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对产品线
Diodes公司
DMN3024LSS
30V N沟道增强型MOSFET
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产品概述
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
24mΩ @ V
GS
= 10V
30V
36mΩ @ V
GS
= 4.5V
6.9A
I
D
T
A
= 25°C
8.5A
特点和优点
低导通电阻
开关速度快
“绿色”成分，并符合RoHS标准（注1 ）
机械数据
案例： SO- 8
外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑料。 UL
可燃性分类额定值94V- 0 （注1 ）
湿度灵敏性：每J- STD- 020D 1级
终端连接：见图
码头：完成 - 雾锡比退火铜引线框架。
每MIL -STD- 202方法208
重量： 0.074克（近似值）
说明与应用
这种新一代的MOSFET的设计，以减少导通
态电阻（R
DS （ ON）
），并同时保持出色的开关
性能，使其非常适用于高效率电源管理
应用程序。
电机控制
背光
DC- DC转换器
电源管理功能
D
S
S
S
G
顶视图
顶视图
D
D
D
D
G
S
等效电路
订购信息
产品
DMN3024LSS-13
注意：
（注1 ）
记号
N3024LS
卷尺寸（英寸）
13
胶带宽度（mm）
12
QUANTITY每卷
2,500
1. Diodes公司将“绿色”产品为那些有欧盟RoHS标准，不含卤素和锑化合物;更多信息
关于Diodes公司的“绿色”政策可以在我们的网站上找到。用于包装的详细信息，请访问我们的网站。
标识信息
N3024LS =产品型号标识代码
=制造商的标志
YY WW =日期代码标
YY =年（例如： 09 = 2009）
WW =周（ 01-52 ）
N3024LS
YY WW
DMN3024LSS
文件版本： 3
1第8
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2009年7月
Diodes公司
对产品线
Diodes公司
DMN3024LSS
最大额定值
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GS
（注3）
T
A
= 70 ℃（注3）
（注2 ）
（注4 ）
（注3）
（注4 ）
I
D
I
DM
I
S
I
SM
价值
30
±20
8.5
6.8
6.4
36
4.5
36
单位
V
V
A
A
A
A
特征
V
GS
= 10V
漏电流脉冲
V
GS
= 10V
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
热特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
功耗
线性降额因子
热阻，结到环境
热阻，结领导
工作和存储温度范围
注意事项：
符号
（注2 ）
P
D
（注3）
（注2 ）
（注3）
（注5 ）
R
θ
JA
R
θ
JL
T
J
, T
英镑
价值
1.6
12.5
2.8
22.2
80
45
35
-55到150
单位
W
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
2.对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件;该装置是
在稳态条件下测量的操作时。
3.同注（2 ） ，除了设备测量在t
≤
10秒。
4.同注（2 ），除了该装置是脉冲的以D = 0.02和脉宽300微秒。该脉冲电流由最大结温限制。
从结点到焊接点（在漏极引线的端部）5.热电阻：该装置在稳态条件下工作。
DMN3024LSS
文件版本： 3
2第8
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2009年7月
Diodes公司
对产品线
Diodes公司
DMN3024LSS
热特性
100
1.6
最大功耗（ W）
R
DS （ ON）
有限
I
D
漏电流（ A）
10
1
DC
1s
100ms
10ms
单脉冲
T
AMB
=25°C
1ms
100s
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
20
40
60
80
25毫米x 25mm的
1盎司FR4
100m
10m
1m
100m
V
DS
漏源极电压（ V）
1
10
100 120 140 160
温度（℃）
安全工作区
80
70
60
50
40
30
20
10
0
100
1m
10m 100m
D=0.2
D=0.1
单脉冲
D=0.05
D=0.5
降额曲线
热阻（ ° C / W）
最大功率（W）的
T
AMB
=25°C
100
单脉冲
T
AMB
=25°C
10
1
10
100
1k
1
100
1m
10m 100m
1
10
100
1k
脉冲宽度（S ）
脉冲宽度（S ）
瞬态热阻抗
脉冲功率耗散
DMN3024LSS
文件版本： 3
3 8
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2009年7月
Diodes公司
对产品线
Diodes公司
DMN3024LSS
电气特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅源漏
基本特征
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻（注6 ）
正向跨导（注6 & 7 ）
二极管的正向电压（注6 ）
反向恢复时间（注7 ）
反向恢复电荷（注7 ）
动态特性（
注7：
)
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间（注8 ）
导通上升时间（注8 ）
关断延迟时间（注8 ）
关断下降时间（注8）
注意事项：
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
V
SD
t
rr
Q
rr
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
民
30
1.0
典型值
16.5
0.82
12
4.8
608
132
71
6.3
12.9
2.5
2.5
2.9
3.3
16
8
最大
0.5
±100
3.0
0.024
0.036
1.2
单位
V
μA
nA
V
S
V
ns
nC
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
V
DS
= 30V, V
GS
= 0V
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
I
D
= 250μA ，V
DS
= V
GS
V
GS
= 10V ，我
D
= 7.0A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 6.0A
V
DS
= 15V ，我
D
= 7.1A
I
S
= 1.7A ，V
GS
= 0V
I
S
= 2.2A ，的di / dt = 100A / μs的
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V
F = 1MHz的
V
DS
= 15V, V
GS
= 4.5V
I
D
= 7A
V
DS
= 15V, V
GS
= 10V
I
D
= 7A
V
DD
= 15V, V
GS
= 10V
I
D
= 1A ，R
G
6.0Ω
脉冲条件下测得6 。脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%
7.辅助设计只，不受生产测试。
8.开关特性是独立的工作结点温度。
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2009年7月
Diodes公司
对产品线
Diodes公司
DMN3024LSS
典型特征
10V
5V
I
D
漏电流（ A）
3.5V
I
D
漏电流（ A）
10
4V
T = 150℃
10V
4V
3.5V
3V
V
GS
10
1
3V
1
2.5V
0.1
中T = 25℃
0.1
2V
2.5V
V
GS
0.01
0.1
1.5V
0.01
0.1
V
DS
漏源极电压（ V）
1
10
V
DS
漏源极电压（ V）
1
10
输出特性
1.6
输出特性
归一化
DS （ ON）
和V
GS （ TH）
10
V
DS
= 10V
V
GS
= 10V
I
D
漏电流（ A）
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
-50
0
I
D
= 7A
R
DS （ ON）
T = 150℃
1
V
GS （ TH）
V
GS
= V
DS
I
D
= 250uA
中T = 25℃
0.1
典型的传输特性
R
DS （ ON）
漏源导通电阻（ W）
1000
中T = 25℃
V
GS
栅源电压（ V）
2
3
4
TJ结温（ ° C）
50
100
150
归一化曲线V温度
10
T = 150℃
V
GS
100
3V
I
SD
反向漏电流（ A）
2.5V
1
10
3.5V
0.1
中T = 25℃
1
0.1
0.01
0.01
4V
4.5V
10V
0.01
VGS = -3V
0.1
导通电阻V漏极电流
I
D
漏电流（ A）
1
10
1E-3
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
源极 - 漏极电压（ V）
源极 - 漏极二极管正向电压
DMN3024LSS
文件版本： 3
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DF13C-10S-1.25V
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