DG271B
Vishay Siliconix公司
高速单片四路SPST CMOS模拟开关
D
D
D
D
D
特点
快速开关吨
ON
： 55纳秒
低电荷注入： 5件
低R
DS （ ON）
: 32
W
TTL / CMOS兼容
低泄漏： 50 pA的
D
快速建立时间
D
降低开关毛刺
D
精度高
好处
D
D
D
D
D
D
D
D
应用
高速开关
采样/保持
数字滤波器
运算放大器增益切换
飞行控制系统
自动测试设备
菜刀
通信系统
描述
的DG271B高速四单刀单掷模拟
开关适用于要求低的应用
导通电阻，低漏电流，和快速开关
速度。
建立在日前，Vishay Siliconix公司专有的高压硅
门处理，以取得优异的开/关性能，每个
开关同样进行在两个方向上时，与
块到当电源电压断开。外延层
防止闭锁。
该DG271B有一个重新设计的内部稳压器可提高
启动时通过DG271 。
作为一个坚定的合作伙伴，社区和
环境，日前，Vishay Siliconix公司生产这种产品，
铅（Pb ） - 免费的设备终端。对于模拟开关
产品生产采用100％雾锡器
终端，铅（Pb ） - 免费“ -E3 ”后缀被用作
一个标志。
功能框图及引脚配置
双列直插式和SOIC
IN
1
D
1
S
1
V
GND
S
4
D
4
IN
4
1
2
3
4
5
6
7
8
顶视图
16
15
14
13
12
11
10
9
IN
2
D
2
S
2
V+
NC
S
3
D
3
IN
3
0
1
逻辑“0”的
v
0.8 V
08
2.4
逻辑“1”的
w
2 4 V
真值表
逻辑
开关
ON
关闭
订购信息
温度范围
0至70℃
40
至85℃
40
包
16引脚塑料DIP
16-Pin
16引脚窄体SOIC
产品型号
DG271BCJ—E3
DG271BDY—E3
DG271BDY -T1 -E3 （带编带和卷轴）
www.vishay.com
文档编号： 70966
S- 42137 -REV 。 B， 15月， 04
1
DG271B
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
V +至V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 44 V
GND到V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25 V
数字输入
a
V
S
, V
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . (V)
2
V至（V +） 2 V或
20 mA，且以先到者为准
目前，任何终端。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
峰值电流，S或D
（脉冲在1毫秒，10％占空比的最大值）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安
储存温度
（ DY后缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
65
至150℃
（ CJ后缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
65
至125℃
功率耗散（套餐） B
16引脚塑料DIP
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 470毫瓦
16引脚塑封SOIC窄
d
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 600毫瓦
注意事项：
一。在S信号
X
, D
X
或IN
X
超过V +或V-将由内部钳位
二极管。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免6.5毫瓦/ _C上述75°C
。减免7.6毫瓦/ _C上述75°C
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
特定网络阳离子
a
测试条件
除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源导通电阻
V
类似物
r
DS （ ON）
I
S（ OFF）
关机漏电流
I
D（关闭）
通道泄漏电流
I
D（上）
+
I
秒（上）
V
D
=
"14
V V
S
=
#14
V
V,
I
S
= 1毫安， V
D
=
"10
V
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
1
20
1
20
1
20
15
32
"0.05
"0.05
"0.05
15
50
75
1
20
1
20
1
20
nA
V
W
C，D后缀
0至70℃
40
至85℃
符号
V+
V = 15 V, V =
15
V
V V
15
V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
温度
b
民
d
典型值
c
最大
d
单位
V
S
= V
D
=
"14
V
数字控制
输入电流与电压高
输入电流与电压低
I
INH
I
INL
V
IN
= 2 V
V
IN
= 15 V
V
IN
= 0 V
满
满
满
1
1
1
0.010
0.010
0.010
1
1
1
m
mA
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
源关断电容
流掉电容
通道导通电容
关断隔离
相声
t
ON
t
关闭
Q
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D
(
上）
OIRR
X
TALK
V
S
=
"10
V
见图3
C
L
= 1 nF的，V
S
= 0 V
V
根
= 0 V ，R
根
= 0
W
见图3
V
S
= 0 V, V
IN
= 5 V
F = 1 MHz的
V
D
= V
S
= 0 V, V
IN
= 0 V
C
L
= 10 pF的，R
L
= 1千瓦
F = 100千赫
请参阅图4和图5
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
房间
房间
55
50
65
80
65
80
ns
5
8
8
30
85
100
pC
p
pF
dB
供应
正电源电流
负电源电流
I+
I
所有通道ON或OFF
V
IN
= 5 V或0 V
房间
满
房间
满
6
8
5.5
3.4
7.5
9
mA
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，不受生产测试。
f.
