DG884
Vishay Siliconix公司
8 ×4的宽带视频交叉点阵列
特点
路由任意输入到输出
宽带： 300兆赫
低串扰： -85分贝@ 5 MHz的
双缓冲的TTL兼容
锁存器回读
D
低R
DS （ ON）
: 45
W
D
可选的负电源
D
D
D
D
好处
D
D
D
D
D
D
D
减少电路板空间
提高系统带宽
提高通道关断隔离
简化的逻辑接口
允许双极性信号摆幅
减少了插入损耗
高可靠性
应用
D
宽带信号路由和
复
D
高端视频系统
D
NTSC ， PAL ， SECAM切换器
D
数字视频路由
D
ATE系统
描述
该DG884包含32 T-开关矩阵配置在
8 4交叉点阵列。任何的IN / OUT引脚可以用于
作为输入或输出。任何的IN管脚可以被切换到
任何一个或同时向所有的输出引脚。
控制数据分别装入4下一页事件锁存器。
当所有的下一事件锁存器被编程，数据
通过成组切换转移到当前的事件锁存器
命令。当前事件锁存数据回读是提供给
调查显示阵列状态。
输出禁止功能，使其能够并行多
DG884s以形成更大的开关阵列。 DIS输出提供
控制信号，用于将外部缓冲器处于省电
模式。
有关更多信息，请参阅应用说明AN504
（ FaxBack文件编号70610 ） 。
该DG884是建立在一个专有的D / CMOS的过程，
结合低电容开关DMOS FET的低
功耗CMOS控制逻辑和驱动程序。地线
相邻信号之间的输入引脚有助于减少串扰。
低导通电阻和低的导通电容的DG884的
使其非常适用于视频和宽带信号路由。
功能框图
IN
1
IN
2
IN
3
IN
4
IN
5
IN
6
IN
7
IN
8
OUT
1
OUT
2
OUT
3
OUT
4
8 4开关矩阵
解码逻辑电路，开关驱动器
4禁用输出
WR
CS
B
1
B
0
I / O控制
逻辑
当前事件锁存器
RS
齐射
接下来的事件锁存器
I / O一
3
文档编号： 70071
S- 52433 -REV 。女， 06 ， 09月99
A
2
A
1
A
0
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
5-1
DG884
Vishay Siliconix公司
引脚配置和订购信息
OUT1
GND
OUT2
GND
OUT3
GND
6
5
4
3
2
1 44 43 42 41 40
IN
2
GND
IN
3
GND
IN
4
GND
IN
5
GND
IN
6
GND
IN
7
OUT4
GND
GND
GND
IN 1
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
PLCC及CLCC
顶视图
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
DGND
V
L
RS
齐射
WR
A
3
A
2
A
1
A
0
CS
I / O
订购信息
温度范围
-40到85°C
-55到125°C
包
44引脚PLCC
44引脚CLCC
产品型号
DG884DN
DG884AM/883
18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28
IN8
GND
V–
DIS1
DIS2
DIS3
DIS4
B0
GND
V+
B1
真值表我
RS
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0
I / O
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
X
CS
1
0
0
0
X
0
X
0
1
0
X
WR
齐射
1
1
不改变下一个事件锁存器
操作
在表定义见下文加载下一个事件锁存器
接下来的事件锁存器是透明的。
下一个事件的数据锁存，在
在接下来的所有事件数据锁存器同时加载到当前事件锁存器，即所有
新的交叉点地址同时改变时，成组切换变为低电平。
0
1
1
1
X
1
0
1
1
1
0
1
1
1
0
当前事件锁存器是透明的
当前事件数据锁存于
无论下一个和当前事件锁存器是透明的
A
0
, A
1
, A
2
, A
3
=高阻
A
0
, A
1
, A
2
, A
3
成为输出和反映当前事件锁存器的内容。 B
0,
B
1
确定哪些正在读取当前事件锁存器
打开所有的交叉点（但数据在接下来的事件锁存器将被保留）
所有其他国家，不推荐。
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
5-2
文档编号： 70071
S- 52433 -REV 。女， 06 ， 09月99
DG884
Vishay Siliconix公司
真值表II
WR
B
1
B
0
A
3
A
2
0
0
0
0
1
1
1
1
X
0
0
0
0
1
1
1
1
X
0
0
0
0
1
1
1
1
X
0
0
0
0
1
1
1
1
X
A
1
0
0
1
1
0
0
1
1
X
0
0
1
1
0
0
1
1
X
0
0
1
1
0
0
1
1
X
0
0
1
1
0
0
1
1
X
A
0
0
1
0
1
0
1
0
1
X
0
1
0
1
0
1
0
1
X
0
1
0
1
0
1
0
1
X
0
1
0
1
0
1
0
1
X
接下来的事件锁存器
IN
1
到OUT
1
装
IN
2
到OUT
1
装
IN
3
到OUT
1
装
IN
4
到OUT
1
装
IN
5
到OUT
1
装
IN
6
到OUT
1
装
IN
7
到OUT
1
装
IN
8
到OUT
1
装
关闭外出
1
装
IN
1
到OUT
2
装
IN
2
