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DMN26D0UDJ

双N沟道增强型MOSFET

产品概述

（ BR ） DSS

DS （ ON）

3.0mΩ @ V

= 4.5V

= 25°C

240mA

170mA

特点和优点

双N沟道MOSFET

低导通电阻：

3.0

@ 4.5V

4.0

@ 2.5V

6.0

@ 1.8V

@ 1.5V

非常低的栅极阈值电压， 1.05V最大

低输入电容

开关速度快

超小型表面贴装封装

ESD保护门（ HBM 300V ）

铅，卤素和锑的设计免费/ RoHS指令

标准（注1 ）

"Green"设备（注2 ）

新产品

20V

6.0mΩ @ V

= 1.8V

说明与应用

这种新一代的MOSFET的设计，以减少导通

态电阻（R

DS （ ON）

），并同时保持出色的开关

性能，使其非常适用于高效率电源管理

应用程序。

DC- DC转换器

电源管理功能

机械数据

案例： SOT- 963

外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑料。 UL

可燃性分类额定值94V- 0

湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级

终端连接：见图

码头：完成 - 雾锡比退火铜引线框架。

每MIL -STD- 202方法208

重量： 0.0027克（近似值）

SOT-963

ESD保护

顶视图

原理图和晶体管图

订购信息

（注3）

产品型号

DMN26D0UDJ-7

注意事项：

例

SOT-963

包装

万/磁带&卷轴

1.没有故意添加铅。

2.二极管公司的“绿色”政策，可以在我们的网站http://www.diodes.com找到。

3.对于包装的详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com 。

标识信息

（注4 ）

M1 =产品型号标识代码

注意事项：

4.包装是非偏振光。零件可能会在卷轴中所示的方向，旋转180°或混合型（双向）。

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DMN26D0UDJ

最大额定值

= 25 ° C除非另有说明

特征

漏源电压

栅源电压

符号

DSS

GSS

稳定

状态

稳定

状态

= 25°C

= 70°C

= 25°C

= 70°C

价值

±10

240

190

180

140

805

单位

新产品

连续漏电流（注5 ）V

= 4.5V

连续漏电流（注5 ）V

= 1.8V

漏电流脉冲 - T的

= 10s

热特性

特征

总功率耗散（注5 ）

热阻，结到环境（注5 ）

工作和存储温度范围

符号

, T

英镑

价值

300

409

-55到+150

单位

° C / W

°C

电气特性

= 25 ° C除非另有说明

特征

开关特性（注6 ）

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门体漏

基本特征（注6 ）

栅极阈值电压

符号

DSS

GSS

GS （ TH）

民

0.45

180

0.5

典型值

0.8

1.8

2.5

3.4

4.7

9.5

240

0.8

14.1

2.9

1.6

3.8

7.9

13.4

15.2

最大

500

±1

±100

1.05

3.0

4.0

6.0

10.0

单位

μA

测试条件

= 0V时，我

= 100μA

= 20V, V

= 0V

= ±10V, V

= 0V

= ±5V, V

= 0V

= V

, I

= 250μA

= 4.5V ，我

= 100毫安

= 2.5V ，我

= 50毫安

= 1.8V ，我

= 20mA下

= 1.5V ，我

= 10毫安

= 1.2V ，我

= 1毫安

= 10V ，我

= 0.1A

= 0V时，我

= 10毫安

= 15V, V

= 0V

F = 1.0MHz的

@ T

= 25°C

静态漏源导通电阻

DS （ ON）

正向跨导

源极 - 漏极二极管正向电压

动态特性（注7 ）

输入电容

输出电容

反向传输电容

开关特性，V

= 4.5V （注7 ）

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

注意事项：

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

1.0

= 4.5V, V

= 10V

= 200毫安，R

= 2.0

5.设备安装在FR- 4 PCB ， 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸，最小的推荐焊盘布局;如图所示的二极管公司焊盘布局建议

