会
降低设备的可靠性。这些压力额定值只，设备的这些功能操作或以后的任何其他条件
这些规定的不支持。
输入端子的二极管钳位到电源轨。输入信号可以摆动超过0.5 V至供电轨以外绝
有电流限制，除了差动放大器的输入引脚。
这些输入端无内部免受过电压。所述差分放大器的输入引脚必须限制在5毫安，最大值或
± 10 V ，最大。
功率限制;遵守最高结温。
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电气特性
(1)
粗体
限额适用于特定的温度范围：T已
J
= -55 ° C至+ 125°C 。
在T
A
= + 25 ° C和V
DD1
= V
DD2
= + 5V与外部100kHz的滤波器带宽和零输出电流I
COMP
中，除非另有说明。
参数
差分放大器
失调电压
V
OS
dV
OS
/ DT
V
OS
CMRR
PSRR
失调电压， RTO
(2) (3)
漂移， RTO
(3)
(2) (3)
条件
R
L
= 10 kΩ至2.5 V ，
V
REFIN
= 2.5 V
获得4 V / V
获得4 V / V
-1 V至6 V ，V
REF
= 2.5 V
V
REF
不包括
DRV401
民
典型值
最大
单位
±0.01
±0.1
±0.1
±0.17
mV
μV/°C
mV
V/V
V/V
V
失调电压， RTO
VS共模， RTO
VS电源， RTO
共模电压范围
±50
±4
–1
±280
±50
(V
DD
) + 1
信号输入
信号输出
信号超量程指示
（超范围） ，延迟
(3)
从负轨电压输出摆幅
(3)
,
超范围触发电平
从正电源轨电压putput挥杆
(3)
,
超范围触发电平
I
SC
短路电流
(3)
增益，V
OUT
/V
IN_DIFF
增益误差
增益误差漂移
线性误差
(1)
(2)
(3)
(4)
R
L
= 1 k
V
IN
= 1V步骤
(3)
(4)
为2.53.5
+48
V
DD
– 85
V
DD
– 48
–18
+20
4
±0.02
±0.1
10
＝0.3
+85
s
mV
mV
mA
mA
V/V
%
PPM /°C的
PPM
I = 2.5毫安， CMP级别之旅
I = -2.5毫安， CMP级别之旅
V
OUT
连接到GND
V
OUT
连接到V
DD
对于电迁移下降曲线，请参阅http://focus.ti.com/pdfs/hirel/mltry/EP_Reliability_Information.pdf 。
与输出（ RTO ）的参数值。
见典型特性曲线。
总输入电阻和比较器的阈值电流是反相关。参见图2a中。
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电气特性（续）
粗体
限额适用于特定的温度范围：T已
J
= -55 ° C至+ 125°C 。
在T
A
= + 25 ° C和V
DD1
= V
DD2
= + 5V与外部100kHz的滤波器带宽和零输出电流I
COMP
中，除非另有说明。
参数
频率响应
BW
–3dB
SR
带宽
(5)
压摆率
(5)
建立时间，大信号
(5)
建立时间
(5)
输入阻抗
迪FF erential
共模
外部基准输入
噪音
e
n
输出电压噪声密度， F = 1 kHz时，
RTO
(5)
补偿回路关闭
170
纳伏/赫兹÷
16.5
41
41
20
50
50
23.5
59
59
k
k
k
CMVR = -1 V至= + 4V
的dV ±2 V至1％ ，
无需外部滤波器
的dV ± 0.4 V至0.01 ％
2
6.5
0.9
14
兆赫
V / μs的
s
s
条件
DRV401
民
典型值
最大
单位
补偿回路
DC稳定性
偏移误差
(6)
失调误差漂移
(5)
增益，增益脚= L
(5)
PSRR
电源抑制比
开环增益，两种模式， 7.8千赫
探头线圈回路
输入电压钳位范围
内部电阻， IS1 IS2或到V
DD1 (5)
R
高
R
低
内部电阻， IS1 IS2或以GND1
(5)
探头F = 250千赫，
R
负载
= 20
从50％的PWM的偏差，
引脚增益= L
从50％的PWM的偏差，
引脚增益= L
|V
ICOMP1
| – |V
ICOMP2
|
探头环F = 250千赫
引脚增益H / L
场探头电流< 50毫安
–0.7
47
60
PPM的R
高
+ R
低
–200
0.03
7.5
25
500
24/32
-0.7到V
DD
59
75
300
134
(7)
%
PPM /°C的
200
PPM / V
PPM / V
dB
V
71
90
1500
200
34
310
PPM
mA
ns
千赫
s
mA
V
PP
V
57
2.505
mA
V
PPM /°C的
频率响应
IS1之间的电阻不匹配
IS2
(5)
总输入电阻
(7)
比较器的阈值电流
22
250
250
28
280
35
最低探循环半周期
