DP8573A实时时钟（ RTC）的
1993年5月
DP8573A实时时钟（ RTC）的
概述
该DP8573A是用于基于微处理器使用
在需要进行多任务处理的数据信息系统
记录或当天的最新信息该装置一般时间
在低电压硅栅microCMOS实现技
术中备用电池提供低待机功耗恩
vironments该电路的结构是这样的，它看起来
像内存或IO口组织成一个连续的块
32字节的一个块，包括控制寄存器
时钟计数器的报警比较RAM和时间
保存RAM
时间和日期被保持为1 100的第二到
年，闰年的BCD格式12或24小时模式
周和月柜台一天一天提供时间
通过一个片上晶体振荡器只需要控制
在加入32 768 kHz的晶体和两个电容器的
电源故障逻辑和控制功能已integrat-
编片上，此逻辑用于通过RTC的发出功率
故障中断并锁定了
mP
接口供电时间
失败可能会记录到RAM中时， V自动
BB
l
V
CC
另外两个电源引脚提供了当V
BB
l
V
CC
内部电路会从自动切换
主供应到电池电源
该DP8573A的中断结构提供了三种基本的
类型的周期性中断告警比较和电源
故障中断屏蔽寄存器和状态寄存器使能屏蔽
简单地分析每一个中断
特点
Y
Y
Y
全功能的实时时钟日历
12 24小时制计时
一周计日
并联谐振振荡器
掉电功能
内部电源开关，外接电池
电源母线故障保护
自动登录的时间为停电RAM
芯片的中断结构
定期报警，电源故障中断
框图
TL F 9981 - 1
图1
TRI- STATE是美国国家半导体公司的注册商标。
C
1995年全国半导体公司
TL F 9981
RRD - B30M75印制在U S A
绝对最大额定值
（注1
2)
操作条件
电源电压（V
CC
） （注3）
电源电压（V
BB
） （注3）
DC输入或输出电压
(V
IN
V
OUT
)
工作温度（T
A
)
ELECTR静电放电额定值
晶体管数量
典型值
i
JA
DIP
板
插座
i
JA
PLCC
板
插座
民
45
22
00
b
40
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
电源电压（V
CC
)
直流输入电压（V
IN
)
直流输出电压（V
OUT
)
存储温度范围
b
0至5V
a
7 0V
b
0 5V至V
CC
a
0 5V
b
0 5V至V
CC
a
0 5V
b
65℃，以
a
150 C
最大
55
V
CC
b
0 4
V
CC
a
85
单位
V
V
V
C
kV
1
10 300
59 C宽
65 C宽
80 C宽
88 C宽
功率耗散（ PD ）
引线温度（焊接10秒）
500毫瓦
260 C
DC电气特性
V
CC
e
5V
g
10% V
BB
e
3V V
PFAIL
l
V
IH
C
L
e
100pF的（除非另有规定）
符号
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
IN
I
OZ
I
LKG
I
CC
参数
高电平输入电压
（注4 ）
低电平输入电压
高电平输出电压
（不包括OSC OUT ）
低电平输出电压
（不包括OSC OUT ）
输入电流（除OSC IN）
输出三态电流
输出高泄漏电流
T1 MFO INTR引脚
静态电源电流
（注6 ）
条件
任何输入，除了OSC IN
OSC与外部时钟
所有的输入，除了OSC IN
OSC与外部时钟
I
OUT
E B
20
mA
I
OUT
E B
4 0毫安
I
OUT
e
20
mA
I
OUT
e
4 0毫安
V
IN
e
V
CC
或GND
V
OUT
e
V
CC
或GND
V
OUT
e
V
CC
或GND
输出开漏
F
OSC
e
32 768千赫
V
IN
e
V
CC
或GND （注5 ）
V
IN
e
V
CC
或GND （注6 ）
V
IN
e
V
IH
或V
IL
（注6 ）
V
BB
e
GND
V
IN
e
V
CC
或GND
F
OSC
e
32 768千赫
V
CC
e
GND
OSC OUT
e
开路
其它引脚
e
GND
F
OSC
e
32 768千赫
2 2V
s
V
BB
s
4 0V
其它引脚的GND
V
CC
e
GND
V
CC
e
5 5V
V
CC
b
0 1
35
01
0 25
g
1 0
g
5 0
g
5 0
民
20
V
BB
b
0 1
最大
单位
V
V
08
01
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
250
10
12 0
40
mA
mA
mA
mA
I
CC
静态电源电流
（单电源模式）
（注7 ）
待机模式下电池
电源电流
（注7 ）
电池漏液
I
BB
10
mA
I
BLK
15
b
5
mA
mA
注1
绝对最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值
