DG441B/442B

新产品

Vishay Siliconix公司

改进的四路SPST CMOS模拟开关

特点

D

D

D

D

D

D

低导通电阻： 45

W

低功耗： 1.0毫瓦

快速开关动作-T

ON

： 120纳秒

低电荷注入，问：

1

pC

TTL / CMOS兼容的逻辑

单电源供电能力

好处

D

D

D

D

D

更少的信号误差和失真

降低电源要求

更快的吞吐量

减少错误基座

简单接口

应用

D

D

D

D

D

D

音频切换

数据采集

采样保持电路

通信系统

自动测试设备

医疗器械

描述

该DG441B / 442B的单芯片4通道模拟开关

旨在提供高速，模拟低误差切换

和音频信号。该DG441B / 442B的升级到

原来DG441 / 442 。

导通电阻的精梳低（45

W,

典型值）的高速

(t

ON

120纳秒，典型值） ，在DG441B / 442B非常适合

数据采集，通信系统，自动测试

设备或医疗器械。电荷注入有

在采样和保持被最小化在漏极使用

电路。

该DG441B / 442B使用的Vishay Siliconix的内置

高电压硅栅工艺。外延层防止

闭锁。

当打开时，每个开关导电性能相同，在两个方向

并阻止输入电压的供给水平时关闭。

功能框图及引脚配置

DG441B

双列直插式和SOIC

IN

1

D

1

S

1

V

GND

S

4

D

4

IN

4

1

2

3

4

5

6

7

8

顶视图

16

15

14

13

12

11

10

9

IN

2

D

2

S

2

V+

NC

S

3

D

3

IN

3

真值表

逻辑

0

1

DG441B

ON

关闭

逻辑“0”的

v

0.8 V

逻辑“1”的

w

2.4 V

DG442B

关闭

ON

DG441B

QFN16 （ 4×4毫米）

D

1

IN

1

IN

2

D

2

16

15

14

13

订购信息

温度范围

包

16-Pin

16引脚塑料DIP

40

至85℃

40

16-Pin

16引脚窄体SOIC

16-Pin

16引脚QFN 4×4毫米

产品型号

DG441BDJ

DG442BDJ

DG441BDY

DG442BDY

DG441BDN

DG442BDN

S

1

V

GND

S

4

1

2

3

4

12

11

10

9

S

2

V+

NC

S

3

5

6

7

8

D

4

IN

4

IN

3

D

3

顶视图

文档编号： 72625

S- 32553 -REV 。 A， 15日-12月03

www.vishay.com

1

DG441B/442B

Vishay Siliconix公司

绝对最大额定值

V +至V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 44 V

GND到V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25 V

数字输入

a

V

S

, V

D

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . (V)

