DG3535/DG3536
新产品
Vishay Siliconix公司
0.25 -W低电压双路SPDT模拟开关
特点
D
D
D
D
D
低电压操作
低导通电阻 - R的
ON：
0.25
W
@ 2.7 V
69
分贝OIRR @ 2.7 V ， 100千赫
MICRO FOOTr套餐
ESD保护>2000 V
好处
D
D
D
D
D
降低功耗
精度高
减少电路板空间
1.6 V逻辑兼容
高带宽
应用
D
D
D
D
D
D
手机
音箱耳麦开关
音频和视频信号路由
PCMCIA卡
电池供电系统
继电器更换
描述
该DG3535 / DG3536是一个子1 -W （ 0.25
W
@ 2.7 V ）双
设计用于低电压应用单刀双掷模拟开关。
的DG3535 / DG3536具有导通电阻匹配（小于
0.05
W
@ 2.7 V）和平坦度（低于0.2
W
@ 2.7 V ），这些
保证在整个电压范围内。此外，低
逻辑阈值，使DG3535 / DG3536的理想
接口低电压DSP的控制信号。
该DG3535 / DG3536具有快速开关速度
突破前先保证。在开状态，所有
开关元件在两个方向上同样进行。
关断隔离和串扰
69
分贝@ 100千赫。
该DG3535 / DG3536采用Vishay Siliconix公司的
高密度的低电压CMOS工艺。一个eptiaxial层
建，以防止闩锁效应。该DG3535 / DG3536包含
2000 -V的ESD保护额外的好处。
作为一个坚定的合作伙伴，社区和环境，
日前，Vishay Siliconix公司生产该产品的
铅（Pb ） - 免费的设备终端。对于MICRO FOOT模拟
交换产品与锡/银/铜制造
（锡银铜）设备终端，铅（Pb ） - 免费“ -E1 ”后缀
被用作一个标志符。
功能框图及引脚配置
MICRO FOOT 10焊球
V+
A
IN
1
NO
1
NC
1
NO
2
NC
2
IN
2
GND
COM
1
COM
2
B
DG3535/DG3536
1
NC
2
2
IN
2
3
COM
2
4
NO
2
GND
DG3535
顶视图
IN
1
COM
1
V+
真值表
逻辑
0
1
C
NC
1
NO
1
NC1和NC2
ON
关闭
NO1和NO2
关闭
ON
1
NO
2
2
IN
2
3
COM
2
4
NC
2
订购信息
温度范围
-40到85°C
器件标识
A1定位器
A
B
包
MICRO FOOT ： 10焊球
（ 4x3的， 0.5毫米间距，
238毫米的凸起高度）
产品型号
DG3535DB-T5—E1
DG3535DB-T1—E1
DG3536DB-T5—E1
GND
DG3536
顶视图
V+
XXX
3535
3535 =示范基地型号
XXX =数据/批次Traceabiliity码
C
NO
1
IN
1
COM
1
NC
1
文档编号： 72961
S- 50130 -REV 。 D， 24 -JAN- 05
www.vishay.com
1
DG3535/DG3536
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
参考GND
V + 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 + 6V
IN， COM ，NC ， NO
a
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3到（V + + 0.3V）
连续电流（ NO ， NC ， COM ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
"300
mA
峰值电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
"500
mA
（脉冲在1毫秒， 10 ％占空比）
存储温度（D后缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150℃
包装回流焊条件
b
IR /对流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 250℃
每个方法3015.7 ESD 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 >2千伏
功率耗散（包）
c
MICRO FOOT ： 10焊球（ 4×3毫米）
d
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 457毫瓦
注意事项：
一。数控信号，无需或COM或IN超过V +将被夹住间
最终二极管。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。参阅IPC / JEDEC （ J-STD- 020B ） 。
。所有凸块焊接或钎焊到印刷电路板。
。减免5.7毫瓦/ _C以上70_C
新产品
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
规格（ V + = 3V）
测试条件
否则，除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
导通电阻
d
r
ON
平整度
d
导通电阻
通道间匹配
d
V
NO
, V
NC
,
V
COM
r
ON
r
ON
平整度
Dr
DS （ ON）
I
否（关）
,
I
NC （关闭）
I
COM （关闭）
信道泄漏电流
I
COM（上）
V+ = 3.3 V, V
NO
, V
NC
= 0.3 V/3 V
V
COM
= 3 V/0.3 V
V+ = 3.3 V, V
NO
, V
NC
= V
COM
= 0.3 V/3 V
V+ 2 7 V
V = 2.7 V, V
COM
= 0 6/1 5 V
0.6/1.5
I
NO
, I
NC
= 100毫安
满
房间
满
房间
房间
房间
满
房间
满
房间
满
2
20
2
20
2
20
0
0.25
V+
0.4
0.5
0.15
0.05
2
20
2
20
2
20
nA
W
V
范围
40
至85℃
符号
V+ = 3 V,
"10%,
V
IN
= 0.5或1.4 V.
