【调谐变容二极管选购指南调谐变容二极管选购指南页面表面贴装突发性硅调谐变容二极管1-32高Q硅突变结变】,IC型号DH7615051T10,DH7615051T10 PDF资料,DH7615051T10经销商,ic,电子元器件-51电子网

调谐变容二极管

选购指南

调谐变容二极管

选购指南

页面

表面贴装突发性硅调谐变容二极管

1-32

高Q硅突变结变容二极管调谐

-

VBR = 30 V

VBR = 45 V

1-34

1-35

硅超突变结变容二极管调谐

1-36

微波硅超突变结变容二极管调谐

1-39

调谐变容二极管是PN二极管，作为一个电压控制的电容器。这些设备执行

大家熟悉的，体积大，空气介质叠层电容器在传统的广播功能相同的功能

波段接收机。

1-31

销售处：请访问我们的网站：

http://www.temex.net

调谐变容二极管

塑料封装表面贴装硅调谐突然变容

SOT23表面贴装突发性硅

调谐变容二极管

描述

这一系列的硅调谐变容二极管具有外延台面设计具有耐高温

钝化。这项技术是用来生产急剧调整变容二极管的SOT23封装。这家家庭

被设计为低成本中到高容量市场可在磁带和卷轴供给

用于自动取放和组装的表面贴装电路板。

应用

该DH71000系列突然调变容在一个大的选择的电容范围提供。

它们提供了最高的Q因数（低反向串联电阻）可用于一个30伏的硅器件。

典型应用包括低噪声窄，中等带宽的应用

（ VCO为主）从高频到微波频率（高达3 GHz ）。其他应用程序电压调整

外部滤波器，移相器，延迟线等。

注意：

结电容与反向电压的变化遵循如下等式：

C

j

(V

r

)

=

C

j

(0 V)

1 + V

r

φ

[

]

γ

V

r

:

φ

:

γ

:

反向电压

内置的硅潜在.7V

0.5对于突然调变容

1-32

销售处：请访问我们的网站：

http://www.temex.net

调谐变容二极管

塑料封装表面贴装硅调谐突然变容

在Ta = + 25 ° C电气特性

反向击穿电压， VB = @ 10 μA ： 30 V分钟。

电动

参数

测试条件

TYPE

击穿

电压

V

BR

I

R

= 10 A

V

分钟。

连接点

电容

Cj

F = 1 MHz的

V

R

= 4 V

pF

(1)

调音

比

科幻gure

优点

Q

V

R

= 4 V

F = 50MHz的

典型值。

4300

4100

3900

3400

2200

2600

2200

Cj0V/Cj30V

典型值。

4.0

4.5

4.6

4.7

4.8

4.9

5.0

DH71010

30

DH71016

30

DH71020

30

DH71030

30

DH71045

30

DH71067

30

DH71100

30

(1)

根据要求提供其他公差

温度范围：

工作结（T

j

):

套餐

SOD323

套餐

SOT23

1.0 ± 20%

1.6 ± 20%

2.0 ± 20%

3.0 ± 20%

4.5 ± 20%

6.7 ± 10%

10 ± 10%

-55°C至+ 125°C

储存：

-65 ° C至+ 150°C

SOT23

SOT143

DH71010

DH71016

DH71020

DH71030

DH71045

DH71067

DH71100

DH71010-60

DH71016-60

DH71020-60

DH71030-60

DH71045-60

DH71067-60

DH71100-60

DH71010-51

DH71016-51

DH71020-51

DH71030-51

DH71045-51

DH71067-51

DH71100-51

DH71010-53

DH71016-53

DH71020-53

DH71030-53

DH71045-53

DH71067-53

DH71100-53

DH71010-54

DH71016-54

DH71020-54

DH71030-54

DH71045-54

DH71067-54

DH71100-54

DH71010-70

DH71016-70

DH71020-70

DH71030-70

DH71045-70

DH71067-70

DH71100-70

（ 1 ）其他CON组fi guration可应要求提供。

如何订购？

DH71010

二极管类型

-

51

包

信息

51 ：单SOT23

53 ：双共

阴极SOT23

54 ：双共

阳极SOT23

60 ：单SOD323

70 ：双SOT143

T3

空调

T3 ： 3000件

磁带&卷轴

T10 ： 10000件

磁带&卷轴

空白：散装

1-33

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调谐变容二极管

高Q硅突变结变容二极管调谐

V

BR

30 V

描述

该系列高Q外延结微波调谐变容二极管（ 30 V）采用了钝化台面

技术。它是非常适合用于频率调谐应用到Ku波段。

C

HIP

D

IODES

金

迪亚

C

髋关节和

P

包装运输

D

IODES

V

BR

(10 A)