2

V至（V +） + 2V

或30毫安，以先到者为准

连续电流（任何终端） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安

当前，S或D（脉冲1毫秒，10％占空比）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安

储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

65

至125℃

功率耗散（套餐） B

16引脚塑料DIP

c

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 470毫瓦

16引脚窄体SOIC

d

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 900毫瓦

QFN-16

d

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 850毫瓦

注意事项：

一。在S信号

X

, D

X

或IN

X

超过V +或V-将由内部钳位

二极管。限正向二极管电流最大额定电流。

B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。

。减免6毫瓦/ _C上述75°C

。减免12毫瓦/ _C以上25_C

新产品

超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作

该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大

额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。

特定网络阳离子

a

双电源

测试条件

除非另有说明

参数

模拟开关

模拟信号范围

e

漏源

导通电阻

导通电阻之间的匹配

频道

e

关闭

漏电流

通道上

漏电流

V

类似物

r

DS （ ON）

Dr

DS （ ON）

I

S（ OFF）

I

D（关闭）

I

D（上）

V

D

=

"14

V V

S

=

#14

V

V,

I

S

= 1毫安， V

D

=

#10

V

I

S

= 1毫安， V

D

=

"10

V

满

房间

满

房间

满

房间

满

房间

满

房间

满

0.5

5

0.5

5

0.5

10

15

45

2

"0.01

"0.01

#0.02

15

80

95

4

5

0.5

5

0.5

5

0.5

10

nA

V

范围

40

至85℃

符号

V+ = 15 V, V =

15

V, V

L

= 5 V. V

IN

= 2.4 V,

0.8 V

f

温度

b

民

d

典型值

c

最大

d

单位

W

V

S

= V

D

=

"14

V

数字控制

输入电压低

输入电压高

输入电流V

IN

低

输入电流V

IN

高

V

INL

V

INH

I

INL

I

INH

V

IN

被测= 0.8 V，其他= 2.4 V

V

IN

被测= 2.4 V，其他= 0.8 V

满

满

满

满

2.4

1

1

0.01

0.01

1

1

0.8

V

mA

动态特性

开启时间

打开-O FF时间

收费

注射

e

关断隔离

e

Crosstalke （通道 - 通道）

源关断电容

e

流掉电容

e

通道上

电容

e

t

ON

t

关闭

Q

OIRR

X

TALK

C

S（ OFF）

C

D（关闭）

C

D（上）

R

L

= 1千瓦，C

L

= 35 pF的

V

S

= 10 V ，见图2

C

L

= 1 nF的，V

S

= 0 V, V

根

= 0 V ，R

根

= 0

W

R

L

= 50

W

, C

L

= 15 pF的，V

S

= 1 V

RMS

F = 100千赫

F = 1 MHz的

V

S

= V

D

= 0 V ， F = 1兆赫

房间

房间

房间

房间

房间

房间

房间

房间

120

65

1

90

95

4

4

16

p

pF

220

120

ns

pC

dB

电源

正电源电流

负电源电流

I+

I

V+ = 16.5 V, V =

16.5

V

V

IN

= 0或5伏

房间

满

房间

满

1

5

1

5

mA

www.vishay.com

2

文档编号： 72625

S- 32553 -REV 。 A， 15日-12月03

DG441B/442B

新产品

特定网络阳离子

a

对于单电源

测试条件

否则，除非指定

参数

模拟开关

模拟信号范围

e

漏源

导通电阻

V

类似物

r

DS （ ON）

I

S

= 1毫安， V

D

= 3 V, 8 V

满

房间

满

0

90

12

160

200

V

W

Vishay Siliconix公司

范围

40

至85℃

符号

V+ = 12 V, V = 0 V, V

IN

= 2.4 V, 0.8 V

f

温度

b

民

d

典型值

c

最大

d

单位

动态特性

开启时间

打开-O FF时间

电荷注入

t

ON

t

关闭

Q

R

L

= 1千瓦，C

L

= 35 pF的

V

S

= 8 V ，见图2

C

L

= 1 nF的V

根

= 6 V ，R

根

= 0

W

房间

房间

房间

120

60

4

300

200

ns

pC

电源

正电源电流

负电源电流

I+

V

IN

= 0或5伏

I

房间

满

房间

满

1

5

1

5

mA

注意事项：

一。请参阅过程的期权流程图。

B 。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。

。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。

。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。

。通过设计保证，不受生产测试。

f.

V

IN

=输入电压来执行适当的功能。

原理图（典型值CHANNEL ）

V+

5 V REG

IN

X

水平

SHIFT /

DRIVE

V

V+

GND

V

图1 。

文档编号： 72625

S- 32553 -REV 。 A， 15日-12月03

www.vishay.com

3

DG441B/442B

Vishay Siliconix公司

新产品

典型特征（ 25_C除非另有说明）

r

DS （ ON）

与V

D

与电源电压

110

100

90

80

R DS（ON ） （

W

)

70

60

50

40

30

20

10

20 16 12

8

4

0

4

8

12

16

20

V

D

漏极电压（ V）

"20

V

"10

V

"15

V

"5

V

R DS（ON ） （

W

)

