DS1495/DS1497
DS1495/DS1497
分枝实时时钟
特点
引脚分配
A0
A1
X2
X1
STBY
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A2
A3
VDD
SQW
A4
A5
VBAT
IRQ
RESET
RD
BGND
WR
XRAM
RTC
理想的EISA总线的PC
功能兼容
模式
与MC146818在32千赫
在超过10年的运作完全非易失性
没有权力
自包含
COUNTS
子系统包括锂，石英，
和支持电路
秒，分钟，小时，星期几，
日，月，年的闰年补偿
报警
二进制或BCD表示时间，日历和
12或24小时时钟的AM和PM在12小时模式
日光节约时间的选择
接口与软件64寄存器/ RAM单元
加8K ×8的静态RAM
- 14字节的时钟和控制寄存器
- 50字节的通用寄存器和控制寄存器
- 独立的8K ×8非易失性SRAM
DS1495S 28引脚SOIC （ 330万）
A0
A1
X2
X1
STBY
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A2
A3
VDD
SQW
A4
A5
VBAT
IRQ
RESET
RD
BGND
WR
XRAM
RTC
可编程方波输出信号
总线兼容的中断信号（ IRQ ）
三
中断是单独的软件，可屏蔽
和可测试：
- 时间的日报警次/秒一次/天
- 定期利率从122
s
500毫秒
- 结束的时钟更新周期
DS1495 28引脚DIP （ 600密耳）
A0
A1
NC
NC
STBY
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
V SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A2
A3
VDD
SQW
A4
A5
NC
IRQ
RESET
RD
NC
WR
XRAM
RTC
28引脚JEDEC的足迹
作为芯片（ DS1495 / DS1495S ）或独立
嵌入式锂电池和晶体模块
(DS1497)
订购信息
DS1495
DS1495S
DS1497
RTC芯片; 28引脚DIP
RTC芯片; 28引脚SOIC
RTC模块; 28引脚DIP
DS1497 28引脚封装的包（ 720万）
ECopyright
1995年，由达拉斯半导体公司。
版权所有。有关的重要信息
专利和其他知识产权，请参考
Dallas Semiconductor的数据手册。
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DS1495/DS1497
引脚说明
V
DD
, V
SS
–
总线操作电源提供给所述部分
通过这两个引脚。电压电平出现在这些引脚
应监测业务之间转换
电源和电池电源。
D0 - D7 - 数据总线（双向） ：
数据被写入到
该设备从数据总线如果任XRAM或RTC是
在写周期期间，在一WR的上升沿置位
脉搏。数据被从设备中读取并驱动到
如果数据总线或者XRAM或RTC期间被断言
读周期时的RD信号是低的。
A0 - A5 - 地址总线（输入） ：
各种内部寄存器
该装置的寄存器被通过这些线选择。当
RTC是断言， A0间接AD-之间进行选择
礼服寄存器和RTC数据寄存器。当XRAM
是有效， A0 -A5的RAM寻址的32字节页。
当A 5为高时， RAM页面寄存器是可访问的。
当A5低， A0 -A4处理的32字节页
内存。
RD - 读选通（输入） ：
数据被从SE-读
lected寄存器和由DE-驱动到数据总线
副时，这条线是低，无论是RTC或XRAM AS-是
牢固插入。
WR - 写选通（输入） ：
数据被写入到单片机
副从上升沿的数据总线后的低
脉冲在这条线时，该设备已经选择
无论是XRAM或RTC信号。
待机 - 待机（输入） ：
存取装置是
抑制和输出三态到高阻抗
状态时，此信号为低电平。在RAM中的所有数据
该装置将被保留。实时时钟继续
保持时间。
如果读或写周期正在进行时STBY显
最终被置为低电平时，内部循环将被终止
时，无论是外部循环完成时或在 -
ternal芯片使能状态（V
DD
为4.25伏，典型值）
否定，以先到为准。
RTC - 实时时钟选择（输入） ：
当这种显
最终被置为低电平时，实时时钟寄存器是AC-
插拔。寄存器由A0行选择。数据
驱动到数据总线，当RD为低。数据是重
可察觉的公交车，当WR为低脉冲，然后
高。
SQW - 方波（输出） ：
频率可选
输出。频率的选择通过设置寄存器A位
RSO ， RS3 。参照表2的频率是能够被选择
选中。
XRAM - 扩展RAM选择（输入） ：
当这种显
最终被置为低电平，扩展RAM字节存取权限
sible 。该XRAM页寄存器选择了A5的时候
地址线为高。内存为32字节页accessi-
竹叶提取时， A5低。 A0 -A4选择中的字节
的RAM页面所指向的页面寄存器。数据
驱动到数据总线，当RD为低。数据是重
可察觉的公交车，当WR为低脉冲，然后
高。
IRQ - 中断请求（输出） ：
IRQ信号是
低电平有效，开路漏极被用作一个proces-输出
SOR中断请求。 IRQ输出如下状态
在IRQF位状态（第7位）寄存器C. IRQ可
由报警置位，更新结束时，或者周期性间
取决于配置中断功能
注册B.
