Dallas Semiconductor的可靠性报告：
过程：
金属：
单保利，单金属（钛/氮化钛层
的Al / 0.5 ％的Cu / 0.8 ％的Si
0.6 m
DS1208
标准流程
牛年门厚度：
CF ：
EA ：
β:
60%
0.7
1
160
钝化：
55
5.5
°C
伏
TEOS氧化物 - 氮化物
汇总数据与卡方分布假设。
压力环境温度和电压
现场环境温度和电压
土色：
VUSE ：
描述
婴儿生命
高压生活
车辆
DS12885
REV日期代码
C1
C1
C1
C1
C1
C1
C1
C1
C1
C1
C1
C2
C2
C2
C2
C2
C2
C2
C2
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9804
9804
9804
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9752
9752
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9808
9808
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9832
9832
9835
9835
条件
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
150℃， 6.0伏
150℃， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
READPOINT
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336
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1000
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小时
小时
小时
小时
小时
小时
小时
小时
小时
小时
小时
小时
小时
小时
小时
小时
小时
小时
小时
QUANTITY
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153
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429
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200
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高温工作寿命
婴儿生命
高压生活
DS12885
婴儿生命
高压生活
DS2401
高压生活
DS2401
高压生活
DS2401
婴儿生命
OP- LIFE
DS2401
周三， 2000年1月26日
Dallas Semiconductor的可靠性报告：
过程：
金属：
单保利，单金属（钛/氮化钛层
的Al / 0.5 ％的Cu / 0.8 ％的Si
0.6 m
DS1208
标准流程
牛年门厚度：
CF ：
EA ：
β:
60%
0.7
1
160
钝化：
55
5.5
°C
伏
TEOS氧化物/氮化物
汇总数据与卡方分布假设。
压力环境温度和电压
现场环境温度和电压
土色：
VUSE ：
描述
OP- LIFE
婴儿生命
OP- LIFE
车辆
DS2401
DS2401
REV日期代码
C2
C2
C2
C2
C2
C2
C2
C2
C2
C2
C2
C2
C2
C2
C2
C2
C2
C2
C2
C2
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9842
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9851
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9853
9853
9853
9853
9853
9902
9902
条件
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125℃ ， 7.0伏
125℃ ， 6.0伏
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125℃ ， 7.0伏
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125℃ ， 6.0伏
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125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
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小时
小时
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婴儿生命
OP- LIFE
DS2401
婴儿生命
高压生活
DS2401
OP- LIFE
DS2401
高压生活
DS2401
周三， 2000年1月26日
Dallas Semiconductor的可靠性报告：
过程：
金属：
单保利，单金属（钛/氮化钛层
的Al / 0.5 ％的Cu / 0.8 ％的Si
0.6 m
DS1208
标准流程
牛年门厚度：
CF ：
EA ：
β:
60%
0.7
1
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钝化：
55
5.5
°C
伏
TEOS氧化物/氮化物
汇总数据与卡方分布假设。
压力环境温度和电压
现场环境温度和电压
土色：
VUSE ：
描述
高压生活
车辆
DS2401
REV日期代码
C2
C2
C2
C2
C2
C2
C2
C2
C2
C2
C2
C2
C2
C2
C2
C2
C2
C2
C2
B1
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9902
9902
9902
9902
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9902
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9926
9926
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9928
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9928
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9943
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条件
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
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168
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小时
小时
小时
小时
小时
小时
小时
小时
小时
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小时
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小时
小时
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小时
小时
小时
小时
小时
QUANTITY
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3522008