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

15

10

5

0

5

10

15

125_C

85_C

25_C

55_C

V+ = 15 V

V =

15

V

r

DS （ ON）

与V

D

和温度

V

D

漏极电压（ V）

r

DS （ ON）

与V

D

与单电源电压

250

225

200

175

R DS（ON ） （

W

)

7V

10 V

12 V

15 V

0.5

V TH （ V）

150

125

100

75

50

25

0

0

2

4

6

8

10

12

14

16

V

D

漏极电压（ V）

0

1.5

V+ = 5 V

2

2.5

输入开关阈值与电源电压

1

4

6

8

10

12

14

16

18

20

V +正电源（ V）

漏电流与模拟电压

80

60

40

I S ， I D

CURRENT （PA ）

20

0

20

40

60

80

20

15

10

5

0

5

温度（℃）

10

15

20

1 pA的

55

I

S（ OFF）

, I

D（关闭）

I S ， I D

当前

100 pA的

V+ = 22 V

V =

22

V

T

A

= 25_C

1 nA的

漏电流与温度的关系

V+ = 15 V

V =

15

V

V

S,

V

D

=

"14

V

I

S（ OFF）

, I

D（关闭）

10 pA的

I

D（上）

35

15

5

25

45

65

85

105 125

温度（℃）

www.vishay.com

4

文档编号： 72625

S- 32553 -REV 。 A， 15日-12月03

DG441B/442B

新产品

典型特征（ 25_C除非另有说明）

开关时间与单电源电压

500

V = 0 V

400

切换时间（纳秒）

切换时间（纳秒）

300

400

Vishay Siliconix公司

开关时间与电源电压

300

200

200

t

on

100

t

关闭

0

t

on

100

t

关闭

2

4

6

8

10

12

14

16

18

20

0

0

"4

"8

"12

"16

"20

V+

正电源（ V）

V + ， V-正负电源（ V）

30

20

10

Q

S,

Q

D

电荷注入与模拟电压

关断隔离与频率的关系

120

110

100

V+ = 15 V

V =

15

V

Q

CHARGE （ PC）

OIRR （ dB）的

90

80

70

60

0

10

20

30

15

V+ = 15 V

V =

15

V

R

L

= 50

W

V+ = 12 V

V = 0 V

50

40

10

5

0

5

10

15

10 k

100 k

1M

10 M

V

类似物

模拟电压（ V）

f

频率（Hz）

电源电流与开关频率

4

I+

电源电流（mA ）

3

2

1

0

1k

10 k

100 k

1M

f

频率（Hz）

文档编号： 72625

S- 32553 -REV 。 A， 15日-12月03

www.vishay.com

5

DG441B ， DG442B

Vishay Siliconix公司

改进的四路SPST CMOS模拟开关

描述

该DG441B ， DG442B是单片四路模拟开关

旨在提供高速，模拟低误差切换

和音频信号。该DG441B ， DG442B均升级

原来DG441 ， DG442 。

导通电阻的精梳低（45

,

典型值）的高速

(t

ON

120纳秒，典型值） ，在DG441B ， DG442B是理想

适用于数据采集，通信系统，

自动测试设备或医疗器械。

电荷注入已被最小化对漏极使用

采样和保持电路。

该DG441B ， DG442B使用的Vishay Siliconix的内置

高电压硅栅工艺。外延层防止

闭锁。

当打开时，每个开关导电性能相同，在两个

方向，并阻止输入电压供电水平

当关闭。

特点

无卤符合IEC 61249-2-21

德网络nition

低导通电阻： 45

低功耗： 1毫瓦

快速开关动作 - T的

ON

： 120纳秒

低电荷注入 - 问：

-

1 PC

TTL / CMOS兼容的逻辑

单电源供电能力

符合RoHS指令2002/95 / EC

好处

更少的信号误差和失真

降低电源要求

更快的吞吐量

减少错误基座

简单接口

音频切换

数据采集

采样保持电路

通信系统

自动测试设备

医疗器械

应用

功能框图及引脚配置

DG441B

双列直插式和SOIC

IN

1

D

1

S

1

V-

GND

S

4

D

4

IN

4

1

2

3

4

5

6

7

8

顶视图

16

15

14

13

12

11

10

9

IN

2

D

2

S

2

V+

NC

S

3

D

3

IN

3

真值表

逻辑

0

1

逻辑"0"

