DMG1012T
N沟道增强型MOSFET
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特点
低导通电阻
低栅极阈值电压
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
铅的设计免费/符合RoHS （注2 ）
ESD保护可达2kV的
"Green"设备（注3）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
机械数据
SOT-523
漏
新产品
案例： SOT- 523
外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑料。
UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级
码头：完成
雾锡比退火合金42
引线框架。每MIL -STD- 202方法208
终端连接：见图
标识信息：请参阅第4页
订购信息：见第4页
重量： 0.002克（近似值）
D
门
门
保护
二极管
G
来源
S
ESD保护2kV的
顶视图
等效电路
顶视图
最大额定值
漏源电压
栅源电压
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GSS
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
I
D
I
DM
价值
20
±6
0.63
0.45
6
单位
V
V
A
A
特征
连续漏电流（注1 ）
漏电流脉冲
热特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
P
D
R
θ
JA
T
J,
T
英镑
价值
0.28
452
-55到+150
单位
W
° C / W
°C
特征
总功率耗散（注1 ）
热阻，结到环境
工作和存储温度范围
注意事项：
1.
2.
3.
设备安装在FR- 4 PCB 。
没有故意添加铅。
二极管公司的“绿色”政策，可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
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文件编号： DS31783修订版3 - 2
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2009年10月
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DMG1012T
电气特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
|Y
fs
|
V
SD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
民
20
-
-
0.5
-
-
典型值
-
-
-
-
0.3
0.4
0.5
1.4
0.7
60.67
9.68
5.37
736.6
93.6
116.6
5.1
7.4
26.7
12.3
最大
-
100
±1.0
1.0
0.4
0.5
0.7
-
1.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
V
nA
μA
V
Ω
S
V
pF
pF
pF
pC
pC
pC
ns
ns
ns
ns
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±4.5V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 600毫安
V
GS
= 2.5V ，我
D
= 500毫安
V
GS
= 1.8V ，我
D
= 350毫安
V
DS
= 10V ，我
D
= 400毫安
V
GS
= 0V时，我
S
= 150毫安
V
DS
=16V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
V
GS
=4.5V, V
DS
= 10V,
I
D
=250mA
V
DD
= 10V, V
GS
= 4.5V,
R
L
= 47, R
G
= 10,
I
D
= 200毫安
新产品
特征
开关特性（注4 ）
漏源击穿电压
零栅压漏电流T
J
= 25°C
栅源漏
基本特征（注4 ）
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向转移导纳
二极管的正向电压（注4 ）
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
注意事项：
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
1.5
V
GS
= 8.0V
V
GS
= 4.5V
1.5
1.2
I
D
，漏电流（ A）
V
GS
= 3.0V
V
GS
= 2.5V
1.2
I
D
，漏电流（ A）
V
DS
= 5V
0.9
V
GS
= 2.0V
0.9
0.6
V
GS
= 1.5V
0.6
T
A
= 150°C
0.3
0.3
T
A
= 125°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= -55°C
0
0
V
GS
= 1.2V
0
1
2
3
4
V
DS
，漏源电压（V ）
图。 1典型的输出特性
5
0
0.5
1
1.5
2
2.5
V
GS
，门源极电压（ V）
图。 2典型的传输特性
3
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I
DSS
，漏极 - 源极漏电流（ NA）
100
C
国际空间站
1,000
T
A
= 150°C
C，电容（pF ）
100
T
A
= 125°C
新产品
10
C
OSS
C
RSS
10
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
1
0
5
10
15
V
DS
，漏源电压（V ）
图。 9典型电容
20
1
0
4
8
12
16
20
V
DS
，漏源电压（V ）
图。 10典型的漏源漏电流
与漏源电压
1
R（T ） ，瞬态热阻
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
0.1
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.9
D = 0.02
R
θJA
（吨） = R （t）的R *
θ
JA
R
θ
JA
= 486 ° C / W
P（ PK）
0.01
D = 0.01
t
1
D = 0.005
D =单脉冲
t
2
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
占空比D = T
1
/t
2
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t
1
，脉冲持续时间（s ）
图。 11瞬态热响应
10
100
1,000
订购信息
产品型号
DMG1012T-7
注意事项：
（注5 ）
例
SOT-523
包装
3000 /磁带&卷轴
5.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
NA1 =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年（例如： W = 2009）
M =月（例如： 9 =九月）
NA1
YM
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
2009
W
JAN
1
FEB
2
2010
X
MAR
3
APR
4
2011
Y
五月
5
JUN
6
2012
Z
JUL
7
2013
A
八月
8
SEP
9
2014
B
十月
O
NOV
N
2015
C
DEC
D
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