DMMT5551/DMMT5551S
MATCHED NPN小信号表面贴装晶体管
特点
外延平面片建设
互补PNP类型可用（ DMMT5401 ）
非常适用于低功率放大和开关
本质匹配NPN对（注1 ）
2％的匹配容差，H
FE
, V
CE （ SAT ）
, V
BE （ SAT ）
无铅/符合RoHS （注4 ）
"Green"设备（注5,6）
A
SOT-26
暗淡
B C
民
0.35
1.50
2.70
2.90
0.013
1.00
0.35
0.10
0°
最大
0.50
1.70
3.00
3.10
0.10
1.30
0.55
0.20
8°
典型值
0.38
1.60
2.80
0.95
0.55
3.00
0.05
1.10
0.40
0.15
A
B
C
D
机械数据
案例： SOT- 26
外壳材料：模压塑料， "Green"成型
复合，注意7. UL可燃性分类
等级94V -0
湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级
终端连接：见图
码头：每MIL -STD- 202方法208
无铅电镀（雾锡完成了退火
铜引线框架） 。
标识信息： K4R & K4T ，见第3页
订购&日期代码信息：见第3页
重量： 0.006克（近似值）
K
J
E
1
E
2
C
2
H
M
F
H
J
D
F
C
1
L
E
1
C
2
K
L
M
α
尺寸：mm
C
1
B
1
B
2
B
1
E
2
B
2
DMMT5551S
DMMT5551
（ K4R标识代码） （ K4T标识代码）
最大额定值
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
d
R
θ
JA
T
j
, T
英镑
价值
180
160
6.0
200
300
417
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
° C / W
°C
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 - （注2 ）
功率耗散（注2,3）
热阻，结到环境（注2 ）
工作和存储温度范围
注意事项：
1.
2.
3.
4.
5.
6.
建有从单个晶片相邻的管芯。
设备安装在FR5 PCB ： 1.0× 0.75× 0.62英寸;图所示，建议焊垫布局文件AP02001 ，这可以在我们找到垫布局
网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf 。
最大组合耗散。
没有故意添加铅。
二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
产品制造的日期代码0627 （第27周， 2006年）和较新的构建与绿色塑封料。之前，最新的产品制造
代码0627顷建有非绿色塑封料，可能含有卤素或三氧化二锑阻燃剂。
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1 4
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Diodes公司
电气特性
特征
开关特性（注7 ）
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
基本特征（注7 ）
直流电流增益（注8 ）
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
小信号特性
输出电容
小信号电流增益
电流增益带宽积
噪声系数
注意事项：
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
民
180
160
6.0
80
80
30
50
100
最大
50
50
250
0.15
0.20
1.0
6.0
250
300
8.0
单位
V
V
V
nA
μA
nA
测试条件
I
C
= 100μA ，我
E
= 0
I
C
= 1.0毫安，我
B
= 0
I
E
= 10μA ，我
C
= 0
V
CB
= 120V ，我
E
= 0
V
CB
= 120V ，我
E
= 0, T
A
= 100°C
V
EB
= 4.0V ，我
C
= 0
I
C
= 1.0毫安，V
CE
= 5.0V
I
C
= 10毫安，V
CE
= 5.0V
I
C
= 50mA时V
CE
= 5.0V
I
C
= 10毫安，我
B
= 1.0毫安
I
C
= 50mA时我
B
= 5.0毫安
I
C
= 10毫安，我
B
= 1.0毫安
I
C
= 50mA时我
B
= 5.0毫安
V
CB
= 10V ， F = 1.0MHz的，我
E
= 0
V
CE
= 10V ，我
C
= 1.0毫安，
F = 1.0kHz
V
CE
= 10V ，我
C
= 10毫安，
F = 100MHz的
V
CE
= 5.0V ，我
C
= 200μA,
R
S
= 1.0kΩ ， F = 1.0kHz
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
C
敖包
h
FE
f
T
NF
V
V
pF
兆赫
dB
7.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
8.直流电流增益，H
FE
（匹配在我
C
= 10mA到V
CE
= 5V ）集电极发射极饱和电压，V
CE （ SAT ）
和基极发射极饱和电压，
V
BE （ SAT ）
匹配用的1 ％的典型匹配公差和最多2 ％。
400
350
300
250
200
150
100
50
0
0
25
50
75 100 125 150 175
T
A