0.8

V

逻辑"1"

2.4

V

DG441B

ON

关闭

DG442B

关闭

ON

订购信息

温度范围

包

产品型号

DG441BDJ

16引脚塑料DIP

12

11

10

9

S

2

V+

NC

S

3

DG441B

QFN16 （4 ×4mm）所

D

1

IN

1

IN

2

D

2

16

15

14

13

DG441BDJ-E3

DG442BDJ

DG442BDJ-E3

DG441BDY-E3

S

1

V-

GND

S

4

1

2

3

4

- 40 ° C至85°C

16引脚窄体SOIC

DG441BDY-T1-E3

DG442BDY-E3

DG442BDY-T1-E3

DG441BDN-T1-E4

DG442BDN-T1-E4

5

6

7

8

16引脚QFN 4 ×4mm的

D

4

IN

4

IN

3

D

3

顶视图

文档编号： 72625

S11-1350 -REV 。 B， 04 -JUL- 11

www.vishay.com

1

本文如有更改，恕不另行通知。

本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述

www.vishay.com/doc?91000

DG441B ， DG442B

Vishay Siliconix公司

绝对最大额定值

(T

A

= 25 ℃，除非另有说明）

参数

V +至V-

GND到V-

数字

输入

a

, V

S

, V

D

符号

极限

44

25

（ V - ） - 2 （V +） + 2或

30毫安，以先到为准

30

100

- 65 125

16引脚塑料DIP

c

功率耗散（包）

b

16引脚窄体SOIC

d

QFN-16

d

470

900

850

mW

V

单位

连续电流（任何终端）

当前，S或D（脉冲在1毫秒， 10 ％占空比）

储存温度

mA

°C

注意事项：

一。在S信号

X

, D

X

或IN

X

超过V +或V-由内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。

B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。

。减免6毫瓦/°C， 75°C以上。

。减免12毫瓦/°C， 75°C以上。

www.vishay.com

2

文档编号： 72625

S11-1350 -REV 。 B， 04 -JUL- 11

本文如有更改，恕不另行通知。

本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述

www.vishay.com/doc?91000

DG441B ， DG442B

Vishay Siliconix公司

特定网络阳离子

a

（双电源）

测试条件

除非另有说明

V+ = 15 V, V- = - 15 V

参数

模拟开关

模拟信号范围

e

漏源

导通电阻

导通电阻之间的匹配

频道

e

关机漏电流

I

D（关闭）

通道泄漏电流

数字控制

输入电压低

输入电压高

输入电流V

IN

低

输入电流V

IN

高

动态特性

开启时间

打开-O FF时间

电荷注入

e

关断隔离

e

串扰（通道 - 通道）

SourceOff电容

e

流掉电容

e

通道导通电容

e

电源

正电源电流

负电源电流

t

ON

t

关闭

Q

OIRR

X

TALK

C

S（ OFF）

C

D（关闭）

C

D（上）

R

L

= 1千欧，C

L

= 35 pF的

V

S

= 10 V ，见图2

C

L

= 1 nF的，V

S

= 0 V

V

根

= 0 V ，R

根

= 0

R

L

= 50

, C

L

= 15 pF的

V

S

= 1 V

RMS

， F = 100千赫

F = 1 MHz的

V

S

= V

D

= 0 V ， F = 1兆赫

房间

房间

房间

房间

房间

房间

房间

房间

房间

满

房间

满

120

65

-1

- 90

- 95

4

4

16

1

5

-1

-5

pF

220

120

ns

pC

dB

V

INL

V

INH

I

INL

I

INH

V

IN

根据测试= 0.8 V

所有其他= 2.4 V

V

IN

根据测试= 2.4 V

所有其他= 0.8 V

满

满

满

满

2.4

-1

-1

- 0.01

0.01

1

A

1

0.8

V

I

D（上）

V

S

= V

D

= ± 14 V

符号

V

类似物

R

DS （ ON）

R

DS （ ON）

I

S（ OFF）

