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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符D型号页 > 首字符D的型号第110页 > DCPL-WB-00D3
DCPL-WB-00D3
宽波段，双路径的定向耦合器符合ISO端口
特点
■
■
■
■
■
■
■
■
50
Ω
额定输入/输出阻抗
宽工作频率范围：
- 824兆赫， 2170兆赫
低插入损耗（ < 0.2分贝）
高指向性（ > 20分贝）
高ESD耐用
无铅CSP封装
占地面积小： 1670 X 1440微米
非常低调（ < 650微米厚）
LB路径
无铅倒装芯片（ 8颠簸）
图1 。
引脚配置（凹凸视图）
A3
A2
A1
好处
■
■
高射频性能
射频模块尺寸减小
B3
HB路径
B1
符合以下标准：
■
C3
C2
C1
IEC 61000-4-2第4级：
- 15千伏（空气放电）
- 8千伏（接触放电）
描述
该DCPL -WB- 00D3是一个宽频带，双路径
定向耦合器设计用于测量细胞
手机发射输出功率
GSM / WCDMA应用。该双通道CPL
已定制的宽带运营
频率（ EGSM和CELL ， PCS ，DCS
WCDMA频段Ⅰ）与小于0.2 dB的插入
在传输带宽的损失（ 824兆赫 -
1980年兆赫） 。
此装置是建立与两个不同的射频耦合器
（一个专门为LB ，其他专用于HB ）
共享相同的耦合和分离ports.The
DCPL -WB -00 -D3已经使用设计
意法半导体IPD （集成无源
装置）上的非导电性的玻璃技术
衬底，以优化RF性能。
该装置递送100％在胶带试验和
卷轴。
应用
多频段设备如：
■
■
■
功率放大器模块
前端模块
的GSM / WCDMA手机
2011年4月
文档ID 17967牧师1
1/11
www.st.com
11
特征
DCPL-WB-00D3
1
特征
表1中。
器件的引脚配置
撞
A1
A2
A3
B1
B3
C1
C2
C3
名字
LBIN
GND
LBOUT
CPLD
ISO
Hbin
GND
Hbout
描述
LB耦合器RF输入
射频地
LB耦合器的RF输出
连接器端口
隔离端口
HB耦合器RF输入
射频地
HB耦合器输出
表2中。
符号
P
IN
V
静电放电（IEC）的
A
bsolute最大额定值（极限值）
价值
参数
分钟。
输入功率RF
IN
（ CW模式）
ESD额定值IEC 61000-4-2 （ C = 150 pF的， R = 330
Ω)
LB
IN
，磅
OUT
， HB
IN
， HB
OUT
空气放电
LB
IN
，磅
OUT
， HB
IN
， HB
OUT
，接触放电
±15
±8
2
100
500
-30
+85
典型值。
马克斯。
35
DBM
单位
kV
V
静电放电（ HBM）的
人体模型， JESD 22 - A114F ，所有的I / O
V
静电放电（MM）的
机器型号， JESD 22 - A115 -A ，所有的I / O
kV
V
V
°C
V
静电放电（CDM）的
充电设备模型， JESD 22 - C101 -C ，所有的I / O
T
OP
工作温度
表3中。
符号
Z
OUT
Z
IN
Z
CPL
Z
ISO
电气特性 - 阻抗（T
AMB
= 25 °C)
价值
参数
分钟。
额定输出阻抗（ LB和HB路径）
额定输入阻抗（ LB和HB路径）
标称耦合端口阻抗
额定隔离端口阻抗
典型值。
50
50
50
50
马克斯。
Ω
Ω
Ω
Ω
单位
2/11
文档ID 17967牧师1
DCPL-WB-00D3
表4 。
符号
特征
电气特性 - LB路径的RF性能（T
AMB
= 25 °C)
价值
参数
频带
（带宽）
LB路径插入损耗
LB路径回波损耗
从824兆赫
到960MHz
从824兆赫
到960MHz
从824兆赫
以915兆赫
（ 824至849兆赫）
（ 880至915兆赫）
从824兆赫
以915兆赫
20
15
32
37
0.5
测试条件
分钟。
f
824
0.1
典型值。
马克斯。
960
0.2
兆赫
dB
dB
dB
dB
dB
单位
IL
LB
RL
LB
CPLD
LB
LB路径耦合系数
纹波
LB
在LB耦合纹波
DIR
LB
LB方向性耦合器
表5 。
符号
电气特性 - HB路径的RF性能（T
AMB
= 25 °C)
价值
参数
频带
（带宽）
HB路径插入损耗
HB路径回波损耗
从1710兆赫
到2170兆赫
从1710兆赫
到2170兆赫
从1710兆赫
至1980年兆赫
（ 1710至1785年兆赫）
（ 1850至1910年兆赫）
（ 1920年至1980年兆赫）
从1710兆赫
至1980年兆赫
20
15
29
34
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
1980
0.1
0.2
兆赫
dB
dB
dB
单位
f
IL
HB
RL
HB
1710
CPLD
HB
HB路径耦合系数
纹波
H
B
在HB耦合纹波
0.5
dB
DIR
HB
HB方向性耦合器
dB
文档ID 17967牧师1
3/11
特征
DCPL-WB-00D3
1.1
RF测量（在参考评估板）
测量在50上做参考评估板
Ω,
去嵌入在
DCPL -WB - 00D3颠簸。
图2中。
低频段的路径插入损耗
-0.00
IL
dB
-0.05
-0.10
-0.15
-0.20
-0.25
7.5E8
8.0E8
8.5E8
9.0E8
9.5E8
F（赫）
1.0E9
网络连接gure 3 。
高频段的路径插入损耗
-0.00
IL
dB
-0.05
-0.10
-0.15
-0.20
-0.25
F（赫）
1.7E9
1.9E9
2.1E9
2.3E9
2.5E9
1.5E9
图4中。
低频段的路径耦合系数
-31
-32
-33
-34
-35
-36
-37
-38
7.5E8
8.0E8
8.5E8
9.0E8
9.5E8
CPLD
dB
F（赫）
1.0E9
4/11
文档ID 17967牧师1
DCPL-WB-00D3
图5中。
高频段的路径耦合系数
-28
-29
-30
-31
-32
-33
-34
-35
1.5E9
1.7E9
1.9E9
2.1E9
2.3E9
特征
CPLD
dB
F（赫）
2.5E9
图6 。
低频段的路径指向
30
DIR
dB
28
26
24
22
20
0.75
0.80
0.85
0.90
0.95
F（赫）
1.00
图7 。
高频段的路径指向
30
DIR
dB
28
26
24
22
20
1.5
1.7
1.9
2.1
2.3
F（赫）
2.5
文档ID 17967牧师1
5/11
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