注2
除非另有说明，所有电压参考地
注3
在电池供电模式下V
BB
s
V
CC
b
0 4V
单电源模式下数据保存电压为2V 2分钟
在单电源模式（电源连接到V
CC
针） 4 5V
s
V
CC
s
5 5V
注4
这个参数（V
IH
）不同时测试所有引脚上
注5
该规范的测试我
CC
与所有电源失效禁用寄存器1设置中断控制D7为0电路
注6
该规范的测试我
CC
与所有电源通过寄存器1设置中断控制D7到1次失败使电路
注7：
OSC IN是由测试寄存器的信号发生器驱动的内容
e
00 （ H）和MFO销没有被配置为缓冲振荡器出来
2
AC电气特性
V
CC
e
5V
g
10% V
BB
e
3V V
PFAIL
l
V
IH
C
L
e
100pF的（除非另有规定）
符号
读时序
t
AR
t
RW
t
CD
t
RAH
t
RD
t
DZ
t
RCH
t
DS
写时序
t
AW
t
WAH
t
CW
t
WW
t
DW
t
WDH
t
WCH
中断时序
t
卷
时钟过渡到INTR出典型的16 5
ms
地址有效写选前
写选后的地址保持（注9 ）
芯片选择到结束写选的
写选通脉冲宽度（注10 ）
数据有效到写选结束
写选通后数据保持（注9 ）
写选通后，片选保持
20
3
90
80
50
3
0
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
有效解决之前，读选通
读选通脉冲宽度（注8 ）
片选到数据有效时间
后读（注9 ）地址保持
读选通到有效数据
阅读或片选来TRI- STATE
读选通后，片选保持
读或写访问的最小无效时间
0
50
3
70
60
20
80
80
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
参数
民
最大
单位
注8
读选通脉冲宽度，在所读出的时序表中所用被定义为周期当两个芯片选择和读取输入低因此读取时开始
两个信号变低并终止时，无论信号返回高
注9
保持时间是由设计保证，但未经生产测试此限制不用于计算离任的质量水平
注10
写选通脉冲宽度的写入时序表中所用被定义为周期当两个片选和写输入是低的。因此写开始时
两个信号变低并终止时，无论信号返回高
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出
参考电平
TRI- STATE参考
水平（注12 ）
GND至3 0V
6毫微秒（10 ％-90％）
1 3V
高电平有效
a
0 5V
低电平有效
b
0 5V
注11
C
L
e
100 pF的包括夹具和范围电容
注12
S1
e
V
CC
积极从低到高阻抗测量
S1
e
GND为高电平高阻抗测量
S1
e
开放所有其他定时测量
电容
(T
A
e
25 C
符号
C
IN
C
OUT
参数
（注14 ）
输入电容
f
e
1兆赫）
TL F 9981 - 2
典型值
5
7
单位
pF
pF
输出电容
注13
这个参数不是100 ％测试
注14
输出上升时间和下降时间25 ns（最大值） （ 10 ％ -90 ％） ，100 pF负载
3
连接图
双列直插式
塑料芯片载体
TL F 9981 - 5
顶视图
订单号DP8573AN
见NS包装数N24C
TL F 9981 - 6
顶视图
订单号DP8573AV
见NS包装数V28A
功能说明
该DP8573A包含一个快速访问实时时钟接口
中断控制逻辑和电源故障检测逻辑的所有功能
RTC的是由一组七个注册一个simpli-控制
田间框图，显示了主要功能块是
在给定的
图1
这些块在下面的章节中描述
1实时时钟
2振荡器预分频器
3中断逻辑
4个电源故障逻辑
5其他供应管理
RTC的存储器映射中示出的存储器AD-
梳妆台
（图2）
在主状态的控制位
寄存器用来选择控制寄存器块
两个V初始上电
BB
和V
CC
V
BB
和V
CC
在任何序列可应用于为了使
电源故障电路正常工作时的功率
已关闭的V
CC
引脚必须看到地面通过的路径
最大的1 MX的用户应该知道， CON组
控制寄存器将包含随机数据的用户应恩
确保RTC是不是在测试模式（见寄存器descrip-
系统蒸发散）
实时时钟功能描述
如图
图2
时钟有8个字节计数器
其中从1数100的第二年，以每个计数器
在BCD计数，并同步时钟计数SE-
钟内quence的单个字节的计数器是
后来在表七，注意事项显示，一周一天的日子
一个月和一个月柜台都翻转到1小时
12小时模式计数器计满1和AM PM位
切换时的时间翻转到12 （ AM
e
下午12时
e
1)
在AM PM位D7位的小时计数器
所有其他计数器翻转到0后的初次申请
电源的计数器将包含随机信息
TL F 9981 - 7
图2 DP8573A内部存储器映射
5
QQ：2881677436 复制
