DRF1200

1000V ，13A ， 30MHz的

MOSFET驱动器的混合

该DRF1200混合包括高功率栅极驱动器和功率

MOSFET。驱动器输出可以CON组fi gured作为反相和非

反相。它的目的是提供系统设计者增加

灵活性和在一个非集成的解决方案降低了成本。

D

IN

司机

13A

MOSFET

S

特点

开关频率： DC至30MHz

低脉冲宽度失真

单电源供电

1V CMOS施密特触发器输入1V

迟滞

反相非反相选择

符合RoHS

开关速度3-4ns

B

VDS

=千伏

I

ds

= 13A最大

R

DS （ ON）

≤

0.90欧姆

P

D

= 624W

典型应用

C类，D和E的RF发生器

开关模式电源放大器器

脉冲发生器

超声换能器驱动程序

声光调制器

司机绝对最大额定值

符号

V

DD

IN， FN

I

PK

T

JMAX

参数

电源电压

输入电压单

输出电流峰值

工作温度

民

典型值

最大

15

-.7至+5.5

8

175

单位

V

A

°C

司机特定网络阳离子

符号

V

DD

IN

IN

(R)

IN

(F)

I

DDQ

I

O

C

国际空间站

R

IN

V

TH （ON）的

V

TH （OFF）的

T

DLY

t

r

t

f

参数

电源电压

输入电压

输入电压上升沿

输入电压下降沿

静态电流

输出电流

输入电容

输入并联电阻

输入电压阈值低（见真值表）

输入电压阈值高（见真值表）

时间延迟（吞吐量）

上升时间

下降时间

0.8

1.9

38

7.5

7.5

民

10

3

3

3

2

8

3

1

1.1

2.2

MΩ

V

ns

ns

050-4913版本G 5-2011

典型值

最大

15

5.5

单位

V

ns

mA

A

Microsemi的网站 - http://www.microsemi.com

驱动器输出特性

符号

C

OUT

R

OUT

L

OUT

F

最大

F

最大

参数

输出电容

输出电阻

输出电感

工作频率CL = 3000nF + 50Ω

工作频率RL = 50Ω

30

50

民

典型值

2500

.8

3

最大

DRF1200

单位

pF

Ω

nH

兆赫

司机热特性

符号

R

θ

JC

R

θ

JHS

T

JSTG

P

DJHS

P

DJC

参数

热阻结到外壳

热阻结到散热器

储存温度

最大功率耗散@ T

SINK

= 25°C

总功率耗散@ T

C

= 25°C

民

典型值

1.5

2.5

-55到150

最大

单位

° C / W

°C

W

60

100

MOSFET绝对最大额定值

符号

BV

DSS

I

D

R

DS （ ON）

T

JMAX

参数

漏源电压

连续漏电流T

HS

= 25°C

通态电阻的漏 - 源

工作温度

0.90

175

民

1000

13

典型值

最大

单位

V

A

Ω

°C

MOSFET的动态特性

符号

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

参数

输入电容

输出电容

反向传输电容

民

典型值

2000

165

75

pF

最大

单位

MOSFET的热特性

符号

R

θ

JC

R

θ

JHS

T

JSTG

P

美国国土安全部

P

DC

参数

热阻结到外壳

热阻结到散热器

储存温度

最大功率耗散@ T

SINK

= 25°C

总功率耗散@ T

C

= 25°C

民

典型值

0.095

0.25

-55到150

最大

单位

° C / W

°C

W

600

1580

Microsemi的保留权利更改，恕不另行通知，此处包含的说明和信息。

图1中， DRF1200简化的电路图

050-4913版本G 5-2011

该简化的DRF1200电路图上面的说明。由包括驱动高速旁路电容器（C1） ，向贡献

驱动器输出的内部寄生环路电感大大降低。此，再加上混合的紧密的几何形状，允许最佳

栅极驱动MOSFET。这种低寄生方法，加上施密特触发器输入端（IN ） ，开尔文信号地（ SG）和所述反

环功能，提供更好的稳定性和控制千瓦到数千瓦，高频应用。无论是FN和IN引脚

参照的是开尔文接地信号然后施加到中间驱动和电平移位器（SG ）;本节包含的专有

电路设计，具体来说为环减排。电源驱动器提供高电流MOSFET的栅极。

DRF1200

功能（ FN ， 3脚）是反转还是非反转选择引脚，它在内部保持高电平。

真值表

*参考SG

FN （ 3脚） *

高

高

低

低

IN（引脚4 ） *

高

低

高

低

MOSFET

ON

关闭

关闭

ON

图2中， DRF1200测试电路

测试电路上面说明是用来评估DRF1200 （可作为评估电路板DRF12XX / EVALSW 。 ）输入CON-

控制信号（4）和SG （5）使用RG188销通过在施加到DRF1200 。这提供卓越的抗干扰能力，信号和控制

接地电流。

在+ V

DD

输入端（2,6）是被旁路（C1，C2 ，C4- C9） ，这是在除了内部的分路过如前所述。所使用的电容器

对于这个功能必须能够支撑RMS电流和栅极负载的频率。

L

为我设置

DM

在V

DS

最大这个负荷被用来

评价DRF1201的输出性能。

050-4913版本G 5-2011

DRF1200

引脚分配

销1

销2

3脚

引脚4

5脚

引脚6

7针

引脚8

9针

引脚10

地

VDD +

FN

IN

SG

VDD +

地

来源

漏

来源

所有尺寸均为± 0.005

050-4913版本G 5-2011

图3中， DRF1200机械概要

DRF1200

1000V ，13A ， 30MHz的

MOSFET驱动器的混合

该DRF1200混合包括高功率栅极驱动器和功率

MOSFET。驱动器输出可以CON组fi gured作为反相和非

反相。它的目的是提供系统设计者增加

灵活性和在一个非集成的解决方案降低了成本。

D

IN

司机

13A

MOSFET

S

特点

开关频率： DC至30MHz

低脉冲宽度失真

单电源供电

1V CMOS施密特触发器输入1V

迟滞

反相非反相选择

符合RoHS

开关速度3-4ns

B

VDS

=千伏

I

ds

= 13A最大

R

DS （ ON）

≤

0.90欧姆

P

D

= 624W

典型应用

C类，D和E的RF发生器

开关模式电源放大器器

脉冲发生器

超声换能器驱动程序

声光调制器

司机绝对最大额定值

符号

V

DD

IN， FN

I

PK

T

JMAX

参数

电源电压

输入电压单

输出电流峰值

工作温度

民

典型值

最大

15

-.7至+5.5

8

175

单位

V

A

°C

司机特定网络阳离子

符号

V

DD

IN

IN

(R)

IN

(F)