RESET - 复位（输入） ：
复位信号用于到起始
tialize某些寄存器以允许的适当操作
RTC模块。当RESET为低电平时， OC-以下
小人。
1.以下寄存器位被清零：
a.
b.
c.
d.
e.
f.
g.
h.
周期性中断（ PIE ）
报警中断使能（ AIE ）
更新结束中断（ UF）
中断请求标志（ IRQF ）
周期性的中断标志（ PF ）
报警中断标志（ AF ）
方波输出使能（ SQWE ）
更新结束中断使能（ UIE ）
2. IRQ引脚处于高阻抗状态。
3. RTC是无法访问的处理器。
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DS1495/DS1497
附加引脚说明
（ FOR DS1495 ， DS1495S ）
X1, X2 –
对于一个标准的32.768 KHz的石英连接
水晶，大和零件编号DT- 26S或同等学历。该
内部振荡器电路被设计为在
具有特定的负载电容（C晶体
L
）的
为6.0pF 。晶体可以直接连接到X1和X2
销。没有必要对外部电容器或电阻
器。注意： X1和X2是非常高的阻抗节点。
因此建议他们和晶体是特派守
环纹与地面和该高频信号被
远离晶体区域。欲了解更多信息
在挑选水晶和水晶布局的考虑，
请参考应用笔记58 ， “水晶考虑 -
ations达拉斯实时时钟“ 。
V
BAT
–
电池输入任何标准的3伏锂电池
或其它能量源。电池电压必须保持
介于2.5和3.7伏才能正常工作。该
名义写保护跳变点电压在其访问
到实时时钟和用户RAM被拒绝通过设置
内部电路在4.25伏的典型。最多
1负荷
A
在25
o
C和3.0V的V
BAT
在没有
功率应当用于大小的外部能量
源。
电池应该直接连接至V
BAT
引脚。二极管不能放在串联电池
于V
BAT
引脚。此外，一个二极管是没有必要
由于反向充电电流保护电路是
提供内部的设备，并已通过
美国保险商实验室的UL列表 - 要求
ING 。
B
GND
–
电池接地：该引脚或14引脚可用于
为电池接地回路。
当V
DD
落在CE下方
THR
（ 4.25伏特典型值）时，
片选输入RTC和XRAM被迫的inac-
不管引脚信号的状态略去状态。这
使模块进入一个写保护模式中，所有
输入被忽略，所有输出均处于高阻抗
ANCE状态。当V
DD
低于3.2伏（典型值）时，
模块被切换到内部电源
在DS1497的情况下，或者到外部电池CON-
，连接到该V
BAT
和BGND引脚的情况下
DS1495和DS1495S ，使权力不被中断
以计时和非易失性RAM功能。
地址地图：
该设备的寄存器出现在两个
不同的地址范围。一组寄存器是活性
当RTC被置为低电平，表示实时
时钟。第二组寄存器被激活时， XRAM
为低电平时，表示扩展内存。
RTC地址地图：
RTC的MOD-的地址映射
乌莱示于图2中的地址映射包括
50字节的通用RAM ， 10字节的RTC /校准 -
endar信息，以及4个字节的状态和控制IN-
形成。所有的64个字节可以访问读/写
寄存器除了以下：
1.寄存器C和D只读（状态信息
化）
2位寄存器的7只阅读
3位的“秒”字节7 （ 00 ）是只读
实时时钟地址映射的第一个字节是
RTC的间接寻址寄存器，访问时A0为
低。第二个字节是RTC数据寄存器， accessi-
竹叶提取时A0为高。 RTC的间接AD-的功能
