DS1221
非易失控制器×4芯片
www.dalsemi.com
不建议用于新设计， SEE DS1321数据表代替。
特点
转换的CMOS RAM中到非易失
回忆
数据掉电时自动保护
2至4解码器提供了多达4个CMOS
RAM的
提供冗余电池
上电测试电池状态
±10 ％的工作范围
未经授权的访问可以被阻止
可选的安全功能
16引脚0.3英寸DIP节省印刷电路板空间
可选择16引脚SOIC表面安装封装
可选的工业级温度范围
-40 ° C至+ 85°C可用
引脚分配
VCCO
VBAT1
* RST
A
B
*路
*我们
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
VCCI
VBAT2
CE
CE0
CE1
CE2
CE3
* D / Q
DS1221 16引脚DIP （ 300密耳）
见机甲。图科
VCCO
VBAT1
* RST
A
B
*路
*我们
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
VCCI
VBAT2
CE
CE0
CE1
CE2
CE3
* D / Q
引脚说明
A，B
CE
CE0
-
CE3
V
BAT1
V
BAT2
*
RST
V
CCI
V
CCO
*
RD
*
WE
* D / Q
- 地址输入
- 芯片使能输入
- 芯片使能输出
- +电池1
- +电池2
- 复位
- + 5V电源
- 内存供应
- 读Inpu
- 写输入
- 数据输入/输出
DS1221 16引脚SOIC （ 300密耳）
见机甲。图科
*用于仅可选的安全电路，且必须接地在所有其他情况下。
描述
在DS1221非易失控制器×4芯片是CMOS电路，它解决了该应用程序的问题
将CMOS RAM中到非易失性存储器。输入电源监视一个彻头彻尾的OF-
宽容的条件。当检测到这样的状态下，芯片使能输出被抑制到
实现写保护，电池接通供给RAM的不间断电源。一
可选的安全代码，防止未授权用户获得访问的内存空间。该
非易失控制器/解码器电路采用了低漏电CMOS工艺，能提供精确的电压
检测在极低的电池消耗。由DS1221最多具有四个CMOS组合
记忆和锂电池，非易失操作就可以实现。
1第8
111899
DS1221
控制器/解码器操作
在DS1221非易失控制器执行解码和电池备份所需6电路功能
多达四个的CMOS RAM的银行。第一，一个2至4解码器提供的选择4的RAM之一（见
图1）。第二，一个开关从电池或V提供到直接功率
CCI
供应，这取决于
这是更大的，在V
CCO
引脚。此开关具有小于0.2V的电压降。第三功能
其中非易失性控制器提供的掉电检测。在DS1221持续监视
V
CCI
供应量。当V
CCI
低于4.5伏时，一个高精度比较器检测到的条件和抑制
在RAM芯片使（
CE0
通过
CE3
） 。写保护的第四个功能是通过实现
拿着所有的芯片使能输出（
CE0
通过
CE3
）控制在0.2伏特的V
CCI
或电池供电。如果
芯片使能输入（
CE
）为低电平，在电源失效检测发生时，芯片使能输出被保持在
他们目前的状态，直到
CE
驱动为高电平。写保护的，直到当前的存储器周期的延迟
完成了防止数据的损坏。电源故障检测发生在4.5 4.25伏的范围内。
在标称电源条件下的芯片使能输出遵循一个2至4解码器的逻辑。第五个
功能的DS1221执行是检查电池状态，以警告潜在的数据丢失。每次使V
CCI
恢复供电时，电池电压被检查用精密比较器。如果所连接的电池
电压小于2伏时，第二存储器周期被抑制。电池状态可以，因此，要
通过执行一个读周期上电后在内存中的任何位置，验证内存决定
位置内容。随后的写周期可以被执行以相同的存储器位置，从而改变
数据。如果下一个读周期未能验证写入数据时，存储器中的内容是值得怀疑的。
非易失性控制器的第六函数为电池冗余。在许多应用中，
数据的完整性是至关重要的。在这些应用中，经常需要使用两个电池，以确保
可靠性。在DS1221提供了一个内部隔离开关，其提供了用于两个连接
电池。在电池备份操作的电池具有最高电压被选择使用。如果一个人
电池出现故障，另一个将自动接管。电池之间的切换是透明的