婴儿生命
婴儿生命
高压生活
DS2401
DS2401
高压生活
DS2401
婴儿生命
高压生活
高压生活
DS2401
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1542035
3324628
1560540
DS2405
周三， 2000年1月26日
Dallas Semiconductor的可靠性报告：
过程：
金属：
单保利，单金属（钛/氮化钛层
的Al / 0.5 ％的Cu / 0.8 ％的Si
0.6 m
DS1208
标准流程
牛年门厚度：
CF ：
EA ：
β:
60%
0.7
1
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钝化：
55
5.5
°C
伏
TEOS氧化物/氮化物
汇总数据与卡方分布假设。
压力环境温度和电压
现场环境温度和电压
土色：
VUSE ：
描述
高压生活
车辆
DS2405
REV日期代码
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B1
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9822
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9740
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9749
9749
9749
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条件
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
READPOINT
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小时
小时
小时
小时
小时
小时
小时
小时
小时
小时
QUANTITY
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婴儿生命
高压生活
DS2409
婴儿生命
高压生活
DS2409
OP- LIFE
DS2415
HRS装置：
4.26E+08
总计：
故障率（适合） ：
2
7
周三， 2000年1月26日
Dallas Semiconductor的可靠性报告：
过程：
金属：
单保利，单金属（钛/氮化钛层
的Al / 0.5 ％的Cu / 0.8 ％的Si
0.6 m
DS1208
标准流程
牛年门厚度：
CF ：
EA ：
β:
60%
0.7
1
160
钝化：
55
5.5
°C
伏
TEOS氧化物/氮化物
汇总数据与卡方分布假设。
压力环境温度和电压
现场环境温度和电压
土色：
VUSE ：
描述
文件＃
22411
22990
车辆
REV日期代码
失效机理
条件
READPOINT
纠正措施
过程
过程
QUANTITY
方式无法FILE ＃ DEVICE HRS
失效模式
PREFUNCTIONAL
PREFUNCTIONAL
可疑栅氧化
可疑栅氧化
设备
DS12885
DS2401
DS2401
DS2405
DS2409
DS2415
转
C1
C1
C2
B1
A1
A1
芯片尺寸（ X）
99
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54
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56
芯片尺寸（ Y）
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28
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45
晶体管数量
16100
2371
2371
0
3600
4830
周三， 2000年1月26日
Dallas Semiconductor的可靠性报告：
过程：
金属：
单保利，单金属（钛/氮化钛层
的Al / 0.5 ％的Cu / 0.8 ％的Si
0.6 m
DS1208
标准流程
牛年门厚度：
CF ：
EA ：
β:
60%
0.7
1
160
钝化：
55
5.5
°C
伏
TEOS氧化物 - 氮化物
汇总数据与卡方分布假设。
压力环境温度和电压
现场环境温度和电压
土色：
VUSE ：
描述
婴儿生命
高压生活
车辆
DS12885
REV日期代码
C1
C1
C1
C1
C1
C1
C1
C1
C1
C1
C1
C2
C2
C2
C2
C2
C2
C2
C2
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9804
9804
9804
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9807
9807
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9752
9752
9808
9808
9808
9832
9832
9832
9835
9835
条件
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
150℃， 6.0伏
150℃， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
READPOINT
48
336
1000
1500
48
336
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528
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48
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1000
48
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小时
小时
小时
小时
小时
小时
小时
小时
小时
小时
小时
小时
小时
小时
小时
小时
小时
小时
小时
QUANTITY
429
153
153
153
429
153
153
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399
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200
200
419
419
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2646132
6606079
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16553234
2282212
3454159
高温工作寿命
婴儿生命
高压生活
DS12885
婴儿生命
高压生活
DS2401
高压生活
DS2401
高压生活
DS2401
婴儿生命
OP- LIFE
DS2401
周三， 2000年1月26日
Dallas Semiconductor的可靠性报告：
过程：
金属：
单保利，单金属（钛/氮化钛层
的Al / 0.5 ％的Cu / 0.8 ％的Si
0.6 m
DS1208
标准流程
牛年门厚度：
CF ：
EA ：
β:
60%
0.7
1
160
钝化：
55
5.5
°C
伏
TEOS氧化物/氮化物
汇总数据与卡方分布假设。
压力环境温度和电压
现场环境温度和电压
土色：
VUSE ：
描述
OP- LIFE
婴儿生命
OP- LIFE
车辆
DS2401
DS2401
REV日期代码
C2
C2
C2
C2
C2
C2
C2
C2
C2
C2
C2
C2
C2
C2
C2
C2
C2
C2
C2
C2
9835
9841
9841
9841
9841
9842
9842
