DMG6968UTS
双N沟道增强型MOSFET
特点
低导通电阻
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
铅的设计免费/符合RoHS (注1 )
"Green"设备(注2 )
ESD保护可达2kV的
符合AEC -Q101标准的高可靠性
机械数据
案例: TSSOP - 8
外壳材料:模压塑料, “绿色”模塑料。 UL
可燃性分类额定值94V- 0
湿度灵敏性:每J- STD- 020 1级
终端连接:下面请参阅图
重量: 0.039克(近似值)
D
D
1
2
3
4
D
S1
S1
G1
D
S2
S2
G2
8
7
6
5
G1
G2
S1
N沟道
N沟道
S2
ESD保护2kV的
顶视图
底部视图
顶视图
引脚配置
内部原理
订购信息
(注3)
产品型号
DMG6968UTS-13
注意事项:
例
TSSOP-8
包装
一十三分之二千五“磁带&卷轴
1.没有故意添加铅。
2.二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com找到。
3.对于包装的详细信息,请访问我们的网站http://www.diodes.com 。
标识信息
8
5
标志
N6968U
YY WW
1
4
部件号
第X周: 01 52
年: “09” = 2009
顶视图
DMG6968UTS
文件编号: DS31793牧师4 - 2
1 6
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2010年12月
Diodes公司
DMG6968UTS
最大额定值
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
漏源电压
栅源电压
连续漏电流(注4 )
漏电流脉冲
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
价值
20
±12
5.2
3.5
30
单位
V
V
A
A
热特性
特征
功率耗散(注4 )
热阻,结到环境@T
A
= 25°C
工作和存储温度范围
符号
P
D
R
θJA
T
J
, T
英镑
价值
1.0
125
-55到+150
单位
W
° C / W
°C
电气特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
开关特性(注5 )
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅源漏
栅源击穿电压
基本特征(注5 )
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向转移导纳
二极管的正向电压
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
注意事项:
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
BV
SGS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
|Y
fs
|
V
SD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
民
20
-
-
±12
0.35
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
18
21
26
13
0.7
143
74
29
202
8.8
1.4
3.0
53
78
562
234
最大
-
1.0
10
-
0.95
23
27
34
-
1.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
V
μA
μA
V
V
m
S
V
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
= 250μA
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±10V, V
DS
= 0V
V
DS
= 0V时,我
G
= ±250μA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 4.5V ,我
D
= 6.5A
V
GS
= 2.5V ,我
D
= 5.5A
V
GS
= 1.8V ,我
D
= 3.5A
V
DS
= 5V ,我
D
= 5A
V
GS
= 0V时,我
S
= 1A
V
DS
=10V, V
GS
= 0V F = 1.0MHz的
V
DS
=0V, V
GS
= 0V , F = 1MHz的
V
GS
= 4.5V, V
DS
= 10V,
I
D
= 6.5A
V
DD
= 10V, V
GS
= 4.5V,
R
L
= 10, R
G
= 6
4.设备安装在FR- 4 PCB 。
5.短持续时间脉冲试验中使用,以尽量减少自热效应。
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