e
温度
a
民
b
典型值
c
最大
b
单位
关机漏电流
数字控制
输入高电压
d
输入低电压
输入电容
输入电流
V
INH
满
满
满
V
IN
= 0或V +的
满
1.4
0.5
10
1
1
V
INL
C
in
V
pF
mA
I
INL
还是我
INH
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
先开后合式时间
收费
注射
d
关断隔离
d
相声
d
N
O
, N
C
关断电容
d
通道上
通道导通电容
d
t
ON
V
NO
或V
NC
= 2.0 V ，R
L
= 50
W,
C
L
= 35 pF的
20V
W
t
关闭
t
d
Q
INJ
OIRR
X
TALK
C
否（关）
C
NC （关闭）
C
编号为（ON）的
C
数控（ON）的
V
IN
= 0或V + F = 1 MHz的
V+,
V
NO
或V
NC
= 2.0 V ，R
L
= 50
W,
C
L
= 35 pF的
C
L
= 1 nF的，V
根
= 1.5 V ，R
根
= 0
W
R
L
= 50
W
C
L
= 5 pF的F = 100千赫
W,
PF，
房间
满
房间
满
满
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
1
52
43
6
21
69
69
145
145
406
406
pF
pC
dB
82
90
73
78
ns
电源
电源电流
I+
V
IN
= 0或V +的
房间
满
0.001
1.0
1.0
mA
注意事项：
一。房间= 25 ° C，完全=由经营后缀确定。
B 。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，也不进行生产测试。
。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
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文档编号： 72961
S- 50130 -REV 。 D， 24 -JAN- 05
2
DG3535/DG3536
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
r
ON
与V
COM
与电源电压
0.7
0.6
r
ON
导通电阻（
W
)
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0.0
V+ = 3.3 V
V+ = 1.8 V
V+ = 2.0 V
V+ = 2.7 V
V+ = 3.0 V
中T = 25℃
I
S
= 100毫安
r
ON
导通电阻（
W
)
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0.0
85_C
25_C
40_C
V+ = 3.0 V
I
S
= 100毫安
Vishay Siliconix公司
r
ON
与模拟电压和温度（ NC1 ）
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
COM
模拟电压（ V）
V
COM
模拟电压（ V）
电源电流与温度的关系
100000
V+ = 3.0 V
V
IN
= 0 V
I+
电源电流（ A）
百毫安
10毫安
1毫安
100
mA
10
mA
1
mA
100 nA的
10 nA的
10
60
1 nA的
40
20
0
20
40
60
80
100
电源电流与输入开关频率
V+ = 3 V
10000
I+
电源电流（ NA）
1000
100
10
100
1K
10 K
100 K
1M
10 M
温度（℃）
输入开关频率（Hz ）
漏电流与温度的关系
10000
V+ = 3.0 V
1000
漏电流（PA ）
I
COM（上）
I
COM （关闭）
漏电流（PA ）
300
250
200
150
100
50
0
50
100
150
200
250
1
60
40
20
0
20
40
60
80
100
300
0.0
0.5
泄漏与模拟电压
V+ = 3.0 V
I
COM（上）
I
否（关）
, I
NC （关闭）
100
10
I
否（关）
, I
NC （关闭）
I
COM （关闭）
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
温度（℃）
V
COM
模拟电压（ V）
文档编号： 72961
S- 50130 -REV 。 D， 24 -JAN- 05
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3
DG3535/DG3536
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
100
90
t
ON
/ t
关闭
切换时间（纳秒）
80
70
60
50
40
30
20
10
0
60
90
40
20
0
20
40
60
80
100
100 K
1M
10 M
频率（Hz）
100 M
1G
温度（℃）
t
关闭
V+ = 2 V
t
ON
V+ = 3 V
t
关闭
V+ = 3 V
开关时间与温度的关系
10
t
ON
V+ = 2 V
损失， OIRR ，X
TALK
（ dB）的
插入损耗，关断隔离
串扰与频率
10
损失
30
X
TALK
OIRR
50
V+ = 3.0 V
R
L
= 50
W
70
开关阈值与电源电压
2.00
1.75
Q
电荷注入（ PC）
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
0.00
0
1
2
3
4
5
6
V+
电源电压（ V）
300
250
200
150
100
50
0
50
100
150
200
250
300
0.0
电荷注入与模拟电压
切换门限（V ）
V+ = 2.0 V
V+ = 3.0 V
V
T
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
COM
模拟电压（ V）
测试电路
V+
逻辑
输入
V+
开关
输入
NO或NC
IN
逻辑
输入
GND
0V
C
L
（包括网络连接夹具和杂散电容）
V
OUT
+
V
COM
R
L
)
R
ON
R
L
R
L
300
W
C
L
35 pF的
COM
开关输出
V
OUT
开关
产量
0V
t
ON
t
关闭
V
INH
50%
V
INL
0.9× V
OUT
t
r
t
5纳秒
t
f
t
5纳秒
逻辑“1” =开关开
逻辑输入波形倒置具有开关
相反的逻辑感。
图1 。
开关时间