≥

30 V

连接点

电容

Cj

V

R

= 4 V

F = 1 MH

Z

m

典型值。

EH71004

EH71006

EH71008

EH71010

EH71012

EH71016

EH71020

EH71025

EH71030

EH71037

EH71045

EH71054

EH71067

EH71080

EH71100

EH71120

EH71150

EH71180

EH71200

EH71220

EH71270

EH71330

EH71390

EH71470

EH71560

EH71680

EH71820

EH71999

C2a

C2b

C2c

C2d

50

60

70

80

90

100

110

120

140

150

170

180

200

220

250

270

300

330

350

370

410

450

500

540

590

650

720

800

pF

± 20 % (2)

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.6

2.0

2.5

3.0

3.7

4.5

5.4

± 10 % (2)

6.7

8.0

10.0

12.0

15.0

18.0

20.0

22.0

27.0

33.0

39.0

47.0

56.0

68.0

82.0

100.0

分钟。

4500

4400

4300

4200

4100

3900

3600

3400

3200

3000

2800

2600

2400

2200

2000

1800

1700

1500

1400

1300

1200

950

750

650

500

400

300

DH71004

DH71006

DH71008

DH71010

DH71012

DH71016

DH71020

DH71025

DH71030

DH71037

DH71045

DH71054

DH71067

DH71080

DH71100

DH71120

DH71150

DH71180

DH71200

DH71220

DH71270

DH71330

DH71390

DH71470

DH71560

DH71680

DH71820

DH71999

图。的

优点

Q

V

R

= 4 V

F = 50 MH

Z

TYPE

C

日月光

C

APACITANCE

Cb

例

的Cb = 0.18 pF的（3）

F27d

的Cb = 0.18 pF的（3）

F27d

分钟。

3.0

3.4

3.7

4.0

4.3

4.5

4.6

4.7

4.8

4.9

5.0

5.1

5.2

P

包装运输

D

IODES

(1)

普通案件

其他情况下，

调音

比

C

TO

/C

T

30

C

日月光

C

APACITANCE

Cb

例

CB = 0.12 pF的（ 3 ）分钟。

M208

3.3

M208

3.7

M208

4.0

M208

4.3

M208

4.5

M208

4.6

M208

4.7

M208

4.8

M208

4.8

M208

4.8

M208

4.9

M208

4.9

CB = 0.2 pF的（ 3 ）

BH142

4.9

5.0

5.1

5.2

调音

比

C

TO

/C

T

30

特性在25℃

测试条件

TYPE

例

（ 1 ）可根据要求定制案例

（ 2 ）可根据要求提供更紧密的电容容差

(3) C

T

= CJ + Cb的

1-34

温度范围：

工作结（T

j

）： -55°C至+ 150°C

存储

： -65 ° C到+ 175℃

销售处：请访问我们的网站：

http://www.temex.net

调谐变容二极管

高Q硅突变结变容二极管调谐

V

BR

45 V

描述

该系列高Q外延结微波调谐变容二极管（ 45 V）采用了钝化台面

技术。它是非常适合用于频率调谐应用到X波段。

二极管芯片

G

老

特性在25 ° C D

IA

测试条件

TYPE

例

m

典型值。

EH72004

EH72006

EH72008

EH72010

EH72012

EH72016

EH72020

EH72025

EH72030

EH72037

EH72045

EH72054

EH72067

EH72080

EH72100

EH72120

EH72150

EH72180

EH72200

EH72220

EH72270

EH72330

EH72390

EH72470

EH72560

EH72680

EH72820

EH72999

(1)

(2)

(3)

芯片和封装二极管

V

BR

(10 A)

≥

45 V

连接点

C

APACITANCE

Cj

V

R

= 4 V

F = 1 MH

Z

pF

± 20 % (2)