该用户。会出现电池状态的警告，如果两块电池都小于2.0伏。如果只有一个电池是
使用时，第二电池输入必须接地。图2示出所需的连接
DS1221中的典型应用。
非易失控制器/解码器
图1
V
CCI
>=4.5
<4.25
>=4.5
>=4.5
>=4.5
>=4.5
H =高电平
L =低电平
X =无关
CE
H
X
L
L
L
L
输入
B
X
X
L
L
H
H
输出
A
X
X
L
H
L
H
CE0
CE1
CE2
CE3
H
H
L
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
L
2第8
DS1221
绝对最大额定值*
任何引脚相对地电压
工作温度
储存温度
焊接温度
短路输出电流
*
-0.3V至+ 7.0V
0 ° C至70℃
-55 ° C至+ 125°C
260℃ 10秒
20毫安
这是一个额定值，设备的功能操作在这些或任何其他条件
超出本规范的操作部分表示是不是暗示。接触
绝对最大额定值条件下，长时间会影响其可靠性。
建议的直流工作条件
参数
电源电压
逻辑输入1
逻辑0输入
电池输入
符号
V
CCI
V
IH
V
IL
V
BAT1
,
V
BAT2
民
4.5
2.2
-0.3
2.0
典型值
5.0
最大
5.5
V
CC
+0.3
+0.8
4.0
（0℃至70℃ ）
单位
V
V
V
V
笔记
1
1
1
1, 2
DC电气特性
参数
电源电流
电源电压
电源电流
输入漏
输出漏
CE0
-
CE3
， DQ
输出2.4V @
CE0
-
CE3
， DQ
输出0.4V @
V
CC
TRIP POINT
符号
I
CCI
V
CCO
I
CCO1
I
IL
I
LO
I
OH
I
OL
V
CCTP
4.25
民
V
CC
-0.2
-1.0
-1.0
-1.0
（ 0 ° C至70 °C， V
CC
= 4.5 5.5V ）
典型值
最大
5
80
+1.0
+1.0
单位
mA
V
mA
A
A
mA
mA
V
笔记
3
1
4, 10
5
5
1
4.0
4.37
4.50
（ 0 ° C至70 °C， V
CC
< 4.25V ）
参数
CE0
-
CE3
产量
V
BAT1
或V
BAT2
电池电流
备用电池电流
@ V
CCO
= V
BAT
- 0.5V
符号
V
OHL
I
BAT
I
CCO2
民
V
CC
-0.2
V
BAT
-0.2
典型值
最大
0.1
100
单位
V
A
A
笔记
3
6, 7, 10
4 8
DS1221
电容
参数
输入电容
输出电容
符号
C
IN
C
OUT
民
典型值
最大
5
7
(t
A
= 25°C)
单位
pF
pF
笔记
AC电气特性
参数
CE
传播延迟
CE
高电源失效
地址设置
符号
t
PD
t
PF
t
AS
民
5
20
（ 0 ° C至70 °C， V
CC
= 4.5 5.5V ）
典型值
15
最大
25
0
单位
ns
ns
ns
笔记
5
9
（ 0 ° C至70 °C， V
CC
＆ LT ; 4.5V ）
参数
恢复上电时
V
CC
转换速率4.5 - 4.25V
V
CC
压摆率4.25 - 3V
V
CC
压摆率4.25 - 4.5V
CE
脉冲宽度
符号
t
REC
t
F
t
FB
t
R
t
CE
民
2
300
10
0
典型值
5
最大
10
单位
ms
s
s
s
s
笔记
1.5
7, 8
注意事项：
1.所有电压以地为参考。
2.只有一个电池输入是必需的。
3.测得V
CCO
和
CE0
-
CE3
开。
4. I
CCO1
是最大平均负载其中DS1221可以提供给存储器。
5.测得的负载，如图4 。
6. I
CCO2
是最大平均负载电流的DS1221可以提供给在所述存储器
电池后备模式。
7.芯片使能输出
CE0
-
CE3
只能维持在电池备份模式下的泄漏电流。
8. t
CE
最大。必须得到满足，以确保断电数据的完整性。
9. t
AS
只需要保持解码器输出无干扰。而CE是低电平时，输出端（
CE0
-
CE3
)
将输入A和B与T的传输延迟被定义
PD
从A或B输入变化。
10.应用程序需要更高的电流要求，请参阅DS1259电池管理芯片
数据表。
5 8
DS1221