到OUT
2
装
IN
3
到OUT
2
装
IN
4
到OUT
2
装
IN
5
到OUT
2
装
IN
6
到OUT
2
装
IN
7
到OUT
2
装
IN
8
到OUT
2
装
关闭外出
2
装
IN
1
到OUT
3
装
IN
2
到OUT
3
装
IN
3
到OUT
3
装
IN
4
到OUT
3
装
IN
5
到OUT
3
装
IN
6
到OUT
3
装
IN
7
到OUT
3
装
IN
8
到OUT
3
装
关闭外出
3
装
IN
1
到OUT
4
装
IN
2
到OUT
4
装
IN
3
到OUT
4
装
IN
4
到OUT
4
装
IN
5
到OUT
4
装
IN
6
到OUT
4
装
IN
7
到OUT
4
装
IN
8
到OUT
4
装
关闭外出
4
装
0
0
1
0
0
1
1
0
0
1
0
1
0
1
1
1
0
注意：
当WR = 0下一事件锁存器是透明的。每个交叉点的单独寻址，例如，连接IN
1
到OUT
1
直通OUT
4
需要
0
, A
1
, A
2
= 0将与B的两个组合锁存
0
, B
1
。当RS = 0时，所有四个DIS输出拉低同时进行。
绝对最大额定值
V +至GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至21 V
V +至V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至21 V
V-至GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -10 V至0.3 V
V
L
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 V至（V + ） + 0.3 V
数字输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （ V-） - 0.3 V至（V
L
) + 0.3 V
或20mA ，以先到者为准
V
S
, V
D
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （ V-） - 0.3 V至（ V- ）， + 14 V
或20mA ，以先到者为准
CURRENT （任何终端）连续。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20毫安
CURRENT （S或D ）脉冲1毫秒10 ％的关税。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40毫安
储存温度
（后缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到150_C
（D后缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到125_C
注意事项：
一。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
B 。减免6毫瓦/ _C以上75°C 。
。减免16毫瓦/ _C以上75°C 。
工作温度
（后缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55至125_C
（D后缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40至+85 C
功率耗散（包）
a
44引脚四方J引线PLCC
b
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 450毫瓦
44引脚四方J引线密封CLCC
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1200毫瓦
文档编号： 70071
S- 52433 -REV 。女， 06 ， 09月99
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
5-3
DG884
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源导通电阻
电阻匹配
通道之间
来源OFF漏电流
流掉泄漏电流
总开关开
漏电流
V
类似物
r
DS （ ON）
Dr
DS （ ON）
I
S（ OFF）
I
D（关闭）
I
D（上）
V– = –5 V
I
S
= -10毫安，V
D
= 0 V
V
AIH
= 2.0 V, V
AIL
= 0.8 V
序列每个交换机上
V
S
= 8 V, V
D
= 0 V,
RS = 0.8 V
V
S
= 0 V, V
D
= 8 V,
RS = 0.8 V
V
S
= V
D
= 8 V
满
房间
满
房间
房间
满
房间
满
房间
满
45
–5
8
90
120
9
–20
–200
–20
–200
–20
–2000
20
200
20
200
20
2000
–20
–200
–20
–200
–20
–200
–5
8
90
120
9
20
200
20
200
20
200
nA
A
V
后缀
-55到125°C
后缀
-40到85°C
符号
V+ = 15 V, V– = –3 V
V
L
= 5 V ， RS = 2.0 V
齐鸣， CS ， WR ， I / O = 0.8 V
温度
b
典型值
c
民
d
最大
d
民
d
最大
d
单位
W
3
数字输入/输出
输入电压高
输入电压低
地址输入电流
V
AIH
V
AIL
I
AI
I
AO
V
AI
= 0 V或2 V或5 V
