DMG963H1
NPN硅外延平面型（ Tr1的）
PNP硅外延平面型（ TR2）
对于数字电路
DMG563H1在SSMini5型封装
特点
低集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
无卤/符合RoHS标准
（欧盟RoHS / UL - 94 V - 0 / MSL ： Level 1标准）
单位：mm
标识标志： T1
基本型号
DRC2144E + DRA2143X （集电极基连接）
1 ：发射器（ Tr1的）
2 ：基地（ Tr1的）
3 ：发射器（ TR2）
松下
JEITA
CODE
（ B2，C1 ）
5
Tr1
R
2
R
1
R
2
包装
DMG963H10R浮雕式（热压密封） ： 8000个/卷（标准）
绝对最大额定值
T
a
= 25°C
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
Tr1
集电极 - 发射极电压（基本开）
集电极电流
集电极 - 基极电压（发射极开路）
Tr2
集电极 - 发射极电压（基本开）
集电极电流
总功耗
总体结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
T
T
j
T
英镑
等级
50
50
100
–50
–50
–100
125
150
-55到+150
单位
V
V
mA
V
V
mA
mW
°C
°C
4 ：捕集器（ TR2）
5 ：基地（ TR2）
捕集器（ Tr1的）
SSMini5-F4-B
SC-107BB
SOT-665
(C2)
4
Tr2
R
1
1
(E1)
2
(B1)
3
(E2)
阻力
价值
Tr1
Tr2
R
1
R
2
R
1
R
2
47
47
4.7
10
kΩ
kΩ
kΩ
kΩ
出版日期： 2013年2月
版本。 DED
1
DMG963H1
电气特性
T
a
= 25°C±3°C
Tr1
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
集电极 - 基极截止电流（发射极开路）
集电极 - 发射极截止电流（基地开）
发射极 - 基极截止电流（集电极开路）
正向电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
输入电压（ ON）的
输入电压（OFF）的
输入阻抗
电阻率
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
我（上）
V
我（关闭）
R
1
R
1
/ R
2
条件
I
C
= 10 μA ，我
E
= 0
I
C
= 2毫安，我
B
= 0
V
CB
= 50 V，I
E
= 0
V
CE
= 50 V，I
B
= 0
V
EB
= 6 V，I
C
= 0
V
CE
= 10 V，I
C
= 5毫安
I
C
= 10 mA时，我
B
- 0.5毫安
V
CE
- 0.2 V，I
C
= 5毫安
V
CE
= 5 V，I
C
= 100 A
–30%
0.8
47
1.0
3.6
0.8
+30%
1.2
80
0.25
民
50
50
0.1
0.5
0.1
典型值
最大
单位
V
V
A
A
mA
V
V
V
kΩ
注）的测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法的晶体管。
Tr2
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
集电极 - 基极截止电流（发射极开路）
集电极 - 发射极截止电流（基地开）
发射极 - 基极截止电流（集电极开路）
正向电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
输入电压（ ON）的
输入电压（OFF）的
输入阻抗
电阻率
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
我（上）
V
我（关闭）
R
1
R
1
/ R
2
条件
I
C
= -10 μA ，我
E
= 0
I
C
= -2毫安，我
B
= 0
V
CB
= -50 V，I
E
= 0
V
CE
= -50 V，I
B
= 0
V
EB
= -6 V，I
C
= 0
V
CE
= -10 V，I
C
= -5毫安
I
C
= -10毫安，我
B
= - 0.5毫安
V
CE
= - 0.2 V，I
C
= -5毫安
V
CE
= -5 V，I
C
= –100 A
–30%
0.37
4.7
0.47
–1.7
– 0.6
+30%
0.57
30
– 0.25
民
–50
–50
– 0.1
– 0.5
–1.0
典型值
最大
单位
V
V
A
A
mA
V
V
V
kΩ
注）的测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法的晶体管。
版本。 DED
2
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