产品speci fi cation
DMP3160L
P沟道增强型MOSFET
产品概述
V
（ BR ） DSS
-30V
R
DS （ ON）
122m @ V
GS
= -10V
190m @ V
GS
= -4.5V
I
D
T
A
= +25°C
-2.7A
-2.0A
特点
低导通电阻
低栅极阈值电压
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
完全无铅&完全符合RoHS （注1 & 2 ）
卤素和无锑。 “绿色”设备（注3 ）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
描述
这种新一代的MOSFET的设计，以减少导通
态电阻（R
DS （ ON）
），并同时保持出色的开关
性能，使其非常适用于高效率电源管理
应用程序。
机械数据
案例： SOT23
外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑料。
UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级
码头：完成
雾锡比退火铜引线框架。
每MIL -STD- 202方法208
e3
终端连接：见图
重量： 0.008克（近似值）
漏
应用
DC- DC转换器
电源管理功能
SOT23
D
门
体
二极管
G
S
来源
顶视图
顶视图
等效电路
订购信息
（注4 & 5 ）
产品型号
DMP3160L-7
DMP3160LQ-7
注意事项：
合规
标准
汽车
例
SOT23
SOT23
包装
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
1.没有故意添加铅。全欧盟指令2002/ 95 / EC指令（RoHS ） & 2011/65 / EU指令（RoHS 2 ）兼容。
2.卤素 - 锑 - 自由"Green “的产品被定义为那些含有<900ppm溴， <900ppm氯（ <1500ppm总溴+ Cl）的和
<1000ppm锑化合物。
标识信息
PS3 =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年（例如： U = 2007）
M =月（例如： 9 =九月）
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
2007
U
JAN
1
FEB
2
2008
V
MAR
3
2009
W
APR
4
2010
X
五月
5
JUN
6
2011
Y
JUL
7
2012
Z
八月
8
2013
A
SEP
9
十月
O
2014
B
NOV
N
2015
C
DEC
D
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
1 2
产品speci fi cation
DMP3160L
最大额定值
(@T
A
= + 25 ℃，除非另有说明）。
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流（注6 ）V
GS
= -10V
漏电流脉冲（注7 ）
稳定
状态
T
A
= +25°C
T
A
= +70°C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
价值
-30
±20
-2.7
-2
-8
单位
V
V
A
A
热特性
特征
总功率耗散（注6 ）
热阻，结到环境@T
A
= + 25 ° C（注6 ）
工作和存储温度范围
符号
P
D
R
θJA
T
J,
T
英镑
价值
1.08
115
-55到+150
单位
W
° C / W
°C
电气特性
(@T
A
= + 25 ℃，除非另有说明）。
特征
开关特性（注8）
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅源漏
基本特征（注8 ）
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向转移导纳
二极管的正向电压（注8 ）
动态特性（注9 ）
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
总栅极电荷（V
GS
= -4.5V)
总栅极电荷（V
GS
= -10V)
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
注意事项：
符号
BV
DSS
民
-30
典型值
最大
-800
80
800
-2.1
122
190
-1.26
单位
V
nA
nA
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= -250A
V
DS
= -30V, V
GS
= 0V
V
GS
=
12V,
V
DS
= 0V
V
GS
=
15V,
V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250A
V
GS
= -10V ，我
D
= -2.7A
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -2.0A
V
DS
= -5V ，我
D
= -2.7A
V
GS
= 0V时，我
S
= -2.7A
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
|Y
fs
|
V
SD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
-1.3
-1.8
97
165
5.9
384.4
59.4
52.8
17.1
4.0
8.2
0.9
1.2
4.8
7.3
22.5
13.4
V
m
S
V
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
DS
= -10V, V
GS
= 0V
F = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V,
F = 1.0MHz的
V
GS
= -10V/-4.5V,
V
DS
= -15V ，我
D
= -3A
V
DS
= -15V, V
GS
= -10V,
R
G
= 6, I
D
= -1A
3.设备安装在FR- 4 PCB 。吨
≤10
美国证券交易委员会。
4.脉冲宽度
≤10S,
占空比
≤1%.
5.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
6.通过设计保证。不受产品测试。
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