【STD888T4中等电流，高性能，低电压PNP晶体管一般特点■■收藏家非常低发射极饱和电压直流电流增】,IC型号D888,D888 PDF资料,D888经销商,ic,电子元器件-51电子网

STD888T4

中等电流，高性能，低电压

PNP晶体管

一般特点

■

收藏家非常低发射极饱和电压

直流电流增益，H

>100

■

5A的连续集电极电流

■

表面安装DPAK （ TO- 252 ）电源

包带&卷轴包装

符合2002/ 93 / EC欧洲

指示

DPAK

(TO-252)

■

描述

在低电压的PNP制造设备中的

平面技术通过使用“基地之岛”

布局。由此产生的晶体管显示了卓越的

再加上非常低的高增益性能

饱和电压。

内部原理图

应用

■

在便携式电源管理设备

电压调节偏置电源电路

开关稳压器中的电池充电器

应用

重负载驱动器

■

订购代码

产品型号

STD888T4

记号

D888

包

DPAK

填料

磁带&卷轴

2006年4月

REV 2

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www.st.com

STD888T4

电气额定值。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 3

电特性。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 4

2.1

2.2

电特性（曲线）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。五

测试电路。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 6

包装机械的数据。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 7

修订历史。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 9

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STD888T4

电气额定值

表1中。

符号

CBO

首席执行官

EBO

合计

英镑

绝对最大额定值

参数

集电极 - 基极电压（I

= 0)

集电极 - 发射极电压（I

= 0)

发射极 - 基极电压（I

= 0)

集电极电流

集电极电流峰值（T

<为5ms ）

总功耗在T

= 25°C

储存温度

马克斯。工作结温

价值

-45

-30

-6

-5

-10

-65到150

150

单位

°C

表2中。

符号

THJ情况

热数据

参数

热阻结案件

__max

价值

8.33

单位

° C / W

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电气特性

STD888T4

电气特性

例

= 25 ° C除非另有规定编）

表3中。

符号

CBO

EBO

电气特性

参数

集电极截止电流

=0)

发射极截止电流

=0)

测试条件

= -30V

= -30V;

= -6V

= 100°C

分钟。

典型值。

马克斯。

-10

100

-10

单位

集电极 - 发射极

（ BR ） CEO （ 2 ）

击穿电压

=0)

（ BR ） CBO

集电极 - 基

击穿电压

=0)

发射极 - 基极击穿

电压（I

=0)

集电极 - 发射极

饱和电压

= -10mA

-30

= -100A

-45

（ BR ） EBO

VCE（SAT ）（2）

= -100A

= -0.5A

= -2A

= -5A

= -6A

= -8A

= -10A

= -2A

= -6A

= -10mA

= -5A

= -5mA

= -50mA

= -250mA

= -400mA

= -500mA

= -50mA

= -250mA

= -1V

-6

-0.15

-0.35

-0.7

-1

-1.2

-1.1

-1.2

120

100

200

100

300

BE （饱和）（2）

基射极饱和

电压

= -500mA V

= -1V

FE （2）

直流电流增益

= -5A

= 100°C

= -8A

= -10A

阻性负载

延迟时间

上升时间

贮存时间

下降时间

= -3A

（参见图7 ）

= -1V

= -20V

100

180

160

250

220

210

300

100

B1 = -

B2 =

-60mA

注（2 ）脉冲持续时间= 300

占空比

≤1.5%

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STD888T4

电气特性

2.1

电特性（曲线）

图1 。

直流电流增益

图2中。

直流电流增益

网络连接gure 3 。

集电极 - 发射极饱和

电压

图4中。

基射极饱和

电压

图5中。

切换时间阻性负载图6 。

切换时间阻性负载

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