DS0025C两相MOS时钟驱动器
1992年6月
DS0025C两相MOS时钟驱动器
概述
该DS0025C是一款单芯片低成本两相MOS
，旨在通过TTL线驱动器驱动时钟驱动器
或缓冲剂如DS8830或DM7440两个输入cou-
耦电容被用于执行从TTL电平移位
在关断延迟MOS逻辑电平的最佳性能
时间和下降时间时可获得的输出脉冲是逻辑
由输入控制但是输出的脉冲宽度可以
通过选择输入电容省去设置
对于严格的输入脉冲控制
特点
Y
Y
Y
Y
Y
Y
8引脚TO -5或8引脚或14引脚的双列直插式封装
高输出电压摆幅可达25V
高输出电流驱动能力可达1 5A
重复频率1 0兆赫到
l
1000 pF的
推动了DS8830 DM7440
''零''静态功耗
连接图
金属罐包装
双列直插式封装
TL F 5852 - 1
注4针连接情况
顶视图
订单号DS0025CH
见NS包装数H08C
顶视图
订单号DS0025CJ - 8
或DS0025CN
见NS包装数J08A或N08E
双列直插式封装
TL F 5852 - 2
TL F 5852 - 3
顶视图
订单号DS0025CJ
见NS包装数J14A
C
1995年全国半导体公司
TL F 5852
RRD - B30M105印制在U S A
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
(V
a
b
V
b
）电压差分
输入电流
峰值输出电流
储存温度
工作温度
引线温度（焊接10秒）
25V
百毫安
1 5A
b
65℃，以
a
150 C
0 ℃
a
85 C
推荐工作
条件
V
a
V
b
差分电压
20V
民
最大
温度
0
70
在25℃时最大功率耗散
8引脚封装腔
1150毫瓦
14引脚封装腔
1410毫瓦
模压封装
1080毫瓦
金属罐（ TO- 5 ）封装
670毫瓦
减额的8引脚封装腔7 8毫瓦C以上25°C DE-
率14引脚封装腔9 5毫瓦C以上25°C减免
模压封装8 7毫瓦C以上25°C减免金属
可以（ TO- 5 ）包4 5毫瓦C以上25°C
300 C
电气特性
（注2和3 ）见测试电路
符号
t
D ON
t
上升
t
D OFF
t
秋天
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
条件
C
IN
e
0 001
mF
R
IN
e
0X
L
e
0 001
mF
C
IN
e
0 001
mF
R
IN
e
0X
L
e
0 001
mF
C
IN
e
0 001
mF
R
IN
e
0X
L
e
0 001
mF
（注4 ）
C
IN
e
0 001
mF
R
IN
e
0X
C
L
e
0 001
mF
C
IN
e
0 001
mF
R
IN
e
0X
C
L
e
0 001
mF
（注5 ）
V
IN
e
我0V
OUT
E B
1毫安
（注4 ）
（注5 ）
60
100
民
典型值
15
25
30
90
150
500
V
a
b
1 0 V
a
b
0 7V
V
b
a
0 7V V
b
a
1 5V
最大
30
50
60
120
250
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
V
PW
V
O
a
V
O
b
脉冲宽度（50％至50％）
正输出电压摆幅
负输出电压摆幅我
IN
e
10毫安我
OUT
e
1毫安
注1
''绝对最大额定值''是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证除'工作温度范围''
它们不意味着暗示该设备应在这些限制下操作的''电气特性“”该表提供了条件，实际的设备
手术
注2
除非另有说明，最小值最大值限制跨越0 ℃至70℃范围内申请DS0025C
注3
所有电流为器件引脚显示为阳性出来的器件引脚为负电压，所有引用到地面，除非另有说明，所有显示的值
为最大或最小的绝对值基础
注4
参数值适用于由输入脉冲宽度来确定时钟脉冲宽度
注5
输入参数值宽度大于输出时钟脉冲宽度
时序图
输入波形
PRR
e
0 5MHz的
V
P-P
e
5 0V
t
r
e
t
f
s
10纳秒
脉冲宽度
A 1 0
ms
B 200纳秒
TL F 5852 - 5
2
应用信息
电路工作原理
输入电流被迫进入Q的基极
1
通过cou-
耦电容C
IN
导致Q
1
被驱动进入饱和
摆动的输出到V
B一
VCE
（SAT）
a
V
二极管
当输入电流已经衰减或已经被切换
这样Q
1
关闭Q
2
通过R接收到的基极驱动
2
至于Q
2
在此提供电流到负载和
输出摆幅积极到V
a
–V
BE
瞬时输出功率
平均瞬时功率（P
ac
）消散等于
所需要的能量进行充放电输出钙
pacitive负荷（C
L
）乘以动作的频度
(f)
P
AC
e
C
L
X （V
a
–V
b
)
2
架F
(2)
a
b
V
b
e
20V F
e
1 0 MHz的
e
1000 pF的P
对于V
L
AC
e
400毫瓦
内部电源
''0 ''国
可以忽略不计（
k
3毫瓦）
''1' '状态
P
INT
e
(V
a
–V
b
)
2
X占空比
R
2
(3)
e
80毫瓦V
a
–V
b
e
20V DC
e
20%
封装功耗
总平均功率
e
瞬时输出功率
a
国内
动力
例如计算
TL F 5852 - 11
图1 DS0025示意图（半围）
它可以指出， Q
1
必须Q前关闭
2
开始
电源电流，因此较高的内部瞬变电流
V
b
到V
a
不能发生
扇出计算
在DS0025的驱动能力是系统的功能
即要求高速环境温度电压
回转驱动电路和布线寄生能力
下面的等式覆盖必要的计算，以
使扇出要计算用于任何系统条件
化
瞬态电流
在DS0025的最大峰值输出电流，给出
根据需要从驱动器1 5A的平均瞬时电流
可由下式计算
I
e
C
L
(V
a
–V
b
)
t
r
(1)
多少MM506移位寄存器可以由一个被驱动
用200的时钟脉冲宽度DS0025CN司机在1 MHz
ns上升时间为30 ns的-50和16V的幅度在温度
TURE范围0 -70℃
功耗
在70℃的DS0025CN可以消耗870 mW的溶胶时，
dered到印刷电路板
瞬态峰值电流限制
从等式（1）可以看出，在16V和30纳秒的
可以驱动被限制为2800 pF的最大负载
平均内部电源
等式（3）给出的50毫瓦的平均功率为16V和
有20 ％的占空比
为二分之一DS0025C 870毫瓦的
d
2可以是dissipat-
ed
435毫瓦
e
50毫瓦
a
瞬时输出功率
385毫瓦
e
瞬时输出功率
使用等式（2）在16V 1 MHz和350毫瓦的每半
在DS0025CN可以驱动1367 pF负载，这是不到
由方程的瞬态电流限制所施加的载荷
化（1 ）等的1367 pF的最大负荷将优先
从数据表中MM506的平均时钟
脉冲负载为80 pF的。因此驱动装置的数量
1367是80或17的寄存器
欲了解更多信息，请参见国家Semicon-
ductors应用笔记AN- 76
典型上升时间为1000 pF负载为25纳秒为V
a
b
V
b
e
我20V
e
0 8A
4
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