DP8483 TTL到100K ECL电平转换器与锁存
1990年4月
DP8483 TTL到100K ECL电平转换器与锁存
概述
该电路转换TTL输入电平ECL输出电平
并提供了秋天，通过锁存器的输出与门
CS提供的输出选通和芯片线的ORing
选择输入的ECL电平操作
特点
Y
Y
Y
Y
Y
16引脚DIP或S 0
ECL控制输入
CS为输出的总线线的ORing
10万ECL I O兼容
3 0 ns典型传播延迟
逻辑连接示意图
双列直插式封装
真值表
D
H
L
X
X
Q
L
H
Q
L
STR
L
L
H
X
CS
H
H
H
L
H
e
高级别（最大）
L
e
低电平（最负）
X
e
不在乎
订单号DP8483J
DP8483M或DP8483N
见NS包装数J16A M16B或N16A
TL F 5864 - 1
顶视图
C
1995年全国半导体公司
TL F 5864
RRD - B30M105印制在U S A
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
V
EE
电源电压
V
CC
电源电压
输入电压（ ECL）的
输入电压（ TTL）的
输出电流
b
8V
在25℃时最大功率耗散
模压封装
储存温度
减免模压封装11 8毫瓦C以上25°C
1476毫瓦
b
65℃，以
a
150 C
7V
GND到V
EE
b
1V至5V 5
50毫安
推荐工作
条件
V
EE
电源电压
V
CC
电源电压
T
A
环境温度
b
4 5V
a
7%
5 0V
g
10%
0 ℃至85℃
电气特性
（ TTL逻辑）（注2和3）
符号
V
IL
V
IH
I
IL
I
IH
V
钳
I
CC
参数
输入低电压
输入高电压
输入低电平电流
输入高电流
输入钳位电压
电源电流
V
IN
e
0 5V
V
IN
e
2 5V
I
IN
eb
12毫安
V
CC
e
5 5V
20
b
25
b
200
条件
民
典型值
最大
08
单位
V
V
mA
mA
V
mA
10
b
0 9
40
b
1 2
10
20
电气特性
（ ECL逻辑）（注2和3）
符号
V
IL
V
IH
I
IL
I
IH
V
OL
V
OH
V
OLC
V
OHC
I
EE
参数
输入低电压
输入高电压
输入低电平电流
输入高电流
输出低电压
输出高电压
输出低电压
输出高电压
电源电流
条件
V
EE
eb
4 5V
V
EE
eb
4 5V
V
IN
eb
1 8V
V
IN
eb
0 8V
V
EE
eb
4 5V
V
EE
eb
4 5V
V
EE
eb
4 5V
V
EE
eb
4 5V
V
EE
eb
4 8V
b
1035
b
65
b
85
b
1810
b
1025
民
b
1810
b
1165
典型值
最大
b
1475
b
880
单位
mV
mV
mA
mA
mV
mV
mV
mV
mA
45
75
b
1705
b
955
150
200
b
1620
b
880
b
1610
开关特性
（注2和4）
符号
t
PD1
t
PD2
t
S
t
H
t
PW
t
PD3
t
SCS
参数
选通输出延迟
数据输出延迟
数据建立时间选通
数据保持时间
选通脉冲宽度
芯片选择到输出延迟
数据建立时间芯片选择
（注4 ）
条件
民
15
25
50
10
50
10
55
典型值
30
45
20
0
30
25
30
40
最大
60
75
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注1
'绝对最大额定值''是这些值超出该设备的安全性不能保证它们不意味着暗示该设备
应该在这些限制条件下运行的'电气特性''下表提供了器件的实际操作情况
注2
除非另有说明，最小值最大值限制跨越0 ℃至85℃的环境温度范围内适用于静止空气中和在整个指定的电源变化
所有典型值是25 ℃，额定电源
注3
所有电流为器件引脚均显示为阳性的所有电流超出器件引脚都显示为阴性所有电压以地为参考，除非
另有规定编
注4
除非另有说明，所有的交流测量从TTL输入的1 5V的电平，并以引用的50 ％点处的电致化学发光信号和一个
50X电阻
b
2V是负载ECL输入上升和下降时间0 7纳秒
g
从20％到80％的TTL输入特性0 1纳秒为0V到3V用叔
r
e
t
f
s
3纳秒测
从10％到90％的
2
DP8483 TTL到100K ECL电平转换器与锁存
1990年4月
DP8483 TTL到100K ECL电平转换器与锁存