V
AO
= 2.7 V ，见真值表
V
AO
= 0.4 V，见真值表
DIS引脚吸收电流
I
DIS
满
满
房间
满
房间
房间
房间
0.1
–600
1500
1.5
500
–1
–10
2
0.8
1
10
–200
500
mA
–1
–10
2
V
0.8
1
10
–200
mA
A
地址输出电流
动态特性
在国家输入电容
e
关机状态下输入
电容
e
在1比1淘汰，见图11
C
秒（上）
C
S（ OFF）
查看网络连接
秒图11
C
D（关闭）
t
TRANS
t
开放
t
ON
t
关闭
Q
X
TALK （ DIS ）
X
TALK
(
AI ）
X
TALK （ AH ）
BW
R
L
= 1千瓦，C
L
= 35 pF的
50 ％控制在90 ％输出
见图3
参见图6
R
IN
= R
L
= 75
W
F = 5兆赫，见图10
R
IN
= 10
W
, R
L
= 10千瓦
F = 5兆赫，参见图9
R
IN
= 10
W
, R
L
= 10千瓦
F = 5兆赫，参见图8
R
L
= 50
W
，参见图7
参见图5
满
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
房间
–100
–82
–85
–66
300
兆赫
dB
10
300
500
175
300
10
300
175
pC
ns
房间
房间
10
20
20
300
在1至4出，见图11
房间
房间
房间
30
120
8
20
40
160
20
pF
F
关国
输出电容
e
转换时间
突破前先间隔
齐鸣， WR启动时间
齐鸣， WR关闭时间
电荷注入
矩阵残疾人串扰
相邻输入串音
一切敌对串音
带宽
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
5-4
文档编号： 70071
S- 52433 -REV 。女， 06 ， 09月99
DG884
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非指定
参数
电源
正电源电流
负电源电流
数字GND电源电流
逻辑电源电流
功能操作电源伏特
电压
年龄范围
e
I+
I–
I
DG
I
L
V +至V-
V-至GND
V +至GND
见工作电压范围
（典型特征）
第5-6页
所有我
输入A GND或2 V
At
RS = 2 V
房间
满
房间
满
满
满
满
满
满
1.5
–1.5
–275
200
13
–5.5
10
–3
–5
–750
500
20
0
20
13
–5.5
10
3
6
–3
–5
–750
500
20
0
20
V
mA
3
6
mA
后缀
-55到125°C
后缀
-40到85°C
符号
V+ = 15 V, V– = –3 V
V
L
= 5 V ， RS = 2.0 V
齐鸣， CS ， WR ， I / O = 0.8 V
温度
b
典型值
c
民
d
最大
d
民
d
最大
d
单位
最小输入时序要求
地址写入时间
WR最小脉冲宽度
写地址时
片选写时间
写片选时间
最低SALVO
脉冲宽度
SALVO写入时间
撰写成组切换时间
输入输出时间
地址输出时间
芯片选择输出时间
片选地址的时间
复位齐射
I / O地址输入时间
t
AW
t
WP
t
WA
t
CW
t
WC
t
SP
t
SW
t
WS
t
IO
t
AO
t
CO
t
CA
t
RS
t
IA
见图1
S图
满
满
满
满
满
满
满
房间
房间
房间
房间
房间
满
房间
50
20
50
–10
50
25
50
–10
20
150
150
150
60
50
200
200
200
50
100
10
100
75
100
10
50
100
10
100
75
100
10
50
200
200
200
100
50
ns
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，不受生产测试。
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S
FaxBack 408-970-5600
5-5
DG884
Vishay Siliconix公司
8 ×4的宽带视频交叉点阵列
特点
路由任意输入到输出
宽带： 300兆赫
低串扰：
85
分贝@ 5 MHz的
双缓冲的TTL兼容
锁存器回读
D
低R
DS （ ON）
: 45
W
D
可选的负电源
D
D
D
D
好处
D
D
D
D
D
D
D
减少电路板空间
提高系统带宽
提高通道关断隔离
简化的逻辑接口
允许双极性信号摆幅
减少了插入损耗
高可靠性
应用
D
宽带信号路由和
复
D
高端视频系统
D
NTSC ， PAL ， SECAM切换器
D
数字视频路由
D
ATE系统
描述
该DG884包含32 T-开关矩阵配置
8
4交叉点阵列。任何的IN / OUT引脚可能
用作输入或输出。任何的IN管脚可被切换
任何或同时向所有的输出引脚。
控制数据分别装入4下一页事件锁存器。
当所有的下一事件锁存器被编程，数据
通过成组切换转移到当前的事件锁存器
命令。当前事件锁存数据回读是提供给
调查显示阵列状态。
输出禁止功能，使其能够并行多
DG884s以形成更大的开关阵列。 DIS输出提供
控制信号，用于将外部缓冲器处于省电
模式。
有关更多信息，请参阅应用说明AN504
（ FaxBack文件编号70610 ） 。
该DG884是建立在一个专有的D / CMOS的过程，
结合低电容开关DMOS FET的低
功耗CMOS控制逻辑和驱动程序。地线
相邻信号之间的输入引脚有助于减少串扰。
