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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符D型号页 > 首字符D的型号第229页 > DMG6968UTS-13
DMG6968UTS
双N沟道增强型MOSFET
特点
低导通电阻
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
铅的设计免费/符合RoHS (注1 )
"Green"设备(注2 )
ESD保护可达2kV的
符合AEC -Q101标准的高可靠性
机械数据
案例: TSSOP - 8
外壳材料:模压塑料, “绿色”模塑料。 UL
可燃性分类额定值94V- 0
湿度灵敏性:每J- STD- 020 1级
终端连接:下面请参阅图
重量: 0.039克(近似值)
D
D
1
2
3
4
D
S1
S1
G1
D
S2
S2
G2
8
7
6
5
G1
G2
S1
N沟道
N沟道
S2
ESD保护2kV的
顶视图
底部视图
顶视图
引脚配置
内部原理
订购信息
(注3)
产品型号
DMG6968UTS-13
注意事项:
TSSOP-8
包装
一十三分之二千五“磁带&卷轴
1.没有故意添加铅。
2.二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com找到。
3.对于包装的详细信息,请访问我们的网站http://www.diodes.com 。
标识信息
8
5
标志
N6968U
YY WW
1
4
部件号
第X周: 01 52
年: “09” = 2009
顶视图
DMG6968UTS
文件编号: DS31793牧师4 - 2
1 6
www.diodes.com
2010年12月
Diodes公司
DMG6968UTS
最大额定值
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
漏源电压
栅源电压
连续漏电流(注4 )
漏电流脉冲
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
价值
20
±12
5.2
3.5
30
单位
V
V
A
A
热特性
特征
功率耗散(注4 )
热阻,结到环境@T
A
= 25°C
工作和存储温度范围
符号
P
D
R
θJA
T
J
, T
英镑
价值
1.0
125
-55到+150
单位
W
° C / W
°C
电气特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
开关特性(注5 )
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅源漏
栅源击穿电压
基本特征(注5 )
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向转移导纳
二极管的正向电压
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
注意事项:
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
BV
SGS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
|Y
fs
|
V
SD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
20
-
-
±12
0.35
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
18
21
26
13
0.7
143
74
29
202
8.8
1.4
3.0
53
78
562
234
最大
-
1.0
10
-
0.95
23
27
34
-
1.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
V
μA
μA
V
V
m
S
V
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
= 250μA
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±10V, V
DS
= 0V
V
DS
= 0V时,我
G
= ±250μA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 4.5V ,我
D
= 6.5A
V
GS
= 2.5V ,我
D
= 5.5A
V
GS
= 1.8V ,我
D
= 3.5A
V
DS
= 5V ,我
D
= 5A
V
GS
= 0V时,我
S
= 1A
V
DS
=10V, V
GS
= 0V F = 1.0MHz的
V
DS
=0V, V
GS
= 0V , F = 1MHz的
V
GS
= 4.5V, V
DS
= 10V,
I
D
= 6.5A
V
DD
= 10V, V
GS
= 4.5V,
R
L
= 10, R
G
= 6
4.设备安装在FR- 4 PCB 。
5.短持续时间脉冲试验中使用,以尽量减少自热效应。
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文件编号: DS31793牧师4 - 2
2 6
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2010年12月
Diodes公司
DMG6968UTS
30
V
GS
= 8V
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 3.0V
V
GS
= 2.5V
20
V
DS
= 5V
25
I
D
,漏电流( A)
16
I
D
,漏电流( A)
20
V
GS
= 2.0V
12
15
V
GS
= 1.5V
8
10
T
A
= 150°C
5
0
0
0.5
1
1.5
V
DS
,漏源电压(V )
图。 1典型的输出特性
2
4
T
A
= 125°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
0
0
T
A
= -55°C
0.5
1
1.5
V
GS
,栅源电压(V )
图。 2典型的传输特性
2
R
DS ( ON)
,漏极 - 源极导通电阻(
Ω
)
R
DS ( ON)
,漏极 - 源极导通电阻(
Ω
)
0.05
0.04
V
GS
= 4.5V
0.04
0.03
T
A
= 150°C
0.03
V
GS
= 1.8V
0.02
T
A
= 125°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
0.02
V
GS
= 2.5V
V
GS
= 4.5V
0.01
T
A
= -55°C
0.01
0
0
5
10
15
20
25
I
D
,漏源电流(A )
图。 3典型导通电阻
与漏电流和栅极电压
30
0
0
