DG611A ， DG612A ， DG613A
Vishay Siliconix公司
1 pC的电荷注入， 100 pA的泄漏，四通道SPST开关
描述
该DG611A ， DG612A及DG613A包含四个
独立可选的单刀单掷开关。他们提供
通过工业标准DG611改进的性能
系列。该DG611A及DG612A都正常开关
闭和常开的分别，而DG613A
有2个常开和2常闭开关。
他们的目的是从2.7 V至12 V单操作
电源或± 2.7 V至± 5 V双电源供电，并完全
在+ 3V的规定， + 5 V和± 5 V.所有控制逻辑输入有
保证在+ 5 V或操作时， 2 V逻辑高电平限制
± 5 V电源，从+ 3 V电源供电时， 1.4 V 。
该DG611A ， DG612A及DG613A进行切换
同样在两个方向，并提供轨对轨模拟
信号处理。
1 pC的低电荷注入，加上非常低的开关
电容： 2 PF，开关速度快：吨
on
/t
关闭
27纳秒/ 16纳秒
和优秀的3 dB带宽： 720 MHz的，使这些
产品适用于精密仪器，高端数据
采集，自动测试设备和高速
通信应用。
操作温度设定在 - 40 ° C至+ 125°C 。
该DG611A ， DG612A及DG613A采用16引线
SOIC ， TSSOP和节省空间的1.8毫米X 2.6毫米
miniQFN包。
特点
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
低电荷注入（1个典型值）。
泄漏电流< 0.25 nA的在85°C
低开关电容（C
SOFF
2 pF的典型值）。
低R
DS （ ON）
- 115
马克斯。
完全采用单电源供电，3 V时指定的， 5 V和
双电源为± 5 V
低电压， 2.5 V CMOS / TTL兼容
720 MHz的3 dB带宽
优异的隔离性能（62分贝10兆赫）
卓越的串扰性能（90分贝10兆赫）
完全从指定 - 40 ° C至+ 85 ° C和 - 40 ° C至+ 125°C
16引脚SOIC ， TSSOP和miniQFN封装（1.8毫米× 2.6毫米）
符合RoHS指令2002/95 / EC
应用
精密仪器
医疗器械
自动测试设备
高速通信应用
高端数据采集
采样保持应用
采样和保持系统
功能框图及引脚配置
DG611A
SOIC / TSSOP
16
DG611A
miniQFN
D
1
IN
1
IN
2
D
2
15
14
13
IN
1
D
1
S
1
V-
GND
S
4
D
4
IN
4
1
2
3
4
5
6
7
8
顶部
意见
16
15
14
13
12
11
10
9
IN
2
D
2
S
2
V+
NC
S
3
D
3
IN
3
销1
器件标识： KXX为DG611A
(miniQFN16)
LXX为DG612A
PXX的DG613A
XX =日期/批次追踪码
KXX
GND
S
4
3
4
S
1
V-
1
2
12
11
10
9
S
2
V+
NC
S
3
5
6
7
8
D
4
IN
4
IN
3
D
3
顶部
意见
真值表
逻辑
0
1
文档编号： 69904
S11-1066 -REV 。 C， 30日， 11
DG611A
On
关闭
DG612A
关闭
On
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1
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DG611A ， DG612A ， DG613A
Vishay Siliconix公司
功能框图及引脚配置
DG613A
SOIC / TSSOP
16
IN
1
D
1
S
1
V-
GND
S
4
D
4
IN
4
1
2
3
4
5
6
7
8
顶部
意见
PXX
16
15
14
13
12
11
10
9
IN
2
D
2
S
2
V+
NC
S
3
D
3
IN
3
5
6
7
8
D
4
IN
4
IN
3
D
3
顶部
意见
S
1
V-
GND
S
4
1
2
3
4
12
11
10
9
S
2
V+
NC
S
3
DG613A
miniQFN
D
1
IN
1
IN
2
D
2
15
14
13
销1
器件标识： Pxx写入的DG613A
(miniQFN16)
真值表
逻辑
0
1
SW
1
， SW
4
关闭
On
SW
2
， SW
3
On
关闭
订购信息
TEMP 。 RANGE
DG611A ， DG612A ， DG613A
16引脚TSSOP
DG611AEQ-T1-E3
DG612AEQ-T1-E3
DG613AEQ-T1-E3
DG611AEY-T1-E3
DG612AEY-T1-E3
DG613AEY-T1-E3
DG611AEN-T1-E4
DG612AEN-T1-E4
DG613AEN-T1-E4
包
产品型号
- 40 ° C至125
°C
a
16引脚窄体SOIC
16引脚miniQFN
注意事项：
一。 - 40 ° C至85°C数据表限制适用。
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2
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绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
V +到V -
GND到V -