V

D

= ± 14 V, V

S

= ± 14 V

I

S

= 1毫安， V

D

= ± 10 V

I

S

= 1毫安， V

D

= ± 10 V

V

L

= 5 V, V

IN

= 2.4 V, 0.8 V

e

温度。

b

满

房间

满

房间

满

房间

满

房间

满

房间

满

- 0.5

-5

- 0.5

-5

- 0.5

- 10

范围

- 40 ° C至85°C

分钟。

d

- 15

45

2

± 0.01

± 0.01

± 0.02

典型值。

c

马克斯。

d

15

80

95

4

5

0.5

5

0.5

5

0.5

10

单位

V

nA

I+

I-

V+ = 16.5 V, V- = - 16.5 V

V

IN

= 0或5伏

A

文档编号： 72625

S11-1350 -REV 。 B， 04 -JUL- 11

www.vishay.com

3

本文如有更改，恕不另行通知。

本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述

www.vishay.com/doc?91000

DG441B ， DG442B

Vishay Siliconix公司

特定网络阳离子

（单电源）

测试条件

除非另有说明

V+ = 12 V, V- = 0 V

参数

模拟开关

模拟信号范围

e

漏源

导通电阻

动态特性

开启时间

打开-O FF时间

电荷注入

电源

正电源电流

负电源电流

I+

V

IN

= 0 V或5 V

I-

房间

满

房间

满

1

5

-1

-5

A

符号

V

类似物

R

DS （ ON）

t

ON

t

关闭

Q

I

S

= 1毫安， V

D

= 3 V, 8 V

V

IN

= 2.4 V, 0.8 V

e

温度。

b

满

房间

满

房间

房间

房间

范围

- 40 ° C至85°C

分钟。

d

0

90

典型值。

c

马克斯。

d

12

160

200

300

200

单位

V

R

L

= 1千欧，C

L

= 35 pF的，V

S

= 8 V

见图2

C

L

= 1 nF的，V

根

= 6 V ，R

根

= 0

120

60

4

ns

pC

注意事项：

一。请参阅过程的期权流程图。

B 。房间= 25 ° C，完全=由操作温度决定的后缀。

。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。

。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。

。通过设计保证，不受生产测试。

F。 V

IN

=输入电压来执行适当的功能。

超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作

该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大

额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。

原理图

（典型频道）

V+

5 V REG

IN

X

水平

SHIFT /

DRIVE

V-

V+

GND

V-

图1 。

www.vishay.com

4

文档编号： 72625

S11-1350 -REV 。 B， 04 -JUL- 11

本文如有更改，恕不另行通知。

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DG441B ， DG442B

Vishay Siliconix公司

典型特征

(T

A

= 25 ℃，除非另有说明）

110

100

90

RDS（ON） （ Ω ）

100

90

80

±5V

V+ = 15 V

V- = - 15 V

R DS （ ON） （ Ω ）

80

70

60

50

40

30

20

10

- 20 - 16 - 12

-8

-4

0

4

70

60

50

40

30

± 20 V

125 °C

85 °C

25 °C

- 55 °C

± 10 V

± 15 V

20

10

8

12

16

20

0

- 15

- 10

-5

V

D

0

5

10

15

V

D

- 漏极电压（ V）

漏极电压（ V）

R

DS （ ON）

与V

D

与电源电压

250

225

200

RDS（ON） （ Ω ）

175

7V

10 V

100

75

50

25

0

0

2

4

6

8

10

12

V

D

- 漏极电压（ V）

14

16

12 V

15 V