礼服寄存器指向的64 RTC寄存器之一
这是间接地通过RTC数据稳压访问
存器。
扩展内存地址映射：
第32字节的
扩展RAM代表的256页，一般1
目的的非易失性存储器。这些32字节的页的
由A0到A4得到解决时， A5低。当
A5高， XRAM页寄存器访问。该
在XRAM页寄存器分值为256 1
的非易失性存储器中的页面可用。地址
在XRAM页寄存器仅依赖于A5的存在
高;因此，也有在我31别名该寄存器的输入/输出
空间。 （参见图3 ）
手术
掉电/上电：
实时时钟将CON组
继续工作，所有的RAM中，时间和日历
和报警存储位置将保持非易失性再
Ⅴ的电压电平的gardless
DD
。当电压
电平施加于V
DD
输入大于4.25伏
（典型值） ，该模块成为后200毫秒访问
前提是振荡器和计时链有
被编程为处于运行状态。这个时间段AL-
低点模块上电后稳定下来。
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DS1495/DS1497
时间，日历和闹钟地点
通过读获得的时间和日历信息
荷兰国际集团在表1中示出的适当的寄存器字节
时间，日历和闹钟设置，或通过书面初始化
适当的寄存器字节。时的内容，
日历和报警寄存器可以是二进制或
二进制编码的十进制（ BCD ）格式。表1示出了
在12时间，日历的二进制和BCD格式，
和报警位置。
写内部时间，日历和报警前稳压
存器，寄存器B的SET位应写入
逻辑1 ，以防止发生而AC-更新
塞斯正在尝试。此外，在这段时间内，数据换
垫（二进制或BCD ） ，应通过数据模式位设置
注册B.所有的时间，日历和报警（ DM）寄存器
TER值必须使用相同的数据模式。在雷吉斯的设置位
器B应该被清除后的数据模式位已
写，以允许实时时钟来更新时间
和日历字节。
一旦初始化后，实时时钟，使在所有的更新
所选择的模式。数据模式不能改变
不重新初始化10个数据字节。在24/12位
不能没有重新初始化时间改变某些地区可能
系统蒸发散。当选择12小时格式，高或 -
小时字节的德位表示下午时它是一个逻辑
1 。时间，日历和闹钟字节总是AC-
插拔，因为他们是双缓冲。每一次
第二个10字节一秒前进和
检查报警条件。如果时间读取和
在更新过程中发生的日历数据，存在问题
其中，秒，分钟，小时等可能不相关。
读不正确的时间和日历的概率
数据是低的。避免任何可能的几种方法
不正确的时间和日历的读取都在后面覆盖
此文本。
三个报警字节可以以两种方式使用。首先，
当闹铃时间写入相应的时间，
分钟和秒的报警位置，报警接口
中断是每一天如果报警开始在指定的时间
使能位为高。第二种方法是插入一个
“不关心”状态中的一个或多个的三个报警字节。
“不关心”的代码是从C0任何十六进制值
到FF 。每个字节的两个最显著位设置
“不关心”的条件时，逻辑1的报警会
产生的每一个小时的时候，“不关心”位被设置
小时字节。同样，在生成警报的每个
分与“不关心”，在小时和分钟代码
报警字节。在所有三个报警的“不关心”的代码
字节产生中断每一秒。
用户非易失性RAM - RTC
50用户非易失性RAM字节不是专用于
在DS1495 / DS1497中的任何特殊功能。他们
可以使用由应用程序作为非易失性
存储器和完全可用在更新周期。
这是记忆中的RTC部分直接访问。
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