I

DDQ

I

O

C

国际空间站

R

IN

V

TH （ON）的

V

TH （OFF）的

T

DLY

t

r

t

f

参数

电源电压

输入电压

输入电压上升沿

输入电压下降沿

静态电流

输出电流

输入电容

输入并联电阻

输入电压阈值低（见真值表）

输入电压阈值高（见真值表）

时间延迟（吞吐量）

上升时间

下降时间

0.8

1.9

38

7.5

7.5

民

10

3

3

3

2

8

3

1

1.1

2.2

MΩ

V

ns

ns

050-4913 F版12-2009

典型值

最大

15

5.5

单位

V

ns

mA

A

Microsemi的网站 - http://www.microsemi.com

驱动器输出特性

符号

C

OUT

R

OUT

L

OUT

F

最大

F

最大

参数

输出电容

输出电阻

输出电感

工作频率CL = 3000nF + 50Ω

工作频率RL = 50Ω

30

50

民

典型值

2500

.8

3

最大

DRF1200

单位

pF

Ω

nH

兆赫

司机热特性

符号

R

θ

JC

R

θ

JHS

T

JSTG

P

DJHS

P

DJC

参数

热阻结到外壳

热阻结到散热器

储存温度

最大功率耗散@ T

SINK

= 25°C

总功率耗散@ T

C

= 25°C

民

典型值

1.5

2.5

-55到150

最大

单位

° C / W

°C

W

60

100

MOSFET绝对最大额定值

符号

BV

DSS

I

D

R

DS （ ON）

T

JMAX

参数

漏源电压

连续漏电流T

HS

= 25°C

通态电阻的漏 - 源

工作温度

0.90

175

民

1000

13

典型值

最大

单位

V

A

Ω

°C

MOSFET的动态特性

符号

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

参数

输入电容

输出电容

反向传输电容

民

典型值

2000

165

75

pF

最大

单位

MOSFET的热特性

符号

R

θ

JC

R

θ

JHS

T

JSTG

P

美国国土安全部

P

DC

参数

热阻结到外壳

热阻结到散热器

储存温度

最大功率耗散@ T

SINK

= 25°C

总功率耗散@ T

C

= 25°C

民

典型值

0.095

0.25

-55到150

最大

单位

° C / W

°C

W

600

1580

Microsemi的保留权利更改，恕不另行通知，此处包含的说明和信息。

图1中， DRF1200简化的电路图

050-4913 F版12-2009

该简化的DRF1200电路图上面的说明。由包括驱动高速旁路电容器（C1） ，向贡献

驱动器输出的内部寄生环路电感大大降低。此，再加上混合的紧密的几何形状，允许最佳

栅极驱动MOSFET。这种低寄生方法，加上施密特触发器输入端（IN ） ，开尔文信号地（ SG）和所述反

环功能，提供更好的稳定性和控制千瓦到数千瓦，高频应用。无论是FN和IN引脚

参照的是开尔文接地信号然后施加到中间驱动和电平移位器（SG ）;本节包含的专有

电路设计，具体来说为环减排。电源驱动器提供高电流MOSFET的栅极。

DRF1200

功能（ FN ， 3脚）是反转还是非反转选择引脚，它在内部保持高电平。

真值表

*参考SG

FN （ 3脚） *

高

高

低

低

IN（引脚4 ） *

高

低

高

低

MOSFET

ON

关闭

关闭

ON

图2中， DRF1200测试电路

测试电路上面说明是用来评估DRF1200 （可作为评估电路板DRF12XX / EVALSW 。 ）输入CON-

控制信号（4）和SG （5）使用RG188销通过在施加到DRF1200 。这提供卓越的抗干扰能力，信号和控制

接地电流。

在+ V

DD

输入端（2,6）是被旁路（C1，C2 ，C4- C9） ，这是在除了内部的分路过如前所述。所使用的电容器

对于这个功能必须能够支撑RMS电流和栅极负载的频率。

L

为我设置