V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
www.vishay.com
文档编号： 70966
S- 42137 -REV 。 B， 15月， 04
2
DG271B
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
70
r
DS （ ON）
漏源导通电阻（ W）
60
50
40
"10
V
30
20
"20
V
10
0
20 16 12
8
4
0
4
8
12
16
20
V
D
漏极电压（ V）
"15
V
r
DS （ ON）
与V
D
与电源电压
r
DS （ ON）
漏源导通电阻（ W）
50
r
DS （ ON）
与V
D
和温度
V+ = 15 V
V =
15
V
40
125_C
30
85_C
25_C
20
0_C
10
55_C
"5
V
0
15
10
5
0
5
10
15
V
D
漏极电压（ V）
输入开关阈值与电源电压
2.5
10 nA的
漏电流与温度的关系
I
D（上）
2
1 nA的
V IN （ V）
泄漏
1.5
1
I
S（关闭） ，
I
D（关闭）
100 pA的
0.5
0
"4
"6
"8
"10
"12
"14 "16
"18 "20
正/负电源（ V）
10 pA的
55
35
15
5
25
45
65
85
105
125
温度（℃）
开关时间与温度
55
V+ = 15 V
V =
15
V
50
切换时间（纳秒）
切换时间（纳秒）
t
ON
开关时间与电源电压
55
50
45
45
t
ON
40
t
关闭
40
35
35
t
关闭
30
55
30
25
0
25
50
75
100
125
"4
"6
"8
"10
"12
"14 "16
"18 "20
温度（℃）
电源电压（ V）
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3
DG271B
Vishay Siliconix公司
原理图（典型值CHANNEL ）
V+
5V
REG
水平
SHIFT /
DRIVE
IN
X
V
V+
S
X
D
X
GND
V
图1 。
测试电路
+15 V
逻辑
输入
开关
输入
5V
50%
0V
V
S
t
关闭
V
O
90%
t
r
<20 NS
t
f
<20 NS
V+
10 V
S
IN
5V
GND
V
R
L
1 KW
C
L
35 pF的
D
V
O
开关
输出电压V
O
t
ON
C
L
（包括网络连接夹具和杂散电容）
15
V
V
O
= V
S
R
L
R
L
+ r
DS （ ON）
图2中。
开关时间
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅技术的可靠性和数据
封装可靠性代表的所有合格的地点的复合物。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记和可靠性数据，请参见
http://www.vishay.com/ppg?70966 。
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DG271B
Vishay Siliconix公司
高速单片四路SPST CMOS模拟开关
D
D
D
D
D
特点
快速开关吨
ON
： 55纳秒
低电荷注入： 5件
低R
DS （ ON）
: 32
W
TTL / CMOS兼容
低泄漏： 50 pA的
D
快速建立时间
D
降低开关毛刺
D
精度高
好处
D
D
D
D
D
D
D
D
应用
高速开关
采样/保持
数字滤波器
运算放大器增益切换
飞行控制系统
自动测试设备
菜刀
通信系统
描述
的DG271B高速四单刀单掷模拟
开关适用于要求低的应用
导通电阻，低漏电流，和快速开关
速度。
建立在日前，Vishay Siliconix公司专有的高压硅
门处理，以取得优异的开/关性能，每个
开关同样进行在两个方向上时，与
块到当电源电压断开。外延层
防止闭锁。
该DG271B有一个重新设计的内部稳压器可提高
启动时通过DG271 。
作为一个坚定的合作伙伴，社区和
环境，日前，Vishay Siliconix公司生产这种产品，
铅（Pb ） - 免费的设备终端。对于模拟开关
产品生产采用100％雾锡器
终端，铅（Pb ） - 免费“ -E3 ”后缀被用作
一个标志。
功能框图及引脚配置
双列直插式和SOIC
IN
1
D
1
S
1
V
GND
S
4
D
4
IN
4
1
2
3
4
5
6
7
8
顶视图
16
15
14
13
12
11
10
9
IN
2
D
2
S
2
V+
NC
S
3
D
3
IN
3
0
1
逻辑“0”的
v
0.8 V
08
2.4
逻辑“1”的
w
2 4 V
真值表
逻辑
开关
ON
关闭
订购信息
温度范围
0至70℃
40
至85℃
40
包
16引脚塑料DIP
16-Pin
16引脚窄体SOIC
产品型号
DG271BCJ—E3
DG271BDY—E3
DG271BDY -T1 -E3 （带编带和卷轴）
www.vishay.com
文档编号： 70966
S- 42137 -REV 。 B， 15月， 04
1
DG271B
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
V +至V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 44 V
GND到V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25 V
数字输入
a
V
S
, V
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . (V)
2
V至（V +） 2 V或
20 mA，且以先到者为准
目前，任何终端。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
峰值电流，S或D
（脉冲在1毫秒，10％占空比的最大值）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安
储存温度
（ DY后缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
65
至150℃
（ CJ后缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
65
至125℃
功率耗散（套餐） B
16引脚塑料DIP
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 470毫瓦
16引脚塑封SOIC窄
