DRV8837
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SLVSBA4A - 2012年6月 - 修订2012年8月
低电压H桥IC
检查样品：
DRV8837
1
特点
H桥电机驱动器
- 驱动的直流电机或一个绕组
步进电机或其它负载
- 低压MOSFET的导通电阻： HS + LS
280 mΩ
1.8 -A最大驱动电流
1.8 V至11 V电机工作电源电压
范围
独立的电机和逻辑电源引脚
的PWM（ IN / IN）的接口
低功耗休眠模式120 nA（最大值）
结合电源电流
专用SLEEP引脚
2毫米×2毫米的8引脚WSON封装
描述
该DRV8837提供了一个集成电机驱动器
对于摄像机，消费者产品，玩具，和溶液
其它低电压或电池供电的运动控制
应用程序。该装置具有一个H桥驱动器，并
可以驱动一个直流电动机和一个绕组步进的
马达，以及其它装置，如电磁铁。该
输出驱动器块由N沟道功率
构成为H桥的MOSFET来驱动
电机绕组。内部电荷泵产生
所需的栅极驱动电压。
该DRV8837可以提供高达1.8的输出的
电流。它操作的电动机电源电压
1.8 V至11 V ，以及设备电源
1.8 V至7电压V.
该DRV8837具有PWM（ IN / IN）的输入接口，
这与行业标准的设备兼容。
有内部关断功能，过流
保护，短路保护，欠压
锁定和过温保护。
该DRV8837包是一个8管脚2毫米×2毫米
WSON使用PowerPad 封装。
2
应用
相机
单反镜头
消费类产品
玩具
机器人
医疗器械
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
使用PowerPad是德州仪器的商标。
版权所有2012，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
订购信息
(1)
订购型号
DRV8837DSGR
DRV8837DSGT
(1)
包
WSON - DSG
WSON - DSG
顶面标记
837
837
航运
3000卷
250的卷轴
在大多数情况下，目前的包装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
功能框图
1.8 11 V
VM
VM
VM
驱动直流电机或
＆ frac12 ;步进
收费
泵
1.8到7V的
VCC
DCM
VCC
VM
门
DRIVE
OCP
OUT1
步
汽车
逻辑
门
DRIVE
IN1
OCP
OUT2
IN2
OVER-
温度
睡觉
OSC
GND
B0479-01
图1.功能框图
2
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DRV8837
DSG套餐
（ TOP VIEW ）
VM
OUT1
OUT2
GND
1
2
3
4
8
VCC
睡觉
IN1
IN2
P0145-01
热
PAD
（GND）的
7
6
5
引脚说明
针
名字
GND
VCC
VM
控制
IN1
IN2
睡觉
产量
OUT1
OUT2
2
3
O
O
输出1
输出2
连接到电机绕组
6
5
7
I
I
I
输入1
输入2
休眠模式下的输入
逻辑高台OUT1高
内部下拉电阻
逻辑高台OUT2高
内部下拉电阻
逻辑低电平使器件进入低功耗的睡眠模式
逻辑高电平为正常操作
内部下拉电阻
号
4
8
1
电源和接地
–
–
–
接地装置
设备供应
电机电源
旁路至GND 0.1 μF 6.3 -V的陶瓷电容。
旁路至GND 0.1 μF 16 -V的陶瓷电容。
I / O
描述
外部组件或连接
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
(1) (2)
价值
VM
VCC
电源电压范围
电源电压范围
数字引脚电压范围
山顶电机驱动输出电流
T
J
T
英镑
(1)
(2)
经营虚拟结温范围
存储温度范围
-0.3至12
-0.3 V至7
-0.5V至7
内部限制
-40至150
-60至150
单位
V
V
V
A
C
C
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压值都是相对于网络的接地端子。
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3
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热信息
DRV8837
热公制
θ
JA
θ
JCtop
θ
JB
ψ
JT
ψ
JB
θ
JCbot
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
(1)
DSG
8引脚
60.9
71.4
32.2
1.6
32.8
9.8
(7)
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
结至环境热阻
(2)
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板的热阻
(4)
结至顶部的特征参数
(5)
(3)
结至电路板的特征参数
(6)
结至外壳（底部）热阻
有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅
IC封装热度量
申请报告，
SPRA953.