DM

在V

DS

最大这个负荷被用来

评价DRF1201的输出性能。

Microsemi的产品受一项或多项美国专利4895810 5045903 5089434 5182234 5019522 5262336 6503786 5256583

4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 6,939,743, 7,352,045 5,283,201 5,801,417 5,648,283 7,196,634 6,664,594 7,157,886 6,939,743 7,342,262

和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。

050-4913 F版12-2009

DRF1200

引脚分配

销1

销2

3脚

引脚4

5脚

引脚6

7针

引脚8

9针

引脚10

地

VDD +

FN

IN

SG

VDD +

地

来源

漏

来源

所有尺寸均为± 0.005

050-4913 F版12-2009

图3中， DRF1200机械概要

DRF1200

15V ，13A ， 30MHz的

MOSFET驱动器的混合

该DRF1200 MOSFET驱动器的混合体。这种混合包括高功率栅极驱动器和

功率MOSFET 。它的目的是提供系统设计人员提高灵活性

和降低成本比非集成的解决方案。

驱动程序的功能

开关频率： DC至30MHz

低脉冲宽度失真

单电源供电

3V CMOS施密特触发器输入1V

迟滞

驱动器> 3nF的

MOSFET特点

开关频率： DC至30MHz

开关速度3-4ns

B

VDS

=千伏

I

ds

= 13A的魅力。

R

DS （ ON）

= 1欧姆

P

D

= 350W

典型应用

C类，D和E的RF发生器

开关模式电源放大器器

脉冲发生器

超声换能器驱动程序

声光调制器

司机绝对最大额定值

符号

V

DD

V

IN

参数

电源电压

输入电压单

评级

18

5.5

单位

V

司机特定网络阳离子

符号

V

DD

V

IN

V

在（R） - 6

V

IN（ F） 6

I

DDQ

I

O

C

OSS

C

国际空间站

V

IL

V

IH

T

DLY

参数

电源电压

输入电压

输入电压上升沿

输入电压下降沿

静态电流

最大输出电流

输出电容

输入电容

输入低

输入高

时间延迟（吞吐量）

民

8

1.8

0.8

典型值

3

最大

单位

V

ns

A

A

pF

18

2.2

1.2

200

8.5

2500

3

0.8

1.9

38

1.0

2.2

V

ns

司机特定网络阳离子

符号

t

r

t

f

T

D

T

J

= 25 ° C除非另有规定编

测试条件

15V

DD

15V

DD

15V

15V

DD

3

参数

上升时间

2,3

下降时间

2,3

民

RL

典型

CL

最大

单位

2-2006

050-4913

REV A

3.1

2.8

33

1.2

7.5

7.5

38

ns

%

道具。延迟

2,4

对称

1

APT网站 - http://www.advancedpower.com

MOSFET绝对Maxumum评级

符号

V

DSS

I

D

R

DS （ ON）

DRF1200

民

典型值

1000

13

0.90

参数

漏源电压

连续的漏电流T

HS

= 25°C

通态电阻的漏 - 源

最大

单位

V

A

单位

pF

动态特性

符号

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

参数

输入电容

输出电阻

反向传输电容

民

典型值

2000

165

75

最大

热特性

符号

R

θ

JC

T

J

P

D

P

DC

特征

结到外壳热阻

工作和存储结温

最大功率耗散

总功率耗散@ T

C

= 25°C

评级

0.13

175

>100

1050

单位

° C / W

°C

W

1.