d
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 600毫瓦
注意事项：
一。在S信号
X
, D
X
或IN
X
超过V +或V-将由内部钳位
二极管。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免6.5毫瓦/ _C上述75°C
。减免7.6毫瓦/ _C上述75°C
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
特定网络阳离子
a
测试条件
除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源导通电阻
V
类似物
r
DS （ ON）
I
S（ OFF）
关机漏电流
I
D（关闭）
通道泄漏电流
I
D（上）
+
I
秒（上）
V
D
=
"14
V V
S
=
#14
V
V,
I
S
= 1毫安， V
D
=
"10
V
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
1
20
1
20
1
20
15
32
"0.05
"0.05
"0.05
15
50
75
1
20
1
20
1
20
nA
V
W
C，D后缀
0至70℃
40
至85℃
符号
V+
V = 15 V, V =
15
V
V V
15
V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
温度
b
民
d
典型值
c
最大
d
单位
V
S
= V
D
=
"14
V
数字控制
输入电流与电压高
输入电流与电压低
I
INH
I
INL
V
IN
= 2 V
V
IN
= 15 V
V
IN
= 0 V
满
满
满
1
1
1
0.010
0.010
0.010
1
1
1
m
mA
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
源关断电容
流掉电容
通道导通电容
关断隔离
相声
t
ON
t
关闭
Q
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D
(
上）
OIRR
X
TALK
V
S
=
"10
V
见图3
C
L
= 1 nF的，V
S
= 0 V
V
根
= 0 V ，R
根
= 0
W
见图3
V
S
= 0 V, V
IN
= 5 V
F = 1 MHz的
V
D
= V
S
= 0 V, V
IN
= 0 V
C
L
= 10 pF的，R
L
= 1千瓦
F = 100千赫
请参阅图4和图5
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
房间
房间
55
50
65
80
65
80
ns
5
8
8
30
85
100
pC
p
pF
dB
供应
正电源电流
负电源电流
I+
I
所有通道ON或OFF
V
IN
= 5 V或0 V
房间
满
房间
满
6
8
5.5
3.4
7.5
9
mA
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，不受生产测试。
f.
V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
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文档编号： 70966
S- 42137 -REV 。 B， 15月， 04
2
DG271B
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
70
r
DS （ ON）
漏源导通电阻（ W）
60
50
40
"10
V
30
20
"20
V
10
0
20 16 12
8
4
0
4
8
12
16
20
V
D
漏极电压（ V）
"15
V
r
DS （ ON）
与V
D
与电源电压
r
DS （ ON）
漏源导通电阻（ W）
50
r
DS （ ON）
与V
D
和温度
V+ = 15 V
V =
15
V
40
125_C
30
85_C
25_C
20
0_C
10
55_C
"5
V
0
15
10
5
0
5
10
15
V
D
漏极电压（ V）
输入开关阈值与电源电压
2.5
10 nA的
漏电流与温度的关系
I
D（上）
2
1 nA的
V IN （ V）
泄漏
1.5
1
I
S（关闭） ，
I
D（关闭）
100 pA的
0.5
0
"4
"6
"8
"10
"12
"14 "16
"18 "20
正/负电源（ V）
10 pA的
55
35
15
5
25
45
65
85
105
125
温度（℃）
开关时间与温度
55
V+ = 15 V
V =
15
V
50
切换时间（纳秒）
切换时间（纳秒）
t
ON
开关时间与电源电压
55
50
45
45
t
ON
40
t
关闭
40
35
35
t
关闭
30
55
30
25
0
25
50
75
100
125
"4
"6
"8
"10
"12
"14 "16
"18 "20
温度（℃）
电源电压（ V）
文档编号： 70966
S- 42137 -REV 。 B， 15月， 04
www.vishay.com
3
DG271B
Vishay Siliconix公司
原理图（典型值CHANNEL ）
V+
5V
REG
水平
SHIFT /
DRIVE
IN
X
V
V+
S
X
D
X
GND
V
图1 。
测试电路
+15 V
逻辑
输入
开关
输入
5V
50%
0V
V
S
t
关闭
V
O
90%
t
r
<20 NS
t
f
<20 NS
V+
10 V
S
IN
5V
GND
V
R
L
1 KW
C
L
35 pF的
D
V
O
开关
输出电压V
O
t
ON
C
L
（包括网络连接夹具和杂散电容）
15
V
V
O
= V
S
R
L
R
L
+ r
DS （ ON）
图2中。
开关时间
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅技术的可靠性和数据
封装可靠性代表的所有合格的地点的复合物。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记和可靠性数据，请参见
http://www.vishay.com/ppg?70966 。
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文档编号： 70966
S- 42137 -REV 。 B， 15月， 04
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