DIM200WLS12-A000
DIM200WLS12-A000
IGBT斩波模块 - 下臂控制
取代2004年2月版,发行FDS5697-2.0
2004年FDS5697-3.0月
特点
I
I
I
10μs的短路承受
非穿通硅
孤立的铜基板
主要参数
V
CES
(典型值)
V
CE ( SAT )
*
(最大)
I
C
(最大)
I
C( PK )
1200V
2.2V
200A
400A
* (测得的功率母线和没有辅助端子)
应用
I
I
I
I
I
菜刀
电机控制器
感应加热
谐振转换器
电源
7(E
2
)
6(G
2
)
1(A,C2)
2(E2)
3(K)
高功率模块的电力线产品包括半
桥,斩波器,双,单,双向开关
配置涵盖了从600V电压3300V及
电流高达3600A 。
该DIM200WLS12 - A000是1200V , N沟道
增强模式中,绝缘栅双极型晶体管(IGBT)
配置有桥的下臂斩波器模块
控制。在IGBT具有宽的反向偏压安全工作
区( RBSOA ),加上全10μs的短路耐受。
该模块集成了电气隔离底板
和低电感建设使电路设计师
优化电路布局,利用接地的散热片以保证安全。
图。 1斩波电路原理图
订购信息
订单号:
DIM200WLS12-A000
注:订货时请使用整个零件编号。
外形类型代码:W
(见包的详细信息以获取更多信息)
图。 2电气连接 - (不按比例)
注意:此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序。
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DIM200WLS12-A000
绝对最大额定值 - 每个ARM
条件超过上述“绝对最大额定值” ,即可能对器件造成永久性损坏。在极端
条件下,与所有的半导体,这可以包括封装的潜在危险的破裂。适当的安全预防措施
应始终遵循。暴露在绝对最大额定值可能会影响器件的可靠性。
T
例
= 25℃ ,除非另有说明
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
C( PK )
P
最大
I
2
t
V
ISOL
Q
PD
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流
马克斯。晶体管的功耗
二极管我
2
t值
隔离电压 - 每个模块
局部放电 - 每个模块
T
例
= 80C
1毫秒,T
例
= 115C
T
例
= 25 ° C,T
j
= 150C
V
R
= 0, t
p
= 10毫秒,T
vj
= 125C
Commoned端子到基板上。 AC RMS , 1分钟,50赫兹
IEC1287 。 V
1
= 1300V, V
2
= 1000V , 50Hz的RMS
V
GE
= 0V
-
测试条件
马克斯。
1200
±20
200
400
1390
6.25
2500
10
单位
V
V
A
A
W
kA
2
s
V
PC
热学和力学额定值
内部绝缘:铝
2
O
3
底座材质:铜
爬电距离: 24毫米
符号
R
日(J -C )
参数
热电阻 - 晶体管(每组)
间隙:13毫米
CTI (严重漏电起痕指数) : 175
测试条件
连续耗散 -
结到外壳
分钟。
-
典型值。
-
马克斯。
90
单位
C /千瓦
R
日(J -C )
热电阻 - 二极管(每组)
(反平行和续流二极管)
连续耗散 -
结到外壳
安装扭矩5Nm的
(带安装脂)
晶体管
二极管
-
-
194
C /千瓦
R
个( C-H)
热电阻 - 案件散热器
(每个模块)
-
-
15
C /千瓦
T
j
结温
-
-
-
–40
3
2.5
-
-
-
-
-
150
125
125
5
5
C
C
C
Nm
Nm
T
英镑
-
存储温度范围
螺杆转矩
安装 - M6
电气连接 - M6
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注意:此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序。
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DIM200WLS12-A000
电气特性
T
例
= 25℃ ,除非另有说明。
符号
I
CES
参数
集电极截止电流
( IGBT和二极管的手臂)
I
GES
V
GE (日)
V
CE (SAT)
栅极漏电流
栅极阈值电压
集电极 - 发射极饱和电压
测试条件
V
GE
= 0V, V
CE
= V
CES
V
GE
= 0V, V
CE
= V
CES
, T
例
= 125C
V
GE
=
±20V,
V
CE
= 0V
I
C
= 10毫安,V
GE
= V
CE
V
GE
= 15V ,我
C
= 200A
V
GE
= 15V ,我
C
= 200A , ,T
例
= 125C
I
F
I
FM
V
F
二极管的正向电流
二极管的最大正向电流
二极管的正向电压
( IGBT和二极管的手臂)
C
IES
L
M
R
INT
SC
数据
输入电容
模块的电感 - 每臂
内部晶体管的电阻
短路。我
SC
DC
t
p
为1ms
I
F
= 200A
I
F
= 200A ,T
例
= 125C
V
CE
= 25V, V
GE
= 0V , F = 1MHz的
-
-
T
j
= 125°C ,V
CC
= 900V,
t
p
≤
为10μs ,V
CE (最大)
= V
