DMN2005K
N沟道增强型网络场效晶体管
特点
低导通电阻
非常低的栅极阈值电压， 0.9V最大。
开关速度快
低输入/输出泄漏
超小型表面贴装封装
铅的设计免费/符合RoHS （注2 ）
"Green"设备（注4 ）
ESD保护门
机械数据
SOT-23
新产品
案例： SOT -23
外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑料。
UL可燃性分类Rating94V -0
湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级
终端连接：见图
码头：完成
雾锡比退火铜
引线框架。每MIL -STD- 202方法208
标识信息：见第3页
订购&日期代码信息：见第3页
重量： 0.008克（近似值）
漏
D
体
二极管
门
ESD保护
顶视图
门
保护
二极管
G
来源
S
顶视图
等效电路
最大额定值
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GSS
连续
脉冲（注3）
I
D
价值
20
±10
300
600
单位
V
V
mA
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流每个元素（注1 ）
热特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
P
D
R
θ
JA
T
j
, T
英镑
价值
350
357
-65到+150
单位
mW
° C / W
°C
特征
总功率耗散（注1 ）
热阻，结到环境
工作和存储温度范围
电气特性
特征
开关特性（注5 ）
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅源漏
基本特征（注5 ）
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向转移导纳
注意事项：
1.
2.
3.
4.
5.
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
民
典型值
最大
单位
测试条件
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
20
10
±5
V
μA
μA
V
GS
= 0V时，我
D
= 100μA
V
DS
= 17V, V
GS
= 0V
V
GS
=
±8V,
V
DS
= 0V
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
Y
fs
0.53
40
0.9
3.5
1.7
V
Ω
mS
V
DS
= V
GS
, I
D
= 100μA
V
GS
= 1.8V ，我
D
= 200毫安
V
GS
= 2.7V ，我
D
= 200毫安
V
DS
= 3V ，我
D
= 10A
设备安装在FR- 4 PCB 。
没有故意添加铅。
脉冲宽度
≤10μS,
占空比
≤1%.
二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
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文件编号： DS30734牧师5 - 2
1 4
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2007年11月
Diodes公司
DMN2005K
新产品
R
DS （ ON）
，静态漏 - 源
导通电阻（
Ω
)
T
A
，环境温度（ ° C）
图。 7静态漏源导通电阻
- 环境温度
0.2
1.0
0.4
0.6
0.8
V
SD ，
漏源极电压（ V）
图。 8反向漏电流
与源极 - 漏极电压
0.0
|Y
fS
| ，正向转移导纳（ S）
F = 1MHz的
西塞
C
T
，电容（pF ）
科斯
CRSS
I
D
，漏电流（ A）
图。 9正向转移导纳主场迎战漏电流
订购信息
产品型号
DMN2005K-7
注意事项：
（注6 ）
例
SOT-23
包装
3000 /磁带&卷轴
6.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
DM =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年份例如： T = 2006年
M =月前： 9 =九月
DM
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
JAN
1
2006
T
FEB
2
2007
U
MAR
3
APR
4
YM
2008
V
五月
5
JUN
6
2009
W
JUL
7
2010
X
八月
8
SEP
9
2011
Y
十月
O
NOV
N
2012
Z
DEC
D
DMN2005K
文件编号： DS30734牧师5 - 2
3 4
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DMN2005K
包装外形尺寸
A
顶视图
B C
新产品
G
H
K
N
J
M
D
E
L
SOT-23
暗淡
民
最大
A
0.37
0.51
B
1.20
1.40
C
2.30
2.50
D
0.89
1.03
E
0.45
0.60
G
1.78
2.05
H
2.80
3.00
J
0.013
0.10
K
0.903
1.10
L
0.45
0.61
M
0.085
0.180
N
0°
8°
α
尺寸：mm
拟议的焊盘布局
Y
Z
G
C
尺寸值（单位：mm）
Z
3.4
G
0.7
X
0.9
Y
1.4
C
2.0
E
0.9
X
E
重要通知
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改，补充，改进，修正或其他变更的权利
恕不另行通知任何产品在此。 Diodes公司不承担由此产生的任何产品的应用或使用任何责任
本文描述的;它也没有传达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。的产品中，例如应用程序的用户应
承担所有使用风险，并会同意举行Diodes公司，其产品代表我们的网站上的所有公司，
反对一切损害无害。
生命支持
未经明确的书面Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件
审批Diodes公司的总裁。
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文件编号： DS30734牧师5 - 2
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2007年11月
Diodes公司
SPICE模型： DMN2005K
DMN2005K
新产品
新产品
N沟道增强型网络场效晶体管
特点
低导通电阻
非常低的栅极阈值电压， 0.9V最大。
开关速度快
低输入/输出泄漏
超小型表面贴装封装
铅的设计免费/符合RoHS （注2 ）
"Green"设备（注4 ）
ESD保护门
A
SOT-23
暗淡
B
C
民
0.37
1.20
2.30
0.89
0.45
1.78
2.80
0.013
0.903
0.45
0.085
0°
最大
0.51
1.40
2.50
1.03
0.60
2.05
3.00
0.10
1.10
0.61
0.180
8°
顶视图
A
B
C
K
M
L
J
E
D
G
H
机械数据
案例： SOT -23
外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑
化合物。 UL可燃性分类等级
94V-0
湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级
终端连接：见图
码头：完成
雾锡比退火铜
引线框架。每MIL -STD- 202方法208
标记：见第4页
订购&日期代码信息：参见第4页
重量： 0.008克（近似值）
D
E
G
D
漏
H
J
体
二极管
K
L
M
ESD保护
门
门
保护
二极管
来源
α
等效电路
尺寸：mm
最大额定值
漏源电压
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GSS
连续
脉冲（注3）
I
D
P
d
R
θJA
T
j
, T
英镑
价值
20
±10
300
600
350
357
-65到+150
单位
V
V
mA
mW
° C / W
°C
特征
栅源电压
漏电流每个元素（注1 ）
总功率耗散（注1 ）
热阻，结到环境
工作和存储温度范围
注意事项：
1.
2.
3.
4.
设备安装在FR- 4 PCB 。
没有故意添加铅。
脉冲宽度
≤10μS,
占空比
≤1%.
二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
DS30734修订版3 - 2
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订购信息
（注6 ）
新产品
设备
DMN2005K-7
注意事项：
包装
SOT-23
航运
3000 /磁带&卷轴
6.包装信息，请访问我们的网站： http://www.diodes.com/ap02007.pdf 。
标识信息
DM
DM =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年份例如： T = 2006年
M =月前： 9 =九月
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
2006
T
JAN
1
FEB
2
2007
U
MAR
3
APR
4
2008
V
五月
5
JUN
6
YM
2009
W
JUL
7
2010
X
八月
8
SEP
9
2011
Y
十月
O
NOV
N
2012
Z
DEC
D
重要通知
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改，补充，改进，修正或其他变更的权利
恕不另行通知任何产品在此。 Diodes公司不承担由此产生的任何产品的应用或使用任何责任
本文描述的;它也没有传达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。的产品中，例如应用程序的用户应
承担所有使用风险，并会同意举行Diodes公司，其产品代表我们的网站上的所有公司，
反对一切损害无害。
生命支持
未经明确的书面Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件
审批Diodes公司的总裁。
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