，环境温度（ ° C）
图。 1 ，最大功耗对比
环境温度
200
0.15
0.14
V
CE （ SAT ）
，集电极到发射极
饱和电压（ V）
0.13
0.12
0.11
0.10
0.09
0.08
0.07
0.06
0.05
0.04
1
T
A
= -50°C
T
A
= 25°C
T
A
= 150°C
I
C
I
B
= 10
P
D
，功耗（毫瓦）
10
100
1,000
I
C
，集电极电流（毫安）
图。 2 ，集电极发射极饱和电压
与集电极电流
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2 4
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DMMT5551/DMMT5551S
Diodes公司
1,000
1.0
V
BE（上）
，基极发射极电压（ V）
V
CE
= 5V
V
CE
= 5V
0.9
T
A
= -50°C
T
A
= 150°C
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
T
A
= 150°C
T
A
= 25°C
h
FE
，直流电流增益
100
T
A
= 25°C
T
A
= -50°C
10
1
1
100
10
I
C
，集电极电流（毫安）
图。 3 ，直流电流增益与集电极电流
1
10
100
I
C
，集电极电流（毫安）
图。 4 ，基极发射极电压与集电极电流
1,000
f
T
，增益带宽积（兆赫）
100
10
1
1
100
10
I
C
，集电极电流（毫安）
图。 5 ，增益带宽积与集电极电流
订购信息
（注6 & 9 ）
设备
DMMT5551-7-F
DMMT5551S-7-F
注意事项：
包装
SOT-26
SOT-26
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
9.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
E
1
E
2
C
2
C
1
E
1
C
2
K4R
C
1
B
1
K4R = DMMT5551产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年份例如： T = 2006年
M =月前： 9 =九月
B
1
K4T
E
2
K4T = DMMT5551S产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年份例如： T = 2006年
M =月前： 9 =九月
YM
B
2
B
2
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
2003
P
JAN
1
2004
R
FEB
2
MAR
3
2005
S
APR
4
2006
T
五月
5
2007
U
JUN
6
2008
V
JUL
7
YM
2009
W
八月
8
SEP
9
2010
X
十月
O
2011
Y
NOV
N
2012
Z
DEC
D
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3 4
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重要通知
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改，补充，改进，修正或其他变更的权利
恕不另行通知任何产品在此。 Diodes公司不承担由此产生的任何产品的应用或使用任何责任
本文描述的;它也没有传达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。的产品中，例如应用程序的用户应
承担所有使用风险，并会同意举行Diodes公司，其产品代表我们的网站上的所有公司，
反对一切损害无害。
生命支持
未经明确的书面Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件
审批Diodes公司的总裁。
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4 4
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SPICE模型： DMMT5551
DMMT5551/DMMT5551S
MATCHED NPN小信号表面贴装
晶体管
特点
新产品
·
·
·
·
·
·
·
外延平面片建设
互补PNP类型可用（ DMMT5401 ）
非常适用于中等功率放大和开关
本质匹配NPN对（注1 ）
2％的匹配容差，H
FE
, V
CE （ SAT ）
, V
BE （ SAT ）
1％的匹配容差，可用（注2 ）
可以在无铅/ RoHS兼容的版本（注5 ）
K
A
SOT-26
B C
暗淡
A
B
民
0.35
1.50
2.70
2.90
1.00
0.35
0.10
0°
最大
0.50
1.70
3.00
3.10
1.30
0.55
0.20
8°
典型值
0.38
1.60
2.80
0.95
0.55
3.00
0.05
1.10
0.40
0.15
H
M
C
D
F
H
J
K
L
M
机械数据
·
·
·
·
·
·
·
·
·
案例： SOT- 26
外壳材料：模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级
终端连接：见图
码头：每MIL -STD- 202方法208
也可以在无铅电镀（雾锡完成
在退火铜引线框架） 。请参阅订购
资料显示，注9 ，第2页
标记（见第2页） ： K4R & K4T
