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TECHNISCHE信息/技术信息
IGBT -模块
IGBT模块
DD 400秒17 K6C B2
1700V双Dioden MODUL麻省理工学院柔和EMCON二极管
1700V双二极管模块,带软EMCON二极管
Hchstzulssige Werte /最大额定值
Periodische Spitzensperrspannung
反向重复峰值电压
Dauergleichstrom
直流正向电流
Periodischer Spitzenstrom
重复峰值正向电流
Grenzlastintegral DER二极管
I
2
吨 - 值,二极管
隔离, Prüfspannung
绝缘测试电压
t
p
= 1毫秒
V
CES
1700
V
I
F
400
A
I
FRM
800
A
V
R
= 0V ,T
p
= 10毫秒,T
Vj
= 125°C
I
2
t
45
千安s
2
RMS中,f = 50Hz时, t为1分钟。
V
ISOL
4
kV
Charakteristische Werte /特征值
分钟。
Durchlaspannung
正向电压
Sperrstrom
反向电流
Rückstromspitze
峰值反向恢复电流
I
F
= 400A ,T
vj
= 25°C
I
F
= 400A ,T
vj
= 125°C
V
R
= 1700V ,T
vj
= 25°C
V
R
= 1700V ,T
vj
= 125°C
I
F
= 400A , - 迪
F
/ DT = 3100A /微秒
V
R
= 900V ,T
vj
= 25°C
V
R
= 900V ,T
vj
= 125°C
Sperrverzgerungsladung
恢复电荷
I
F
= 400A , - 迪
F
/ DT = 3100A /微秒
V
R
= 900V ,T
vj
= 25°C
V
R
= 900V ,T
vj
= 125°C
Abschaltenergie亲普尔斯
反向恢复能量
I
F
= 400A , - 迪
F
/ DT = 3100A /微秒
V
R
= 900V ,T
vj
= 25°C
V
R
= 900V ,T
vj
= 125°C
Modulinduktivitt
杂散电感模块
Modulleitungswiderstand , Anschlüsse - 芯片
模块引线电阻,接线端子 - 芯片
亲二极管/每二极管
L
SAC
E
REC
35
75
20
MWS
MWS
nH
Q
r
80
145
μAs
μAs
I
RM
300
370
A
A
I
R
V
F
典型值。
2,1
2,1
0,01
5
马克斯。
2,5
2,5
1
40
V
V
mA
mA
亲茨威格/每臂
R
CC' + EE '
0,16
m
编制:
A.维森塔尔
出版日期: 00年7月20日
修订版: 2 (系列)
批准:字符。 Lübke ; 2000年11月8日
1(5)
DD400S17K6CB2
TECHNISCHE信息/技术信息
IGBT -模块
IGBT模块
DD 400秒17 K6C B2
Thermische Eigenschaften /热性能
分钟。
Innerer Wrmewiderstand
热阻,结到外壳
bergangs - Wrmewiderstand
热电阻,案件散热器
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
最高结温
Betriebstemperatur
工作温度
Lagertemperatur
储存温度
亲二极管/每二极管, DC
亲茨威格/每臂
亲MODUL /每个模块
λ
= 1瓦/米* K /
λ
油脂
= 1瓦/米* K
R
thJC
R
thCK
R
thCK
0,016
0,008
典型值。
马克斯。
0,068
K / W
K / W
K / W
T
vj
150
°C
T
op
-40
125
°C
T
英镑
-40
125
°C
Mechanische Eigenschaften /机械性能
Gehuse ,世赫原基
情况下,见附录
维也纳内隔离
内部绝缘
Kriechstrecke
爬电距离
Luftstrecke
净空
CTI
comperative漏电起痕指数
Anzugsdrehmoment F。机甲。 Befestigung
安装力矩
Anzugsdrehmoment F。 elektr 。 Anschlüsse
终端连接扭矩
Gewicht
重量
终端M8
分钟。
M1
氮化铝
15
mm
10
mm
275
5
Nm
M2
8 - 10
Nm
G
1050
g
麻省理工学院dieser technischen信息werden Halbleiterbauelemente spezifiziert , jedoch keine Eigenschaften zugesichert 。
在Verbindung SIE镀金麻省理工学院书房zugehrigen Technischen Erluterungen 。
本技术信息指定半导体器件,但承诺没有的特点。这是
有效的与属于技术说明组合。
2(5)
DD400S17K6CB2
TECHNISCHE信息/技术信息
IGBT -模块
IGBT模块
DD 400秒17 K6C B2
Durchlakennlinie德Inversdiode ( typisch )
反向二极管的正向特性(典型值)
I
F
= F(V
F
)
800
700
TVJ = 25°C
TVJ = 125°C
600
500
I
F
[A]
400
300
200
100
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3(5)
DD400S17K6CB2
TECHNISCHE信息/技术信息
IGBT -模块
IGBT模块
DD 400秒17 K6C B2
Transienter Wrmewiderstand
瞬态热阻抗
0,1
Z
thJC
= F (t)的
Z
thJC
〔 K / W〕
0,01
第Z :二极管
0,001
0,001
0,01
0,1
1
10
100
吨[秒]
i
r
i
[K /千瓦]
:二极管
τ
i
[秒]
:二极管
1
6,7
0,003
2
36,44
0,045
3
12,44
0,45
4
12,42
0,75
4 (5)
DD400S17K6CB2
TECHNISCHE信息/技术信息
IGBT -模块
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DD 400秒17 K6C B2
uere Abmessungen /外形尺寸
5(5)
DD400S17K6CB2
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