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文档编号： 72961
S- 50130 -REV 。 D， 24 -JAN- 05
4
DG3535/DG3536
新产品
测试电路
V+
逻辑
输入
COM
V
O
R
L
300
W
GND
C
L
35 pF的
V
INH
V
INL
t
r
t
5纳秒
t
f
t
5纳秒
Vishay Siliconix公司
V+
V
NO
V
NC
NO
NC
IN
V
NC
= V
NO
V
O
开关
0V
产量
90%
t
D
t
D
C
L
（包括网络连接夹具和杂散电容）
图2中。
突破前先间隔
V+
V
OUT
R
根
+
V
IN
= 0
V+
V+
NC或NO
IN
GND
COM
V
OUT
C
L
= 1 nF的
IN
On
关闭
Q =
DV
OUT
乘C
L
在依赖于交换机配置：输入极性
通过开关的意识决定的。
On
DV
OUT
网络连接gure 3 。
电荷注入
V+
10 nF的
V+
NC或NO
IN
COM
COM
0V, 2.4 V
IN
NC或NO
GND
10 nF的
V+
COM
计
0 V, 2.4 V
GND
HP4192A
阻抗
分析仪
或同等学历
F = 1 MHz的
V+
R
L
分析仪
V
COM
关断隔离
+
20日志V
NO NC
图4中。
关断隔离
图5中。
道关/开电容
文档编号： 72961
S- 50130 -REV 。 D， 24 -JAN- 05
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5
DG3535 ， DG3536
Vishay Siliconix公司
0.25
低电压双路SPDT模拟开关
描述
该DG3535 ， DG3536是一个子1
(0.25
在2.7 V ）双
SPDT模拟开关专为低电压
应用程序。
该DG3535 ， DG3536具有导通电阻匹配（以下
比0.05
2.7 V）和平坦度（低于0.2
■ AT
2.7 V)
这都保证在整个电压范围内。
此外，低逻辑阈值，使DG3535 ，
DG3536的理想接口，低电压DSP控制
信号。
该DG3535 ， DG3536具有开关速度快与突破性
执行前保证。在开状态下，所有的开关
元件在两个方向上同样进行。关断隔离
和串扰
-
69分贝在100千赫。
该DG3535 ， DG3536采用Vishay Siliconix公司的高
密度低电压CMOS工艺。一个eptiaxial层建
在防止闭锁。该DG3535 ， DG3536包含
2000 V ESD保护额外的好处。
作为一个坚定的合作伙伴，社区和
环境，日前，Vishay Siliconix公司生产该产品
与无铅（Pb ） - 免费的设备终端。微
FOOT模拟开关产品的制造与锡/
银/铜（锡银铜）设备终端，铅
铅（Pb ） - 免费“ -E1 ”后缀被用作一个代号。
特点
低电压操作
低导通电阻 - R的
ON
: 0.25
在2.7 V
- 69分贝OIRR在2.7 V ， 100千赫
MICRO FOOT
包
ESD保护> 2000伏
好处
降低功耗
精度高
减少电路板空间
1.6 V逻辑兼容
高带宽
应用
手机
音箱耳麦开关
音频和视频信号路由
PCMCIA卡
电池供电系统
继电器更换
功能框图及引脚配置
DG3535 ， DG3536
MICRO FOOT 10焊球
V+
A
IN
1
NO
1
NC
1
NO
2
NC
2
IN
2
B
COM
1
C
NC
1
GND
NC
2
IN
2
COM
2
NO
2
1
2
3
4
DG3535
顶视图
IN
1
COM
1
V+
真值表
逻辑
NC1和NC2
ON
关闭
NO1和NO2
关闭
ON
0
1
COM
2
NO
1
GND
1
2
3
4
器件标识
A1定位器
A
NO
2
IN
2
COM
2
NC
2
订购信息
TEMP 。 RANGE
包
产品型号
DG3535DB-T5-E1
DG3535DB-T1-E1
DG3536DB-T5-E1
MICRO FOOT ： 10凹凸
- 40 ° C至85°C
（4× 3 ，0.5 mm间距，
238微米的凸起高度）
B
GND
DG3536
顶视图
IN
1
COM
1
V+
XXX
3535
3535 =示范基地型号
XXX =数据/批次追踪码
C
NO
1
NC
1
文档编号： 72961
S11-0303 -REV 。 G， 28 -FEB- 11
www.vishay.com
1
DG3535 ， DG3536
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
参数
参考V +至GND
IN， COM ，NC ， NO
a
极限
- 0.3 + 6
- 0.3 （V + + 0.3V）
± 300
± 500
- 65 150
250
>2
MICRO FOOT ： 10焊球（ 4× 3毫米），
d
457
（D后缀）
IR /对流
单位
V
mA
°C
kV
mW
连续电流（ NO ， NC ， COM ）
峰值电流（脉冲为1毫秒， 10 ％占空比）
储存温度
包装回流焊条件
b
每个方法3015.7 ESD
功率耗散（包）
c
注意事项：
一对NC ，NO或COM或IN超过V +的信号将通过内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
b。参见IPC / JEDEC （ J- STD- 020B ）
C所有的颠簸焊接或焊接到印刷电路板。
降容5.7毫瓦/°C， 70°C以上。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
特定网络阳离子
(V+ = 3.0 V)
测试条件
否则，除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
导通电阻
d
R
ON
平整度
d
导通电阻
通道间匹配
d
V
NO
, V
NC
,
V
COM
R
ON
R
ON
平整度
R
DS （ ON）
I
否（关）
I
NC （关闭）
I
COM （关闭）
信道泄漏电流
数字控制
输入高电压
d
输入低电压
输入电容
输入电流
V
INH
V
INL
C
in
I
INL
还是我
INH
V
IN
= 0或V +的
满
满
满
满
1
10
1
1.4
0.5
V
pF
A
I
COM（上）
V+ = 2.7 V, V
COM
= 0.6/1.5 V
I
NO
, I
NC
= 100毫安
满
房间
满
房间
房间
房间
满
房间
满
房间
满
-2
- 20
-2
- 20
-2
- 20
0
0.25
V+
0.4
0.5
0.15
0.05
2
20
2
20
2
20
nA
V
符号
V+ = 3 V, ± 10 %,V
IN
= 0.5 V或1.4 V.