2

3

4

5

6

APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。

测试curcuit展示第3页。

所有的测量均具有激活，除非另有说明反环路进行。

对称是具有50 ％占空比的方波输入在高和低的FWHM倍的百分差值。

R

L

= 50, C

L

= 3000pF的

10 ％ - 90 ％的人认为测试电路

50 ％ - 50 ％ ，见测试电路

V

DD

= 18V ，C

L

= 3000pF的， F = 10MHz时

表现特定网络版使用此输入。

图1中， DRF1200简化的Ciruit图

一个简化的DRF1200电路图上面的说明。由包括驱动高速旁路电容（ C1-C8） ，其

到驱动器输出的内部寄生环路电感贡献大大降低。这一点，再加上紧几何

混合动力，使优化的栅极驱动MOSFET。这种低寄生的方式，再加上施密特触发输入，开尔文信号

地面和反环函数，在千瓦提供改进的稳定性和控制，以多千瓦，高频应用。

IN脚的输入为控制信号，并施加到一个施密特触发器。该信号随后被施加到中间层驱动程序

和电平转换器;本节包含了专有的电路设计，具体来说为环减排。在P沟道和N沟道

功率驱动器提供高电流的MOSFET的栅极与MOSFET的漏极被连接到OUT引脚（ 9）。

2-2006

驱动控制逻辑

驱动器输出低

驱动器输出高

REV A

（4 ）高驱动器

在（4 ）低驱动

MOSFET关断漏（ 9 ）高

MOSFET的导漏（ 9 ）低

050-4913

FUNCTION（功能） ， FN ，销（3）用于禁用所述反环功能。因此建议该设备可与该功能操作

启用。 FUNC 。 =喜（ + 5V或浮动）抗环上， Func键。 =低（ 0V或GND ）反折环。

在输出侧是电源的接地连接引脚8和引脚10漏极连接销9.建议

输出电流被限制在这些引脚设计。

DRF1200

图2中，测试电路

测试电路上面说明是用来评估DRF1200 （可作为评价委员会DRF1200

EVAL ） 。所输入的控制信号（4）和SG （5）使用RG188销经由IN施加到DRF1200 。这提供了excel-

借给抗噪声和信号接地电流的控制。

该FN引脚是非常敏感的和不想要的信号，可能导致不稳定的行为，因此FN引脚在很大程度上绕过

评估板上，看到上面的FN （ 3 ） 。

的+ VDD的输入（ 2,6）都被旁路（ C 1 -C 3 ， C 5 -C 7 ） ，这是在除了内部旁路提到previ-

发声。用于该功能的电容器必须是能够支撑RMS电流与栅的频率

负载。

甲50Ω （R 4）载荷用于评价DRF1200的输出性能。

050-4913

REV A

2-2006

DRF1200

图3 ，排水&电流波形

图4 ，沥干下降时间

在图3中，我们看到的漏极电压800V秋季和13.6A在50Ω负载电流上升。漏极电压的下降时间是3.4ns 10％

至90％ ，如图4 。

如图5所示，典型的电容与漏 - 源极电压

图6 ，典型的最大安全工作区

REV A

2-2006

图7 ，最大有效瞬态热阻抗，结至-Case与脉冲持续时间

050-4913

DRF1200

0.275

0.200

10

来源

GND

0.369

9

漏

0.200

8

来源

GND

0.275

0.090峡

典型值。

0.300

0.115英寸清除4处

5600

5600

5600

5600

APT

DRF1200

0.750

5600

5600

5600

5600

1.00

0.300

1

GND

+V

DD

0.06

2

3

4

5

6

7

GND

.050峡典型。

0.005英寸典型值。半硬

铜镀金

0.100

+V

DD

FN

在SG + V

DD

0.04

1.25

1.500

0.040

0.300

图8中， DRF1200机械概要

050-4913

REV A

2-2006