低导通电阻和低的导通电容的DG884的
使其非常适用于视频和宽带信号路由。
功能框图
IN
1
IN
2
IN
3
IN
4
IN
5
IN
6
IN
7
IN
8
OUT
1
OUT
2
8 4开关矩阵
OUT
3
OUT
4
解码逻辑电路，开关驱动器
4禁用输出
WR
CS
B
1
B
0
I / O控制
逻辑
当前事件锁存器
RS
齐射
接下来的事件锁存器
I / O一
3
文档编号： 70071
S- 52433 -REV 。 G， 20日-12月04
A
2
A
1
A
0
www.vishay.com
1
DG884
Vishay Siliconix公司
引脚配置和订购信息
OUT1
GND
OUT2
GND
OUT3
GND
6
5
4
3
2
1 44 43 42 41 40
IN
2
GND
IN
3
GND
IN
4
GND
IN
5
GND
IN
6
GND
IN
7
OUT4
GND
GND
GND
IN 1
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
PLCC及CLCC
顶视图
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
DGND
V
L
RS
齐射
WR
A
3
A
2
A
1
A
0
CS
I / O
订购信息
温度范围
40
至85℃
55
至125℃
包
44引脚PLCC
44引脚CLCC
产品型号
DG884DN
DG884AM/883
18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28
GND
IN8
GND
V
DIS 1
DIS 2
DIS 3
DIS 4
B0
V+
B1
真值表我
RS
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0
I / O
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
X
CS
1
0
0
0
X
0
X
0
1
0
X
WR
齐射
1
1
不改变下一个事件锁存器
操作
在表定义见下文加载下一个事件锁存器
接下来的事件锁存器是透明的。
下一个事件的数据锁存，在
在接下来的所有事件数据锁存器同时加载到当前事件锁存器，即所有
新的交叉点地址同时改变时，成组切换变为低电平。
0
1
1
1
X
1
0
1
1
1
0
1
1
1
0
当前事件锁存器是透明的
当前事件数据锁存于
无论下一个和当前事件锁存器是透明的
A
0
, A
1
, A
2
, A
3
高阻抗
A
0
, A
1
, A
2
, A
3
成为输出和反映当前事件锁存器的内容。 B
0,
B
1
确定哪些正在读取当前事件锁存器
打开所有的交叉点（但数据在接下来的事件锁存器将被保留）
所有其他国家，不推荐。
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2
文档编号： 70071
S- 52433 -REV 。 G， 20日-12月04
DG884
Vishay Siliconix公司
真值表II
WR
B
1
B
0
A
3
A
2
0
0
0
0
1
1
1
1
X
0
0
0
0
1
1
1
1
X
0
0
0
0
1
1
1
1
X
0
0
0
0
1
1
1
1
X
A
1
0
0
1
1
0
0
1
1
X
0
0
1
1
0
0
1
1
X
0
0
1
1
0
0
1
1
X
0
0
1
1
0
0
1
1
X
A
0
0
1
0
1
0
1
0
1
X
0
1
0
1
0
1
0
1
X
0
1
0
1
0
1
0
1
X
0
1
0
1
0
1
0
1
X
接下来的事件锁存器
IN
1
到OUT
1
装
IN
2
到OUT
1
装
IN
3
到OUT
1
装
IN
4
到OUT
1
装
IN
5
到OUT
1
装
IN
6
到OUT
1
装
IN
7
到OUT
1
装
IN
8
到OUT
1
装
关闭外出
1
装
IN
1
到OUT
2
装
IN
2
到OUT
2
装
IN
3
到OUT
2
装
IN
4
到OUT
2
装
IN
5
到OUT
2
装
IN
6
到OUT
2
装
IN
7
到OUT
2
装
IN
8
到OUT
2
装
关闭外出
2
装
IN
1
到OUT
3
装
IN
2
到OUT
3
装
IN
3
到OUT
3
装
IN
4
到OUT
3
装
IN
5
到OUT
3
装
IN
6
到OUT
3
装
IN
7
到OUT
3
装
IN
8
到OUT
3
装
关闭外出
3
装
IN
1
到OUT
4
装
IN
2
到OUT
4
装
IN
3
到OUT
4
装
IN
4
到OUT
4
装
IN
5
到OUT
4
装
IN
6
到OUT
4
装
IN
7
到OUT
4
装
IN
8
到OUT
4
装
关闭外出
4
装
0
0
1
0
0
1
1
0
0
1
0
1
0
1
1
1
0
注意：
当WR = 0下一事件锁存器是透明的。每个交叉点的单独寻址，例如，连接IN
1
到OUT
1
直通OUT
4
需要
0
, A
1
, A
2
= 0将与B的两个组合锁存
0
, B
1
。当RS = 0时，所有四个DIS输出拉低同时进行。
绝对最大额定值
V +至GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.3
V到21 V
V +至V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.3
V到21 V
V-至GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