数字
输入
a
, V
S
, V
D
极限
14
7
（V - ） - 0.3 V至（V + ） + 0.3 V
或30毫安，以先到者为准
30
100
- 65 150
16引脚TSSOP
c
功率耗散（包）
b
16引脚miniQFN
d
16引脚窄体SOIC
e
16引脚TSSOP
热电阻（包）
b
16引脚miniQFN
16引脚窄体SOIC
450
525
640
178
152
125
° C / W
mW
mA
°C
V
单位
连续电流（任何终端）
峰值电流，S或D（脉冲1毫秒， 10 ％占空比）
储存温度
注意事项：
一。在SX ， DX ，或INX信号超过V +或V - 由内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免5.6毫瓦/°C， 70°C以上。
。减免6.6毫瓦/°C， 70°C以上。
。减免8毫瓦/°C， 70°C以上。
F。手工焊接铁，不建议无引线元件。该miniQFN - 16是一种无引线封装。引线端子的端
是暴露的铜（未镀），为在制造单片化过程的结果。焊料圆角处露铜唇不能
保证不要求保证足够的底侧的焊料互连。
文档编号： 69904
S11-1066 -REV 。 C， 30日， 11
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3
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DG611A ， DG612A ， DG613A
Vishay Siliconix公司
规格双电源
(V + = + 5 V, V - = - 5 V)
测试条件
除非另有说明
V + = + 5 V, V - = - 5 V
V
IN
= 2 V, 0.8 V
a
- 40 ° C至125°C - 40 ° C至85°C
温度。
b
满
I
S
= 1毫安， V
D
= - 3 V, 0 V, + 3 V
I
S
= 1毫安， V
D
= ± 3 V
I
S
= 1毫安， V
D
= - 3 V, 0 V, + 3 V
V + = 5.5 V, V - = - 5.5 V
V
D
= + 4.5 V/- 4.5 V
V
S
= - 4.5 V/+ 4.5 V
V + = 5.5 V, V - = - 5.5 V
V
D
= V
S
= ± 4.5 V
V
IN
根据测试= 0.8 V
V
IN
根据测试= 2 V
F = 1 MHz的
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
满
满
房间
房间
满
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
72
0.7
25
± 0.02
± 0.02
± 0.02
- 0.1
-2
- 0.1
-2
- 0.1
-6
- 0.1
- 0.1
典型值。
c
分钟。
d
-5
马克斯。
d
5
115
160
4
6.5
40
60
0.1
2
0.1
2
0.1
6
0.1
0.1
- 0.1
- 0.25
- 0.1
- 0.25
- 0.1
- 0.25
- 0.1
- 0.1
分钟。
d
-5
马克斯。
d
5
115
140
4
5.5
40
55
0.1
0.25
0.1
0.25
0.1
0.25
0.1
0.1
nA
单位
V
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
导通电阻
导通电阻匹配
导通电阻平坦度
关闭
漏电流
开关ON
漏电流
数字控制
输入电流，V
IN
低
输入电流，V
IN
高
输入电容
e
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
突破前先
延时
电荷注入
e
关断隔离
e
通道到通道
相声
e
3 dB带宽
e
源关断电容
e
流掉电容
e
排水导通电容
e
总谐波
失真
e
电源
电源电流
负电源电流
地电流
符号
V
类似物
R
ON
R
ON
R
平整度
I
S（ OFF）
I
D（关闭）
I
D（上）
I
IL
I
IH
C
IN
0.005
0.005
2
27
16
15
A
pF
t
ON
t
关闭
t
BBM
Q
OIRR
X
TALK
BW
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
THD
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S
= ± 3 V ，见图1
DG613A只，V
S
= 3 V
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
g
= 0 V ，R
g
= 0
,
C
L
= 1 nF的
R
L
= 50
,
C
L
= 5 pF的
F = 10MHz的
R
L
= 50
,
C
L
= 5 pF的
F = 1兆赫; V
S
= 0 V
F = 1兆赫; V
S
= V
D
= 0 V
信号= 1 V
RMS
， 20赫兹到20千赫兹，
R
L
= 600
55
90
35
50
2
2
55
75
35
45
ns
1
- 62
- 90
720
2
3
9
0.01
pC
dB
兆赫
pF
%
I+
I-
I
GND
V + = + 5 V, V - = - 5 V