e
温度。
a
范围
- 4085 ℃下
分钟。
b
典型值。
c
马克斯。
b
单位
关机漏电流
V+ = 3.3 V,
V
NO
, V
NC
= 0.3 V/3 V, V
COM
= 3 V/0.3 V
V+ = 3.3 V, V
NO
, V
NC
= V
COM
= 0.3 V/3 V
www.vishay.com
2
文档编号： 72961
S11-0303 -REV 。 G， 28 -FEB- 11
DG3535 ， DG3536
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
(V+ = 3.0 V)
测试条件
否则，除非指定
参数
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
先开后合式时间
电荷注入
d
关断隔离
d
相声
d
N
O
, N
C
关断电容
d
通道导通电容
d
电源
电源电流
I+
V
IN
= 0或V +的
房间
满
0.001
1.0
1.0
A
t
ON
t
关闭
t
d
Q
INJ
OIRR
X
TALK
C
否（关）
C
NC （关闭）
C
编号为（ON）的
C
数控（ON）的
V
IN
= 0或V + ， F = 1兆赫
C
L
= 1 nF的，V
根
= 1.5 V ，R
根
= 0
R
L
= 50, C
L
= 5 PF， F = 100千赫
V
NO
或V
NC
= 2.0 V ，R
L
= 50
,
C
L
= 35 pF的
房间
满
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
房间
房间
1
52
43
6
21
- 69
- 69
145
145
406
406
pF
pC
dB
82
90
73
78
ns
符号
V+ = 3 V, ± 10 %,V
IN
= 0.5 V或1.4 V.
e
温度。
a
范围
- 40 ° C至85°C
分钟。
b
典型值。
c
马克斯。
b
单位
注意事项：
一。房间= 25 ° C，完全=由经营后缀确定。
B 。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，也不进行生产测试。
。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
文档编号： 72961
S11-0303 -REV 。 G， 28 -FEB- 11
www.vishay.com
3
DG3535 ， DG3536
Vishay Siliconix公司
典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
0.7
0.6
R
ON
- 导通电阻（ Ω ）
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0.0
V+ = 3.3 V
V+ = 1.8 V
V+ = 2.0 V
V+ = 2.7 V
V+ = 3.0 V
T = 25
°C
I
S
= 100毫安
R
ON
- 导通电阻（ Ω ）
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0.0
85
°C
25
°C
- 40
°C
V+ = 3.0 V
I
S
= 100毫安
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
COM
- 模拟电压（ V）
V
COM
- 模拟电压（ V）
R
ON
与V
COM
与电源电压
100 000
V+ = 3.0 V
V
IN
= 0 V
I + - 电源电流（ A）
百毫安
10毫安
1毫安
100
A
10
A
1
A
100 nA的
10 nA的
10
- 60
1 nA的
- 40
- 20
0
20
40
60
80
100
R
ON
与模拟电压和温度（ NC1 ）
V+ = 3 V
I + - 电源电流（ NA）
10 000
1000
100
10
100
1K
10 K
100 K
1M
10 M
温度（℃）
输入开关频率（Hz ）
电源电流与温度的关系
10000
V+ = 3.0 V
1000
漏电流（PA ）
I
COM（上）
漏电流（PA ）
I
COM （关闭）
100
300
250
200
150
100
50
0
- 50
- 100
- 150
- 200
- 250
1
- 60
- 40
- 20
0
20
40
60
80
100
电源电流与输入开关频率
V+ = 3.0 V
I
COM（上）
I
否（关）
, I
NC （关闭）
I
否（关）
, I
NC （关闭）
10
I
COM （关闭）
- 300
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
温度（℃）
V
COM
- 模拟电压（ V）
漏电流与温度的关系
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4
泄漏与模拟电压
文档编号： 72961
S11-0303 -REV 。 G， 28 -FEB- 11
DG3535 ， DG3536
Vishay Siliconix公司
典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
100
90
t
ON
, t
关闭
- 开关时间（纳秒）
80
70
60
50
40
30
20
10
0
- 60
- 90
100 K
t
关闭
V+ = 2 V
t
关闭
V+ = 3 V
t
ON
V+ = 3 V
t
ON
V+ = 2 V
损失， OIRR ，X
TALK
（ dB）的
- 10
损失
10
- 30
X
TALK
OIRR
- 50
V+ = 3.0 V
R
L
= 50
- 70
- 40
- 20
0
20
40
60
80
100
1M
10 M
频率（Hz）
100 M
1G
温度（℃）
开关时间与温度的关系
插入损耗，关断隔离
串扰与频率
300
250
200