10
V到0.3 V
V
L
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 V至（V + ） + 0.3 V
数字输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （ V-）
0.3 V至（V
L
) + 0.3 V
或20mA ，以先到者为准
V
S
, V
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . (V)
0.3 V至（ V- ）， + 14 V
或20mA ，以先到者为准
CURRENT （任何终端）连续。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20毫安
CURRENT （S或D ）脉冲1毫秒10 ％的关税。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40毫安
储存温度
（后缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
65
至150℃
（D后缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
65
至125℃
工作温度
（后缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
55
至125℃
（D后缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
40
至85℃
功率耗散（包）
a
44引脚四方J引线PLCC
b
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 450毫瓦
44引脚四方J引线密封CLCC
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1200毫瓦
注意事项：
一。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
B 。减免6毫瓦/ _C以上75°C 。
。减免16毫瓦/ _C以上75°C 。
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3
DG884
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非指定
V+ = 15 V, V =
3
V
V
L
= 5 V ， RS = 2.0 V
齐鸣， CS ， WR ， I / O = 0.8 V
后缀
55
至125℃
后缀
40
至85℃
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源导通电阻
电阻匹配
通道之间
来源OFF漏电流
流掉泄漏电流
总开关开
漏电流
符号
温度
b
典型值
c
民
d
最大
d
民
d
最大
d
单位
V
类似物
r
DS （ ON）
Dr
DS （ ON）
I
S（ OFF）
I
D（关闭）
I
D（上）
V =
5
V
I
S
=
10
毫安，V
D
= 0 V
V
AIH
= 2 0 V V
AIL
= 0 8 V
2.0 V,
0.8
序列每个交换机上
V
S
= 8 V, V
D
= 0 V,
RS = 0.8 V
V
S
= 0 V, V
D
= 8 V,
RS = 0.8 V
V
S
= V
D
= 8 V
满
房间
满
房间
房间
满
房间
满
房间
满
45
3
5
8
90
120
9
5
8
90
120
9
V
W
20
200
20
200
20
2000
20
200
20
200
20
2000
20
200
20
200
20
200
20
200
20
200
20
200
nA
数字输入/输出
输入电压高
输入电压低
地址输入电流
地址输出电流
DIS引脚吸收电流
V
AIH
V
AIL
I
AI
I
AO
I
DIS
V
AI
= 0 V或2 V或5 V
V
AO
= 2.7 V ，见真值表
V
AO
= 0.4 V，见真值表
满
满
房间
满
房间
房间
房间
0.1
600
1500
1.5
500
1
10
2
0.8
1
10
200
500
mA
1
10
2
0.8
1
10
200
mA
V
动态特性
在国家输入电容
e
关机状态下输入电容
e
关国
输出电容
e
转换时间
突破前先间隔
齐鸣， WR启动时间
齐鸣， WR关闭时间
电荷注入
矩阵残疾人串扰
相邻输入串音
一切敌对串音
带宽
C
秒（上）
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
t
TRANS
t
开放
t
ON
t
关闭
Q
X
TALK （ DIS ）
X
TALK
(
AI ）
X
TALK （ AH ）
BW
见图11
在1比1淘汰，见图11
在1至4出，见图11
房间
房间
房间
房间
房间
满
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
房间
100
82
85
66
300
兆赫
dB
10
300
500
175
300
30
120
8
10
20
20
40
160
20
20
300
10
300
175
pC
ns
pF
参见图5
R
L
= 1千瓦，C
L
= 35 pF的
50 ％控制在90 ％输出
见图3
参见图6
R
IN
= R
L
= 75
W
F = 5兆赫，见图10
R
