DS1855
双路，非易失数字电位器
和安全存储器
www.maxim-ic.com
特点
§
两个线性电位器
-
DS1855-010 （一个10K ， 100位和
1 10K ， 256位）
-
DS1855-020 （一个10K ， 100位和
1 20K ， 256位）
-
DS1855-050 （一个10K ， 100位和
1 50K ， 256位）
-
DS1855-100 （一个10K ， 100位和
1 10万， 256位）
256字节的EEPROM存储器
通过对数据的访问和控制电位器
2线接口
外部写保护引脚保护数据和
电位器设定
数据和电位器设置也可以
通过软件控制的写保护
非易失性存储雨刮器
从3V或5V电源供电
封装：14引脚TSSOP封装， 16球STPBGA ，
倒装芯片封装
工业运行温度：
-40℃至+ 85℃
编程温度： 0℃ + 85℃
SDA
SCL
A0
A1
A2
WP
GND
1
2
3
4
5
6
14
13
12
11
10
9
VCC
H0
W1
H1
L1
W0
L0
7
8
§
§
§
§
§
§
§
§
§
14引脚TSSOP （ 173密耳）
顶视图
A
B
C
D
1
2
3
4
16球STPBGA （采用4mm x 4mm ）
14引脚倒装芯片（ 100密耳×100密耳）
（不
示）
描述
在DS1855双非易失（ NV ）数字电位器及安全存储器由一个100位
线性锥形电位器， 1个256位的线性变化电位器， 256字节EEPROM存储器，
和一个2线接口。在DS1855 ，它采用了全新的软件写保护，是一个升级
DS1845 。在DS1855提供了用于设置偏置电压和电流控制的理想方法
使用最小电路的应用。 EEPROM存储器允许用户存储区配置或
校准数据为特定的系统或设备，以及提供了电位器滑动的控制
设置。任何类型的用户信息可驻留在第一248字节的这个存储器。接下来的两
EEPROM存储器的地址是对电位器的设置，而其余的6个字节的存储器是
版权所有。这些保留和电位器的寄存器不应该用于数据存储。访问该
EEPROM是通过工业标准2线总线。接口I / O引脚由SDA和SCL的。该
在DS1855 ，以及EEPROM数据，的抽头位置，可以通过硬件使用写保护
该
写保护
输入
针
（ WP ）
or
软件
运用
该
2-wire
界面。
1的20
100101
DS1855
引脚说明
姓名TSSOP BGA
V
CC
14
A3
GND
SDA
SCL
WP
7
1
2
6
D1
B2
A2
C1
描述
电源端子。
在DS1855将支持供应
电压范围为+ 2.7V至+ 5.5V 。
接地端子。
2线串行数据接口。
串行数据引脚是用于串行数据
转入和转出的DS1855 。该管脚为漏极开路，可
是线或与其它漏极开路或集电极开路接口。
2线串行时钟输入。
串行时钟输入端，用于
时钟数据到DS1855上的上升沿和时钟数据列于
下降沿。
写保护输入。
如果设置为0 ，在内存中的数据
电位器滑动端设置可能会改变。如果设置为逻辑1时，这两个
内存和电位器滑动端设置将写入
受保护的。 WP引脚拉高内部。
地址输入。
管脚A0，A1和A2用于指定
在一个多点用于当每个DS1855的地址
配置。多达八个DS1855s可以在一个单一的解决
2线总线。
地址输入。
地址输入。
0电位高的终端。
对于这两个电位器，它是
不要求高的终端可以连接到一个潜在
比低终端更大。电压施加到高终端
每个电位不能超过V的
CC
还是去地下。
电位器1的高终端。
0电位低的终端。
对于这两个电位器，它是
不要求低的终端可以连接到一个潜在的较少
比高终端。电压施加到每个低终端
电位不能超过V
CC
还是去地下。
1电位低的终端。
电位器0的滑动端。
电位器0的抽头位置
通过在EEPROM存储器位置F9H的字节来确定。
电压施加到每个电位器的滑动端子不能
超过电源电压V
CC
，或者去地下。
锅1的滑动端。
电位器1的抽头位置
通过在EEPROM存储器位置F8H的字节来确定。
无连接。
无连接。
A0
3
A1
A1
A2
H0
4
5
13
B1
C2
A4
H1
L0
11
8
B3
D3
L1
W0
10
9
C4
D4
W1
NC
NC
12
B4
C3
D2
2 20
DS1855
DS1855框图
图1
V
CC
GND
SDA
SCL
WP
2-WIRE
接口
248 BYTES
EEPROM
内存