非易失控制器×4芯片
www.dalsemi.com
不建议用于新设计， SEE DS1321数据表代替。
特点
转换的CMOS RAM中到非易失
回忆
数据掉电时自动保护
2至4解码器提供了多达4个CMOS
RAM的
提供冗余电池
上电测试电池状态
±10 ％的工作范围
未经授权的访问可以被阻止
可选的安全功能
16引脚0.3英寸DIP节省印刷电路板空间
可选择16引脚SOIC表面安装封装
可选的工业级温度范围
-40 ° C至+ 85°C可用
引脚分配
VCCO
VBAT1
* RST
A
B
*路
*我们
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
VCCI
VBAT2
CE
CE0
CE1
CE2
CE3
* D / Q
DS1221 16引脚DIP （ 300密耳）
见机甲。图科
VCCO
VBAT1
* RST
A
B
*路
*我们
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
VCCI
VBAT2
CE
CE0
CE1
CE2
CE3
* D / Q
引脚说明
A，B
CE
CE0
-
CE3
V
BAT1
V
BAT2
*
RST
V
CCI
V
CCO
*
RD
*
WE
* D / Q
- 地址输入
- 芯片使能输入
- 芯片使能输出
- +电池1
- +电池2
- 复位
- + 5V电源
- 内存供应
- 读Inpu
- 写输入
- 数据输入/输出
DS1221 16引脚SOIC （ 300密耳）
见机甲。图科
*用于仅可选的安全电路，且必须接地在所有其他情况下。
描述
在DS1221非易失控制器×4芯片是CMOS电路，它解决了该应用程序的问题
将CMOS RAM中到非易失性存储器。输入电源监视一个彻头彻尾的OF-
宽容的条件。当检测到这样的状态下，芯片使能输出被抑制到
实现写保护，电池接通供给RAM的不间断电源。一
可选的安全代码，防止未授权用户获得访问的内存空间。该
非易失控制器/解码器电路采用了低漏电CMOS工艺，能提供精确的电压
检测在极低的电池消耗。由DS1221最多具有四个CMOS组合
记忆和锂电池，非易失操作就可以实现。
1第8
111899
DS1221
控制器/解码器操作
在DS1221非易失控制器执行解码和电池备份所需6电路功能
多达四个的CMOS RAM的银行。第一，一个2至4解码器提供的选择4的RAM之一（见
图1）。第二，一个开关从电池或V提供到直接功率
CCI
供应，这取决于
这是更大的，在V
CCO
引脚。此开关具有小于0.2V的电压降。第三功能
其中非易失性控制器提供的掉电检测。在DS1221持续监视
V
CCI
供应量。当V
CCI
低于4.5伏时，一个高精度比较器检测到的条件和抑制
在RAM芯片使（
CE0
通过
CE3
） 。写保护的第四个功能是通过实现
拿着所有的芯片使能输出（
CE0
通过
CE3
）控制在0.2伏特的V
CCI
或电池供电。如果
芯片使能输入（
CE
）为低电平，在电源失效检测发生时，芯片使能输出被保持在
他们目前的状态，直到
CE
驱动为高电平。写保护的，直到当前的存储器周期的延迟
完成了防止数据的损坏。电源故障检测发生在4.5 4.25伏的范围内。
在标称电源条件下的芯片使能输出遵循一个2至4解码器的逻辑。第五个
功能的DS1221执行是检查电池状态，以警告潜在的数据丢失。每次使V
CCI
恢复供电时，电池电压被检查用精密比较器。如果所连接的电池
电压小于2伏时，第二存储器周期被抑制。电池状态可以，因此，要
通过执行一个读周期上电后在内存中的任何位置，验证内存决定
位置内容。随后的写周期可以被执行以相同的存储器位置，从而改变
数据。如果下一个读周期未能验证写入数据时，存储器中的内容是值得怀疑的。
非易失性控制器的第六函数为电池冗余。在许多应用中，
数据的完整性是至关重要的。在这些应用中，经常需要使用两个电池，以确保
可靠性。在DS1221提供了一个内部隔离开关，其提供了用于两个连接
电池。在电池备份操作的电池具有最高电压被选择使用。如果一个人
电池出现故障，另一个将自动接管。电池之间的切换是透明的
该用户。会出现电池状态的警告，如果两块电池都小于2.0伏。如果只有一个电池是