IN
= 10
W
, R
L
= 10千瓦
F = 5兆赫，参见图9
R
IN
= 10
W
, R
L
= 10千瓦
F = 5兆赫，参见图8
R
L
= 50
W
，参见图7
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4
文档编号： 70071
S- 52433 -REV 。 G， 20日-12月04
DG884
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非指定
V+ = 15 V, V =
3
V
V
L
= 5 V ， RS = 2.0 V
齐鸣， CS ， WR ， I / O = 0.8 V
后缀
55
至125℃
后缀
40
至85℃
参数
电源
正电源电流
负电源电流
数字GND电源电流
逻辑电源电流
功能
操作中的
电源电压
年龄范围
e
符号
温度
b
典型值
c
民
d
最大
d
民
d
最大
d
单位
I+
I
I
DG
I
L
V +至V-
V-至GND
V +至GND
见工作电压范围
（ YP
)
（典型特征）
第6页
所有输入为GND或2 V
RS = 2 V
房间
满
房间
满
满
满
满
满
满
1.5
1.5
275
200
13
5.5
10
3
5
750
3
6
3
5
750
500
20
0
20
13
5.5
10
3
6
mA
500
20
0
20
mA
V
最小输入时序要求
地址写入时间
WR最小脉冲宽度
写地址时
片选写时间
写片选时间
最低SALVO
脉冲宽度
SALVO写入时间
撰写成组切换时间
输入输出时间
地址输出时间
芯片选择输出时间
片选地址的时间
复位齐射
I / O地址输入时间
t
AW
t
WP
t
WA
t
CW
t
WC
t
SP
t
SW
t
WS
t
IO
t
AO
t
CO
t
CA
t
RS
t
IA
见图1
满
满
满
满
满
满
满
房间
房间
房间
房间
房间
满
房间
50
20
50
10
50
25
50
10
20
150
150
150
60
50
200
200
200
50
100
10
100
75
100
10
50
100
10
100
75
100
10
50
200
200
200
100
50
ns
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，不受生产测试。
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S- 52433 -REV 。 G， 20日-12月04
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DG884
Vishay Siliconix公司
8 ×4的宽带视频交叉点阵列
描述
该DG884包含32 T-开关矩阵配置
一个8 ×4交叉点阵列。任何的IN / OUT引脚可能
用作输入或输出。任何的IN引脚可能
切换到任何一个或同时向所有的输出引脚。
该DG884是建立在一个专有的D / CMOS的过程，
结合低电容开关DMOS FET的低
功耗CMOS控制逻辑和驱动程序。地线
相邻信号之间的输入引脚有助于减少串扰。
低导通电阻和低的导通电容的DG884的
使其非常适用于视频和宽带信号路由。
控制数据分别装入4下一页事件
锁存器。当所有的下一事件锁存器已经
编程时，数据被传输到当前事件
通过成组切换命令锁存器。当前事件锁存数据
回读可轮询阵列状态。
输出禁止功能，使其能够并行
多个DG884s以形成更大的开关阵列。 DIS输出
提供控制信号，用来将外部缓冲器中的一个
省电模式。
有关更多信息，请参阅应用说明AN504
（ FaxBack文件编号70610 ） 。
特点
路由任意输入到输出
宽带： 300兆赫
低串扰： - 85分贝5兆赫
双缓冲的TTL兼容
锁存器回读
低R
DS （ ON）
: 45
Ω
可选的负电源
无铅
可用的
RoHS指令*
柔顺
好处
减少电路板空间
提高系统带宽
提高通道关断隔离
简化的逻辑接口
允许双极性信号摆幅
减少了插入损耗
高可靠性
应用
宽带信号路由和复用
高端视频系统
NTSC ， PAL ， SECAM切换器
数字视频路由
ATE系统
功能框图
IN
1
IN
2
IN
3
IN
4
IN
5
IN
6
IN
7
IN
8
OUT
1
OUT
2
8 4开关矩阵
OUT
3
OUT
4
解码逻辑电路，开关驱动器
4禁用输出
WR
CS
B
1
B
0
I / O控制
逻辑
当前事件锁存器
RS
齐射
接下来的事件锁存器
I / O一
3
A
2
A
1
A
0
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 70071
S- 71241 -REV 。 H， 25军， 07
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1
DG884
Vishay Siliconix公司
引脚配置和订购信息
OUT
1
OUT
2
OUT
3
6
5
4
3
2
1 44 43 42 41 40
IN
2
GND
IN
3
GND
IN
4
GND
IN
5
GND
IN
6
GND
IN
7
OUT
4
GND
GND
GND
GND
GND
GND
IN
1
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
DGND
V
L
RS
齐射
WR
A
3
A
2
A
1
A
0
CS
I / O
订购信息
温度范围
- 4085 ℃下
包
44引脚PLCC
产品型号