1个字节雨刮器
控制设置
锅0
1个字节雨刮器
环境
POT 1
数据
CON组fi guration
字节
电位0
100-
位置
锅
H0
W0
L0
电位计1
256-
位置
锅
H1
W1
L1
A0
A1
A2
锁定字节
锁定字节
版权所有
多达八个DS1855s可以安装在一个2线总线。访问单个设备实现
通过使用由通过A2中的逻辑电平的地址管脚A0确定的设备地址。
此外， DS1855将工作于3V或5V电源。三种封装可供选择： 14-
引脚TSSOP ， 16球STPBGA ，和倒装芯片封装。
3 20
DS1855
存储器组织
在DS1855的串行EEPROM内部组织了256个字的每个字节。每个字需要
一个8位的地址随机字寻址。地址F9H字节决定抽头设置
电位0 ，其中包含100个职位。上面写着63H值到这个地址设置到雨刮器
其最上位置，但最高有效位被忽略。地址：F8H字节决定抽头设置
电位器1 ，其中包含256个职位（ 00h到FFH ） 。地址位置FAH虽然是FFH
保留的，并且不应被写入。
内存
位置
00H - F7H
F8h
F9h
FAH
名称
内存
位置
用户内存
电位器设定1
电位器0设定
软件锁
CON组fi guration字节
功能存储位置
通用用户存储器。
写这个字节控制电位器1的设置， 256
位置锅。有效设置为00H到FFH 。
写入到这个字节控制电位器0的设定，一100-
位置锅。有效设置为00H到63H 。 MSB被忽略。
在这个字节中的三个较低位可以用来设定写保护
向256字节的存储器块。
B2
B1 B0
B2:
写该位为1保护的内存上面。如果
该位被设置， F8H到FFh存储单元被配置为
写保护。
B1:
写该位为1保护的内存块上。如果
该位被置位，存储单元80H到F7H配置为
写保护。上页必须按顺序来解锁
修改内存这部分的锁定。
B0:
写该位为1保护的内存块较低。如果
该位被置位，存储单元00h至7Fh配置为
写保护。上页必须按顺序来解锁
修改内存这部分的锁定。
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DS1855
双路，非易失数字电位器
和安全存储器
www.maxim-ic.com
特点
§
两个线性电位器
-
DS1855-010 （一个10K ， 100位和
1 10K ， 256位）
-
DS1855-020 （一个10K ， 100位和
1 20K ， 256位）
-
DS1855-050 （一个10K ， 100位和
1 50K ， 256位）
-
DS1855-100 （一个10K ， 100位和
1 10万， 256位）
256字节的EEPROM存储器
通过对数据的访问和控制电位器
2线接口
外部写保护引脚保护数据和
电位器设定
数据和电位器设置也可以
通过软件控制的写保护
非易失性存储雨刮器
从3V或5V电源供电
封装：14引脚TSSOP封装， 16球STPBGA ，
倒装芯片封装
工业运行温度：
-40℃至+ 85℃
编程温度： 0℃ + 85℃
SDA
SCL
A0
A1
A2
WP
GND
1
2
3
4
5
6
14
13
12
11
10
9
VCC
H0
W1
H1
L1
W0
L0
7
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§
§
§
§
§
§
§
§
§
14引脚TSSOP （ 173密耳）
顶视图
A
B
C
D
1
2
3
4
16球STPBGA （采用4mm x 4mm ）
14引脚倒装芯片（ 100密耳×100密耳）
（不
示）
描述
在DS1855双非易失（ NV ）数字电位器及安全存储器由一个100位
线性锥形电位器， 1个256位的线性变化电位器， 256字节EEPROM存储器，
和一个2线接口。在DS1855 ，它采用了全新的软件写保护，是一个升级
DS1845 。在DS1855提供了用于设置偏置电压和电流控制的理想方法
使用最小电路的应用。 EEPROM存储器允许用户存储区配置或
校准数据为特定的系统或设备，以及提供了电位器滑动的控制
设置。任何类型的用户信息可驻留在第一248字节的这个存储器。接下来的两
EEPROM存储器的地址是对电位器的设置，而其余的6个字节的存储器是
版权所有。这些保留和电位器的寄存器不应该用于数据存储。访问该
EEPROM是通过工业标准2线总线。接口I / O引脚由SDA和SCL的。该
