DMN66D0LT
N沟道增强型MOSFET
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特点
低导通电阻
低栅极阈值电压
低输入电容
开关速度快
小型表面贴装封装
ESD保护门， 1KV （ HBM ）
无铅/符合RoHS （注2 ）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
机械数据
SOT-523
新PROD UCT
案例： SOT- 523
外壳材料：模压塑料。 UL可燃性分类
等级94V -0
湿度灵敏性：每J- STD- 020D 1级
码头：每MIL -STD- 202方法208
无铅电镀（雾锡完成了退火合金42
引线框架） 。
终端连接：见图
标识信息：见第3页
订购信息：见第3页
重量： 0.002克（近似值）
漏
D
门
门
保护
二极管
G
来源
S
ESD保护， 1KV
顶视图
等效电路
顶视图
最大额定值
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
价值
60
±20
115
73
800
单位
V
V
mA
特征
漏源电压
栅源电压（注1 ）
漏电流（注1 ）
连续
连续
连续@ 100℃
脉冲
热特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
P
D
R
θ
JA
T
J,
T
英镑
价值
200
625
-55到+150
单位
mW
° C / W
°C
特征
总功耗
热阻，结到环境
工作和存储温度范围
电气特性
特征
开关特性（注3 ）
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
基本特征（注3 ）
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向跨导
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
注意事项：
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
DSS
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
@ T
J
= 25°C
@ T
J
= 125°C
R
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
D（关闭）
民
60
1.2
80
典型值
70
3.5
3.0
23
3.4
1.4
10
33
最大
1.0
500
±5
2.0
6
5
单位
V
A
μA
V
Ω
mS
pF
pF
pF
ns
ns
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 10μA
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 5.0V ，我
D
= 0.115A
V
GS
= 10V ，我
D
= 0.115A
V
DS
= 10V ，我
D
= 0.115A
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V ， F = 1.0MHz的
V
DD
= 30V ，我
D
= 0.115A ，R
L
= 150Ω,
V
根
= 10V
,
R
根
= 25Ω
1.装置安装在FR- 4 PCB ， 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸;如图所示的二极管公司焊盘布局建议焊盘布局文件AP02001 ，这
可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。
2.没有故意添加铅。
3.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
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文件编号： DS31530修订版2 - 2
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2008年9月
Diodes公司
DMN66D0LT
1
I
S
，源电流（ A）
0.1
T
A
= 150°C
T
A
= 125°C
新产品
0.01
T
A
= 85°C
0.001
T
A
= 25°C
T
A
= -55°C
0.0001
0.1
0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
V
SD
，源极 - 漏极电压（ V）
图。 7反向漏电流和源极 - 漏极电压
订购信息
产品型号
DMN66D0LT-7
注意事项：
（注4 ）
例
SOT-523
包装
3000 /磁带&卷轴
4.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
MN1 =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年份例如： V = 2008
M =月前： 9 =九月
MN1
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
2008
V
JAN
1
FEB
2
2009
W
MAR
3
2010
X
APR
4
五月
5
YM
2011
Y
JUN
6
2012
Z
JUL
7
八月
8
2013
A
SEP
9
2014
B
十月
O
NOV
N
2015
C
DEC
D
包装外形尺寸
A
B C
G
H
K
M
N
J
D
L
SOT-523
暗淡
民
最大
典型值
A
0.15
0.30
0.22
0.80
B
0.75
0.85
1.60
C
1.45
1.75
0.50
D
1.00
G
0.90
1.10
H
1.50
1.70
1.60
J
0.00
0.10
0.05
0.75
K
0.60
0.80
L
0.10
0.30
0.22
M
0.10
0.20
0.12
N
0.45
0.65
0.50
0°
8°
α
尺寸：mm
DMN66D0LT
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DMN66D0LT
拟议的焊盘布局
Y
Z
C
新产品
尺寸值（单位：mm）
Z
1.8
X
0.4
Y
0.51
C
1.3
E
0.7
X
E
重要通知
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改，补充，改进，修正或其他变更的权利
恕不另行通知任何产品在此。 Diodes公司不承担由此产生的任何产品的应用或使用任何责任
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反对一切损害无害。
生命支持
未经明确的书面Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件
审批Diodes公司的总裁。
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