TetraFET
D1260UK
金属闸极射频硅场效应管
机械数据
C
D
（ 2 PLS ）
E
B
1
2
3
A
G
5
4
黄金金属化
多用途硅
DMOS射频场效应管
60W - 12.5V - 175MHz的
单端
特点
简化放大器设计
H
I
F
M
K
J
N
适用于宽带应用
低C
RSS
简单的偏置电路
- 低噪声
DT
销1
3脚
5脚
SOURCE （ COMMON ） PIN 2
SOURCE （ COMMON ） 4 PIN
漏
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
M
N
mm
6.35 DIA
3.17 DIA
18.41
5.46
5.21
7.62
21.59
3.94
12.70
0.13
24.76
2.59
4.06
TOL 。
0.13
0.13
0.25
0.13
0.13
最大
0.38
0.13
0.13
0.03
0.13
0.13
0.25
英寸
0.250 DIA
0.125 DIA
0.725
0.215
0.205
0.300
0.850
0.155
0.500
0.005
0.975
0.102
0.160
TOL 。
0.005
0.005
0.010
0.005
0.005
最大
0.015
0.005
0.005
0.001
0.005
0.005
0.010
门
SOURCE （ COMMON ）
高增益 - 10分贝最低
应用
HF / VHF / UHF通信
从1兆赫到175兆赫
绝对最大额定值
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
P
D
BV
DSS
BV
GSS
I
D（坐）
T
英镑
T
j
功耗
漏极 - 源极击穿电压
门 - 源极击穿电压
漏电流
储存温度
最大工作结温
175W
40V
±20V
40A
-65 ℃150℃
200°C
Semelab PLC 。
电话（ 01455 ） 556565.电传： 341927.传真：（ 01455 ） 552612 。
预赛。 9/95
D1260UK
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
参数
测试条件
分钟。
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
g
fs
G
PS
η
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流
栅极漏电流
正向跨导*
共源功率增益
漏EF网络效率
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
GS
= 0
V
DS
= 12.5V
V
GS
= 20V
I
D
= 10毫安
V
DS
= 10V
P
O
= 60W
V
DS
= 12.5V
F = 175MHz的
V
DS
= 0
V
GS
= -5V F = 1MHz的
F = 1MHz的
F = 1MHz的
V
DS
= 12.5V V
GS
= 0
V
DS
= 12.5V V
GS
= 0
I
DQ
= 0.4A
I
D
= 100毫安
V
GS
= 0
V
DS
= 0
V
DS
= V
GS
I
D
= 4A
0.5
3.2
10
50
20:1
40
典型值。
MAX 。 UNIT
V
4
1
7
mA
A
V
S
dB
%
—
240
180
16
pF
pF
pF
V
GS （ TH）
栅极阈值电压*
VSWR负载不匹配公差
*脉冲测试：
脉冲持续时间= 300
s
，占空比
≤
2%
有害材料警告
引线和金属凸缘之间的装置的陶瓷部是氧化铍。氧化铍粉尘是非常
毒性和治疗必须处理和安装，以避免损坏该区域期间服用。
这些设备必须永远不会被抛弃与一般工业和生活废弃物。
热数据
R
THJ情况
热阻结 - 壳
马克斯。 1.0 ° C / W
Semelab PLC 。
电话（ 01455 ） 556565.电传： 341927.传真：（ 01455 ） 552612 。
预赛。 9/95
TetraFET
D1260UK
金属闸极射频硅场效应管
机械数据
C
D
（ 2 PLS ）
E
B
1
2
3
A
G
5
4
黄金金属化
多用途硅
DMOS射频场效应管
60W - 12.5V - 175MHz的
单端
特点
简化放大器设计
H
I
F
M
K
J
N
适用于宽带应用
低C
RSS
简单的偏置电路
- 低噪声
DT
销1
3脚
5脚
SOURCE （ COMMON ） PIN 2
SOURCE （ COMMON ） 4 PIN
漏
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
M
N
mm
6.35 DIA
3.17 DIA
18.41
5.46
5.21
7.62
21.59
3.94
12.70
0.13
24.76
2.59
4.06
TOL 。
0.13
0.13
0.25
0.13
0.13
最大
0.38
0.13
0.13
0.03
0.13
0.13
0.25
英寸
0.250 DIA
0.125 DIA
0.725
0.215
0.205
0.300
0.850
0.155
0.500
0.005
0.975
0.102
0.160
TOL 。
0.005
0.005
0.010
0.005
0.005
最大
0.015
0.005
0.005
0.001
0.005
0.005
0.010
门
SOURCE （ COMMON ）
高增益 - 10分贝最低
应用
HF / VHF / UHF通信
从1兆赫到175兆赫
绝对最大额定值
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
P
D
BV
DSS
BV
GSS
I
D（坐）
T
英镑
T
j
功耗
漏极 - 源极击穿电压
门 - 源极击穿电压
漏电流
储存温度
最大工作结温
175W
40V
±20V
40A
-65 ℃150℃
200°C
Semelab PLC 。
电话（ 01455 ） 556565.电传： 341927.传真：（ 01455 ） 552612 。
预赛。 9/95
D1260UK
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
参数
测试条件
分钟。
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
g
fs
G
PS
η
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流
栅极漏电流
正向跨导*
共源功率增益
漏EF网络效率
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
GS
= 0
V
DS
= 12.5V
V
GS
= 20V
I
D
= 10毫安
V
DS
= 10V
P
O
= 60W
V
DS
= 12.5V
F = 175MHz的
V
DS
= 0
V
GS
= -5V F = 1MHz的
F = 1MHz的
F = 1MHz的
V
DS
= 12.5V V
GS
= 0
V
DS
= 12.5V V
GS
= 0
I
DQ
= 0.4A
I
D
= 100毫安
V
GS
= 0
V
DS
= 0
V
DS
= V
GS
I
D
= 4A
0.5
3.2
10
50
20:1
40
典型值。
MAX 。 UNIT
V
4
1
7
mA
A
V
S
dB
%
—
240
180
16
pF
pF
pF
V
GS （ TH）
栅极阈值电压*
VSWR负载不匹配公差
*脉冲测试：
脉冲持续时间= 300
s
，占空比
≤
2%
有害材料警告
引线和金属凸缘之间的装置的陶瓷部是氧化铍。氧化铍粉尘是非常
毒性和治疗必须处理和安装，以避免损坏该区域期间服用。
这些设备必须永远不会被抛弃与一般工业和生活废弃物。
热数据
R
THJ情况
热阻结 - 壳
马克斯。 1.0 ° C / W
Semelab PLC 。
电话（ 01455 ） 556565.电传： 341927.传真：（ 01455 ） 552612 。
预赛。 9/95
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