使用时，第二电池输入必须接地。图2示出所需的连接
DS1221中的典型应用。
非易失控制器/解码器
图1
V
CCI
>=4.5
<4.25
>=4.5
>=4.5
>=4.5
>=4.5
H =高电平
L =低电平
X =无关
CE
H
X
L
L
L
L
输入
B
X
X
L
L
H
H
输出
A
X
X
L
H
L
H
CE0
CE1
CE2
CE3
H
H
L
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
L
2第8
DS1221
绝对最大额定值*
任何引脚相对地电压
工作温度
储存温度
焊接温度
短路输出电流
*
-0.3V至+ 7.0V
0 ° C至70℃
-55 ° C至+ 125°C
260℃ 10秒
20毫安
这是一个额定值，设备的功能操作在这些或任何其他条件
超出本规范的操作部分表示是不是暗示。接触
绝对最大额定值条件下，长时间会影响其可靠性。
建议的直流工作条件
参数
电源电压
逻辑输入1
逻辑0输入
电池输入
符号
V
CCI
V
IH
V
IL
V
BAT1
,
V
BAT2
民
4.5
2.2
-0.3
2.0
典型值
5.0
最大
5.5
V
CC
+0.3
+0.8
4.0
（0℃至70℃ ）
单位
V
V
V
V
笔记
1
1
1
1, 2
DC电气特性
参数
电源电流
电源电压
电源电流
输入漏
输出漏
CE0
-
CE3
， DQ
输出2.4V @
CE0
-
CE3
， DQ
输出0.4V @
V
CC
TRIP POINT
符号
I
CCI
V
CCO
I
CCO1
I
IL
I
LO
I
OH
I
OL
V
CCTP
4.25
民
V
CC
-0.2
-1.0
-1.0
-1.0
（ 0 ° C至70 °C， V
CC
= 4.5 5.5V ）
典型值
最大
5
80
+1.0
+1.0
单位
mA
V
mA
A
A
mA
mA
V
笔记
3
1
4, 10
5
5
1
4.0
4.37
4.50
（ 0 ° C至70 °C， V
CC
< 4.25V ）
参数
CE0
-
CE3
产量
V
BAT1
或V
BAT2
电池电流
备用电池电流
@ V
CCO
= V
BAT
- 0.5V
符号
V
OHL
I
BAT
I
CCO2
民
V
CC
-0.2
V
BAT
-0.2
典型值
最大
0.1
100
单位
V
A
A
笔记
3
6, 7, 10
4 8
DS1221
电容
参数
输入电容
输出电容
符号
C
IN
C
OUT
民
典型值
最大
5
7
(t
A
= 25°C)
单位
pF
pF
笔记
AC电气特性
参数
CE
传播延迟
CE
高电源失效
地址设置
符号
t
PD
t
PF
t
AS
民
5
20
（ 0 ° C至70 °C， V
CC
= 4.5 5.5V ）
典型值
15
最大
25
0
单位
ns
ns
ns
笔记
5
9
（ 0 ° C至70 °C， V
CC
＆ LT ; 4.5V ）
参数
恢复上电时
V
CC
转换速率4.5 - 4.25V
V
CC
压摆率4.25 - 3V
V
CC
压摆率4.25 - 4.5V
CE
脉冲宽度
符号
t
REC
t
F
t
FB
t
R
t
CE
民
2
300
10
0
典型值
5
最大
10
单位
ms
s
s
s
s
笔记
1.5
7, 8
注意事项：
1.所有电压以地为参考。
2.只有一个电池输入是必需的。
3.测得V
CCO
和
CE0
-
CE3
开。
4. I
CCO1
是最大平均负载其中DS1221可以提供给存储器。
5.测得的负载，如图4 。
6. I
CCO2
是最大平均负载电流的DS1221可以提供给在所述存储器
电池后备模式。
7.芯片使能输出
CE0
-
CE3
只能维持在电池备份模式下的泄漏电流。
8. t
CE
最大。必须得到满足，以确保断电数据的完整性。
9. t
AS
只需要保持解码器输出无干扰。而CE是低电平时，输出端（
CE0
-
CE3
)
将输入A和B与T的传输延迟被定义
PD
从A或B输入变化。
10.应用程序需要更高的电流要求，请参阅DS1259电池管理芯片
数据表。
5 8
QQ：2880707522 复制