V+ = 5 V

R

DS （ ON）

与V

D

和温度

2.5

2

125

VTH （V）的

150

1.5

1

0.5

0

4

6

8

10

12

14

16

18

20

V +正电源（ V）

R

DS （ ON）

与V

D

与单电源电压

80

60

40

I S ， I D - 电流（ PA）

20

0

- 20

- 40

- 60

- 80

- 20

I

S（ OFF）

, I

D（关闭）

V+ = 22 V

V- = - 22 V

T

A

= 25 °C

输入开关阈值与电源电压

1 nA的

V+ = 15 V

V- = - 15 V

V

S,

V

D

= ± 14 V

I

S

, I

D

- 当前

100 pA的

I

S（ OFF）

, I

D（关闭）

10 pA的

I

D（上）

- 15

- 10

5

0

5

温度（℃）

10

15

20

1 pA的

- 55

- 35

- 15

5

25

45

65

温度（℃）

85

105 125

漏电流与模拟电压

漏电流与温度的关系

文档编号： 72625

S11-1350 -REV 。 B， 04 -JUL- 11

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5

本文如有更改，恕不另行通知。

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DG441B/442B

新产品

Vishay Siliconix公司

改进的四路SPST CMOS模拟开关

特点

D

D

D

D

D

D

低导通电阻： 45

W

低功耗： 1.0毫瓦

快速开关动作-T

ON

： 120纳秒

低电荷注入，问：

1

pC

TTL / CMOS兼容的逻辑

单电源供电能力

好处

D

D

D

D

D

更少的信号误差和失真

降低电源要求

更快的吞吐量

减少错误基座

简单接口

应用

D

D

D

D

D

D

音频切换

数据采集

采样保持电路

通信系统

自动测试设备

医疗器械

描述

该DG441B / 442B的单芯片4通道模拟开关

旨在提供高速，模拟低误差切换

和音频信号。该DG441B / 442B的升级到

原来DG441 / 442 。

导通电阻的精梳低（45

W,

典型值）的高速

(t

ON

120纳秒，典型值） ，在DG441B / 442B非常适合

数据采集，通信系统，自动测试

设备或医疗器械。电荷注入有

在采样和保持被最小化在漏极使用

电路。

该DG441B / 442B使用的Vishay Siliconix的内置

高电压硅栅工艺。外延层防止

闭锁。

当打开时，每个开关导电性能相同，在两个方向

并阻止输入电压的供给水平时关闭。

功能框图及引脚配置

DG441B

双列直插式和SOIC

IN

1

D

1

S

1

V

GND

S

4

D

4

IN

4

1

2

3

4

5

6

7

8

顶视图

16

15

14

13

12

11

10

9

IN

2

D

2

S

2

V+

NC

S

3

D

3

IN

3

真值表

逻辑

0

1

DG441B

ON

关闭

逻辑“0”的

v

0.8 V

逻辑“1”的

w

2.4 V

DG442B

关闭

ON

DG441B

QFN16 （ 4×4毫米）

D

1

IN

1

IN

2

D

2

16

15

14

13

订购信息

温度范围

包

16-Pin

16引脚塑料DIP

40

至85℃

40

16-Pin

16引脚窄体SOIC

16-Pin

16引脚QFN 4×4毫米

产品型号

DG441BDJ

DG442BDJ

DG441BDY

DG442BDY

DG441BDN

DG442BDN

S

1

V

GND

S

4

1

2

3

4

12

11

10

9

S

2

V+

NC

S

3

5

6

7

8

D

4

IN

4

IN

3

D

3

顶视图

文档编号： 72625

S- 32553 -REV 。 A， 15日-12月03

www.vishay.com

1

DG441B/442B

Vishay Siliconix公司

绝对最大额定值

V +至V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 44 V

GND到V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25 V

数字输入

a

V

S

, V

D

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . (V)

