SPICE模型： DMN100
无铅绿色
DMN100
n沟道增强型场效应
晶体管
特点
·
·
·
·
·
·
·
极低的导通电阻：
170MW @ V
GS
= 4.5V
高漏极电流： 1.1A
非常适用于笔记本电脑，移动电话， PCMCIA
卡和电池供电的电路
铅的设计免费/符合RoHS （注2 ）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
ESD保护门
"Green"设备（注3）
E
G
D
G
H
D
顶视图
S
B
C
A
SC-59
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
K
J
漏
民
0.30
1.40
2.50
0.85
0.30
1.70
2.70
1.00
0.55
0.10
最大
0.50
1.80
3.00
1.05
0.70
2.10
3.10
0.10
1.40
0.70
0.35
机械数据
·
·
·
·
·
·
·
·
案例： SC- 59
外壳材料 - 模压塑料， "Green"成型
化合物。 UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级
码头：完成雾锡比退火铜
引线框架。每MIL -STD- 202方法208
终端连接：见图
标记：见尾页
订购&日期代码信息：见尾页
重量： 0.008克（近似值）
门
保护
二极管
来源
门
M
L
J
K
L
M
尺寸：mm
ESD保护
等效电路
最大额定值
漏源电压
栅源电压
漏电流
总功耗
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
连续
连续
脉冲
V
GSS
I
D
P
d
R
qJA
T
j
, T
英镑
DMN100
30
±20
1.1
4.0
500
250
-55到+150
单位
V
V
A
mW
K / W
°C
特征
热阻，结到环境
工作和存储温度范围
注意事项：
1.脉冲宽度
300毫秒，占空比
2%.
2.没有故意添加铅。
3.二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
DS30049版本6 - 2
1第3
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DMN100
Diodes公司
电气特性
特征
开关特性（注1 ）
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
基本特征（注1 ）
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向跨导
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极电荷
开关特性
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
开启上升时间
关断下降时间
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
DSS
@ T
j
= 25°C
@ T
j
= 125°C
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
D（关闭）
t
r
t
f
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
民
30
1.0
1.3
典型值
2.4
150
90
30
5.5
0.8
1.3
10
25
15
45
35
最大
1.0
10
±
100
3.0
0.170
0.240
0.54
4.0
1.2
单位
V
A
nA
V
W
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
A
A
V
ns
I
F
= 1.0A ，V
GS
= 0V
I
F
= 1.0A ，的di / dt = 50A / MS
V
DD
= 10V ，我
D
= 0.5A,
V
GS
= 5.0V ，R
根
= 50W
V
DS
= 24V ，我
D
= 1.0A,
V
GS
= 10V
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V
F = 1.0MHz的
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250毫安
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
V
GS
=
±
12V, V
DS
= 0V
V
DS
= 10V ，我
D
=1.0mA
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 0.5A
V
GS
= 10V ，我
D
= 1.0A
V
DS
= 10V ，我
D
=0.5A
源 - 漏极额定值（体二极管）
连续源电流
脉冲源电流
正向电压
反向恢复时间
注意事项：
1.脉冲宽度
300毫秒，占空比
2%.
4.0
3.5
3.0
2.5
1.0
V
GS
= 10V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
I
D
，漏电流（ A）
V
GS
= 4.5V
3.0V
2.0
1.5
1.0
2.5V
0.5
0.1
V
GS
= 10V
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
，漏源电压（V ）
图。 1在区域特征
0.01
0
1
2
3
4
I
D
，漏电流（ A）
图。 2导通电阻VS漏电流
DS30049版本6 - 2
2 3
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DMN100
0.30
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
50
100
150
V
GS
= 10V
T
A
= 25
°
C
0.25
0.20
V
GS
= 4.5V ，R
DS
@ 0.5A
0.15
0.10
V
GS
= 10V ，R
DS
@ 1.0A
0.05
0
-50
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
0
1
2
3
4
5
T
j
，结温（
°
C)
图。 3导通电阻VS结温
V
GS
，门源电压（ V）
图。 4导通电阻VS栅源电压
订购信息
设备
DMN100-7-F
注意事项：
（注4 ）
包装
SC-59
航运
3000 /磁带&卷轴
4.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
M11
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
JAN
1
FEB
2
2006
T
MAR
3
APR
4
五月
5
2007
U
JUN
6
JUL
7
2008
V
八月
8
SEP
9
十月
O
2009
W
NOV
N
DEC
D
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改，补充，改进，修正或其他变化没有进一步的权利
注意任何产品在此。 Diodes公司不承担因本文所述的任何产品的应用或使用任何责任;也不
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同意举行Diodes公司，其产品代表我们的网站上，反对一切损害无害的所有公司。
生命支持
未经明确的书面批准Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件
Diodes公司的总裁。
DS30049版本6 - 2
YM
M11 =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年份例如： T = 2006年
M =月前： 9 =九月
重要通知
3 3
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