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.6

2.0

2.5

3.0

3.7

4.5

5.4

± 10 % (2)

6.7

8.0

10.0

12.0

15.0

18.0

20.0

22.0

27.0

33.0

39.0

± 10 % (2)

47.0

56.0

68.0

± 10 % (2)

82.0

100.0

3000

2900

2800

2700

2600

2500

2400

2300

2200

2000

1900

1800

1700

1600

1500

1400

1300

1200

1100

1000

900

800

700

600

450

350

250

图。的

M

ERIT

Q

V

R

= 4 V

F = 50 MH

Z

S

TANDARD

C

ASES

封装二极管（1）

O

THER

C

ASES

调音

比

C

TO

/C

T

45

调音

比

C

TO

/C

T

45

例

电容

Cb

例

分钟。 CB

3.5

3.9

4.2

4.5

4.7

5.0

5.2

5.4

5.5

5.6

5.7

5.8

Cb

5.9

6.0

= 0.12 pF的（3）

M208

= 0.2pF （3）

BH142

分钟。

3.7

4.1

4.5

4.7

4.9

5.2

5.5

5.6

5.7

5.8

5.9

6.0

例

电容

Cb

TYPE

分钟。

DH72004

DH72006

DH72008

DH72010

DH72012

DH72016

DH72020

DH72025

DH72030

DH72037

DH72045

DH72054

DH72067

DH72080

DH72100

DH72120

DH72150

DH72180

DH72200

DH72220

DH72270

DH72330

DH72390

DH72470

DH72560

DH72680

DH72820

DH72999

例

的Cb = 0.18 pF的（3）

F27d

CB = 0.18pF （ 3 ）

F27d

的Cb = 0.18 pF的（3）

BH28

CB = 0.4 pF的（ 3 ）

BH141

C2a

C2b

C2c

C2d

C2g

60

80

90

110

120

140

150

170

190

210

230

250

280

310

340

380

420

440

470

520

570

620

680

740

820

900

1000

可根据要求定制案例

可根据要求提供更紧密的电容容差

CT = CJ + Cb的

温度范围：

工作结（ TJ ）： -55°C至+ 150°C

存储

： -65 ° C到+ 175℃

1-35

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调谐变容二极管

选购指南

调谐变容二极管

选购指南

页面

表面贴装突发性硅调谐变容二极管

1-32

高Q硅突变结变容二极管调谐

-

VBR = 30 V

VBR = 45 V

1-34

1-35

硅超突变结变容二极管调谐

1-36

微波硅超突变结变容二极管调谐

1-39

调谐变容二极管是PN二极管，作为一个电压控制的电容器。这些设备执行

大家熟悉的，体积大，空气介质叠层电容器在传统的广播功能相同的功能

波段接收机。

1-31

销售处：请访问我们的网站：

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调谐变容二极管

塑料封装表面贴装硅调谐突然变容

SOT23表面贴装突发性硅

调谐变容二极管

描述

这一系列的硅调谐变容二极管具有外延台面设计具有耐高温

钝化。这项技术是用来生产急剧调整变容二极管的SOT23封装。这家家庭

被设计为低成本中到高容量市场可在磁带和卷轴供给

用于自动取放和组装的表面贴装电路板。

应用

该DH71000系列突然调变容在一个大的选择的电容范围提供。

它们提供了最高的Q因数（低反向串联电阻）可用于一个30伏的硅器件。

典型应用包括低噪声窄，中等带宽的应用

（ VCO为主）从高频到微波频率（高达3 GHz ）。其他应用程序电压调整

外部滤波器，移相器，延迟线等。

注意：

结电容与反向电压的变化遵循如下等式：

C

j

(V

r

)

=

C

j

(0 V)

1 + V

r

φ

[

]

γ

V

r

:

φ

:

γ

:

反向电压

内置的硅潜在.7V

0.5对于突然调变容

1-32

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调谐变容二极管

塑料封装表面贴装硅调谐突然变容

在Ta = + 25 ° C电气特性

反向击穿电压， VB = @ 10 μA ： 30 V分钟。

电动

参数

测试条件

TYPE

击穿

电压

V

BR

I

R

= 10 A

V

分钟。

连接点

电容

Cj

F = 1 MHz的

V

R

= 4 V

pF

(1)

