DP84600R DP84605R薄膜MIG磁头读写前置放大器
初步
1994年4月
DP84600R DP84605R
薄膜MIG磁头读写前置放大器
概述
该DP84600R DP84605R是5V高性能4
通道低功耗前置放大器读取写入电流驱动器
设计为双端记录头应用中的一个
空闲模式下可用它来节省功率的电平
0 5毫瓦（典型值） ，当启动电源故障亲
tection包含禁用写电流发生器
只要电源电压低于4V两个部分新断路器
porate 300X写阻尼
该DP84600R为300的读出增益对200的
DP84605R
根据要求的其他选项，如其他读取收益PECL
输入无阻尼和不同的包装可
特点
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
低输入电容12 pF的典型
低输入噪声0 49纳伏
0
赫兹典型
低功耗100 mW的典型读取模式
极低的待机功耗0 5 mW的典型
写可编程电流源（ 1毫安 - 40 mA）的
在写入模式下的低电源保护
头接地短路保护
插头兼容VTC VM7204 7104 7114
单5V电源
框图
TL F 11990 - 1
图1电路框图
这个初步文档包含在包含在基于开发规范产品信息
设计目标或有限的数据量，并随时更改，恕不另行通知美国国家半导体公司保留
有权更改或终止本产品，恕不另行通知
C
1995年全国半导体公司
TL F 11990
RRD - B30M105印制在U S A
表I引脚说明
引脚名称
V
CC
WDI
HS0 HS1
R W
CS
H0X H0Y
通过
H3X H3Y
WUS
RDX RDY
WC
GND
PIN TYPE
电源
输入（ TTL）的
输入（ TTL）的
输入（ TTL）的
输入（ TTL）的
输出
引脚功能说明
电源引脚（ 5V
g
10 ％ ），这些引脚（ 10和13 ）在内部短路
上WDI各负过渡切换X和Y头之间的头当前
连接
逻辑电平被施加到这些引脚选择1 4的头（见表Ⅱ）
一个逻辑高电平选择读模式，而低逻辑电平选择写入模式的CS引脚
必须是低逻辑电平使此操作被激活（见表III ）
一个高逻辑电平禁止器件的动作，并把读出的数据输出（ RDX RDY ）
成为高阻抗状态
X和Y连接到读写头
产量
产量
产量
地
逻辑高电平，在这个引脚说明其中的几个条件已经由内部检测
电路，使得编写不安全
差分读出的数据输出
电阻从这个引脚到地来控制写入电流的大小相连（见
公式中的写模式介绍）
接地装置
设备模式的选择（写读或闲置）也
通过两个引脚片选（ CS ）和读控制
写（RW）表Ⅲ中定义了每个combi-的结果
这两个引脚的国家，这些引脚具有内部上拉
使空闲状态时，选择一个开放的电阻
这两个引脚上存在的条件
表三模式选择
CS
0
0
1
1
TL F 11990 -2
接线图
R W
0
1
0
1
模式中选择
写
读
空闲
空闲
订单号DP84600R或DP84605R
见NS包装数M20B或MSA20
图2连接图
写模式
在写入模式通过设置CS和RW时输入
逻辑低的值在写入模式下的设备作为
电流开关的X和Y双方之间切换
在每个高到低逻辑电平跃迁的选择头
写数据输入（ WDI ）进入写在
从读模式模式的写入数据触发器是初始
化，以通入所选择的头的X侧电流
的写电流的大小是由外部设定
电阻R
写
连接WC引脚之间
地写入电流和之间的关系
写电阻
I
写
e
A
WC
c
V
WC
R
写
基本电路工作原理
该DP84600R DP84605R可以处理多达四两，三 -
minal薄膜磁头提供写电流驱动器中的
写模式或读出的数据放大，在读出模式
头的选择由逻辑状态上的两个引脚控制
磁头选择0 （ HS0 ）和磁头选择1 （ HS1 ）表
二定义的这两个引脚的每个组合的结果
这些引脚有内部下拉电流，使头0
如果这两个引脚上的开放情况存在选择
表二头选择
HS1
0
0
1
1
HS0
0
1
0
1
头精选
0
1
2
3
2
其中A
WC
是电流增益（见写入模式DC Electri-
CAL特性表）
绝对最大额定值
操作超出这些限制可能会永久损坏设备
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
电源电压（V
CC
)
数字输入电压