2.00
1.75
V
T
- 开关阈值（ V）
Q - 电荷注入（ PC）
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
0.00
0
1
2
3
4
5
6
V + - 电源电压（ V）
150
100
50
0
- 50
- 100
- 150
- 200
- 250
- 300
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V+ = 3.0 V
V+ = 2.0 V
V
COM
- 模拟电压（ V）
开关阈值与电源电压
电荷注入与模拟电压
文档编号： 72961
S11-0303 -REV 。 G， 28 -FEB- 11
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5
DG3535/DG3536
Vishay Siliconix公司
0.25 Ω的低电压双路SPDT模拟开关
描述
该DG3535 / DG3536是一个子1
Ω
(0.25
Ω
在2.7 V ）双
SPDT模拟开关专为低电压
应用程序。
的DG3535 / DG3536具有导通电阻匹配（以下
比0.05
Ω
2.7 V）和平坦度（低于0.2
Ω
在2.7 V ）
这都保证在整个电压范围内。
此外，低逻辑阈值，使DG3535 /
DG3536的理想接口，低电压DSP控制
信号。
该DG3535 / DG3536具有开关速度快与突破性
执行前保证。在开状态下，所有的开关
元件在两个方向上同样进行。关断隔离
和串扰
-
69分贝在100千赫。
该DG3535 / DG3536采用Vishay Siliconix公司的高
密度低电压CMOS工艺。一个eptiaxial层建
在防止闭锁。该DG3535 / DG3536包含
2000 V ESD保护额外的好处。
作为一个坚定的合作伙伴，社区和
环境，日前，Vishay Siliconix公司生产该产品
与无铅（Pb ） - 免费的设备终端。微
FOOT模拟开关产品的制造与锡/
银/铜（锡银铜）设备终端，铅
铅（Pb） -free " - E1"后缀被用来作为一个标志符。
特点
低电压操作
低导通电阻 - R的
ON
: 0.25
Ω
在2.7 V
-
69分贝OIRR在2.7 V ， 100千赫
MICRO FOOT
包
ESD保护> 2000伏
RoHS指令
柔顺
好处
降低功耗
精度高
减少电路板空间
1.6 V逻辑兼容
高带宽
应用
手机
音箱耳麦开关
音频和视频信号路由
PCMCIA卡
电池供电系统
继电器更换
功能框图及引脚配置
DG3535/DG3536
MICRO FOOT 10焊球
V+
A
IN
1
NO
1
NC
1
NO
2
NC
2
IN
2
B
COM
1
C
NC
1
GND
NC
2
IN
2
COM
2
NO
2
1
2
3
4
DG3535
顶视图
IN
1
COM
1
V+
真值表
逻辑
NC1和NC2
ON
关闭
NO1和NO2
关闭
ON
0
1
COM
2
NO
1
GND
1
2
3
4
器件标识
A1定位器
A
NO
2
IN
2
COM
2
NC
2
订购信息
温度范围
包
MICRO FOOT ： 10凹凸
（4× 3 ，0.5 mm间距，
238微米的凸起高度）
产品型号
DG3535DB-T5-E1
DG3535DB-T1-E1
DG3536DB-T5-E1
B
GND
DG3536
顶视图
IN
1
COM
1
V+
XXX
3535
3535 =示范基地型号
XXX =数据/批次追踪码
- 4085 ℃下
C
NO
1
NC
1
文档编号： 72961
S- 70853 -REV 。女，30 -APR- 07
www.vishay.com
1
DG3535/DG3536
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
参数
参考V +至GND
IN， COM ，NC ， NO
a
连续电流（ NO ， NC ， COM ）
峰值电流（脉冲为1毫秒， 10 ％占空比）
储存温度
包装回流焊条件
b
每个方法3015.7 ESD
功率耗散（包）
c
MICRO FOOT ： 10焊球（ 4× 3毫米），
d
（D后缀）
IR /对流
极限
- 0.3 + 6
- 0.3 （V + + 0.3V）
± 300
± 500
- 65 150
250
>2
457
单位
V
mA
°C
kV
mW
注意事项：
一对NC ，NO或COM或IN超过V +的信号将通过内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
b。参见IPC / JEDEC （ J- STD- 020B ）
C所有的颠簸焊接或焊接到印刷电路板。
降容5.7毫瓦/°C， 70°C以上。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
规格（ V + = 3.0 V）
测试条件
否则，除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
导通电阻
d
r
ON
平整度
d
导通电阻
通道间匹配
d
V
NO
, V
NC
,
V
COM
r
ON
r
ON
平整度
Δr
DS （ ON）
I
否（关）
I
NC （关闭）
I
COM （关闭）
信道泄漏电流
数字控制
输入高电压
d
输入低电压
输入电容
输入电流
V
INH
V
INL
C
in
I
INL
还是我
INH
V
IN
= 0或V +的
满
满
满
满
1
10
1
1.4
0.5
V
pF
A
I
COM（上）
V+ = 2.7 V, V
COM
= 0.6/1.5 V
I
NO
, I
NC
= 100毫安
满
房间
满
房间
房间
房间
满
房间
满
房间
满
-2
- 20
-2
- 20
-2
- 20
0
0.25
V+
0.4
0.5
0.15
0.05
2
20
2
20
2
20
nA
Ω
V
符号
V+ = 3 V, ± 10 %,V
IN
= 0.5 V或1.4 V.
