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DMMT3906
MATCHED PNP小信号表面贴装晶体管
特点
新产品
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
外延平面片建设
本质匹配PNP配对(注1 )
小型表面贴装封装
2% h
FE
匹配公差
1% h
FE
匹配公差要求
案例: SOT- 26 ,模压塑料
外壳材料 - UL防火等级
分类科幻阳离子94V- 0
码头:每MIL -STD- 202焊接的,
方法208
终端连接:见图
标记: K3Q
重量:0.015克数(大约)
订购信息:见下文
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
功率耗散(注2 )
热阻,结到环境(注2 )
操作和储存和温度范围内
SOT-26
A
C
1
B
1,2
C
2
暗淡
A
B
B C
0.35
1.50
2.70
2.90
1.00
0.35
0.10
最大
0.50
1.70
3.00
3.10
1.30
0.55
0.20
典型值
0.38
1.60
2.80
0.95
0.55
3.00
0.05
1.10
0.40
0.15
机械数据
E
1
NC
C
D
F
H
J
M
E
2
H
K
0.013 0.10
K
L
M
J
D
F
L
尺寸:mm
最大额定值
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
d
R
qJA
T
j
, T
英镑
DMMT3906
-40
-40
-5.0
-200
225
556
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
° C / W
°C
订购信息
设备
DMMT3906-7
注意事项:
(注3)
包装
SOT-26
航运
3000 /磁带&卷轴
1.内置与相邻死于单一晶片上。
2.设备安装在FR5 PCB : 1.0× 0.75× 0.62英寸;如对建议的焊盘布局文件AP02001 ,焊盘布局哪些
可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。
3.包装详细信息,请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
K3Q
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
1998
J
JAN
1
FEB
2
1999
K
三月
3
2000
L
APR
4
K3Q =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年份例如: N = 2002年
M =月前: 9 =九月
YM
2001
M
五月
5
2002
N
2003
O
八月
8
SEP
9
十月
O
2004
P
NOV
N
DEC
D
JUN
6
JUL
7
DS30293修订版A- 2
1第3
DMMT3906
电气特性
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CEX
I
BL
-40
-40
-5.0
60
80
100
60
30
-0.65
2.0
0.1
100
3.0
250
最大
-50
-50
300
-0.25
-0.40
-0.85
-0.95
4.5
10
12
10
400
60
4.0
35
35
225
75
单位
V
V
V
nA
nA
测试条件
I
C
= -10mA ,我
E
= 0
I
C
= -1.0mA ,我
B
= 0
I
E
= -10mA ,我
C
= 0
V
CE
= -30V, V
EB (O FF )
= -3.0V
V
CE
= -30V, V
EB (O FF )
= -3.0V
I
C
= -100μA ,V
CE
=
I
C
= -1.0mA ,V
CE
=
I
C
= -10mA ,V
CE
=
I
C
= -50mA ,V
CE
=
I
C
= -100mA ,V
CE
=
-1.0V
-1.0V
-1.0V
-1.0V
-1.0V
新产品
特征
开关特性(注4 )
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
基地截止电流
基本特征(注4 )
DC电流增益(注5)
h
FE
V
V
pF
pF
kW
x 10
-4
mS
兆赫
dB
ns
ns
ns
ns
集电极 - 发射极饱和电压
基地 - 发射极饱和电压
小信号特性
输出电容
输入电容
输入阻抗
电压反馈比例
小信号电流增益
输出导纳
电流增益带宽积
噪声系数
开关特性
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
注意事项:
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
C
敖包
C
IBO
h
ie
h
re
h
fe
h
oe
f
T
NF
t
d
t
r
t
s
t
f
I
C
= -10mA ,我
B
= -1.0mA
I
C
= -50mA ,我
B
= -5.0mA
I
C
= -10mA ,我
B
= -1.0mA
I
C
= -50mA ,我
B
= -5.0mA
V
CB
= -5.0V , F = 1.0MHz的,我
E
= 0
V
EB
= -0.5V , F = 1.0MHz的,我
C
= 0
V
CE
= 10V ,我
C
= 1.0毫安,
F = 1.0kHz
V
CE
= -20V ,我
C
= -10mA ,
F = 100MHz的
V
CE
= -5.0V ,我
C
= -100mA ,
R
S
= 1.0KW , F = 1.0kHz
V
CC
= -3.0V ,我
C
= -10mA ,
V
BE (OFF)的
= 0.5V ,我
B1
= -1.0mA
V
CC
= -3.0V ,我
C
= -10mA ,
I
B1
= I
B2
= -1.0mA
4.短持续时间的测试脉冲用来减小自加热效应。
5.直流电流增益,H
FE
,匹配在我
C
= -10mA和V
CE
= -1.0V为1 %的典型匹配公差和最多2 %。
DS30293修订版A- 2
2 3
DMMT3906
100
新产品
300
250
200
150
100
50
0
C
IBO
,输入电容( pF)的
C
敖包
,输出电容( pF)的
350
F = 1MHz的
P
D
,功耗(毫瓦)
10
CIBO
0
25
50
75
100
125
150
175
200
1
0.1
科博
1
10
100
T
A
,环境温度( ° C)
图。 1 ,最大功耗与
环境温度
V
CB
,集电极 - 基极电压( V)
图。 2 ,输入和输出电容与
集电极 - 基极电压
1000
V
CE ( SAT )
,集电极 - 发射极( V)
饱和电压
10
I
C
I
B
= 10
h
FE
,直流电流增益
T
A
= 125°C
1
100
T
A
= -25°C
T
A
= +25°C
10
0.1
V
CE
= 1.0V
1
0.1
0.01
1
10
100
1000
1
10
100
1000
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 3 ,典型的直流电流增益VS
集电极电流
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 4 ,典型的集电极 - 发射极饱和电压
与集电极电流
1.0
V
BE ( SAT )
,基极 - 发射( V)
饱和电压
0.9
0.8
0.7
0.6
I
C
I
B
= 10
0.5
1
10
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 5 ,典型的基射极
饱和电压与集电极电流
100
DS30293修订版A- 2
3 3
DMMT3906
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