DMMT3904W
MATCHED NPN小信号表面贴装晶体管
特点
外延平面片建设
本质匹配NPN对（注1 ）
小型表面贴装封装
2％的匹配容差，H
FE
, V
CE （ SAT ）
, V
BE （ SAT ）
无铅/符合RoHS （注3 ）
"Green"设备（注4和5）
A
C
2
E
2
E
1
SOT-363
暗淡
A
B C
民
0.10
1.15
2.00
0.30
1.80
—
0.90
0.25
0.10
0°
最大
0.30
1.35
2.20
0.40
2.20
0.10
1.00
0.40
0.25
8°
B
C
D
F
H
M
B
2
B
1
C
1
0.65标称
机械数据
案例： SOT- 363
外壳材料：模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级
码头：每MIL -STD- 202方法208
无铅电镀（雾锡完成了退火
合金引线框架42 ） 。
终端连接：见图
标识信息：请参阅第4页
订购&日期代码信息：参见第4页
重量：0.015克数（近似值）
K
H
J
K
L
M
α
J
D
F
L
尺寸：mm
最大额定值
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
功耗
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
（注2 ）
（注2 ）
P
d
R
θ
JA
T
j
, T
英镑
价值
60
40
6.0
200
200
625
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
° C / W
°C
特征
热阻，结到环境
工作和存储温度范围
注意事项：
1.
2.
3.
4.
5.
建有从单个晶片相邻的管芯。
设备安装在FR5 PCB ： 1.0× 0.75× 0.62英寸;键盘布局上建议焊盘布局文件AP02001所示，
它可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。
没有故意添加铅。
二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
产品与日期代码UO制造（ 40周， 2007年）和较新的构建与绿色塑封料。前日期产品制造
代码UO都建有非绿色塑封料，可能含有卤素或三氧化二锑阻燃剂。
DS30311牧师11 - 2
1 4
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DMMT3904W
Diodes公司
订购信息
设备
（注8）
包装
SOT-363
航运
3000 /磁带&卷轴
DMMT3904W-7-F
注意事项：
8.
用于包装的详细信息，请访问我们的网站： http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
K4A
K4A =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年份例如： T = 2006年
M =月前： 9 =九月
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
2002
N
JAN
1
2003
P
FEB
2
2004
R
MAR
3
2005
S
APR
4
YM
2006
T
五月
5
2007
U
JUN
6
JUL
7
2008
V
八月
8
2009
W
SEP
9
2010
X
十月
O
2011
Y
NOV
N
2012
Z
DEC
D
重要通知
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改，补充，改进，修正或其他变更的权利
恕不另行通知任何产品在此。 Diodes公司不承担由此产生的任何产品的应用或使用任何责任
本文描述的;它也没有传达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。的产品中，例如应用程序的用户应
承担所有使用风险，并会同意举行Diodes公司，其产品代表我们的网站上的所有公司，
反对一切损害无害。
生命支持
未经明确的书面Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件
审批Diodes公司的总裁。
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4 4
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DMMT3904W
MATCHED NPN小信号表面贴装晶体管
电压
特点
NPN硅外延，平面设计
集电极 - 发射极电压V
CE
= 40V
集电极电流I
C
= 200毫安
在符合欧盟RoHS指令2002/95 / EC指令
40伏
动力
200毫瓦
机械数据
案例： SOT -363 ，塑料
终端：每MIL -STD- 750 ，方法2026焊性
约。重量： 0.008克
标记： S4A
绝对额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