e
温度
a
民
b
范围
- 4085 ℃下
典型值
c
最大
b
单位
关机漏电流
V+ = 3.3 V,
V
NO
, V
NC
= 0.3 V/3 V, V
COM
= 3 V/0.3 V
V+ = 3.3 V, V
NO
, V
NC
= V
COM
= 0.3 V/3 V
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2
文档编号： 72961
S- 70853 -REV 。女，30 -APR- 07
DG3535/DG3536
Vishay Siliconix公司
规格（ V + = 3.0 V）
测试条件
否则，除非指定
参数
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
先开后合式时间
电荷注入
d
关断隔离
d
相声
d
N
O
, N
C
关断电容
d
通道导通电容
电源
电源电流
I+
V
IN
= 0或V +的
房间
满
0.001
1.0
1.0
A
d
范围
- 4085 ℃下
温度
a
房间
满
民
b
典型值
c
52
43
1
6
21
- 69
- 69
145
145
406
406
pF
pC
dB
最大
b
82
90
73
78
ns
单位
符号
V+ = 3 V, ± 10 %,V
IN
= 0.5 V或1.4 V.
e
t
ON
t
关闭
t
d
Q
INJ
OIRR
X
TALK
C
否（关）
C
NC （关闭）
C
编号为（ON）的
C
数控（ON）的
V
IN
= 0或V + ， F = 1兆赫
C
L
= 1 nF的，V
根
= 1.5 V ，R
根
= 0
Ω
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF， F = 100千赫
V
NO
或V
NC
= 2.0 V ，R
L
= 50
Ω,
C
L
= 35 pF的
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
房间
房间
注意事项：
一。房间= 25 ° C，完全=由经营后缀确定。
B 。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，也不进行生产测试。
。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
文档编号： 72961
S- 70853 -REV 。女，30 -APR- 07
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3
DG3535/DG3536
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
0.7
0.6
r
ON
- 导通电阻（ Ω ）
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0.0
V+ = 3.3 V
V+ = 1.8 V
V+ = 2.0 V
V+ = 2.7 V
V+ = 3.0 V
T = 25
°C
I
S
= 100毫安
r
ON
- 导通电阻（ ）
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0.0
85
°C
25
°C
- 40
°C
V+ = 3.0 V
I
S
= 100毫安
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
COM
- 模拟电压（ V）
V
COM
- 模拟电压（ V）
r
ON
与V
COM
与电源电压
100000
V+ = 3.0 V
V
IN
= 0 V
I + - 电源电流（ A）
百毫安
10毫安
1毫安
100
μA
10
μA
1
μA
100 nA的
10 nA的
10
- 60
1 nA的
- 40
- 20
0
20
40
60
80
100
r
ON
与模拟电压和温度（ NC1 ）
V+ = 3 V
10000
I + - 电源电流（ NA）
1000
100
10
100
1K
10 K
100 K
1M
10 M
温度（℃）
输入开关频率（Hz ）
电源电流与温度的关系
10000
V+ = 3.0 V
1000
漏电流（PA ）
I
COM（上）
漏电流（PA ）
I
COM （关闭）
100
300
250
200
150
100
50
0
- 50
- 100
- 150
- 200
- 250
1
- 60
- 40
- 20
0
20
40
60
80
100
电源电流与输入开关频率
V+ = 3.0 V
I
COM（上）
I
否（关）
, I
NC （关闭）
I
否（关）
, I
NC （关闭）
10
I
COM （关闭）
- 300
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
温度（℃）
V
COM
- 模拟电压（ V）
漏电流与温度的关系
www.vishay.com
4
泄漏与模拟电压
文档编号： 72961
S- 70853 -REV 。女，30 -APR- 07
DG3535/DG3536
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
100
90
t
ON
/ t
关闭
- 开关时间（纳秒）
80
70
60
50
40
30
20
10
0
- 60
- 90
- 40
- 20
0
20
40
60
80
100
100 K
1M
10 M
频率（Hz）
100 M
1G
温度（℃）
t
关闭
V+ = 2 V
t
关闭
V+ = 3 V
t
ON
V+ = 3 V
t
ON
V+ = 2 V
损失， OIRR ，X
TALK
（ dB）的
- 10
损失
10
- 30
X
TALK
OIRR
- 50
V+ = 3.0 V
R
L
= 50
Ω
- 70
开关时间与温度的关系
插入损耗，关断隔离
串扰与频率
300
250
200
Q - 电荷注入（ PC）
2.00
1.75
- 开关阈值（ V）
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
0.00
0
1
2
3
4
5
6
V + - 电源电压（ V）
150
100
50
0
- 50
- 100
- 150
- 200
- 250
- 300
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V+ = 3.0 V