订购&日期代码信息：参见第2页
重0.006克数（大约）
J
D
F
L
0.013 0.10
E
1
E
2
C
2
C
1
E
1
C
2
a
尺寸：mm
C
1
B
1
B
2
B
1
E
2
B
2
DMMT5551
（ K4R标识代码）
DMMT5551S
（ K4T标识代码）
最大额定值
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
d
R
qJA
T
j
, T
英镑
价值
180
160
6.0
200
300
417
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
K / W
°C
特征
连续集电极电流 - （注3 ）
功率耗散（注3，注4 ）
热阻，结到环境（注3 ）
操作和储存和温度范围内
注意事项：
1.内置与相邻死于单一晶片上。
2.联系Diodes公司销售部门。
3.设备安装在FR- 4 PCB ， 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸;如图所示的二极管公司焊盘布局建议焊盘布局
文件AP02001 ，它可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。
4.最大组合耗散。
5.没有故意添加铅。
DS30436牧师4 - 2
1第3
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DMMT5551/DMMT5551S
Diodes公司
电气特性
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
民
180
160
6.0
80
80
30
50
100
最大
50
50
250
0.15
0.20
1.0
单位
V
V
V
nA
mA
nA
测试条件
I
C
= 100mA时我
E
= 0
I
C
= 1.0毫安，我
B
= 0
I
E
= 10毫安，我
C
= 0
V
CB
= 120V ，我
E
= 0
V
CB
= 120V ，我
E
= 0, T
A
= 100°C
V
EB
= 4.0V ，我
C
= 0
I
C
= 1.0毫安，V
CE
= 5.0V
I
C
= 10毫安，V
CE
= 5.0V
I
C
= 50mA时V
CE
= 5.0V
I
C
= 10毫安，我
B
= 1.0毫安
I
C
= 50mA时我
B
= 5.0毫安
I
C
= 10毫安，我
B
= 1.0毫安
I
C
= 50mA时我
B
= 5.0毫安
V
CB
= 10V ， F = 1.0MHz的，我
E
= 0
V
CE
= 10V ，我
C
= 1.0毫安，
F = 1.0kHz
V
CE
= 10V ，我
C
= 10毫安，
F = 100MHz的
V
CE
= 5.0V ，我
C
=的200mA，
R
S
= 1.0KW ， F = 1.0kHz
新产品
特征
开关特性（注6 ）
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
基本特征（注6 ）
直流电流增益（注7 ）
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
小信号特性
输出电容
小信号电流增益
电流增益带宽积
噪声系数
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
V
C
敖包
h
FE
f
T
NF
6.0
250
300
8.0
pF
兆赫
dB
订购信息
设备
DMMT5551-7
DMMT5551S-7
注意事项：
（注8）
包装
SOT-26
SOT-26
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
6.短时测试脉冲用来减小自加热效应。
7.直流电流增益，H
FE
（匹配在我
C
= 10mA到V
CE
= 5V ）集电极发射极饱和电压，V
CE （ SAT ）
和基
射极饱和电压，V
BE （ SAT ）
匹配用的1 ％的典型匹配公差和最多2 ％。
8，包装细节，请访问我们的网站： http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
9.无铅/ RoHS兼容的版本的零件号，请加" - F"后缀以上的部分号码。例如： DMMT5551-7 -F 。
标识信息
E
1
E
2
C
2
C
1
E
1
C
2
K4R
C
1
B
1
K4R = DMMT5551产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年份例如： P = 2003
M =月前： 9 =九月
B
1
K4T
E
2
K4T = DMMT5551S产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年份例如： P = 2003
M =月前： 9 =九月
YM
B
2
B
2
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
JAN
1
FEB
2
三月
3
APR
4
五月
5
2003
P
JUN
6
2004
R
JUL
7
2005
S
八月
8
2006
T
SEP
9
2007
U
十月
O
2008
V
NOV
N
2009
W
DEC
D
DS30436牧师4 - 2
2 3
www.diodes.com
YM
DMMT5551/DMMT5551S
MCC
TM
微型商业组件
?????????? ?????? omponents
20736玛丽拉街查茨沃斯
???? ?????? ？ ！ ?? " ＃ ???