最大水头端口电压
最大输出电流（ RDX RDY ）
7V
b
0至3V （V
CC
a
0 3)V
b
0至3V （V
CC
a
0 3)V
b
10毫安
最大输出写入电流
ESD易感性（注1 ）
存储温度范围
注1
人体模型被使用（ 120 pF的1至5的kX ）
60毫安
2000V
b
65℃，以
a
150 C
推荐工作
条件
电源电压（V
CC
)
经营自由的空气
温度范围（T
A
)
民
45
0
典型值
5
最大
55
70
单位
V
C
一般DC电气特性
除非另有说明，保证了推荐工作的自由空气的温度和电源电压范围
符号
I
CCR
I
CCW
I
CCI
PD
R
PD
W
PD
I
V
IH（ TTL）的
V
白细胞介素（ TTL ）
I
IH（ TTL）的
I
白细胞介素（ TTL ）
参数
电源电流
（阅读模式）
电源电流
（写模式）
电源电流
（空闲模式）
功耗
（阅读模式）
功耗
（写模式）
功耗
（空闲模式）
TTL输入高电压
TTL输入低电压
TTL输入大电流
TTL输入低电平电流
条件
CS
e
L R W
e
H
CS
e
R W
e
L
CS
e
H
CS
e
L R W
e
H
CS
e
L R W
e
L
CS
e
H
2
b
0 3
b
100
b
100
民
典型值
（注1 ）
20
20
a
1 1 (I
W
)
01
100
100
a
5 5 (I
W
)
05
最大
28
27
a
1 1 (1
W
)
0 27
154
150
a
6 (I
W
)
15
V
CC
a
0 3
08
100
100
单位
mA
mA
mA
mW
mW
mW
V
V
mA
mA
TEST
注一
注一
注一
注一
注一
注一
注一
注一
注一
注一
注1
典型值是在25℃和5V电源规定
注一
这个参数是由即将离任的测试保证
4
直流和交流电气特性阅读模式
保证推荐工作
条件（见附表） ，除非另有说明读取特性C
L（ RDX RDY ）
k
20 pF的
L（ RDX RDY ）
e
1的kX
符号
A
V
A
V
V
N
I
N
C
I
R
I
V
Irange
V
O（关）
R
O（ SE ）
I
OUT
V
O（ CM ）
BW
1dB
BW
3dB
CMMR
PSRR
CSRR
参数
差分电压增益
（注2 ）
差分电压增益
输入噪声电压
输入噪声电流
差分输入
电容
差分输入电阻
输入电压动态
范围
输出失调电压
单端输出
阻力
输出电流
共模输出
电压RDX RDY引脚
电压带宽
b
1分贝
电压带宽
b
3分贝
共模抑制
比
电源抑制
比
声道分离
V
IN
e
1毫伏
PP
Z
来源
k
5X
V
IN
e
1毫伏
PP
Z
来源
k
5X
V
CM
e
100毫伏
PP
DV
CC
e
100毫伏
PP
5兆赫
5兆赫
f
e
5兆赫
交流耦合负载RDX到RDY
15
2
40
80
60
60
50
2
V
CC
b
2 4
60
100
90
90
60
35
V
IN
e
1毫伏
PP
f
e
5兆赫
f
e
5兆赫V
IN
e
1毫伏
PP
f
e
5兆赫（注3）
720
4
b
150
条件
V
IN
e
1毫伏
PP
1兆赫
DP84600R只有
V
IN
e
1毫伏
PP
1兆赫
DP84605R只有
BW
e
15 MHz的L
h
e
R
h
e
0
民
25
160
典型值
（注1 ）
300
200
0 49
3
12
1250
6
最大
350
240
0 65
单位
V V
V V
nV
0
Hz
pA
0
Hz
TEST
注一
注一
注意： B
注意： B
注意： B
注一
注一
注一
注意： B
注一
注一
注意： B
注意： B
注一
注一
注一
17
pF
X
mV
PP
150
40
mV
X
mA
V
兆赫
兆赫
dB
dB
dB
未选择的通道为100mV
PP
注1
典型值是在25℃和5V电源规定
注2
不同的增益选项，从160到300查看订购信息存在
注3
动态的输入电压范围的限制被定义为其中增益下降到90％，它的小信号增益值的点
注一
这个参数是由即将离任的测试保证
注意： B
该限制值已经被定性数据没有传出试验进行确定
5
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