功率耗散（注2 ）
热阻，结到环境（注2 ）
工作和存储温度范围
符号
V
BO
V
EO
V
EBO
I
C
P
合计
R
θ
JA
T
J
,T
英镑
价值
60
40
6.0
200
200
625
-55到150
单位
V
V
V
mA
mW
O
C / W
O
C
注1 ：内置与相邻死于单一晶片上。
2 ：设备安装在PCB FR5 ： 1.0x0.75x0.62英寸
6
5
4
1
2
3
Fig.108
STAD-MAR.23.2007
PAGE 。 1
DMMT3904W
电气特性
PA RA M E TE
C 0 LLE C到的R - 重新akdo WN武LTA阁B酶B
C 0 LLE C到的R - é英里TTE 重新akdo WN武LTA阁B
英里TTE的R - B A发E B再A K D 2 O WN武LTA克é
C 0 L L权证吨 R C UT F F C-UR 鄂西北
B A S式C UT F F C-UR 鄂西北
S YM B○升
V
（ B R ）
C B
V
（ B R ）
权证
V
（ B R ）
E B
I
权证X
I
B·L
特S T C 0 N D I T I O
I
C
= 1 0 U A，I
E
= 0
I
C
= 1 。 0米A，I
B
= 0
I
E
= 1 0 U A，I
C
= 0
V
权证
= 3 0 V , V
E B （O FF ）
= 3 . 0 V
V
权证
= 3 0 V , V
E B （O FF ）
= 3 . 0 V
I
C
= 0 。 1米，V
权证
= 1 . 0 V
I
C
= 1 。 0米A，V
权证
= 1 . 0 V
I
C
= 1 0米A，V
权证
= 1 . 0 V
I
C
= 5 0米A，V
权证
= 1 . 0 V
I
C
= 1 0 0米A，V
权证
= 1 . 0 V
I
C
= 1 0微米的，我
B
= 1 。 0米一
I
C
= 5 0米A，I
B
= 5 。 0米一
I
C
= 1 0微米的，我
B
= 1 。 0米一
I
C
= 5 0米A，I
B
= 5 。 0米一
V
权证
= 5 V，I
C
= 2m的
V
C B
= 5 V，I
E
= 0 ， F = 1 M·H
V
C B
= 0 。 5 V，I
C
= 0 ， F = 1 M·H
M IN 。
60
40
6 .0
-
-
40
70
100
60
30
-
0 .6 5
-
-
-
-
1 .0
0 .5
V
权证
= 1 0 V，I
C
= 0 M A， F = 1 。 0 K时
S M一L L S I克呐L C乌尔鄂西北G A I N
UT P UT一D M I T T A NC é
C-UR重新NT克有效成分N- B中的第二宽度P杆UC吨
O I S E F I G乌尔ê
D E L的钛M E
R I发E钛M E
S T R A克é钛M E
F A L L钛M E
h
fe
h
oe
ft
NF
td
tr
ts
tf
V
权证
2 = 0 V，I
C
= 1 0米A， F = 1 0 0 M·H
V
CE
=5 .0 V,
I
C
= 1 0 0
A，R S = 1 。 0 K时
,
F = 1 。 0 K时
V
CC
=3 V,V
BE
=-0 .5 V,
I
C
= 1 0微米的，我
B
= 1 。 0米一
V
C C
= 3 V , V
Bé （O FF ）
= - 0 . 5 V ,
I
C
= 1 0微米的，我
B
= 1 。 0米一
V
C C
= 3 V，I
C
= 1 0微米的
I
B
1 = I
B
2 = 1 。 0米一
V
C C
= 3 V，I
C
= 1 0微米的
I
B
1 = I
B
2 = 1 。 0米一
100
1 .0
300
-
-
-
-
-
400
40
-
5 .0
35
35
200
50
-
s
兆赫
dB
ns
ns
ns
ns
MA X 。
-
-
-
50
50
-
-
300
-
-
0 .2
0 .3
0 .8 5
0 .9 5
1
4 .0
8 .0
10
8
ü妮吨s
V
V
V
nA
nA
D C C-UR 鄂西北G A I N
h
FE
-
ollector - é米特S上UR通报BULLETIN武ltage
B ASE - é米特S上UR通报BULLETIN武ltage
B ASE - é米特武ltage M ATC吴喜
UT P UT ℃的P A C I T A NC é
在P ü T C的p一个C I T A N权证
在P ü吨林P E D A N权证
武LTA克è F E E D B A C K镭TI
V
权证（S AT ）
V
B E（ AT ）
V
BE
C
OB
C
IBO
h
I E
h
re
V
V
mV
pF
pF
k
x1 0
- 4
注2 ：脉冲测试：脉冲宽度< 300我们，占空比< 2.0 ％ 。
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DMMT3904W
贴装焊盘布局
订购信息
包装信息
T / R - 10K每13"塑料卷
T / R - 每7 “的塑料卷盘3K
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