CES
- L * 。的di / dt
IEC 60747-9
注意:
测量在功率母线和没有辅助端子)
L *为电路电感+ L
M
I
1
I
2
分钟。
-
-
-
4.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
5.5
2.2
2.6
-
-
2.2
2.3
33
20
0.23
1375
1125
马克斯。
0.25
6
1
6.5
2.7
3.1
200
400
2.5
2.6
-
-
-
-
-
单位
mA
mA
A
V
V
V
A
A
V
V
nF
nH
m
A
A
注意:此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序。
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DIM200WLS12-A000
电气特性 - IGBT ARM
T
例
= 25℃ ,除非另有说明
符号
t
D(关闭)
t
f
E
关闭
t
D(上)
t
r
E
ON
Q
g
Q
rr
I
rr
E
REC
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
关断能量损失
导通延迟时间
上升时间
开启能量损失
栅极电荷
二极管的反向恢复电荷
二极管的反向电流
二极管的反向恢复精力
I
F
= 200A ,V
R
= 600V,
dI
F
/ DT = 2300A / μs的
测试条件
I
C
= 200A
V
GE
=
±15V
V
CE
= 600V
R
G( ON)的
= R
G( OFF)
= 4.7
L 70nH
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
600
50
20
240
95
25
2
30
150
13
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
C
C
A
mJ
T
例
= 125℃ ,除非另有说明
符号
t
D(关闭)
t
f
E
关闭
t
D(上)
t
r
E
ON
Q
rr
I
rr
E
REC
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
关断能量损失
导通延迟时间
上升时间
开启能量损失
二极管的反向恢复电荷
二极管的反向电流
二极管的反向恢复精力
I
F
= 200A ,V
R
= 600V,
dI
F
/ DT = 2000A / μs的
测试条件
I
C
= 200A
V
GE
=
±15V
V
CE
= 600V
R
G( ON)的
= R
G( OFF)
= 4.7
L 70nH
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
800
70
27
385
110
40
50
160
20
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
C
A
mJ
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注意:此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序。
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DIM200WLS12-A000
典型特征
400
共发射极
T
例
= 25C
350
V
ce
处测得的功率母线
而不是辅助端子
400
共发射极
T
例
= 125C
350
V
ce
处测得的功率母线
而不是辅助端子
300
300
集电极电流,I
C
- (A)
V
GE
= 10V
V
GE
= 12V
V
GE
= 15V
V
GE
= 20V
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
集电极 - 发射极电压,V
ce
- (V)
3.5
4.0
集电极电流,I
C
- (A)
250
250
200
200
150
150
100
100
V
GE
= 10V
V
GE
= 12V
V
GE
= 15V
V
GE
= 20V
0.5
1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
集电极 - 发射极电压,V
ce
- (V)
4.5
5.0
50
50
0
0
0
0
图。 3典型的输出特性
45
T
c
= 125C,
V
cc
= 600V,
40 R
g
= 4.7欧姆
35
40
55
图。 4典型的输出特性
T
c
= 125C,
V
cc
= 600V,
50
I
C
= 200A
45
交换能量,E
sw
- (兆焦耳)
30
25
20
15
10
交换能量,E
sw
- (兆焦耳)
E
on
E
关闭
E
REC
0
50
100
150
集电极电流,I
C
- (A)
200
35
30
25
20
15
10
5
0
5
0
4
E
on
E
关闭
E
REC
10
6
8
栅极电阻,R
g
- (欧姆)
12
图。 5典型开关能量VS集电极电流
图。 6典型开关能量VS栅极电阻
注意:此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序。
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