$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
DMMT5551
特点
表面贴装SOT- 363封装
功率耗散200mWatts
非常适用于中等功率放大和开关
外壳材料：模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
和MSL等级1
标记： K4R
塑料封装
晶体管
单位
V
V
V
A
W
G
E
1
E
2
C
2
电气特性@ 25 ° C除非另有说明
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
T
J
T
英镑
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
功耗---
工作结温
储存温度
等级
160
180
6.0
0.2
0.2
-55到+150
-55到+150
SOT-363
开关特性
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
EBO
I
CBO
集电极 - 发射极击穿电压
----------------------------------160
(I
= -1mAdc ，我
B
I
B
=0)
(I
C
C
=-1.0mAdc,
=0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 100μA ，我
E
=0)
180
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 10μAdc ，我
C
=0)
6.0
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 4Vdc电压，我
C
=0)
收集截止电流
(V
CB
= 120VDC ，我
E
=0)
---
VDC
A
B
C
C
1
B
1
B
2
VDC
VDC
50
50
NADC
NADC
K
H
M
J
F
D
L
基本特征
h
FE
直流电流增益*
(I
C
= 1mAdc ，V
CE
=5.0Vdc)
(I
C
= 10mAdc ，V
CE
=5.0Vdc)
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 10mAdc ，我
B
=1.0mAdc)
基射极饱和电压
(I
C
= 10mAdc ，我
B
=1.0mAdc)
80
80
英寸
尺寸
MM
民
最大
0.10
0.30
1.15
1.35
2.00
2.20
0.65Nominal
0.30
0.40
1.80
2.20
---
0.10
0.90
1.00
0.25
0.40
0.10
0.25
250
0.15
1.0
VDC
VDC
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
小信号特性
电流增益带宽积
(I
C
= 10mAdc ，V
CE
= 10V直流， F = 100MHz时）
C
敖包
输出电容
(V
CB
= 10Vdec ，我
E
= 0 ， F = 1.0MHz的）
Rg=1kohm
噪声系数
V
CE
= 5Vdec ， IC = 200uA中，f = 1KHz时， R = 1K
欧姆
f
T
100
300
6.0
8.0
兆赫
pF
NF
暗淡
A
B
C
D
F
H
J
K
L
M
民
.004
.045
.079
.026
.012
.071
---
.035
.010
.004
最大
.012
.053
.087
.016
.087
.004
.039
.016
.016
记
www.mccsemi.com
1 2
修订： 3
2008/01/01
MCC
微型商业组件
TM
订购信息
设备
（品名） -TP
填料
Tape&Reel;3Kpcs/Reel
***重要提示***
微型商业组件公司
.
保留随时更改，恕不另行通知任何权
此产品进行更正，修改，增强，改进或其它更改。
微型商业组件公司
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不承担因应用程序的任何责任或
使用本文所述的任何产品的;它也没有传达任何许可在其专利的权利，也没有
他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有使用风险
并同意举行
微型商业组件公司
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和所有的公司
产品的代表在我们的网站上，反对一切损害无害。
应用*** ***免责声明
产品提供了
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不打算用于医学，
航空航天和军事应用。
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2008/01/01
SPICE模型： DMMT5551
无铅绿色
DMMT5551/DMMT5551S
MATCHED NPN小信号表面贴装
晶体管
特点
外延平面片建设
互补PNP类型可用（ DMMT5401 ）
非常适用于低功率放大和开关
本质匹配NPN对（注1 ）
2％的匹配容差，H
FE
, V
CE （ SAT ）
, V
BE （ SAT ）
无铅/符合RoHS （注4 ）
"Green"设备（注5和6
)
H
K
M
A
SOT-26
B C
暗淡
A
B
C
D
F
H
J
K
L
M
民
0.35
1.50
2.70
2.90
1.00
0.35
0.10
0°
最大
0.50
1.70
3.00
3.10
1.30
0.55
0.20
8°
典型值
0.38
1.60
2.80
0.95
0.55
3.00
0.05
1.10
0.40
0.15
机械数据
J
案例： SOT- 26
外壳材料：模压塑料， "Green"成型
复合，注意7. UL可燃性分类
等级94V -0
湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级
终端连接：见图
码头：每MIL -STD- 202方法208
无铅电镀（雾锡完成了退火
铜引线框架） 。
标记（见第2页） ： K4R & K4T
订购&日期代码信息：参见第2页
重量： 0.006克（近似值）
C
1
B
1
E
1
E
2
D
F
L
0.013 0.10
C
2
C
1
E
1
C
2
α
尺寸：mm
B
2
B
1
E
2
B
2
DMMT5551
（ K4R标识代码）
DMMT5551S
（ K4T标识代码）
最大额定值
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
d
R
θJA
T
j
, T
英镑
价值
180
160
6.0
200
300
417
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
° C / W
°C
特征
连续集电极电流 - （注2 ）
功率耗散（注2,3）
热阻，结到环境（注2 ）
操作和储存和温度范围内
注意事项：
1.内置与相邻死于单一晶片上。
2.设备安装在FR- 4 PCB ， 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸;如图所示的二极管公司焊盘布局建议焊盘布局
文件AP02001 ，它可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。
3.最大组合耗散。
4.没有故意添加铅。
5.二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php被发现..