(5)
探头环的最小频率
无振荡检测（错误）抑制
补偿线圈驱动， H桥
峰值电流
(5)
电压摆幅
输出共模电压
断线检测，阈值电流
(8)
参考电压
电压
(5)
漂移
(5)
(6)
(7)
(8)
4
(5)
V
ICOMP1
– V
ICOMP2
= 4.0V
PP
20
负载
I
COMP1
我
COMP2
抱怨
空载
空载
2.495
4.2
250
V
DD2
/2
33
2.5
±5
见典型特性曲线。
对于交流电压传感器， PWM 0.2％偏移约相当于10 mA的初级电流每绕组抵销。
总输入电阻和比较器的阈值电流是反相关。参见图2a中。
SEE
补偿DRIVER
应用信息一节。
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SBVS104B - 2008年1月 - 修订2009年3月
电气特性（续）
粗体
限额适用于特定的温度范围：T已
J
= -55 ° C至+ 125°C 。
在T
A
= + 25 ° C和V
DD1
= V
DD2
= + 5V与外部100kHz的滤波器带宽和零输出电流I
COMP
中，除非另有说明。
参数
漂移
(5)
PSRR
(5)
条件
空载
负载GND / V
DD
,
DL = 0 mA至5毫安
REF
OUT
连接到V
DD
REF
OUT
连接到GND
DRV401
民
2.491
±15
0.15
+20
–18
106
130
(7)
典型值
最大
2.509
±200
单位
V
V/V
毫伏/毫安
mA
mA
ms
负载调整率
(5)
I
SC
短路电流
退磁
长短
数字I / O
逻辑输入（ DEMAG ，增益和
CCdiag销）
拉大电流（ CCdiag ）
拉小电流（ CCdiag ）
逻辑输入漏电流
逻辑电平，输入： L / H
迟滞
输出（误差和超范围
销）
逻辑电平，输出：L
逻辑电平，输出：H
输出（ PWM和PWM引脚）
逻辑电平L
逻辑电平H
电源
V
DD
V
RST
I
Q
额定电压范围
上电复位门限
静态电流[I （V
DD1
） + I （V
DD2
)]
掉电电压等级
(9)
欠压指示延迟
温度范围
T
J
T
J
θ
JA
指定范围
工作范围
封装热阻
SO使用PowerPad
表面贴装
(10)
–40
–50
27
+125
+150
°C
°C
° C / W
I
COMP
= 0 mA时，
传感器未连接
5
135
4.5
5
1.8
6.8
5.5
V
V
mA
V
s
推挽式
4毫安汇
4毫安源
0.2
(V
DD
) – 0.4
V
V
4毫安汇
0.3
没有内部上拉
V
CMOS型水平
3.5 < V
IN
＆ LT ; V
DD
0℃， V
IN
< 1.5
0℃， V
IN
＆ LT ; V
DD
160
5
0.01
2.1/2.8
0.7
5
A
A
A
V
V
见时序图
（ 9 ）参见典型特性曲线。
（ 10 ）参见
应用信息
一节，功耗，布局的考虑，并适当的PCB焊接和信息
散热技术。
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5
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SBVS104 - 2008年1月
传感器信号调理IC，适用于
闭环磁流传感器
1
特点
专为从传感器
VACUUMSCHMELZE （VAC）
单电源供电： 5 V
输出功率： H桥
设计用于驱动感性负载
卓越的DC精度
系统带宽宽
高清晰度，低温度漂移
内置消磁系统
广泛的故障检测
外部高功率驱动器选件
23
支持国防，航天，
和医疗应用
控制基线
一个封装/测试网站
一个网站制作
提供军用（ -55°C / 125°C ）
温度范围
(1)
延长产品生命周期
扩展产品更改通知
产品可追溯性
应用
发电机/发电机监控
频率和电压逆变器
电机驱动控制器
系统功耗
光伏发电系统
(1)
自定义的温度范围内工作
描述/订购信息
该DRV401被设计成从通过由特定磁电流传感器控制和信号处理
VACUUMSCHMELZE有限公司& Co. KG的（ VAC ） 。各种电流范围和机械配置的
可用。结合VAC感应器， DRV401监测交流和直流电流测量精度高。
提供的功能包括：探头激励，该探测信号的信号调节，信号环路放大器，一个
对于补偿线圈的H桥驱动器，和一个模拟信号的输出级，提供了一个输出电压
正比于初级电流。它提供过载和故障检测，以及瞬态噪声抑制。
该DRV401可直接驱动补偿线圈或连接到外部电源驱动。因此，该
DRV401结合了传感器，以测量小到非常大的电流。
保持最高的精度， DRV401可以消磁（消磁）的传感器，在上电和上
的需求。
1
2
3
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
使用PowerPad是德州仪器的商标。