V
IN
= 0 V或5 V
房间
满
房间
满
房间
满
0.001
- 0.001
- 0.001
- 0.1
-1
- 0.1
-1
0.1
1
- 0.1
-1
- 0.1
-1
0.1
1
A
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4
文档编号： 69904
S11-1066 -REV 。 C， 30日， 11
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DG611A ， DG612A ， DG613A
Vishay Siliconix公司
规格为单极性用品
(V + = + 5 V, V - = 0 V)
测试条件
除非另有说明
V + = + 5 V, V - = 0 V
V
IN
= 2 V, 0.8 V
a
- 40 ° C至125°C - 40 ° C至85°C
温度。
b
满
V + = + 5 V, V - = 0 V
I
S
= 1毫安， V
D
= + 3.5 V
V + = + 5 V, V - = 0 V,
I
S
= 1毫安， V
D
= + 3.5 V
V + = + 5 V, V - = 0 V,
I
S
= 1毫安， V
D
= 0 V, + 3.5 V
V + = 5.5 V, V - = 0 V
V
D
= 4.5 V/1 V
V
S
= 1 V/4.5 V
V + = 5.5 V, V - = 0 V
V
D
= V
S
= 1 V/4.5 V
V
IN
根据测试= 0.8 V
V
IN
根据测试= 2 V
F = 1 MHz的
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
满
满
房间
房间
满
房间
满
房间
满
满
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
满
V
IN
= 0 V或5 V
房间
满
房间
满
139
1
56
± 0.02
± 0.02
± 0.02
- 0.1
-2
- 0.1
-2
- 0.1
-6
- 0.1
- 0.1
典型值。
c
分钟。
d
0
马克斯。
d
5
180
235
6
10
80
120
0.1
2
0.1
2
0.1
6
0.1
0.1
- 0.1
- 0.25
- 0.1
- 0.25
- 0.1
- 0.25
- 0.1
- 0.1
分钟。
d
0
马克斯。
d
5
180
215
6
9
80
110
0.1
0.25
0.1
0.25
0.1
0.25
0.1
0.1
nA
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
导通电阻
导通电阻匹配
导通电阻平坦度
符号
V
类似物
R
ON
R
ON
R
平整度
I
S（ OFF）
I
D（关闭）
I
D（上）
单位
V
关闭
漏电流
开关ON
漏电流
数字控制
输入电流，V
IN
低
输入电流，V
IN
高
输入电容
e
动态特性
开启时间
e
打开-O FF时间
e
突破前先
e
延时
电荷注入
e
关断隔离
e
通道到通道
相声
e
3 dB带宽
e
源关断电容
e
流掉电容
e
排水导通电容
e
电源
电源电流
负电源电流
地电流
I
IL
I
IH
C
IN
0.005
0.005
2
33
16
19
A
pF
t
ON
t
关闭
t
BBM
Q
OIRR
X
TALK
BW
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 3 V ，见图1
DG613A只，V
S
= 3 V
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
g
= 0 V ，R
g
= 0
,
C
L
= 1 nF的
R
L
= 50
,
C
L
= 5 pF的
F = 10MHz的
R
L
= 50
,
C
L
= 5 pF的
F = 1兆赫; V
S
= 0 V
F = 1兆赫; V
S
= V
D
= 0 V
60
100
35
50
2
2
60
90
35
45
ns
2.3
- 61
- 90
675
3
5
9
0.001
- 0.001
- 0.001
- 0.1
-1
- 0.1
-1
0.1
1
- 0.1
-1
- 0.1
-1
0.1
1
pC
dB
兆赫
pF
I+
I-
I
GND
A
文档编号： 69904
S11-1066 -REV 。 C， 30日， 11
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新产品
DG611A/DG612A/DG613A
Vishay Siliconix公司
1 pC的电荷注入， 100 pA的泄漏，四通道SPST开关
描述
该DG611A ， DG612A及DG613A包含四个
独立可选的单刀单掷开关。他们提供
通过工业标准DG611改进的性能
系列。该DG611A及DG612A拥有所有的交换机
常闭和常开的分别，而
DG613A有2常开和2常闭
开关。
他们的目的是从2.7 V至12 V单操作
电源或± 2.7 V至± 5 V双电源供电，并完全
在+ 3V的规定， + 5 V和± 5 V.所有控制逻辑输入
从操作时保证了2 V逻辑高限
从操作时+ 5 V或± 5 V电源， 1.4 V
+ 3 V电源。