调音

比

科幻gure

优点

Q

V

R

= 4 V

F = 50MHz的

典型值。

4300

4100

3900

3400

2200

2600

2200

Cj0V/Cj30V

典型值。

4.0

4.5

4.6

4.7

4.8

4.9

5.0

DH71010

30

DH71016

30

DH71020

30

DH71030

30

DH71045

30

DH71067

30

DH71100

30

(1)

根据要求提供其他公差

温度范围：

工作结（T

j

):

套餐

SOD323

套餐

SOT23

1.0 ± 20%

1.6 ± 20%

2.0 ± 20%

3.0 ± 20%

4.5 ± 20%

6.7 ± 10%

10 ± 10%

-55°C至+ 125°C

储存：

-65 ° C至+ 150°C

SOT23

SOT143

DH71010

DH71016

DH71020

DH71030

DH71045

DH71067

DH71100

DH71010-60

DH71016-60

DH71020-60

DH71030-60

DH71045-60

DH71067-60

DH71100-60

DH71010-51

DH71016-51

DH71020-51

DH71030-51

DH71045-51

DH71067-51

DH71100-51

DH71010-53

DH71016-53

DH71020-53

DH71030-53

DH71045-53

DH71067-53

DH71100-53

DH71010-54

DH71016-54

DH71020-54

DH71030-54

DH71045-54

DH71067-54

DH71100-54

DH71010-70

DH71016-70

DH71020-70

DH71030-70

DH71045-70

DH71067-70

DH71100-70

（ 1 ）其他CON组fi guration可应要求提供。

如何订购？

DH71010

二极管类型

-

51

包

信息

51 ：单SOT23

53 ：双共

阴极SOT23

54 ：双共

阳极SOT23

60 ：单SOD323

70 ：双SOT143

T3

空调

T3 ： 3000件

磁带&卷轴

T10 ： 10000件

磁带&卷轴

空白：散装

1-33

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调谐变容二极管

高Q硅突变结变容二极管调谐

V

BR

30 V

描述

该系列高Q外延结微波调谐变容二极管（ 30 V）采用了钝化台面

技术。它是非常适合用于频率调谐应用到Ku波段。

C

HIP

D

IODES

金

迪亚

C

髋关节和

P

包装运输

D

IODES

V

BR

(10 A)

≥

30 V

连接点

电容

Cj

V

R

= 4 V

F = 1 MH

Z

m

典型值。

EH71004

EH71006

EH71008

EH71010

EH71012

EH71016

EH71020

EH71025

EH71030

EH71037

EH71045

EH71054

EH71067

EH71080

EH71100

EH71120

EH71150

EH71180

EH71200

EH71220

EH71270

EH71330

EH71390

EH71470

EH71560

EH71680

EH71820

EH71999

C2a

C2b

C2c

C2d

50

60

70

80

90

100

110

120

140

150

170

180

200

220

250

270

300

330

350

370

410

450

500

540

590

650

720

800

pF

± 20 % (2)

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.6

2.0

2.5

3.0

3.7

4.5

5.4

± 10 % (2)

6.7

8.0

10.0

12.0

15.0

18.0

20.0

22.0

27.0

33.0

39.0

47.0

56.0

68.0

82.0

100.0

分钟。

4500

4400

4300

4200

4100

3900

3600

3400

3200

3000

2800

2600

2400

2200

2000

1800

1700

1500

1400

1300

1200

950

750

650

500

400

300

DH71004

DH71006

DH71008

DH71010

DH71012

DH71016

DH71020

DH71025

DH71030

DH71037

DH71045

DH71054

DH71067

DH71080

DH71100

DH71120

DH71150

DH71180

DH71200

DH71220

DH71270

DH71330

DH71390

DH71470

DH71560

DH71680

DH71820

DH71999

图。的

优点

Q

V

R

= 4 V

F = 50 MH

Z

TYPE

C

日月光

C

APACITANCE

Cb

例

的Cb = 0.18 pF的（3）

F27d

的Cb = 0.18 pF的（3）

F27d

分钟。

3.0

3.4

3.7

4.0

4.3

4.5

4.6

4.7

4.8

4.9

5.0

5.1

5.2

P

包装运输

D

IODES

(1)