V+ = 2.0 V
V
T
V
COM
- 模拟电压（ V）
开关阈值与电源电压
电荷注入与模拟电压
文档编号： 72961
S- 70853 -REV 。女，30 -APR- 07
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5
DG3535/DG3536
新产品
Vishay Siliconix公司
0.25 -W低电压双路SPDT模拟开关
特点
D
D
D
D
D
低电压操作
低导通电阻 - R的
ON：
0.25
W
@ 2.7 V
69
分贝OIRR @ 2.7 V ， 100千赫
MICRO FOOTr套餐
ESD保护>2000 V
好处
D
D
D
D
D
降低功耗
精度高
减少电路板空间
1.6 V逻辑兼容
高带宽
应用
D
D
D
D
D
D
手机
音箱耳麦开关
音频和视频信号路由
PCMCIA卡
电池供电系统
继电器更换
描述
该DG3535 / DG3536是一个子1 -W （ 0.25
W
@ 2.7 V ）双
设计用于低电压应用单刀双掷模拟开关。
的DG3535 / DG3536具有导通电阻匹配（小于
0.05
W
@ 2.7 V）和平坦度（低于0.2
W
@ 2.7 V ），这些
保证在整个电压范围内。此外，低
逻辑阈值，使DG3535 / DG3536的理想
接口低电压DSP的控制信号。
该DG3535 / DG3536具有快速开关速度
突破前先保证。在开状态，所有
开关元件在两个方向上同样进行。
关断隔离和串扰
69
分贝@ 100千赫。
该DG3535 / DG3536采用Vishay Siliconix公司的
高密度的低电压CMOS工艺。一个eptiaxial层
建，以防止闩锁效应。该DG3535 / DG3536包含
2000 -V的ESD保护额外的好处。
作为一个坚定的合作伙伴，社区和环境，
日前，Vishay Siliconix公司生产该产品的
铅（Pb ） - 免费的设备终端。对于MICRO FOOT模拟
交换产品与锡/银/铜制造
（锡银铜）设备终端，铅（Pb ） - 免费“ -E1 ”后缀
被用作一个标志符。
功能框图及引脚配置
MICRO FOOT 10焊球
V+
A
IN
1
NO
1
NC
1
NO
2
NC
2
IN
2
GND
COM
1
COM
2
B
DG3535/DG3536
1
NC
2
2
IN
2
3
COM
2
4
NO
2
GND
DG3535
顶视图
IN
1
COM
1
V+
真值表
逻辑
0
1
C
NC
1
NO
1
NC1和NC2
ON
关闭
NO1和NO2
关闭
ON
1
NO
2
2
IN
2
3
COM
2
4
NC
2
订购信息
温度范围
-40到85°C
器件标识
A1定位器
A
B
包
MICRO FOOT ： 10焊球
（ 4x3的， 0.5毫米间距，
238毫米的凸起高度）
产品型号
DG3535DB-T5—E1
DG3535DB-T1—E1
DG3536DB-T5—E1
GND
DG3536
顶视图
V+
XXX
3535
3535 =示范基地型号
XXX =数据/批次Traceabiliity码
C
NO
1
IN
1
COM
1
NC
1
文档编号： 72961
S- 50130 -REV 。 D， 24 -JAN- 05
www.vishay.com
1
DG3535/DG3536
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
参考GND
V + 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 + 6V
IN， COM ，NC ， NO
a
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3到（V + + 0.3V）
连续电流（ NO ， NC ， COM ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
"300
mA
峰值电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
"500
mA
（脉冲在1毫秒， 10 ％占空比）
存储温度（D后缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150℃
包装回流焊条件
b
IR /对流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 250℃
每个方法3015.7 ESD 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 >2千伏
功率耗散（包）
c
MICRO FOOT ： 10焊球（ 4×3毫米）
d
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 457毫瓦
注意事项：
一。数控信号，无需或COM或IN超过V +将被夹住间
最终二极管。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。参阅IPC / JEDEC （ J-STD- 020B ） 。
。所有凸块焊接或钎焊到印刷电路板。
。减免5.7毫瓦/ _C以上70_C
新产品
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
规格（ V + = 3V）
测试条件
否则，除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
导通电阻
d
r
ON
平整度
d
导通电阻
通道间匹配
d
V
NO
, V
NC
,
V
COM
r
ON
r
ON
平整度
Dr
DS （ ON）
I
否（关）
,
I
NC （关闭）
I
COM （关闭）
信道泄漏电流
I
COM（上）
V+ = 3.3 V, V
NO
, V
NC
= 0.3 V/3 V
V
COM
= 3 V/0.3 V
V+ = 3.3 V, V
NO
, V
NC
= V
COM
= 0.3 V/3 V
V+ 2 7 V
V = 2.7 V, V
COM
= 0 6/1 5 V
0.6/1.5
I
NO
, I
NC
= 100毫安
满
房间
满
房间
房间
房间
满
房间
满
房间
满
2
20
2
20
2
20
0
0.25
V+
0.4
0.5
0.15
0.05
2
20
2
20
2
20
nA
W
V
范围
40
至85℃
符号
V+ = 3 V,
"10%,
V
IN
= 0.5或1.4 V.
