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半导体
DN200F
NPN硅晶体管
特点
极低的集电极 - 发射极饱和电压
( V
CE （ SAT ）
= 0.2V典型。 @I
C
/I
B
=1A/50
)
适用于低电压大电流驱动器
互补配对DP200F
开关应用
订购信息
型号
DN200F
记号
N04
封装代码
SOT-89
外形尺寸
单位：
mm
引脚连接
1.基地
2.收集
3.辐射源
KST-2125-002
1
DN200F
绝对最大额定值
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
*：当安装在40 ×40× 0.8毫米陶瓷子状态
(Ta=25°C)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
P
C
*
T
J
T
英镑
评级
15
12
5
2
0.5
2
150
-55~150
单位
V
V
V
A
W
°C
°C
电气特性
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
(Ta=25°C)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
C
ob
测试条件
I
C
=50
, I
E
=0
I
C
=1
, I
B
=0
I
E
=50
, I
C
=0
V
CB
= 12V，我
E
=0
V
EB
= 5V ，我
C
=0
V
CE
= 1V ，我
C
=100
V
CE
= 1V ，我
C
=2A
I
C
= 1A ，我
B
=50
I
C
= 1A ，我
B
=50
V
CE
= 5V ，我
C
=50
V
CB
= 10V ，我
E
=0, f=1
分钟。典型值。马克斯。
15
12
5
-
-
200
40
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
260
5
-
-
-
0.1
0.1
450
-
0.3
1.2
-
-
单位
V
V
V
-
-
V
V
KST-2125-002
2
DN200F
电气特性曲线
图。 1 P
C
- T
a
½
图。 2我
C
- V
BE
图。 3小时
FE-
I
C
图。 4 V
CE （SAT） -
I
C
KST-2125-002
3
DN200F
这些AUK产品用于使用一般的电子设备（办公室和
通信设备，测量设备，国内电气化等） 。
请确保您与我们协商，然后再在equipm-使用这些AUK产品前
ents需要高品质和/或可靠性，并在设备，而可能
主要影响到人类生活（原子能控制，飞机，飞船，交通福利
信号，燃烧中心，所有类型的安全装置，等等）。
AUK不能接受赔偿责任可能发生的情况下，这些AUK产品的任何损坏
用于在上述设备没有与AUK事先咨询。
KST-2125-002
4
DN200F
NPN硅晶体管
特点
极低的集电极 - 发射极
饱和电压
( V
CE （ SAT ）
= 0.2V典型。 @I
C
/I
B
=1A/50
)
适用于低电压大电流驱动器
互补配对DP200F
开关应用
引脚连接
SOT-89
订购信息
型号
DN200F
04 ：设备代码，
记号
N04
YWW
封装代码
SOT-89
YWW （ Y：年份代码， WW ：每周代码）
绝对最大额定值
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
(Ta=25°C)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
*
P
C
P
C
**
T
J
T
英镑
评级
15
12
5
2
4
0.5
1
150
-55~150
单位
V
V
V
A（ DC ）
A（脉冲）
W
°C
°C
集电极耗散功率
结温
储存温度
*：单脉冲， TP = 300
**：当安装在陶瓷基体（ 250
×0.8t)
KSD-T5B010-001
1
电气特性
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
(Ta=25°C)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
C
ob
测试条件
I
C
=50
, I
E
=0
I
C
=1
, I
B
=0
I
E
=50
, I
C
=0
V
CB
= 12V，我
E
=0
V
EB
= 5V ，我
C
=0
V
CE
= 1V ，我
C
=100
V
CE
= 1V ，我
C
=2A
I
C
= 1A ，我
B
=50
I
C
= 1A ，我
B
=50
V
CE
= 5V ，我
C
=50
V
CB
= 10V ，我
E
=0, f=1
分钟。典型值。马克斯。
15
12
5
-
-
200
40
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
260
5
-
-
-
0.1
0.1
450
-
0.3
1.2
-
-
单位
V
V
V
-
-
V
V
*的hFE排名： 200 450只
KSD-T5B010-001
2
DN200F
电气特性曲线
图。 1 P
C
- T
a
½
图。 2我
C
- V
BE
图。 3小时
FE-
I
C
图。 4 V
CE （SAT） -
I
C
KSD-T5B010-001
3
DN200F
外形尺寸（毫米）
※推荐
PCB焊盘[单位：mm ]
KSD-T5B010-001
4
DN200F
该AUK公司产品用于使用在一般的电子元件
设备（办公室和通信设备，测量设备，家用
设备等）。
请确保您与我们协商，然后再使用这些AUK公司产品前
在需要较高的质量和/或可靠性，设备和在设备，而
可能主要影响到人类生活的福利（原子能控制，飞机，
飞船，运输，燃烧控制，所有类型的安全装置，等等）。 AUK
公司不承担责任，以可能发生的情况下，这些AUK公司的任何损害
产品使用在上述设备不与AUK事先协商
公司..
本出版物中提到的规格如有变更，恕不另行通知。
KSD-T5B010-001
5
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封装
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