DLPR100
www.ti.com
DLPS020 - 2009年12月
DLP
配置PROM的DLPC100
检查样品：
DLPR100
1
特点
编程使用带有DLPC100和DLP1700 （ 0.17 HVGA芯片组）
数据传送多达150个的M-比特/秒
单2.7至3.6 V电源
5毫安有源电流， 1 μA掉电（典型值）
-40 ° C至85 ° C工作温度范围
描述
该DLPR100是在0.17 HVGA芯片组三个部分组成（见框图）之一。正确的功能和
该DLPR100的操作要求，它被用来在结合0.17 HVGA的其它组分
芯片组。请参考0.17 HVGA芯片组数据表，获得进一步的细节（ TI文献编号
DLPS017).
串行闪存器件提供了在0.17 HVGA芯片组DLPC100设备的存储解决方案。该
设备运行在一个单一的2.7 V至3.6 V电源与电流消耗低至5毫安活动1个
μA的电源关闭。该DLPR100支持标准的串行外设接口（SPI） 。 SPI时钟频率
高达75 MHz的支持。
订购信息
T
A
-40 ° C至85°C
订购型号
DLPR100DWC
顶部端标记
由引脚1
CS
DO
WP
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
HOLD
CLK
DIO
终端功能
终奌站
号
1
2
3
4
5
6
7
8
名字
CS
DO
WP
GND
DIO
CLK
HOLD
V
CC
I / O
I
O
I
–
I / O
I
I
–
描述
片选信号，低电平有效。当CS为高电平时，器件被取消选中， DO引脚为高电平
阻抗。
数据输出。数据被移出串行时钟（ CLK ）输入引脚的下降沿。
写保护输入端，低电平有效。禁止写入状态寄存器时，状态寄存器
保护（SRP）位被设置为1的状态。
地
数据输入/输出。数据被锁存， CLK输入引脚的上升沿。
串行时钟。提供了用于将串行输入和输出操作的定时时钟。
保持输入，低电平有效。允许器件被暂停。当HOLD被拉低，而CS
低， DO引脚将在对DIO和CLK引脚高阻抗，信号会
忽略不计。设备运行后，将继续保持被拉高。
电源
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2009年，德州仪器
DLPR100
www.ti.com
DLPS020 - 2009年12月
1FFFFFh
1F00FFh
31座（ 64KB ）
1FFFFFh
1F00FFh
00FFFFh
0000FFh
块0 （ 64KB ）
00FFFFh
0000FFh
ENDING
页面地址
开始
页面地址
图中DLPR100 1.内存块
功能说明
该DLPR100的存储器块被示于图1 。
SPI操作
该DLPR100通过一个SPI兼容总线访问。在DIO引脚的数据输入的上升沿采样
在CLK的边缘。在DO和DIO引脚的数据同步输出CLK的下降沿。
写保护
在上电时或在电源关闭后的DLPR100将保持在复位状态，而VCC低于阈
VWI的值。虽然复位，所有的操作都被禁止，没有说明书的认可。在上电和
VCC电压超过VWI ，所有的编程和擦除相关指令还用于残疾人的时间后，
tPUW 。这包括写使能，页编程，扇区擦除，块擦除，芯片擦除和写入
状态寄存器指令。注意，芯片选择引脚（CS ）必须跟踪在上电时VCC电源电平，直到
在VCC分钟级别和tVSL时间延迟到达。如果需要的话就CScan一个上拉电阻器被用来完成
这一点。上电后，设备会自动放置在写禁用状态与状态寄存器写入
使能锁存器（ WEL）设置为0。写使能必须发出指令前的写操作会
接受的。在完成写操作后写使能锁存器（ WEL ）会被自动清零到
0软件控制的写保护禁止写入状态通过写状态寄存器便利
指令和设置状态寄存器保护（ SRP）和块保护（TB ， BP2 ， BP1和BP0 ）位。
此外，掉电指令提供写保护的额外级别的所有指令都将被忽略
除发行日期掉电指令。
控制和状态寄存器
在读状态寄存器指令可以用于对闪存存储器阵列的可用性提供状态
如果设备的写使能/禁止，以及写保护状态。写状态反抗者指令可
用于配置设备的写保护功能。
版权所有 2009年，德州仪器
提交文档反馈
产品文件夹链接（ S） ：
DLPR100