9842
9842
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9851
9851
9853
9853
9853
9853
9853
9853
9902
9902
条件
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 7.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 7.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
READPOINT
1000
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1000
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48
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48
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1000
48
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1000
48
336
小时
小时
小时
小时
小时
小时
小时
小时
小时
小时
小时
小时
小时
小时
小时
小时
小时
小时
小时
小时
QUANTITY
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115
110
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115
115
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77
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80
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2775663
6399446
703168
4181999
婴儿生命
OP- LIFE
DS2401
婴儿生命
高压生活
DS2401
OP- LIFE
DS2401
高压生活
DS2401
周三， 2000年1月26日
Dallas Semiconductor的可靠性报告：
过程：
金属：
单保利，单金属（钛/氮化钛层
的Al / 0.5 ％的Cu / 0.8 ％的Si
0.6 m
DS1208
标准流程
牛年门厚度：
CF ：
EA ：
β:
60%
0.7
1
160
钝化：
55
5.5
°C
伏
TEOS氧化物/氮化物
汇总数据与卡方分布假设。
压力环境温度和电压
现场环境温度和电压
土色：
VUSE ：
描述
高压生活
车辆
DS2401
REV日期代码
C2
C2
C2
C2
C2
C2
C2
C2
C2
C2
C2
C2
C2
C2
C2
C2
C2
C2
C2
B1
9902
9902
9902
9902
9902
9902
9902
9902
9902
9921
9926
9926
9926
9928
9928
9928
9928
9943
9943
9822
条件
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
READPOINT
1000
48
336
1000
48
336
1000
48
48
48
48
336
1000
48
168
48
168
48
336
48
小时
小时
小时
小时
小时
小时
小时
小时
小时
小时
小时
小时
小时
小时
小时
小时
小时
小时
小时
小时
QUANTITY
113
116
116
116
116
115
115
116
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97
234
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77
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01/08/2000
571
01/14/2000
250
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715504
715504
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6570098
3392477
3522008
婴儿生命
婴儿生命
高压生活
DS2401
DS2401
高压生活
DS2401
婴儿生命
高压生活
高压生活
DS2401
0
0
0
1542035
3324628
1560540
DS2405
周三， 2000年1月26日
Dallas Semiconductor的可靠性报告：
过程：
金属：
单保利，单金属（钛/氮化钛层
的Al / 0.5 ％的Cu / 0.8 ％的Si
0.6 m
DS1208
标准流程
牛年门厚度：
CF ：
EA ：
β:
60%
0.7
1
160
钝化：
55
5.5
°C
伏
TEOS氧化物/氮化物
汇总数据与卡方分布假设。
压力环境温度和电压
现场环境温度和电压
土色：
VUSE ：
描述
高压生活
车辆
DS2405
REV日期代码
B1
B1
A1
A1
A1
A1
A1
A1
A1
A1
9822
9822
9740
9740
9740
9749
9749
9749
9749
9917
条件
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
125℃ ， 6.0伏
READPOINT
336
1000
48
336
1000
48
336
1000
1500
48
小时
小时
小时
小时
小时
小时
小时
小时
小时
小时
QUANTITY
253
253
769
116
116
766
116
116
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192
方式无法FILE ＃ DEVICE HRS
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5008530
9897810
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1184283
婴儿生命
高压生活
DS2409
婴儿生命
高压生活
DS2409
OP- LIFE
DS2415
HRS装置：
4.26E+08
总计：
故障率（适合） ：
2
7
周三， 2000年1月26日
Dallas Semiconductor的可靠性报告：
过程：
金属：
单保利，单金属（钛/氮化钛层
的Al / 0.5 ％的Cu / 0.8 ％的Si
0.6 m
DS1208
标准流程
牛年门厚度：
CF ：
EA ：
β:
60%
0.7
1
160
钝化：
55
5.5
°C
伏
TEOS氧化物/氮化物
汇总数据与卡方分布假设。
压力环境温度和电压
现场环境温度和电压
土色：
VUSE ：
描述
文件＃
22411
22990
车辆
REV日期代码
失效机理
条件
READPOINT
纠正措施
过程
过程
QUANTITY
方式无法FILE ＃ DEVICE HRS
失效模式
PREFUNCTIONAL
PREFUNCTIONAL
可疑栅氧化
可疑栅氧化
设备
DS12885
DS2401
DS2401
DS2405
DS2409
DS2415
转
C1
C1
C2
B1
A1
A1
芯片尺寸（ X）
99
54
54
53
76
56
芯片尺寸（ Y）
122
28
28
34
75
45
晶体管数量
16100
2371
2371
0
3600
4830
周三， 2000年1月26日
QQ：2881677436 复制