所有其他商标均为其各自所有者的财产。
2008 ，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
订购信息
(1)
产品
DRV401
(1)
(2)
PACKAGE -LEAD
SO-20
封装标识
(2)
DWP
包装标志
DRV401M
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站www.ti.com 。
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
专利正在申请中。
赔偿金
PWM
补偿绕组
初级绕组
磁芯
现场探头
IS2
I
P
IS1
探头
接口
积分
滤波器
H桥
司机
V
REF
V
OUT
REF
IN
PWM
I
COMP1
I
COMP2
R
S
DRV401
差异
AMP
时间，错误检测，
和电源控制
消磁
V
REF
+ 5V GND
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
电源电压
电压
信号输入
终端：
I
COMP
短路
(4)
工作结温
储存温度
ESD额定值
(1)
(2)
(3)
(4)
2
人体模型
（ HBM）的
销IA
IN1
和IA
IN2
只
所有其他引脚
–55
–55
(2)
最大
+7
V
DD
+ 0.5
+10
±75
±25
+250
+150
+150
1
4
单位
V
V
V
mA
mA
mA
°C
°C
kV
kV
–0.5
–10
(2)
差分放大器
(3)
电流IS1和IS2
电流（销比IS1和IS2等）
强调以上这些额定值可能会造成永久性的损害。长期在绝对最大条件下工作会
降低设备的可靠性。这些压力额定值只，设备的这些功能操作或以后的任何其他条件
这些规定的不支持。
输入端子的二极管钳位到电源轨。输入信号可以摆动超过0.5 V至供电轨以外绝
有电流限制，除了差动放大器的输入引脚。
这些输入端无内部免受过电压。所述差分放大器的输入引脚必须限制在5毫安，最大值或
± 10 V ，最大。
功率限制;遵守最高结温。
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电气特性
(1)
粗体
限额适用于特定的温度范围：T已
J
= -55 ° C至+ 125°C 。
在T
A
= + 25 ° C和V
DD1
= V
DD2
= + 5V与外部100kHz的滤波器带宽和零输出电流I
COMP
中，除非另有说明。
参数
差分放大器
失调电压
V
OS
dV
OS
/ DT
V
OS
CMRR
PSRR
失调电压， RTO
(2) (3)
漂移， RTO
(3)
(2) (3)
条件
R
L
= 10 kΩ至2.5 V ，
V
REFIN
= 2.5 V
获得4 V / V
获得4 V / V
-1 V至6 V ，V
REF
= 2.5 V
V
REF
不包括
DRV401
民
典型值
最大
单位
±0.01
±0.1
±0.1
±0.17
mV
μV/°C
mV
V/V
V/V
V
失调电压， RTO
VS共模， RTO
VS电源， RTO
共模电压范围
±50
±4
–1
±280
±50
(V
DD
) + 1
信号输入
信号输出
信号超量程指示
（超范围） ，延迟
(3)
从负轨电压输出摆幅
(3)
,
超范围触发电平
从正电源轨电压putput挥杆
(3)
,
超范围触发电平
I
SC
短路电流
(3)
增益，V
OUT
/V
IN_DIFF
增益误差
增益误差漂移
线性误差
(1)
(2)
(3)
(4)
R
L
= 1 k
V
IN
= 1V步骤
(3)
(4)
为2.53.5
+48
V
DD
– 85
V
DD
– 48
–18
+20
4
±0.02
±0.1
10
＝0.3
+85
s
mV
mV
mA
mA
V/V
%
PPM /°C的
PPM
I = 2.5毫安， CMP级别之旅
I = -2.5毫安， CMP级别之旅
V
OUT
连接到GND
V
OUT
连接到V
DD
对于电迁移下降曲线，请参阅http://focus.ti.com/pdfs/hirel/mltry/EP_Reliability_Information.pdf 。
与输出（ RTO ）的参数值。
见典型特性曲线。
总输入电阻和比较器的阈值电流是反相关。参见图2a中。
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3
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电气特性（续）
粗体
限额适用于特定的温度范围：T已
J
= -55 ° C至+ 125°C 。
在T
A
= + 25 ° C和V
DD1
= V
DD2
= + 5V与外部100kHz的滤波器带宽和零输出电流I
COMP
中，除非另有说明。
参数
频率响应
BW