普通案件

其他情况下，

调音

比

C

TO

/C

T

30

C

日月光

C

APACITANCE

Cb

例

CB = 0.12 pF的（ 3 ）分钟。

M208

3.3

M208

3.7

M208

4.0

M208

4.3

M208

4.5

M208

4.6

M208

4.7

M208

4.8

M208

4.8

M208

4.8

M208

4.9

M208

4.9

CB = 0.2 pF的（ 3 ）

BH142

4.9

5.0

5.1

5.2

调音

比

C

TO

/C

T

30

特性在25℃

测试条件

TYPE

例

（ 1 ）可根据要求定制案例

（ 2 ）可根据要求提供更紧密的电容容差

(3) C

T

= CJ + Cb的

1-34

温度范围：

工作结（T

j

）： -55°C至+ 150°C

存储

： -65 ° C到+ 175℃

销售处：请访问我们的网站：

http://www.temex.net

调谐变容二极管

高Q硅突变结变容二极管调谐

V

BR

45 V

描述

该系列高Q外延结微波调谐变容二极管（ 45 V）采用了钝化台面

技术。它是非常适合用于频率调谐应用到X波段。

二极管芯片

G

老

特性在25 ° C D

IA

测试条件

TYPE

例

m

典型值。

EH72004

EH72006

EH72008

EH72010

EH72012

EH72016

EH72020

EH72025

EH72030

EH72037

EH72045

EH72054

EH72067

EH72080

EH72100

EH72120

EH72150

EH72180

EH72200

EH72220

EH72270

EH72330

EH72390

EH72470

EH72560

EH72680

EH72820

EH72999

(1)

(2)

(3)

芯片和封装二极管

V

BR

(10 A)

≥

45 V

连接点

C

APACITANCE

Cj

V

R

= 4 V

F = 1 MH

Z

pF

± 20 % (2)

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.6

2.0

2.5

3.0

3.7

4.5

5.4

± 10 % (2)

6.7

8.0

10.0

12.0

15.0

18.0

20.0

22.0

27.0

33.0

39.0

± 10 % (2)

47.0

56.0

68.0

± 10 % (2)

82.0

100.0

3000

2900

2800

2700

2600

2500

2400

2300

2200

2000

1900

1800

1700

1600

1500

1400

1300

1200

1100

1000

900

800

700

600

450

350

250

图。的

M

ERIT

Q

V

R

= 4 V

F = 50 MH

Z

S

TANDARD

C

ASES

封装二极管（1）

O

THER

C

ASES

调音

比

C

TO

/C

T

45

调音

比

C

TO

/C

T

45

例

电容

Cb

例

分钟。 CB

3.5

3.9

4.2

4.5

4.7

5.0

5.2

5.4

5.5

5.6

5.7

5.8

Cb

5.9

6.0

= 0.12 pF的（3）

M208

= 0.2pF （3）

BH142

分钟。

3.7

4.1

4.5

4.7

4.9

5.2

5.5

5.6

5.7

5.8

5.9

6.0

例

电容

Cb

TYPE

分钟。

DH72004

DH72006

DH72008

DH72010

DH72012

DH72016

DH72020

DH72025

DH72030

DH72037

DH72045

DH72054

DH72067

DH72080

DH72100

DH72120

DH72150

DH72180

DH72200

DH72220

DH72270

DH72330

DH72390

DH72470

DH72560

DH72680

DH72820

DH72999

例

的Cb = 0.18 pF的（3）

F27d

CB = 0.18pF （ 3 ）

F27d

的Cb = 0.18 pF的（3）

BH28

CB = 0.4 pF的（ 3 ）

BH141

C2a

C2b

C2c

C2d

C2g

60

80

90

110

120

140

150

170

190

210

230

250

280

310

340

380

420

440

470

520

570

620

680

740

820

900

1000

可根据要求定制案例

可根据要求提供更紧密的电容容差

CT = CJ + Cb的

温度范围：

工作结（ TJ ）： -55°C至+ 150°C

存储

： -65 ° C到+ 175℃

1-35

销售处：请访问我们的网站：

http://www.temex.net