DIM100PHM33-A000
DIM100PHM33-A000
半桥IGBT模块
2004年PDS5708-1.3一月
特点
I
I
I
I
主要参数
V
CES
V
CE （ SAT ）
*
I
C
I
C（ PK ）
（典型值）
（最大）
（最大）
3300V
3.4V
100A
200A
10μs的短路承受
高的热循环能力
非穿通硅
与氮化铝衬底隔离MMC基地
* （测得的功率母线和没有辅助端子）
应用
I
I
I
1(E1/C2)
2(C1)
5(E
1)
4(G
1)
3(E2)
7(E
2)
6(G
2)
高可靠性逆变器
电机控制器
牵引辅助
高功率模块的电力线产品包括半
桥，斩波器，双，单，双向开关
配置涵盖了从600V电压3300V及
电流高达3600A 。
该DIM100PHM33 - A000是一种半桥3300V ， N沟道
增强模式中，绝缘栅双极型晶体管（IGBT）
模块。在IGBT具有广泛的反向偏压安全工作区
（ RBSOA ）加满10μs的短路耐受。该装置是
对于需要高的热循环应用进行了优化
能力。
该模块集成了电气隔离底板
和低电感建设使电路设计师
优化电路布局，利用接地的散热片以保证安全。
8(C
1)
图。 1半桥电路图
订购信息
订单号：
DIM100PHM33-A000
注：订货时请使用整个零件编号。
大纲类型代码：
P
（见包的详细信息以获取更多信息）
图。 2电气连接 - （不按比例）
注意：此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序。
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DIM100PHM33-A000
绝对最大额定值 - 每个ARM
条件超过上述“绝对最大额定值” ，即可能对器件造成永久性损坏。在极端
条件下，与所有的半导体，这可以包括封装的潜在危险的破裂。适当的安全
预防措施应始终遵循。暴露在绝对最大额定值可能会影响器件的可靠性。
T
例
= 25℃ ，除非另有说明
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
C（ PK ）
P
最大
I
2
t
V
ISOL
Q
PD
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流
马克斯。晶体管的功耗
二极管我
2
吨价（二极管ARM）
隔离电压 - 每个模块
局部放电 - 每个模块
T
例
= 85C
1毫秒，T
例
= 115C
T
例
= 25 ° C，T
j
= 150C
V
R
= 0, t
p
= 10毫秒，T
vj
= 125C
Commoned端子到基板上。 AC RMS ， 1分钟，50赫兹
IEC1287 。 V
1
= 3500V, V
2
= 2600V ， 50Hz的RMS
V
GE
= 0V
-
测试条件
马克斯。
3300
±20
100
200
1304
5
6000
10
单位
V
V
A
A
W
kA
2
s
V
pC
热学和力学额定值
内部绝缘：氮化铝
底座材质：铝碳化硅
爬电距离： 33毫米
符号
R
日（J -C ）
参数
热电阻 - 晶体管（每个交换机）
过关： 20毫米
CTI （严重漏电起痕指数） ： 175
测试条件
连续耗散 -
结到外壳
分钟。
-
典型值。
-
马克斯。
96
单位
C /千瓦
R
日（J -C ）
热电阻 - 二极管（每开关）
连续耗散 -
结到外壳
-
-
192
C /千瓦
R
个（ C-H）
热电阻 - 案件散热器
（每个模块）
安装扭矩5Nm的
（带安装脂）
晶体管
二极管
-
-
16
C /千瓦
T
j
结温
-
-
-
–40
-
-
-
-
-
-
-
150
125
125
5
4
C
C
C
Nm
Nm
T
英镑
-
存储温度范围
螺杆转矩
安装 - M6
电气连接 - M5
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注意：此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序。
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DIM100PHM33-A000
电气特性
T
例
= 25℃ ，除非另有说明。
符号
I
CES
参数
集电极截止电流
测试条件
V
GE
= 0V, V
CE
= V
CES
V
GE
= 0V, V
CE
= V
CES
, T
例
= 125C
I
GES
V
GE （日）
V
CE （SAT）
栅极漏电流
栅极阈值电压
集电极 - 发射极饱和电压
V
GE
=
±20V,
V
CE
= 0V
I
C
= 10毫安，V
GE
= V
CE
V
GE
= 15V ，我
C
= 100A
V
GE
= 15V ，我
C
= 100A ， ，T
例
= 125C
I
F
I
FM
V
F
二极管的正向电流
二极管的最大正向电流
二极管的正向电压
DC
t
p
为1ms
I
F
= 100A
I
F
= 100A ，T
例
= 125C
C
IES
C
水库
L
M
R
INT
SC
数据
输入电容
反向传输电容
模块的电感 - 每个交换机
内部晶体管的电阻 - 每个交换机
短路。我
SC
V
CE
= 25V, V
GE
= 0V ， F = 1MHz的
V
CE
= 25V, V
GE
= 0V ， F = 1MHz的
-
-
T
j
= 125°C ，V
CC
= 2500V,
t