2

V至（V +） + 2V

或30毫安，以先到者为准

连续电流（任何终端） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安

当前，S或D（脉冲1毫秒，10％占空比）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安

储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

65

至125℃

功率耗散（套餐） B

16引脚塑料DIP

c

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 470毫瓦

16引脚窄体SOIC

d

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 900毫瓦

QFN-16

d

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 850毫瓦

注意事项：

一。在S信号

X

, D

X

或IN

X

超过V +或V-将由内部钳位

二极管。限正向二极管电流最大额定电流。

B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。

。减免6毫瓦/ _C上述75°C

。减免12毫瓦/ _C以上25_C

新产品

超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作

该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大

额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。

特定网络阳离子

a

双电源

测试条件

除非另有说明

参数

模拟开关

模拟信号范围

e

漏源

导通电阻

导通电阻之间的匹配

频道

e

关闭

漏电流

通道上

漏电流

V

类似物

r

DS （ ON）

Dr

DS （ ON）

I

S（ OFF）

I

D（关闭）

I

D（上）

V

D

=

"14

V V

S

=

#14

V

V,

I

S

= 1毫安， V

D

=

#10

V

I

S

= 1毫安， V

D

=

"10

V

满

房间

满

房间

满

房间

满

房间

满

房间

满

0.5

5

0.5

5

0.5

10

15

45

2

"0.01

"0.01

#0.02

15

80

95

4

5

0.5

5

0.5

5

0.5

10

nA

V

范围

40

至85℃

符号

V+ = 15 V, V =

15

V, V

L

= 5 V. V

IN

= 2.4 V,

0.8 V

f

温度

b

民

d

典型值

c

最大

d

单位

W

V

S

= V

D

=

"14

V

数字控制

输入电压低

输入电压高

输入电流V

IN

低

输入电流V

IN

高

V

INL

V

INH

I

INL

I

INH

V

IN

被测= 0.8 V，其他= 2.4 V

V

IN

被测= 2.4 V，其他= 0.8 V

满

满

满

满

2.4

1

1

0.01

0.01

1

1

0.8

V

mA

动态特性

开启时间

打开-O FF时间

收费

注射

e

关断隔离

e

Crosstalke （通道 - 通道）

源关断电容

e

流掉电容

e

通道上

电容

e

t

ON

t

关闭

Q

OIRR

X

TALK

C

S（ OFF）

C

D（关闭）

C

D（上）

R

L

= 1千瓦，C

L

= 35 pF的

V

S

= 10 V ，见图2

C

L

= 1 nF的，V

S

= 0 V, V

根

= 0 V ，R

根

= 0

W

R

L

= 50

W

, C

L

= 15 pF的，V

S

= 1 V

RMS

F = 100千赫

F = 1 MHz的

V

S

= V

D

= 0 V ， F = 1兆赫

房间

房间

房间

房间

房间

房间

房间

房间

120

65

1

90

95

4

4

16

p

pF

220

120

ns

pC

dB

电源

正电源电流

负电源电流

I+

I

V+ = 16.5 V, V =

16.5

V

V

IN

= 0或5伏

房间

满

房间

满

1

5

1

5

mA

www.vishay.com

2

文档编号： 72625

S- 32553 -REV 。 A， 15日-12月03

DG441B/442B

新产品

特定网络阳离子

a

对于单电源

测试条件

否则，除非指定

参数

模拟开关

模拟信号范围

e

漏源

导通电阻

V

类似物

r

DS （ ON）

I

S

= 1毫安， V

D

= 3 V, 8 V

满

房间

满

0

90

12

160

200

V

W

Vishay Siliconix公司

范围

40

至85℃

符号

V+ = 12 V, V = 0 V, V

IN

= 2.4 V, 0.8 V

f

温度

b

民

d

典型值

c

最大

d

单位

动态特性

开启时间

打开-O FF时间

电荷注入

t

ON

t

关闭

Q

R

L

= 1千瓦，C

L

= 35 pF的

V

S

= 8 V ，见图2

C

L

= 1 nF的V

根

= 6 V ，R

根

= 0

W

房间

房间

房间

120

60

4

300

200

ns

pC

电源

正电源电流

负电源电流

I+

V

IN

= 0或5伏

I

房间

满

房间

满

1

5

1

5

mA

注意事项：

一。请参阅过程的期权流程图。

B 。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。

。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。

。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。

。通过设计保证，不受生产测试。

f.