DG884DN
DG884DN-E3
PLCC及CLCC
顶视图
18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28
GND
GND
IN
8
DIS
1
DIS
2
DIS
3
DIS
4
V+
B0
V
B
1
真值表我
RS
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0
I / O
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
X
CS
1
0
0
0
X
0
X
0
1
0
X
1
X
1
0
1
1
1
0
1
1
1
0
0
WR
齐射
1
1
1
1
不改变下一个事件锁存器
在表定义见下文加载下一个事件锁存器
接下来的事件锁存器是透明的
下一个事件的数据锁存，在
在接下来的所有事件数据锁存器同时加载到当前事件锁存器，
也就是说，所有新的交叉点地址同时改变时，成组切换变为低电平
当前事件锁存器是透明的
当前事件数据锁存于
无论下一个和当前事件锁存器是透明的
A
0
, A
1
, A
2
, A
3
- 高阻抗
A
0
, A
1
, A
2
, A
3
成为输出和反映当前事件锁存器的内容
B
0
, B
1
确定哪些正在读取当前事件锁存器
打开所有的交叉点（但数据在接下来的事件锁存器将被保留）
操作
所有其他国家，不推荐。
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2
文档编号： 70071
S- 71241 -REV 。 H， 25军， 07
DG884
Vishay Siliconix公司
真值表II
WR
B
1
B
0
A
3
A
2
0
0
0
0
1
1
1
1
X
0
0
0
0
1
1
1
1
X
0
0
0
0
1
1
1
1
X
0
0
0
0
1
1
1
1
X
A
1
0
0
1
1
0
0
1
1
X
0
0
1
1
0
0
1
1
X
0
0
1
1
0
0
1
1
X
0
0
1
1
0
0
1
1
X
A
0
0
1
0
1
0
1
0
1
X
0
1
0
1
0
1
0
1
X
0
1
0
1
0
1
0
1
X
0
1
0
1
0
1
0
1
X
接下来的事件锁存器
IN
1
到OUT
1
装
IN
2
到OUT
1
装
IN
3
到OUT
1
装
IN
4
到OUT
1
装
IN
5
到OUT
1
装
IN
6
到OUT
1
装
IN
7
到OUT
1
装
IN
8
到OUT
1
装
关闭外出
1
装
IN
1
到OUT
2
装
IN
2
到OUT
2
装
IN
3
到OUT
2
装
IN
4
到OUT
2
装
IN
5
到OUT
2
装
IN
6
到OUT
2
装
IN
7
到OUT
2
装
IN
8
到OUT
2
装
关闭外出
2
装
IN
1
到OUT
3
装
IN
2
到OUT
3
装
IN
3
到OUT
3
装
IN
4
到OUT
3
装
IN
5
到OUT
3
装
IN
6
到OUT
3
装
IN
7
到OUT
3
装
IN
8
到OUT
3
装
关闭外出
3
装
IN
1
到OUT
4
装
IN
2
到OUT
4
装
IN
3
到OUT
4
装
IN
4
到OUT
4
装
IN
5
到OUT
4
装
IN
6
到OUT
4
装
IN
7
到OUT
4
装
IN
8
到OUT
4
装
关闭外出
4
装
0
0
1
0
0
1
1
0
0
1
0
1
0
1
1
1
0
注意事项：
当WR = 0下一事件锁存器是透明的。每个交叉点的单独寻址，例如，连接IN
1
到OUT
1
直通OUT
4
需要
A
0
, A
1
, A
2
= 0将与B的两个组合锁存
0
, B
1
。当RS = 0时，所有四个DIS输出拉低同时进行。
绝对最大额定值
参数
V +至GND
V +至V-
V-至GND
V
L
到GND
数字输入
V
S
, V
D
电流（任何终端）连续
电流（S或D ）脉冲1毫秒10 ％税
（后缀）
储存温度
（D后缀）
（后缀）
工作温度
（D后缀）
44引脚四方J引线PLCC
b
功率耗散（包）
a
44引脚四方J引线密封CLCC
c
注意事项：
一。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
B 。减免6毫瓦/°C， 75°C以上
。减免16毫瓦/°C， 75°C以上。
文档编号： 70071
S- 71241 -REV 。 H， 25军， 07
极限
- 0.3 21
- 0.3 21
- 10 0.3
0至（V +） + 0.3
（ V - ） - 0.3对（Ⅴ
L
) + 0.3
或20mA ，以先到者为准
（ V-） - 0.3 （ V-） + 14
或20mA ，以先到者为准
20
40
- 65 150
- 65 125
- 55 125
- 40-85
450
1200
单位
V
mA
°C
mW
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3
DG884
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非指定
V+ = 15 V, V- = - 3 V
V
L
= 5 V ， RS = 2.0 V
齐鸣， CS ， WR ， I / O = 0.8 V
V- = - 5 V
I
S
= - 10毫安，V
D
= 0 V
V
AIH
= 2.0 V, V
AIL
= 0.8 V
序列每个交换机上
V
S
= 8 V, V
D
= 0 V ， RS = 0.8 V
V
D
= 0 V, V
