TetraFET
D1011UK
金属闸极射频硅场效应管
机械数据
A
N
8
D
1
2
C
B
P
7
6
5
3
4
黄金金属化
多用途硅
DMOS射频场效应管
10W - 28V - 1GHz的
单端
特点
H
K
L
J
E
F
G
M
简化放大器设计
适用于宽带应用
PIN 5 - 源
PIN 6 - GATE
PIN 7 - GATE
PIN 8 - 源
SO8封装
PIN 1 - 源
PIN 2 - 漏
3脚 - 漏
PIN 4 - 源
非常低C
RSS
简单的偏置电路
- 低噪声
高增益 - 14 dB(最小值)
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
mm
4.06
5.08
1.27
0.51
3.56
4.06
1.65
0.76
0.51
1.02
45°
0°
7°
0.20
2.18
4.57
TOL 。
±0.08
±0.08
±0.08
±0.08
±0.08
±0.08
±0.08
+0.25
-0.00
分钟。
马克斯。
马克斯。
分钟。
马克斯。
±0.08
马克斯。
±0.08
英寸
0.160
0.200
0.050
0.020
0.140
0.160
0.065
0.030
0.020
0.040
45°
0°
7°
0.008
0.086
0.180
TOL 。
±0.003
±0.003
±0.003
±0.003
±0.003
±0.003
±0.003
+0.010
-0.000
分钟。
马克斯。
马克斯。
分钟。
马克斯。
±0.003
马克斯。
±0.003
应用
HF / VHF / UHF通信
从1MHz到1GHz的
绝对最大额定值
(T
例
= 25 ° C除非另有说明)
P
D
BV
DSS
BV
GSS
I
D(坐)
T
英镑
T
j
Semelab PLC 。
功耗
漏极 - 源极击穿电压
门 - 源极击穿电压
漏电流
储存温度
最大工作结温
电话( 01455 ) 556565.电传: 341927.传真:( 01455 ) 552612 。
30W
70V
±20V
5A
-65 ℃150℃
200°C
预赛。 1/96
D1011UK
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明)
参数
测试条件
分钟。
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
g
fs
G
PS
η
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流
栅极漏电流
正向跨导*
共源功率增益
漏EF网络效率
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
GS
= 0
V
DS
= 28V
V
GS
= 20V
I
D
= 10毫安
V
DS
= 10V
P
O
= 10W
V
DS
= 28V
F = 1GHz的
V
DS
= 0V
V
DS
= 28V
V
DS
= 28V
V
GS
= -5V F = 1MHz的
V
GS
= 0
V
GS
= 0
F = 1MHz的
F = 1MHz的
I
DQ
= 0.1A
I
D
= 100毫安
V
GS
= 0
V
DS
= 0
V
DS
= V
GS
I
D
= 1A
1
0.8
13
50
20:1
70
典型值。
MAX 。 UNIT
V
1
1
7
mA
A
V
S
dB
%
—
60
30
2.5
pF
pF
pF
V
GS ( TH)
栅极阈值电压*
VSWR负载不匹配公差
*脉冲测试:
脉冲持续时间= 300
s
,占空比
≤
2%
热数据
R
THJ情况
热阻结 - 壳
马克斯。 6 ° C / W
Semelab PLC 。
电话( 01455 ) 556565.电传: 341927.传真:( 01455 ) 552612 。
预赛。 1/96