e
温度
a
民
b
典型值
c
最大
b
单位
关机漏电流
数字控制
输入高电压
d
输入低电压
输入电容
输入电流
V
INH
满
满
满
V
IN
= 0或V +的
满
1.4
0.5
10
1
1
V
INL
C
in
V
pF
mA
I
INL
还是我
INH
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
先开后合式时间
收费
注射
d
关断隔离
d
相声
d
N
O
, N
C
关断电容
d
通道上
通道导通电容
d
t
ON
V
NO
或V
NC
= 2.0 V ，R
L
= 50
W,
C
L
= 35 pF的
20V
W
t
关闭
t
d
Q
INJ
OIRR
X
TALK
C
否（关）
C
NC （关闭）
C
编号为（ON）的
C
数控（ON）的
V
IN
= 0或V + F = 1 MHz的
V+,
V
NO
或V
NC
= 2.0 V ，R
L
= 50
W,
C
L
= 35 pF的
C
L
= 1 nF的，V
根
= 1.5 V ，R
根
= 0
W
R
L
= 50
W
C
L
= 5 pF的F = 100千赫
W,
PF，
房间
满
房间
满
满
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
1
52
43
6
21
69
69
145
145
406
406
pF
pC
dB
82
90
73
78
ns
电源
电源电流
I+
V
IN
= 0或V +的
房间
满
0.001
1.0
1.0
mA
注意事项：
一。房间= 25 ° C，完全=由经营后缀确定。
B 。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，也不进行生产测试。
。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
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文档编号： 72961
S- 50130 -REV 。 D， 24 -JAN- 05
2
DG3535/DG3536
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
r
ON
与V
COM
与电源电压
0.7
0.6
r
ON
导通电阻（
W
)
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0.0
V+ = 3.3 V
V+ = 1.8 V
V+ = 2.0 V
V+ = 2.7 V
V+ = 3.0 V
中T = 25℃
I
S
= 100毫安
r
ON
导通电阻（
W
)
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0.0
85_C
25_C
40_C
V+ = 3.0 V
I
S
= 100毫安
Vishay Siliconix公司
r
ON
与模拟电压和温度（ NC1 ）
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
COM
模拟电压（ V）
V
COM
模拟电压（ V）
电源电流与温度的关系
100000
V+ = 3.0 V
V
IN
= 0 V
I+
电源电流（ A）
百毫安
10毫安
1毫安
100
mA
10
mA
1
mA
100 nA的
10 nA的
10
60
1 nA的
40
20
0
20
40
60
80
100
电源电流与输入开关频率
V+ = 3 V
10000
I+
电源电流（ NA）
1000
100
10
100
1K
10 K
100 K
1M
10 M
温度（℃）
输入开关频率（Hz ）
漏电流与温度的关系
10000
V+ = 3.0 V
1000
漏电流（PA ）
I
COM（上）
I
COM （关闭）
漏电流（PA ）
300
250
200
150
100
50
0
50
100
150
200
250
1
60
40
20
0
20
40
60
80
100
300
0.0
0.5
泄漏与模拟电压
V+ = 3.0 V
I
COM（上）
I
否（关）
, I
NC （关闭）
100
10
I
否（关）
, I
NC （关闭）
I
COM （关闭）
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
温度（℃）
V
COM
模拟电压（ V）
文档编号： 72961
S- 50130 -REV 。 D， 24 -JAN- 05
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3
DG3535/DG3536
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
100
90
t
ON
/ t
关闭
切换时间（纳秒）
80
70
60
50
40
30
20
10
0
60
90
40
20
0
20
40
60
80
100
100 K
1M
10 M
频率（Hz）
100 M
1G
温度（℃）
t
关闭
V+ = 2 V
t
ON
V+ = 3 V
t
关闭
V+ = 3 V
开关时间与温度的关系
10
t
ON
V+ = 2 V
损失， OIRR ，X
TALK
（ dB）的
插入损耗，关断隔离
串扰与频率
10
损失
30
X
TALK
OIRR
50
V+ = 3.0 V
R
L
= 50
W
70
开关阈值与电源电压
2.00
1.75
Q
电荷注入（ PC）
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
0.00
0
1
2
3
4
5
6
V+
电源电压（ V）
300
250
200
150
100
50
0
50
100
150
200
250
300
0.0
电荷注入与模拟电压
切换门限（V ）
V+ = 2.0 V
V+ = 3.0 V
V
T
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
COM
模拟电压（ V）
测试电路
V+
逻辑
输入
V+
开关
输入
NO或NC
IN
逻辑
输入
GND
0V
C
L
（包括网络连接夹具和杂散电容）
V
OUT
+
V
COM
R
L
)
R
ON
R
L
R
L
300
W
C
L
35 pF的
COM
开关输出
V
OUT
开关
产量
0V
t
ON
t
关闭
V
INH
50%
V
INL
0.9× V
OUT
t
r
t
5纳秒
t
f
t
5纳秒
逻辑“1” =开关开
逻辑输入波形倒置具有开关
相反的逻辑感。
图1 。
开关时间
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S- 50130 -REV 。 D， 24 -JAN- 05
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DG3535/DG3536
新产品
测试电路
V+
逻辑
输入
COM
V
O
R
L
300
W
GND
C
L
35 pF的
V
INH
V
INL
t
r
t
5纳秒
t
f
t
5纳秒
Vishay Siliconix公司
V+
V
NO
V
NC
NO
NC
IN
V
NC
= V
NO
V
O
开关
0V
产量
90%
t
D
t
D
C
L
（包括网络连接夹具和杂散电容）
图2中。
突破前先间隔
V+
V
OUT
R
根
+
V
IN
= 0
V+
V+
NC或NO
IN
GND
COM
V
OUT
C
L
= 1 nF的
IN
On
关闭
Q =
DV
OUT
乘C
L
在依赖于交换机配置：输入极性
通过开关的意识决定的。
On
DV
OUT
网络连接gure 3 。
电荷注入
V+
10 nF的
V+
NC或NO
IN
COM
COM
0V, 2.4 V
IN
NC或NO
GND
10 nF的
V+
COM
计
0 V, 2.4 V
GND
HP4192A
阻抗
分析仪
或同等学历
F = 1 MHz的
V+
R
L
分析仪
V
COM
关断隔离
+
20日志V
NO NC
图4中。
关断隔离
图5中。
道关/开电容
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