DMN3010LSS
单N沟道增强型MOSFET
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特点
低导通电阻
9mΩ @ V
GS
= 10V
13mΩ @ V
GS
= 4.5V
低栅极阈值电压
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
铅的设计免费/符合RoHS （注2 ）
"Green"设备（注4 ）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
机械数据
SOP-8L
新产品
案例： SOP- 8L
外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑料。
UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度灵敏性：每J- STD- 020D 1级
终端连接：见图
码头：完成 - 雾锡比退火铜引线
框架。每MIL -STD- 202方法208
标识信息：请参阅第4页
订购信息：见第4页
重量： 0.072克（近似值）
S
S
S
G
顶视图
顶视图
内部原理
D
D
D
D
最大额定值
漏源电压
栅源电压
漏电流（注1 ）
漏电流脉冲（注3 ）
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
符号
V
DSS
V
GSS
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
I
D
I
DM
价值
30
±20
16
13
64
单位
V
V
A
A
热特性
特征
总功率耗散（注1 ）
热阻，结到环境
工作和存储温度范围
注意事项：
1.
2.
3.
4.
符号
P
D
R
θ
JA
T
J,
T
英镑
价值
2.5
50
-55到+150
单位
W
° C / W
°C
设备安装在2盎司铜焊盘上的FR-4印刷电路板，其中R
θ
JA
= 50°C
没有故意添加铅。
脉冲宽度
≤10μS,
占空比
≤1%.
二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
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电气特性
特征
开关特性（注5 ）
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅源漏
基本特征（注5 ）
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压（注5 ）
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
注意事项：
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
V
SD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
民
30
1.1
0.5
典型值
16
2096
329
258
1.2
22.4
43.7
最大
1
±100
2.0
9
13
1.2
单位
V
μA
nA
V
mΩ
S
V
pF
pF
pF
Ω
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
V
DS
= 30V, V
GS
= 0V
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 10V ，我
D
= 16A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 10A
V
DS
= 10V ，我
D
= 12A
V
GS
= 0V时，我
S
= 16A
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V
F = 1.0MHz的
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
V
DS
= 15V, V
GS
= 4.5V ，我
D
= 16A
V
DS
= 15V, V
GS
= 10.0V ，我
D
= 16A
V
DS
= 15V, V
GS
= 10V ，我
D
= 16A
V
DS
= 15V, V
GS
= 10V ，我
D
= 16A
V
GS
= 10V, V
DS
= 15V,
R
D
= 15Ω, R
G
= 6Ω
新产品
5.5
12.6
7.11
10.3
58.3
32.1
nC
ns
5.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
20
18
16
V
GS
= 10V
V
GS
= 4.5V
20
18
16
I
S
，源电流（ A）
V
GS
= 3.0V
I
D
，漏电流（ A）
14
12
10
8
6
4
2
0
0
0.5
V
GS
= 1.5V
14
12
10
8
6
4
T
A
= 150°C
T
A
= 125°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= -55°C
V
GS
= 2.5V
2
5
1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
V
DS
，漏源电压（V ）
图。 1典型的输出特性
0
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
V
SD
，源极 - 漏极电压（ V）
图。 2源电流和源极 - 漏极电压
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20
1.6
1.5
R
DS （ ON）
，静态漏 - 源
导通电阻（标准化）
R
DS （ ON）
，静态漏 - 源
导通电阻（M
Ω
)
18
16
14
12
10
8
6
T
A
= 25°C
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
V
GS
= 10V
I
D
= 16A
T
A
= 150°C
T
A
= 125°C
T
A
= 85°C
新产品
V
GS
= 4.5V
I
D
= 10A
T
A
= -55°C
6
8 10 12 14 16 18 20
I
D
，漏电流（ A）
图。 3漏源导通电阻与漏电流
0
2
4
-25
0
25
50
75 100 125 150
T
A
，环境温度（ ° C）
图。 4导通电阻随温度的变化
10,000
V
GS （ TH）
，栅极阈值电压（ V）
2.5
2.2
C，电容（pF ）
C
国际空间站
1,000
C
OSS
C
RSS
1.9
I
D
= 250A
1.6
100
1.3
10
0
5
10
15
20
25
V
DS
，漏源电压（V ）
图。 5典型电容
30
-25
0
25
50
75 100 125 150
T
A
，环境温度（ ° C）
图。 6栅极阈值变化与环境温度
1
-50
100
10
I
S
，源电流（ A）
1
0.1
T
A
= 150°C
T
A
= 125°C
T
A
= 85°C
0.01
T
A
= 25°C
T
A
= -55°C
0.001
0.0001
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
V
SD
，源极 - 漏极电压（ V）
图。 7二极管的正向电压与电流
1
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1
R（T ） ，瞬态热阻
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
0.1
D = 0.1
D = 0.9
D = 0.05
R
θ
JA
（吨） = R （t）的R *
θ
JA
R
θ
JA
= 88℃ / W
P（ PK）
D = 0.01
D = 0.005
D =单脉冲
新产品
D = 0.02
0.01
t
1
t
2
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
占空比D = T
1
/t
2
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1,000
t
1
，脉冲持续时间（s ）
图。 8瞬态热响应
订购信息
产品型号
DMN3010LSS-13
注意事项：
（注6 ）
例
SOP-8L
包装
2500 /磁带&卷轴
6.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
顶视图
8
5
标志
N3010LS
YY WW
产品型号
1
4
第X周： 01 52
年份： "07" = 2007
"08" = 2008
包装外形尺寸
SOP-8L
暗淡
民
最大
A
-
1.75
A1
0.08
0.25
A2
1.30
1.50
A3
0.20 TYP 。
b
0.3
0.5
D
4.80
5.30
E
5.79
6.20
E1
3.70
4.10
e
1.27 TYP 。
h
-
0.35
L
0.38
1.27
0°
8°
θ
尺寸：mm
E1 E
A1
L
0.254
压力表飞机
飞机座位
细节A
h
45
°
A2 A A3
e
D
b
7
°~
9
°
细节A
DMN3010LSS
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4 5
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拟议的焊盘布局
X
新产品
Z
尺寸
Z
C
X
Y
值（单位：mm）
5.1
1.27
0.41
1.0
C
Y
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恕不另行通知任何产品在此。 Diodes公司不承担由此产生的任何产品的应用或使用任何责任
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反对一切损害无害。
生命支持
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审批Diodes公司的总裁。
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QQ：2880707522 复制