S
= 8 V ， RS = 0.8 V
V
S
= V
D
= 8 V
后缀
- 55至125℃的
后缀
- 4085 ℃下
单位
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
电阻匹配
通道之间
来源OFF漏电流
流掉泄漏电流
总开关开
漏电流
数字输入/输出
输入电压高
输入电压低
地址输入电流
地址输出电流
DIS引脚吸收电流
动态特性
在国家输入电容
e
关机状态下输入电容
关态输出
电容
e
转换时间
突破前先间隔
齐鸣， WR启动时间
齐鸣， WR关闭时间
电荷注入
矩阵残疾人串扰
相邻输入串音
一切敌对串音
带宽
e
符号
V
类似物
r
DS （ ON）
Δr
DS （ ON）
I
S（ OFF）
I
D（关闭）
I
D（上）
V
AIH
V
AIL
I
AI
I
AO
I
DIS
温度
b
满
房间
满
房间
房间
满
房间
满
房间
满
满
满
房间
满
房间
房间
房间
典型值
c
民
d
-5
最大
d
8
90
120
9
民
d
-5
最大
d
8
90
120
9
单位
V
Ω
45
3
- 20
- 200
- 20
- 200
- 20
- 2000
2
0.1
- 600
1500
1.5
30
120
8
10
500
-1
- 10
20
200
20
200
20
2000
- 20
- 200
- 20
- 200
- 20
- 200
2
20
200
20
200
20
200
nA
V
AI
= 0 V或2 V或5 V
V
AO
= 2.7 V ，见真值表
V
AO
= 0.4 V，见真值表
0.8
1
10
- 200
-1
- 10
500
0.8
1
10
- 200
V
A
mA
40
160
20
20
20
20
300
10
300
500
175
300
10
300
175
pC
ns
pF
C
秒（上）
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
t
TRANS
t
开放
t
ON
t
关闭
Q
X
TALK （ DIS ）
X
TALK （ AI）
X
TALK （ AH ）
BW
在1比1淘汰，见图11
在1至4出，见图11
见图11
房间
房间
房间
房间
房间
满
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
房间
参见图5
R
L
= 1千欧，C
L
= 35 pF的
50 ％控制在90 ％输出
见图3
参见图6
R
IN
= R
L
= 75
Ω
F = 5兆赫，见图10
R
IN
= 10
Ω,
R
L
= 10 kΩ
F = 5兆赫，参见图9
R
IN
= 10
Ω,
R
L
= 10 kΩ
F = 5兆赫，参见图8
R
L
= 50
Ω,
参见图7
- 100
- 82
- 85
- 66
300
dB
兆赫
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4
文档编号： 70071
S- 71241 -REV 。 H， 25军， 07
DG884
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非指定
V+ = 15 V, V- = - 3 V
V
L
= 5 V ， RS = 2.0 V
齐鸣， CS ， WR ， I / O = 0.8 V
后缀
- 55至125℃的
后缀
- 4085 ℃下
单位
参数
电源
正电源电流
负电源电流
数字GND
电源电流
逻辑电源电流
功能操作
电源电压范围
e
符号
温度
b
房间
满
典型值
c
1.5
- 1.5
- 275
200
民
d
最大
d
3
6
民
d
最大
d
3
6
单位
I+
I-
I
DG
I
L
V +至V-
V-至GND
V +至GND
t
AW
t
WP
t
WA
t
CW
t
WC
t
SP
t
SW
t
WS
t
IO
t
AO
t
CO
t
CA
t
RS
t
IA
见图1
见工作电压范围
（典型特征）第6页
所有输入为GND或2 V
RS = 2 V
房间
满
满
满
满
满
满
满
满
满
满
满
满
满
房间
房间
房间
房间
房间
满
房间
-3
-5
- 750
500
13
- 5.5
10
20
0
20
-3
-5
- 750
500
13
- 5.5
10
50
100
10
100
75
100
10
50
200
200
200
100
50
20
0
20
mA
μA
V
最小输入时序要求
地址写入时间
最低WR脉冲
宽度
写地址时
片选写时间
写片选时间
最低SALVO
脉冲宽度
SALVO写入时间
写SALVOTime
输入输出时间
地址输出时间
芯片选择输出时间
片选地址的时间
复位齐射
I / O地址输入时间
20
50
- 10
50
25
50
- 10
20
150
150
150
60
50
50
200
200
200
50
100
10
100
75
100
10
ns
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25 ° C，完全=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
文档编号： 70071
S- 71241 -REV 。 H， 25军， 07
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5
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