DMG4800LK3
N沟道增强型MOSFET
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特点
低导通电阻
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
铅的设计免费/符合RoHS (注1 )
"Green"设备(注2 )
符合AEC -Q101标准的高可靠性
机械数据
案例: TO252-3L
外壳材料:模压塑料, “绿色”模塑料。
UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度灵敏性:每J- STD- 020 1级
终端连接:见图
终端:雾锡完成了退火铜引线框架。
每MIL -STD- 202方法208
标识信息:参见第5页
订购信息:参见第5页
重量: 0.33克(近似值)
新产品
D
D
G
D
G
顶视图
S
S
等效电路
PIN OUT机顶视图
最大额定值
漏源电压
栅源电压
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
符号
V
DSS
V
GSS
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
I
D
I
DM
价值
30
±25
10.0
6.5
48
单位
V
V
A
A
连续漏电流(注3 )
漏电流脉冲(注4 )
热特性
特征
功率耗散(注3 )
热阻,结到环境@T
A
= 25°C
工作和存储温度范围
注意事项:
符号
P
D
R
θJA
T
J
, T
英镑
价值
1.71
72.9
-55到+150
单位
W
° C / W
°C
1.没有故意添加铅。
2.二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
3.设备安装在FR- 4印刷电路板,以最小的推荐焊盘布局。
4.重复等级,脉冲宽度有限的结温。
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DMG4800LK3
电气特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
|Y
fs
|
V
SD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
民
30
-
-
0.8
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
12
16
10
0.7
798
128
122
1.37
8.7
1.7
2.4
5.03
4.50
26.33
8.55
最大
-
1.0
±100
1.6
17
24
-
1.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
V
μA
nA
V
m
S
V
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
= 250μA
V
DS
= 30V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±25V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 10V ,我
D
= 9A
V
GS
= 4.5V ,我
D
= 7A
V
DS
= 10V ,我
D
= 9A
V
GS
= 0V时,我
S
= 1A
新产品
特征
开关特性(注5 )
漏源击穿电压
零栅压漏电流T
J
= 25°C
栅源漏
基本特征(注5 )
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向转移导纳
二极管的正向电压
动态特性(注6 )
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
注意事项:
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
V
DS
= 0V, V
GS
= 0V , F = 1MHz的
V
GS
= 5V, V
DS
= 15V,
I
D
= 9A
V
DD
= 15V, V
GS
= 10V,
R
L
= 15, R
G
= 6, I
D
= 1A
5.短持续时间脉冲试验中使用,以尽量减少自热效应。
6.通过设计保证。不受生产测试。
30
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 4.0V
30
V
DS
= 5.0V
25
25
V
GS
= 3.5V
V
GS
= 3.0V
I
D
,漏电流( A)
I
D
,漏电流( A)
20
20
15
15
T
A
= 150°C
T
A
= 125°C
10
V
GS
= 2.5V
10
5
V
GS
= 1.8V
V
GS
= 2.0V
5
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= -55°C
0
0
0.5
1
1.5
V
DS
,漏源电压(V )
图1典型的输出特性
2
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
V
GS
,门源极电压( V)
图。 2典型的传输特性
4
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DMG4800LK3
订购信息
产品型号
DMG4800LK3-13
注意事项:
(注7 )
例
TO252-3L
包装
2500 /磁带&卷轴
7.包装详细信息,请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
新产品
标识信息
N4800L
YYWW
=制造商的标志
N4800L =产品型号标识代码
YYWW =日期代码标
YY =年(例如: 09 = 2009)
WW =周( 01-52 )
包装外形尺寸
E
b3
L3
D
b2
b
e
L4
A1
H
A
a
L
座位
飞机
C2
TO252-3L
朦胧最小值典型值
最大
A
2.19 2.29
2.39
A1
0.97 1.07
1.17
b
0.64 0.76
0.88
b2
0.76 0.95
1.14
b3
5.21 5.33
5.50
C2
0.45 0.51
0.58
D
6.00 6.10
6.20
E
6.45 6.58
6.70
e
2.286典型。
H
9.40 9.91 10.41
L
1.40 1.59
1.78
L3
0.88 1.08
1.27
L4
0.64 0.83
1.02
a
0°
-
10°
尺寸:mm
拟议的焊盘布局
X2
Y2
C
Y1
Z
尺寸
Z
X1
X2
Y1
Y2
C
E1
值(单位:mm)
11.6
1.5
7.0
2.5
7.0
6.9
2.3
X1
E1
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