4
8
12
16
I
D
,漏电流( A)
20
图。 4典型导通电阻
与漏电流和温度
0.04
1.6
R
DSON
,漏 - 源
导通电阻(标准化)
1.4
R
DSON
,漏 - 源
导通电阻(
Ω
)
V
GS
= 2.5V
I
D
= 5.5A
0.03
V
GS
= 2.5V
I
D
= 5.5A
1.2
V
GS
= 4.5V
I
D
= 10A
0.02
1.0
V
GS
= 4.5V
I
D
= 10A
0.01
0.8
0.6
-50
-25
0
25
50
75 100 125 150
T
A
,环境温度( ° C)
图。 5导通电阻随温度的变化
0
-50
-25
0
25
50
75 100 125 150
T
A
,环境温度( ° C)
图。 6导通电阻随温度的变化
DMG6968UTS
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3 6
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2010年12月
Diodes公司
DMG6968UTS
1.4
V
GS ( TH)
,栅极阈值电压( V)
1.2
20
16
1.0
0.8
I
D
= 1毫安
I
S
,源电流( A)
T
A
= 25°C
12
0.6
0.4
0.2
0
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
T
A
,环境温度( ° C)
图。 7栅极阈值变化与环境温度
I
D
= 250A
8
4
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
V
SD
,源极 - 漏极电压( V)
图。 8二极管正向电压与电流
1.2
1,000
F = 1MHz的
100,000
I
DSS
漏电流( NA)
10,000
T
A
= 150°C
C,电容(pF )
C
国际空间站
1,000
T
A
= 125°C
100
C
OSS
100
T
A
= 85°C
C
RSS
10
T
A
= 25°C
10
0
8
12
16
V
DS
,漏源电压(V )
图。 9典型的总电容
R
DS ( ON)
有限
1
4
20
0
2
4
6
8 10 12 14 16 18 20
V
DS
,漏源电压(V )
图。 10典型泄漏电流和漏源电压
100
-I
D
,漏电流( A)
10
DC
P
W
= 10s
1
P
W
= 1s
P
W
= 100毫秒
P
W
= 10ms的
P
W
为1ms
0.1
P
W
= 100s
P
W
= 10s
T
J(下米斧)
= 150°C
T
A
= 25°C
单脉冲
0.01
0.1
1
10
V
DS
,漏源电压(V )
-
图。 11安全工作区
100
DMG6968UTS
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4 6
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Diodes公司
DMG6968UTS
1
R(T ) ,瞬态热阻
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
0.1
D = 0.1
D = 0.9
D = 0.05
R
θJA
(吨) = R (t)的R *
θ
JA
R
θ
JA
= 157 ° C / W
P( PK)
D = 0.02
0.01
D = 0.01
D = 0.005
t
1
D =单脉冲
t
2
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
占空比D = T
1
/t
2
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1,000
t
1
,脉冲持续时间(s )
图。 12瞬态热响应
包装外形尺寸
D
具体请参阅
E
E1
e
b
c
压力表飞机
A
D
A2
L
A1
a
TSSOP-8L
朦胧最小值最大值典型值
a
0.09
A
1.20
A1
0.05 0.15
A2
0.825 1.025 0.925
b
0.19 0.30
c
0.09 0.20
D
2.90 3.10 3.025
e
0.65
E
6.40
E1
4.30 4.50 4.425
L
0.45 0.75 0.60
尺寸:mm
DETAIL
拟议的焊盘布局
Y
X
C3
C2
G
C1
尺寸值(单位:mm)
X
0.45
Y
1.78
C1
7.72
C2
0.65
C3
4.16
G
0.20
DMG6968UTS
文件编号: DS31793牧师4 - 2
5 6
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Diodes公司
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    DMG6968UTS-13
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:575915585 复制

电话:0755-23991909
联系人:林裕忠
地址:深圳市福田区中航路国利大厦新亚洲电子市场二期N4C478房间
DMG6968UTS-13
DIODES/美台
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TSSOP-8
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电话:021-51875986/51872153
联系人:陈小姐 张先生
地址:上海市黄浦区北京东路668号科技京城西楼
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DIODES/美台
20+
28000
TSSOP-8
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电话:0755-88917652分机801-83200050
联系人:柯
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DMG6968UTS-13
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电话:0755-82561519
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DMG6968UTS-13
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DMG6968UTS-13
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DMG6968UTS-13
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