p
≤
为10μs ，V
CE （最大）
= V
CES
- L * 。的di / dt
IEC 60747-9
注意：
测量在功率母线和没有辅助端子）
L *为电路电感+ L
M
I
1
I
2
分钟。
-
-
-
4.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
5.5
3.4
4.4
100
200
2.5
2.5
23
0.33
30
0.54
650
550
马克斯。
0.5
7.5
1
6.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
mA
mA
A
V
V
V
A
A
V
V
nF
nF
nH
m
A
A
注意：此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序。
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DIM100PHM33-A000
电气特性
T
例
= 25℃ ，除非另有说明
符号
t
D（关闭）
t
f
E
关闭
t
D（上）
t
r
E
ON
Q
g
Q
rr
I
rr
E
REC
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
关断能量损失
导通延迟时间
上升时间
开启能量损失
栅极电荷
二极管的反向恢复电荷
二极管的反向电流
二极管的反向恢复精力
I
F
= 100A ，V
R
= 1800V,
dI
F
/ DT = 500A / μs的
测试条件
I
C
= 100A
V
GE
=
±15V
V
CE
= 1800V
R
G（ ON）的
= R
G（ OFF）
=20
L 100nH的
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
1350
200
75
550
250
150
1.25
40
70
55
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
C
C
A
mJ
T
例
= 125℃ ，除非另有说明
符号
t
D（关闭）
t
f
E
关闭
t
D（上）
t
r
E
ON
Q
rr
I
rr
E
REC
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
关断能量损失
导通延迟时间
上升时间
开启能量损失
二极管的反向恢复电荷
二极管的反向电流
二极管的反向恢复精力
I
F
= 100A ，V
R
= 1800V,
dI
F
/ DT = 450A / μs的
测试条件
I
C
= 100A
V
GE
=
±15V
V
CE
= 1800V
R
G（ ON）的
= R
G（ OFF）
= 20
L 100nH的
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
1400
250
105
550
250
220
75
75
100
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
C
A
mJ
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注意：此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序。
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典型特征
200
共发射极
T
例
= 25C
V
处测得的功率母线
200
共发射极
T
例
= 125C
V
ce
处测得的功率母线
ce
175
而不是辅助端子
175
而不是辅助端子
150
集电极电流，I
C
- (A)
集电极电流，I
C
- (A)
150
125
125
100
100
75
75
50
V
ge
= 10V
V
ge
= 12V
V
ge
= 15V
V
ge
= 20V
1
2
3
4
5
6
50
V
ge
= 10V
V
ge
= 12V
V
ge
= 15V
V
ge
= 20V
0
1
3
5
2
4
6
集电极 - 发射极电压，V
ce
- (V)
7
8
25
25
0
0
0
集电极 - 发射极电压，V
ce
- (V)
图。 3典型的输出特性
350
图。 4典型的输出特性
250
条件：
T
c
= 125°C,
225 R
g
= 20欧姆，
V
cc
= 1800V,
200 C
ge
= 66nF
175
条件：
T
c
= 125°C
I
C
= 100A
300 V
cc
= 1800V
C
ge
= 66nF
交换能量，E
sw
- （兆焦耳）
250
交换能量，E
sw
- （兆焦耳）
150
125
100
75
50
200
150
100
50
25
0
E
on
（兆焦耳）
E
关闭
（兆焦耳）
E
REC
（兆焦耳）
25
50
集电极电流，I
C
- (A)
75
100
0
0
10
E
on
（兆焦耳）
E
关闭
（兆焦耳）
E
REC
（兆焦耳）
20
30
40
栅极电阻，R
g
- （欧姆）
50
60
图。 5典型开关能量VS集电极电流
图。 6典型开关能量VS栅极电阻
注意：此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序。
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