DMN2050L
N沟道增强型MOSFET
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特点
低导通电阻
29mΩ @V
GS
= 4.5V
50mΩ以下@V
GS
= 2.5V
100mΩ的@V
GS
= 2.0V
非常低的栅极阈值电压
低输入电容
开关速度快
铅，卤素及锑，符合RoHS标准
"Green"设备（注2 ， 3和6）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
机械数据
SOT-23
新PROD UCT
案例： SOT -23
外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑料。
UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度灵敏性：每J- STD- 020D 1级
终端连接：见图
码头：完成
雾锡比退火铜
引线框架。每MIL -STD- 202方法208
标识信息：请参阅第4页
订购信息：见第4页
重量： 0.008克（近似值）
漏
D
门
来源
G
顶视图
S
顶视图
等效电路
最大额定值
漏源电压
栅源电压
漏电流（注1 ）
漏电流脉冲（注4 ）
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
价值
20
±12
5.9
21
单位
V
V
A
A
特征
热特性
特征
总功率耗散（注1 ）
热阻，结到环境（注1 ）
工作和存储温度范围
注意事项：
符号
P
D
R
θ
JA
T
J
, T
英镑
价值
1.4
90
-55到+150
单位
W
° C / W
°C
1.装置安装在FR- 4 PCB上带有R 2盎司覆铜焊盘布局
θ
JA
= 90 ° C / W 。
2.没有故意添加铅。卤素和无锑。
3.二极管公司的“绿色”政策，可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
4.重复等级，脉冲宽度有限的结温。
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电气特性
特征
开关特性（注5 ）
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅源漏
基本特征（注5 ）
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向转移导纳
二极管的正向电压（注5 ）
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
注意事项：
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
|Y
fs
|
V
SD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
Q
g
Q
gs
Q
gd
民
20
0.45
典型值
24
42
68
8
0.9
532
144
117
1.3
6.7
0.8
3.0
最大
1
±100
1.4
29
50
100
1.4
单位
V
μA
nA
V
mΩ
S
V
pF
pF
pF
Ω
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
V
GS
=
±12V,
V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 5.0A
V
GS
= 2.5V ，我
D
= 3.1A
V
GS
= 2.0V ，我
D
= 1.5A
V
DS
= 5V ，我
D
= 2.1A
V
GS
= 0V时，我
S
= 2.0A
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V
F = 1.0MHz的
V
DS
= 0V, V
GS
= 0V ， F = 1.0MHz的
V
DS
= 10V, V
GS
= 4.5V ，我
D
= 5.0A
V
DS
= 10V, V
GS
= 4.5V ，我
D
= 5.0A
V
DS
= 10V, V
GS
= 4.5V ，我
D
= 5.0A
新产品
nC
5.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
6.产品制造的绿色塑封料，并且不含有卤素和锑
2
O
3
阻燃剂。
20
V
GS
= 10V
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 3.0V
20
V
DS
= 5V
16
I
D
，漏电流（ A）
V
GS
= 2.5V
16
I
D
，漏电流（ A）
12
12
8
V
GS
= 2.0V
8
4
V
GS
= 1.5V
4
T
A
= 150°C
T
A
= 125°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= -55°C
0
0
0.5
1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
V
DS
，漏源电压（V ）
图。 1典型的输出特性
5
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
V
GS
，栅源电压（V ）
图。 2典型的传输特性
3
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1
R（T ） ，瞬态热阻
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
0.1
D = 0.1
D = 0.9
D = 0.05
R
θ
JA
（吨） = R （t）的R *
θ
JA
R
θ
JA
= 88℃ / W
P（ PK）
新产品
D = 0.02
0.01
D = 0.01
D = 0.005
t
1
D =单脉冲
t
2
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
占空比D = T
1
/t
2
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1,000
t
1
，脉冲持续时间（s ）
图。 9瞬态热响应
订购信息
产品型号
DMN2050L-7
注意事项：
（注7 ）
例
SOT-23
包装
3000 /磁带&卷轴
7.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
MN3 =标识代码
YM =日期代码标
Y =年（例如： V = 2008）
M =月（例如： 9 =九月）
MN3
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
2008
V
JAN
1
FEB
2
2009
W
MAR
3
2010
X
APR
4
五月
5
YM
2011
Y
JUN
6
2012
Z
JUL
7
八月
8
2013
A
SEP
9
2014
B
十月
O
NOV
N
2015
C
DEC
D
包装外形尺寸
A
B C
H
K
D
J
F
G
L
M
K1
SOT-23
暗淡
民
最大
典型值
A
0.37
0.51
0.40
B
1.20
1.40
1.30
C
2.30
2.50
2.40
D
0.89
1.03 0.915
F
0.45
0.60 0.535
G
1.78
2.05
1.83
H
2.80
3.00
2.90
J
0.013 0.10
0.05
K
0.903 1.10
1.00
K1
-
-
0.400
L
0.45
0.61
0.55
M
0.085 0.18
0.11
0°
8°
-
α
尺寸：mm
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拟议的焊盘布局
Y
Z
C
新产品
尺寸值（单位：mm）
Z
2.9
X
0.8
Y
0.9
C
2.0
E
1.35
X
E
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生命支持
未经明确的书面Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件
审批Diodes公司的总裁。
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