在DS1855 ，以及EEPROM数据，的抽头位置，可以通过硬件使用写保护
该
写保护
输入
针
（ WP ）
or
软件
运用
该
2-wire
界面。
1的20
100101
DS1855
引脚说明
姓名TSSOP BGA
V
CC
14
A3
GND
SDA
SCL
WP
7
1
2
6
D1
B2
A2
C1
描述
电源端子。
在DS1855将支持供应
电压范围为+ 2.7V至+ 5.5V 。
接地端子。
2线串行数据接口。
串行数据引脚是用于串行数据
转入和转出的DS1855 。该管脚为漏极开路，可
是线或与其它漏极开路或集电极开路接口。
2线串行时钟输入。
串行时钟输入端，用于
时钟数据到DS1855上的上升沿和时钟数据列于
下降沿。
写保护输入。
如果设置为0 ，在内存中的数据
电位器滑动端设置可能会改变。如果设置为逻辑1时，这两个
内存和电位器滑动端设置将写入
受保护的。 WP引脚拉高内部。
地址输入。
管脚A0，A1和A2用于指定
在一个多点用于当每个DS1855的地址
配置。多达八个DS1855s可以在一个单一的解决
2线总线。
地址输入。
地址输入。
0电位高的终端。
对于这两个电位器，它是
不要求高的终端可以连接到一个潜在
比低终端更大。电压施加到高终端
每个电位不能超过V的
CC
还是去地下。
电位器1的高终端。
0电位低的终端。
对于这两个电位器，它是
不要求低的终端可以连接到一个潜在的较少
比高终端。电压施加到每个低终端
电位不能超过V
CC
还是去地下。
1电位低的终端。
电位器0的滑动端。
电位器0的抽头位置
通过在EEPROM存储器位置F9H的字节来确定。
电压施加到每个电位器的滑动端子不能
超过电源电压V
CC
，或者去地下。
锅1的滑动端。
电位器1的抽头位置
通过在EEPROM存储器位置F8H的字节来确定。
无连接。
无连接。
A0
3
A1
A1
A2
H0
4
5
13
B1
C2
A4
H1
L0
11
8
B3
D3
L1
W0
10
9
C4
D4
W1
NC
NC
12
B4
C3
D2
2 20
DS1855
DS1855框图
图1
V
CC
GND
SDA
SCL
WP
2-WIRE
接口
248 BYTES
EEPROM
内存
1个字节雨刮器
控制设置
锅0
1个字节雨刮器
环境
POT 1
数据
CON组fi guration
字节
电位0
100-
位置
锅
H0
W0
L0
电位计1
256-
位置
锅
H1
W1
L1
A0
A1
A2
锁定字节
锁定字节
版权所有
多达八个DS1855s可以安装在一个2线总线。访问单个设备实现
通过使用由通过A2中的逻辑电平的地址管脚A0确定的设备地址。
此外， DS1855将工作于3V或5V电源。三种封装可供选择： 14-
引脚TSSOP ， 16球STPBGA ，和倒装芯片封装。
3 20
DS1855
存储器组织
在DS1855的串行EEPROM内部组织了256个字的每个字节。每个字需要
一个8位的地址随机字寻址。地址F9H字节决定抽头设置
电位0 ，其中包含100个职位。上面写着63H值到这个地址设置到雨刮器
其最上位置，但最高有效位被忽略。地址：F8H字节决定抽头设置
电位器1 ，其中包含256个职位（ 00h到FFH ） 。地址位置FAH虽然是FFH
保留的，并且不应被写入。
内存
位置
00H - F7H
F8h
F9h
FAH
名称
内存
位置
用户内存
电位器设定1
电位器0设定
软件锁
CON组fi guration字节
功能存储位置
通用用户存储器。
写这个字节控制电位器1的设置， 256
位置锅。有效设置为00H到FFH 。
写入到这个字节控制电位器0的设定，一100-
位置锅。有效设置为00H到63H 。 MSB被忽略。
在这个字节中的三个较低位可以用来设定写保护
向256字节的存储器块。
B2
B1 B0
B2:
写该位为1保护的内存上面。如果
该位被设置， F8H到FFh存储单元被配置为
写保护。
B1:
写该位为1保护的内存块上。如果
该位被置位，存储单元80H到F7H配置为
写保护。上页必须按顺序来解锁
修改内存这部分的锁定。
B0:
写该位为1保护的内存块较低。如果
该位被置位，存储单元00h至7Fh配置为
写保护。上页必须按顺序来解锁
修改内存这部分的锁定。
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