与日期代码0627 （ 2006年27周， ）和较新的制造6.产品都建有绿色塑封料。产品制造之前
日期代码0627顷建有非绿色塑封料，可能含有卤素或三氧化二锑阻燃剂。
DS30436启示录7 - 2
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DMMT5551/DMMT5551S
Diodes公司
电气特性
特征
开关特性（注7 ）
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
基本特征（注7 ）
直流电流增益（注8 ）
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
小信号特性
输出电容
小信号电流增益
电流增益带宽积
噪声系数
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
民
180
160
6.0
80
80
30
50
100
最大
50
50
250
0.15
0.20
1.0
单位
V
V
V
nA
A
nA
测试条件
I
C
= 100μA ，我
E
= 0
I
C
= 1.0毫安，我
B
= 0
I
E
= 10μA ，我
C
= 0
V
CB
= 120V ，我
E
= 0
V
CB
= 120V ，我
E
= 0, T
A
= 100°C
V
EB
= 4.0V ，我
C
= 0
I
C
= 1.0毫安，V
CE
= 5.0V
I
C
= 10毫安，V
CE
= 5.0V
I
C
= 50mA时V
CE
= 5.0V
I
C
= 10毫安，我
B
= 1.0毫安
I
C
= 50mA时我
B
= 5.0毫安
I
C
= 10毫安，我
B
= 1.0毫安
I
C
= 50mA时我
B
= 5.0毫安
V
CB
= 10V ， F = 1.0MHz的，我
E
= 0
V
CE
= 10V ，我
C
= 1.0毫安，
F = 1.0kHz
V
CE
= 10V ，我
C
= 10毫安，
F = 100MHz的
V
CE
= 5.0V ，我
C
= 200A,
R
S
= 1.0kΩ ， F = 1.0kHz
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
V
C
敖包
h
FE
f
T
NF
6.0
250
300
8.0
pF
兆赫
dB
订购信息
设备
DMMT5551-7-F
（注6 & 9 ）
包装
SOT-26
SOT-26
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
DMMT5551S-7-F
注意事项：
与日期代码0627 （ 2006年27周， ）和较新的制造6.产品都建有绿色塑封料。产品制造之前
日期代码0627顷建有非绿色塑封料，可能含有卤素或三氧化二锑阻燃剂。
7.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
8.直流电流增益，H
FE
（匹配在我
C
= 10mA到V
CE
= 5V ）集电极发射极饱和电压，V
CE （ SAT ）
和基
射极饱和电压，V
BE （ SAT ）
匹配用的1 ％的典型匹配公差和最多2 ％。
9.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
E
1
E
2
C
2
C
1
E
1
C
2
K4R
C
1
B
1
K4R = DMMT5551产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年份例如： T = 2006年
M =月前： 9 =九月
B
1
K4T
E
2
K4T = DMMT5551S产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年份例如： T = 2006年
M =月前： 9 =九月
YM
B
2
B
2
日期代码的关键
YEAR
CODE
2003
Q
2004
R
2005
S
2006
T
2007
U
2008
V
2009
W
2010
X
2011
Y
2012
Z
MONTH
CODE
JAN
1
FEB
2
MAR
3
APR
4
五月
5
JUN
6
JUL
7
YM
八月
8
SEP
9
十月
O
NOV
N
DEC
D
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重要通知
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改，补充，改进，修正或其他变化没有进一步的权利
注意任何产品在此。 Diodes公司不承担因本文所述的任何产品的应用或使用任何责任;也不
它转达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有使用风险，并会
同意举行Diodes公司，其产品代表我们的网站上，反对一切损害无害的所有公司。
生命支持
未经明确的书面批准Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件
Diodes公司的总裁。
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