–3dB
SR
带宽
(5)
压摆率
(5)
建立时间，大信号
(5)
建立时间
(5)
输入阻抗
迪FF erential
共模
外部基准输入
噪音
e
n
输出电压噪声密度， F = 1 kHz时，
RTO
(5)
补偿回路关闭
170
纳伏/赫兹÷
16.5
41
41
20
50
50
23.5
59
59
k
k
k
CMVR = -1 V至= + 4V
的dV ±2 V至1％ ，
无需外部滤波器
的dV ± 0.4 V至0.01 ％
2
6.5
0.9
14
兆赫
V / μs的
s
s
条件
DRV401
民
典型值
最大
单位
补偿回路
DC稳定性
偏移误差
(6)
失调误差漂移
(5)
增益，增益脚= L
(5)
PSRR
电源抑制比
开环增益，两种模式， 7.8千赫
探头线圈回路
输入电压钳位范围
内部电阻， IS1 IS2或到V
DD1 (5)
R
高
R
低
内部电阻， IS1 IS2或以GND1
(5)
探头F = 250千赫，
R
负载
= 20
从50％的PWM的偏差，
引脚增益= L
从50％的PWM的偏差，
引脚增益= L
|V
ICOMP1
| – |V
ICOMP2
|
探头环F = 250千赫
引脚增益H / L
场探头电流< 50毫安
–0.7
47
60
PPM的R
高
+ R
低
–200
0.03
7.5
25
500
24/32
-0.7到V
DD
59
75
300
134
(7)
%
PPM /°C的
200
PPM / V
PPM / V
dB
V
71
90
1500
200
34
310
PPM
mA
ns
千赫
s
mA
V
PP
V
57
2.505
mA
V
PPM /°C的
频率响应
IS1之间的电阻不匹配
IS2
(5)
总输入电阻
(7)
比较器的阈值电流
22
250
250
28
280
35
最低探循环半周期
(5)
探头环的最小频率
无振荡检测（错误）抑制
补偿线圈驱动， H桥
峰值电流
(5)
电压摆幅
输出共模电压
断线检测，阈值电流
(8)
参考电压
电压
(5)
漂移
(5)
(6)
(7)
(8)
4
(5)
V
ICOMP1
– V
ICOMP2
= 4.0V
PP
20
负载
I
COMP1
我
COMP2
抱怨
空载
空载
2.495
4.2
250
V
DD2
/2
33
2.5
±5
见典型特性曲线。
对于交流电压传感器， PWM 0.2％偏移约相当于10 mA的初级电流每绕组抵销。
总输入电阻和比较器的阈值电流是反相关。参见图2a中。
SEE
补偿DRIVER
应用信息一节。
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电气特性（续）
粗体
限额适用于特定的温度范围：T已
J
= -55 ° C至+ 125°C 。
在T
A
= + 25 ° C和V
DD1
= V
DD2
= + 5V与外部100kHz的滤波器带宽和零输出电流I
COMP
中，除非另有说明。
参数
漂移
(5)
PSRR
(5)
条件
空载
负载GND / V
DD
,
DL = 0 mA至5毫安
REF
OUT
连接到V
DD
REF
OUT
连接到GND
DRV401
民
2.491
±15
0.15
+20
–18
106
130
(7)
典型值
最大
2.509
±200
单位
V
V/V
毫伏/毫安
mA
mA
ms
负载调整率
(5)
I
SC
短路电流
退磁
长短
数字I / O
逻辑输入（ DEMAG ，增益和
CCdiag销）
拉大电流（ CCdiag ）
拉小电流（ CCdiag ）
逻辑输入漏电流
逻辑电平，输入： L / H
迟滞
输出（误差和超范围
销）
逻辑电平，输出：L
逻辑电平，输出：H
输出（ PWM和PWM引脚）
逻辑电平L
逻辑电平H
电源
V
DD
V
RST
I
Q
额定电压范围
上电复位门限
静态电流[I （V
DD1
） + I （V
DD2
)]
掉电电压等级
(9)
欠压指示延迟
温度范围
T
J
T
J
θ
JA
指定范围
工作范围
封装热阻
SO使用PowerPad
表面贴装
(10)
–40
–50
27
+125
+150
°C
°C
° C / W
I
COMP
= 0 mA时，
传感器未连接
5
135
4.5
5
1.8
6.8
5.5
V
V
mA
V
s
推挽式
4毫安汇
4毫安源
0.2
(V
DD
) – 0.4
V
V
4毫安汇
0.3
没有内部上拉
V
CMOS型水平
3.5 < V
IN
＆ LT ; V
DD
0℃， V
IN
< 1.5
0℃， V
IN
＆ LT ; V
DD
160
5
0.01
2.1/2.8
0.7
5
A
A
A
V
V
见时序图
（ 9 ）参见典型特性曲线。
（ 10 ）参见
应用信息
一节，功耗，布局的考虑，并适当的PCB焊接和信息
散热技术。
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