STD70NH02L
STD70NH02L-1
N沟道24V - 0.0062Ω - 60A - DPAK / IPAK
的STripFET II功率MOSFET
一般特点
TYPE
STD70NH02L-1
STD70NH02L
V
DSS
24V
24V
R
DS （ ON）
<0.008
<0.008
I
D
60A
(1)
60A
(1)
1.价值限于通过引线接合
■
■
■
■
3
1
DPAK
IPAK
3
2
1
R
DS （ ON）
* Q
g
行业的标杆
传导损耗而有所降低
开关损耗而有所降低
低阈值设备
描述
该设备采用最新的先进设计
意法半导体独有的STripFET 技术规则。
这适用于最苛刻的DC-DC
转换器应用中的高效率，是
来实现。
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STD70NH02LT4
STD70NH02L-1
记号
D70NH02L
D70NH02L
包
DPAK
IPAK
包装
磁带&卷轴
管
2006年7月
第5版
1/16
www.st.com
16
目录
STD70NH02L - STD70NH02L - 1
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
6
7
测试电路
................................................ 9
附录A 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
2/16
STD70NH02L - STD70NH02L - 1
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
尖峰（1）
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D (2)
I
D
I
DM （3）
P
合计
E
的AS （4）
T
j
T
英镑
绝对最大额定值
参数
漏源电压额定值
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20k)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏极电流（连续）在
T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
单脉冲雪崩能量
工作结温
储存温度
价值
30
24
24
± 20
60
50
240
70
0.47
360
-55至175
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
mJ
°C
1. Guaranted当外部RG = 4.7Ω和Tf<Tfmax
2.价值限于通过引线接合
3.脉冲宽度有限的安全工作区
4.启动TJ = 25°C ，ID = 30A ， VDD = 15V
表2中。
Rthj情况
Rthj - AMB
T
J
热数据
热阻结案件最大
热阻结到环境的最大
最大无铅焊接温度的目的
2.14
100
275
° C / W
° C / W
°C
3/16
电气特性
STD70NH02L - STD70NH02L - 1
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表3中。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 25毫安，V
GS
=0
V
DS
= 20V
V
DS
= 20V ，T
C
= 125°C
V
GS
= ± 20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 30A
V
GS
= 5V ，我
D
= 15A
1
1.8
0.0062
0.008
0.008
0.014
分钟。
24
1
10
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
表4 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
Q
oss(2)
动态
参数
前锋
跨
输入电容
输出电容
反向传输
电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输出充电
测试条件
V
DS
= 10V ，我
D
= 18A
分钟。
典型值。
27
2050
545
70
12
200
18
25
17
7.7
3.5
14
22
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
V
DS
= 25V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
V
DD
= 10V ，我
D
= 40A
R
G
= 4.7 V
GS
= 4.5V
（见
图13）
V
DD
= 5V ，我
D
= 60A,
V
GS
= 10V ，R
G
= 4.7
（见
图14）
V
DS
=10V, V
GS
=0V
F = 1MHz的直流门
偏压= 0测试信号
等级= 20mV的
漏极开路
R
G
门输入电阻
1
1.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
2. Q
操作系统。
= C
OSS
*
VIN ，C
OSS
= C
gd
+ C
GD 。
SEE
第4章：附录A
4/16
STD70NH02L - STD70NH02L - 1
电气特性
表5 。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
（脉冲的）
正向电压上
I
SD
= 30A ，V
GS
= 0
36
35
3.6
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
60
240
1.3
单位
A
A
V
ns
C
A
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复时间
I
SD
= 60A ，的di / dt = 100A / μs的，
反向恢复电荷V
DD
= 15V ，T
j
= 150°C
反向恢复电流（见
图15）
1.脉冲宽度有限的安全工作区。
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
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