概述
该电路转换TTL输入电平ECL输出电平
并提供了秋天，通过锁存器的输出与门
CS提供的输出选通和芯片线的ORing
选择输入的ECL电平操作
特点
Y
Y
Y
Y
Y
16引脚DIP或S 0
ECL控制输入
CS为输出的总线线的ORing
10万ECL I O兼容
3 0 ns典型传播延迟
逻辑连接示意图
双列直插式封装
真值表
D
H
L
X
X
Q
L
H
Q
L
STR
L
L
H
X
CS
H
H
H
L
H
e
高级别（最大）
L
e
低电平（最负）
X
e
不在乎
订单号DP8483J
DP8483M或DP8483N
见NS包装数J16A M16B或N16A
TL F 5864 - 1
顶视图
C
1995年全国半导体公司
TL F 5864
RRD - B30M105印制在U S A
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
V
EE
电源电压
V
CC
电源电压
输入电压（ ECL）的
输入电压（ TTL）的
输出电流
b
8V
在25℃时最大功率耗散
模压封装
储存温度
减免模压封装11 8毫瓦C以上25°C
1476毫瓦
b
65℃，以
a
150 C
7V
GND到V
EE
b
1V至5V 5
50毫安
推荐工作
条件
V
EE
电源电压
V
CC
电源电压
T
A
环境温度
b
4 5V
a
7%
5 0V
g
10%
0 ℃至85℃
电气特性
（ TTL逻辑）（注2和3）
符号
V
IL
V
IH
I
IL
I
IH
V
钳
I
CC
参数
输入低电压
输入高电压
输入低电平电流
输入高电流
输入钳位电压
电源电流
V
IN
e
0 5V
V
IN
e
2 5V
I
IN
eb
12毫安
V
CC
e
5 5V
20
b
25
b
200
条件
民
典型值
最大
08
单位
V
V
mA
mA
V
mA
10
b
0 9
40
b
1 2
10
20
电气特性
（ ECL逻辑）（注2和3）
符号
V
IL
V
IH
I
IL
I
IH
V
OL
V
OH
V
OLC
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OHC
I
EE
参数
输入低电压
输入高电压
输入低电平电流
输入高电流
输出低电压
输出高电压
输出低电压
输出高电压
电源电流
条件
V
EE
eb
4 5V
V
EE
eb
4 5V
V
IN
eb
1 8V
V
IN
eb
0 8V
V
EE
eb
4 5V
V
EE
eb
4 5V
V
EE
eb
4 5V
V
EE
eb
4 5V
V
EE
eb
4 8V
b
1035
b
65
b
85
b
1810
b
1025
民
b
1810
b
1165
典型值
最大
b
1475
b
880
单位
mV
mV
mA
mA
mV
mV
mV
mV
mA
45
75
b
1705
b
955
150
200
b
1620
b
880
b
1610
开关特性
（注2和4）
符号
t
PD1
t
PD2
t
S
t
H
t
PW
t
PD3
t
SCS
参数
选通输出延迟
数据输出延迟
数据建立时间选通
数据保持时间
选通脉冲宽度
芯片选择到输出延迟
数据建立时间芯片选择
（注4 ）
条件
民
15
25
50
10
50
10
55
典型值
30
45
20
0
30
25
30
40
最大
60
75
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注1
'绝对最大额定值''是这些值超出该设备的安全性不能保证它们不意味着暗示该设备
应该在这些限制条件下运行的'电气特性''下表提供了器件的实际操作情况
注2
除非另有说明，最小值最大值限制跨越0 ℃至85℃的环境温度范围内适用于静止空气中和在整个指定的电源变化
所有典型值是25 ℃，额定电源
注3
所有电流为器件引脚均显示为阳性的所有电流超出器件引脚都显示为阴性所有电压以地为参考，除非
另有规定编
注4
除非另有说明，所有的交流测量从TTL输入的1 5V的电平，并以引用的50 ％点处的电致化学发光信号和一个
50X电阻
b
2V是负载ECL输入上升和下降时间0 7纳秒
g
从20％到80％的TTL输入特性0 1纳秒为0V到3V用叔
r
e
t
f
s
3纳秒测
从10％到90％的
2
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