在自然对流的结点至环境热阻是在一个JEDEC标准，高K板上的模拟获得，如
在JESD51-7指定，在JESD51-2a描述的环境。
通过模拟在封装顶部冷板试验获得的结到壳体（顶部）的热阻。没有具体JEDEC-
标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
通过模拟的环境中具有环冷板夹具来控制印刷电路板得到的结到电路板的热阻
温度，如在JESD51-8说明。
结至顶部的特征参数，
ψ
JT
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从仿真数据用于获得
θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
结至电路板的特征参数，
ψ
JB
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从仿真数据用于获得
θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
通过在暴露的（功率）垫模拟冷板试验获得的结到壳体（底部）的热阻。没有具体
JEDEC标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
间隔
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推荐工作条件
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
CC
V
M
I
OUT
f
PWM
V
IN
(1)
器件的电源电压范围
电机电源电压范围
H桥的输出电流
(1)
外加PWM频率
逻辑电平的输入电压
功耗和散热的限制必须遵守。
1.8
1.8
0
0
0
喃
最大
7
11
1.8
250
5.5
单位
V
V
A
千赫
V
电气特性
T
A
= 25 ° C，V
M
= 5 V, V
CC
= 3V（除非另有说明）
参数
电源
I
VM
I
VMQ
I
VCC
I
VCQ
V
UVLO
VM工作电源电流
VM睡眠模式电源电流
VCC工作电源电流
VCC睡眠模式电源电流
VCC欠压锁定电压
V
M
= 5 V, V
CC
= 3 V ，无PWM
V
M
= 5 V ， VCC = 3 V ， 50 - kHz的PWM
V
M
= 5 V, V
CC
= 3 V ， SLEEP = 0 V
V
M
= 5 V, V
CC
= 3 V ，无PWM
V
M
= 5 V, V
CC
= 3 V ， 50 - kHz的PWM
V
M
= 5 V, V
CC
= 3 V ， SLEEP = 0 V
V
CC
升起
V
CC
落下
0.25 V
CC
0.38 V
CC
0.46 V
CC
0.08 V
CC
V
IN
= 0 V
V
IN
= 3.3 V
100
V
CC
= 3 V, V
M
= 5 V，I
O
= 800毫安，
T
J
= 25°C
V
OUT
= 0 V
1.9
1
模温机
150
160
180
280
330
±200
3.5
–5
5
50
0.5 V
CC
40
0.8
30
300
0.7
5
100
1.5
95
500
1.5
25
1.8
1.7
A
mA
nA
A
mA
nA
V
测试条件
民
典型值
最大
单位
逻辑电平输入
V
IL
V
IH
V
HYS
I
IL
I
IH
R
PD
r
DS （ ON）
I
关闭
I
OCP
t
OCR
t
TSD
输入低电压
输入高电压
输入滞后
输入低电平电流
输入高电流
下拉电阻
HS + LS FET导通电阻
断态泄漏电流
过流保护跳闸水平
OCP重试时间
热关断温度
V
V
V
A
A
kΩ
mΩ
nA
A
ms
C
H- BRIDGE场效应管
保护电路
时序要求
T
A
= 25 ° C，V
M
= 5 V, V
CC
= 3 V ，R
L
= 20
Ω
民
1
2
3
4
5
6
t
1
t
2
t
3
t
4
t
5
t
6
输出使能时间
输出禁止时间
延迟时间， INx的高OUTX高
延迟时间， INx的低OUTX低
输出上升时间
输出下降时间
50
50
最大
120
120
120
120
150
150
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
版权所有2012，德州仪器
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5
QQ：2881677436 复制