3
DLPR100
DLPS020 - 2009年12月
www.ti.com
状态寄存器
忙
忙是一个只读状态寄存器（ S 0）被设置为1的状态时，该设备正在执行一个写操作。
当写操作完成的BUSY位将被清除到0的状态指示设备已准备就绪
进一步的说明。
写使能锁存器（ WEL ）
写使能锁存器（ WEL ）是在状态寄存器（ S1）被设置为1执行后，写一个只读位
启用指令。该WEL状态位被清除为0时，该设备写入禁用。写禁止状态
发生在上电时。
块保护位（ BP2 ， BP1 ， BP0 ）
块保护位是非易失性的读/写状态寄存器位（ S4 ， S3 ， S2 ），提供写保护
控制和状态。块保护位可以使用写状态寄存器指令设置。出厂默认
设置数据块保护位是0 ，没有任何保护的数组。块保护位不能被写入，如果
状态寄存器保护（ SRP）位被设置为1，并且写保护（ / WP ）引脚为低电平。
顶部/底部块保护（ TB）
顶部/底部比特（ TB ）控制，如果数据块保护位（ BP2 ， BP1 ， BP0 ）从顶部（ TB = 0 ），保护或
底部阵列的（TB = 1）。出厂默认设置为TB = 0 。结核病位不能写，如果状态寄存器
保护（SRP）位被设置为1，并写保护（ / WP ）引脚为低电平。
保留位
状态寄存器的位位置S6是为将来使用保留。器件将读到0 ，该位。
状态寄存器保护（ SRP ）
状态寄存器保护（ SRP）位在状态寄存器（ S7），读/写位，可以结合使用
与写保护（ WP ）引脚禁止写入状态寄存器。当SRP的位被设置为0的状态（出厂
默认情况下） WP引脚拥有状态寄存器的控制。当SRP的位被设置为1的状态，在写状态
寄存器被锁定，而WP引脚为低电平。当WP引脚为高电平时，写状态寄存器指令
允许的。
表1.状态寄存器位的位置
S7
SRP
S6
(R)
S5
TB
S4
BP2
S3
BP1
S2
BP0
S1
WEL
S0
忙
表2.状态寄存器内存保护
状态寄存器
TB
(1)
X
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
(1)
4
BP2
0
0
0
0
1
1
0
0
0
1
1
BP1
0
0
1
1
0
0
0
1
1
0
0
BP0
0
1
0
1
0
1
1
0
1
0
1
嵌段（S）
无
31
30到31
28到31
24到31
16到31
0
0和1的
0-3
0到7
0直通15
存储器保护
地址
无
1F0000h-1FFFFFh
1E0000h-1FFFFFh
1C0000h-1FFFFFh
180000h-1FFFFFh
100000h-1FFFFFh
000000h-00FFFFh
000000h-01FFFFh
000000h-03FFFFh
000000h-07FFFFh
000000h-0FFFFFh
密度
无
64KB
128KB
256KB
512KB
1MB
64KB
128KB
256KB
512KB
1MB
一部分
无
上1/32
上1/16
上部1/8
上部1/4
上部1/2
较低的1/32
较低的1/16
低1/8
低1/4
低1/2
X =无关
提交文档反馈
产品文件夹链接（ S） ：
DLPR100
版权所有 2009年，德州仪器
DLPR100
www.ti.com
DLPS020 - 2009年12月
表2.状态寄存器内存保护（续）
状态寄存器
TB
(1)
x
BP2
1
BP1
1
BP0
X
嵌段（S）
0到31
存储器保护
地址
000000h-1FFFFFh
密度
2MB
一部分
所有
说明
该指令集的DLPR100的组成，可通过SPI完全控制的15条基本指令
总线。指令由片选（ CS ）的下降沿启动。数据的第一个字节移入
DIO输入提供的指令代码。在DIO输入数据进行采样的时钟与上升沿
最显著位（ MSB）开始。指令完成了CS的上升沿。
表3.制造商和设备标识
制造商ID
华邦串行闪存
器件ID
指令
W25X16A
(M7-M0)
EFH
(ID7-ID0)
ABH ， 90H
14h
(ID15-ID0)
9Fh
3015h
版权所有 2009年，德州仪器
提交文档反馈
产品文件夹链接（ S） ：
DLPR100
5
QQ：2881677436 复制