V

IN

=输入电压来执行适当的功能。

原理图（典型值CHANNEL ）

V+

5 V REG

IN

X

水平

SHIFT /

DRIVE

V

V+

GND

V

图1 。

文档编号： 72625

S- 32553 -REV 。 A， 15日-12月03

www.vishay.com

3

DG441B/442B

Vishay Siliconix公司

新产品

典型特征（ 25_C除非另有说明）

r

DS （ ON）

与V

D

与电源电压

110

100

90

80

R DS（ON ） （

W

)

70

60

50

40

30

20

10

20 16 12

8

4

0

4

8

12

16

20

V

D

漏极电压（ V）

"20

V

"10

V

"15

V

"5

V

R DS（ON ） （

W

)

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

15

10

5

0

5

10

15

125_C

85_C

25_C

55_C

V+ = 15 V

V =

15

V

r

DS （ ON）

与V

D

和温度

V

D

漏极电压（ V）

r

DS （ ON）

与V

D

与单电源电压

250

225

200

175

R DS（ON ） （

W

)

7V

10 V

12 V

15 V

0.5

V TH （ V）

150

125

100

75

50

25

0

0

2

4

6

8

10

12

14

16

V

D

漏极电压（ V）

0

1.5

V+ = 5 V

2

2.5

输入开关阈值与电源电压

1

4

6

8

10

12

14

16

18

20

V +正电源（ V）

漏电流与模拟电压

80

60

40

I S ， I D

CURRENT （PA ）

20

0

20

40

60

80

20

15

10

5

0

5

温度（℃）

10

15

20

1 pA的

55

I

S（ OFF）

, I

D（关闭）

I S ， I D

当前

100 pA的

V+ = 22 V

V =

22

V

T

A

= 25_C

1 nA的

漏电流与温度的关系

V+ = 15 V

V =

15

V

V

S,

V

D

=

"14

V

I

S（ OFF）

, I

D（关闭）

10 pA的

I

D（上）

35

15

5

25

45

65

85

105 125

温度（℃）

www.vishay.com

4

文档编号： 72625

S- 32553 -REV 。 A， 15日-12月03

DG441B/442B

新产品

典型特征（ 25_C除非另有说明）

开关时间与单电源电压

500

V = 0 V

400

切换时间（纳秒）

切换时间（纳秒）

300

400

Vishay Siliconix公司

开关时间与电源电压

300

200

200

t

on

100

t

关闭

0

t

on

100

t

关闭

2

4

6

8

10

12

14

16

18

20

0

0

"4

"8

"12

"16

"20

V+

正电源（ V）

V + ， V-正负电源（ V）

30

20

10

Q

S,

Q

D

电荷注入与模拟电压

关断隔离与频率的关系

120

110

100

V+ = 15 V

V =

15

V

Q

CHARGE （ PC）

OIRR （ dB）的

90

80

70

60

0

10

20

30

15

V+ = 15 V

V =

15

V

R

L

= 50

W

V+ = 12 V

V = 0 V

50

40

10

5

0

5

10

15

10 k

100 k

1M

10 M

V

类似物

模拟电压（ V）

f

频率（Hz）

电源电流与开关频率

4

I+

电源电流（mA ）

3

2

1

0

1k

10 k

100 k

1M

f

频率（Hz）

文档编号： 72625

S- 32553 -REV 。 A， 15日-12月03

www.vishay.com

5