焊盘布局文件AP02001 ，它可以在我们的网站http://www.diodes.com找到。

6.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。

7.开关特性是独立的工作结温。通过设计保证，不受生产测试。

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0.8

0.7

0.6

= 3.0V

= 8V

= 4.5V

0.4

= -10V

= -55°C

= 25°C

，漏电流（ A）

0.3

0.5

0.4

0.3

= 2.0V

= 2.5V

= 85°C

= 125°C

新产品

0.2

= 150°C

0.2

0.1

0.5

1.5

2.5

，漏源电压（V ）

图。 1典型的输出特性

= 1.5V

0.1

0.5

1.5

2.5

，栅源电压（V ）

图。 2典型的传输特性

100

，漏源电流（mA）

图。 3典型导通电阻

与漏电流和栅极电压

1,000

= 1.5V

= 1.8V

= 2.5V

= 4.5V

= 1.2V

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻（

)

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻（

)

= 4.5V

= 150°C

= 125°C

= 85°C

= 25°C

= -55°C

0.01

0.1

，漏电流（ A）

图。 4典型导通电阻

与漏电流和温度

2.0

1.8

DSON

，漏 - 源

导通电阻（标准化）

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

-50

= 2.5V

= 150毫安

4.0

3.5

DSON

，漏 - 源

导通电阻（

)

= 4.5V

= 500毫安

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

= 4.5V

= 500毫安

= 2.5V

= 150毫安

-25

75 100 125 150

，环境温度（ ° C）

图。 5导通电阻随温度的变化

0.5

-50 -25

75 100 125 150

，环境温度（ ° C）

图。 6导通电阻随温度的变化

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1.4

GS （ TH）

，栅极阈值电压（ V）

1.2

，源电流（ A）

1.0

0.8

0.6

= 250A

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

1.4

1.6

，源极 - 漏极电压（ V）

图。 8二极管正向电压与电流

10,000

F = 1MHz的

= 25°C

新产品

= 1毫安

0.4

0.2

-50 -25

75 100 125 150

，环境温度（ ° C）

图。 7栅极阈值变化与环境温度

DSS

漏电流（ NA）

1,000

= 150°C

= 125°C

C，电容（pF ）

国际空间站

100

= 85°C

OSS

= 25°C

= -55°C

RSS

0.1

，漏源电压（V ）

图。 9典型的总电容

8 10 12 14 16 18 20

，漏源电压（V ）

图。 10典型泄漏电流和漏源电压

包装外形尺寸

B（ 6位）

SOT-963

DIM MIN

MAX TYP

0.40

0.50 0.45

0.05

0.120 0.180 0.150

0.95

1.05 1.00

0.95

1.05 1.00

0.75

0.85 0.80

0.05

0.15 0.10

0.10

0.20 0.15

0.35 TYP

0.70 TYP

尺寸：mm

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拟议的焊盘布局

新产品

尺寸值（单位：mm）

0.350

0.200

1.100

Y（ 6X ）

X (6X)

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本文描述的产品可能受一个或多个美国，国际或外国专利正在申请中。产品名称和标识

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生命支持

Diodes公司的产品是专门未经授权未经生命支持设备或系统中的关键组件

Diodes公司的首席执行官的书面批准。如本文所用：

A.生命支持设备或系统的设备或系统，其中：

1.旨在植入到体内，或

2.支持或维持生命，其未履行正确的使用按照所提供的使用说明

标签可以合理预期造成显著伤害到用户。

关键部件是在生命支持设备或系统，其不履行可以合理预期造成的任何组件

生命支持设备或故障影响其安全性或有效性。

客户表示，他们有足够的能力在他们的生命支持设备或系统的安全性和可能产生的后果，并

承认并同意，他们全权负责所有的法律，法规和安全相关要求有关的产品和任何

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信息或可由Diodes公司来提供支持。此外，客户必须全额赔偿Diodes公司及其

代表因在此类关键安全，生命支持设备或系统使用Diodes公司产品的任何损失。

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