该DG611A ， DG612A及DG613A进行切换
同样在两个方向，并提供轨对轨模拟
信号处理。
1 pC的低电荷注入，加上非常低的开关
电容： 2 PF，开关速度快：吨
on
/t
关闭
27纳秒/ 16纳秒
和优秀的3 dB带宽： 720 MHz的，使这些
产品适用于精密仪器，高端数据
采集，自动测试设备和高速
通信应用。
操作温度设定在 - 40 ° C至+ 125°C 。
该DG611A ， DG612A及DG613A采用16引线
SOIC ， TSSOP和节省空间的1.8× 2.6毫米miniQFN
包。
特点
低电荷注入（1个典型值）。
漏电流< 0.25 nA的在85℃下
RoHS指令
低开关电容（C
SOFF
2 pF的典型值）。
柔顺
低R
DS （ ON）
- 115
Ω
最大
采用单电源供电，3 V完全指定， 5 V和
双电源为± 5 V
低电压， 2.5 V CMOS / TTL兼容
720 MHz的3 dB带宽
优良的隔离性能（62分贝10兆赫）
优异的串扰性能（90分贝10兆赫）
从完全指定 - 40 ° C至+ 85 ° C和 - 40 ° C至+ 125°C
16引脚SOIC ， TSSOP和miniQFN封装（ 1.8× 2.6毫米）
应用
精密仪器
医疗器械
自动测试设备
高速通信应用
高端数据采集
采样保持应用
采样和保持系统
功能框图及引脚配置
DG611A
SOIC / TSSOP
16
DG611A
miniQFN
D
1
IN
1
IN
2
D
2
15
14
13
IN
1
D
1
S
1
V-
GND
S
4
D
4
IN
4
1
2
3
4
5
6
7
8
顶部
意见
16
15
14
13
12
11
10
9
IN
2
D
2
S
2
V+
NC
S
3
D
3
IN
3
销1
器件标识： KXX为DG611A
(miniQFN16)
LXX为DG612A
PXX的DG613A
XX =日期/批次追踪码
KXX
GND
S
4
3
4
S
1
V-
1
2
12
11
10
9
S
2
V+
NC
S
3
5
6
7
8
D
4
IN
4
IN
3
D
3
顶部
意见
真值表
逻辑
0
1
文档编号： 69904
S- 72760 -REV 。 A， 04 -FEB -08
DG611A
ON
关闭
DG612A
关闭
ON
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1
新产品
DG611A/DG612A/DG613A
Vishay Siliconix公司
功能框图及引脚配置
DG613A
SOIC / TSSOP
16
IN
1
D
1
S
1
V-
GND
S
4
D
4
IN
4
1
2
3
4
5
6
7
8
顶部
意见
PXX
16
15
14
13
12
11
10
9
IN
2
D
2
S
2
V+
NC
S
3
D
3
IN
3
5
6
7
8
D
4
IN
4
IN
3
D
3
顶部
意见
S
1
V-
GND
S
4
1
2
3
4
12
11
10
9
S
2
V+
NC
S
3
DG613A
miniQFN
D
1
IN
1
IN
2
D
2
15
14
13
销1
器件标识： Pxx写入的DG613A
(miniQFN16)
真值表
逻辑
0
1
SW
1
， SW
4
关闭
ON
SW
2
， SW
3
ON
关闭
订购信息
TEMP 。 RANGE
DG611A/612A/613A
16引脚TSSOP
DG611AEQ-T1-E3
DG612AEQ-T1-E3
DG613AEQ-T1-E3
DG611AEY-T1-E3
DG612AEY-T1-E3
DG613AEY-T1-E3
DG611AEN-T1-E4
DG612AEN-T1-E4
DG613AEN-T1-E4
包
产品型号
- 40 ° C至125°C
a
16引脚窄体SOIC
16引脚miniQFN
注意事项：
一。 - 40 ° C至85°C数据表限制适用。
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2
文档编号： 69904
S- 72760 -REV 。 A， 04 -FEB -08
新产品
DG611A/DG612A/DG613A
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
V +至V-
GND到V-
数字
输入
a
,
V
S
, V
D
极限
14
7
（ V-） - 0.3 V至（V + ） + 0.3 V
或30毫安，以先到者为准
30
100
- 65 150
16引脚TSSOP
c
功率耗散（包）
b
16引脚miniQFN
d
16引脚窄体SOIC
e
16引脚TSSOP
热电阻（包）
b
单位
V
连续电流（任何终端）
峰值电流，S或D（脉冲1毫秒， 10 ％占空比）
储存温度
mA
°C
mW
450
525
640
178
152
125
° C / W
16引脚miniQFN
16引脚窄体SOIC
注意事项：
一。在SX ， DX ，或INX超过V +或V-信号将通过内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免5.6毫瓦/°C， 70°C以上。
。减免6.6毫瓦/°C， 70°C以上。
。减免8.0毫瓦/°C， 70°C以上。
F。手工焊接铁，不建议无引线元件。该miniQFN - 16是一种无引线封装。引线端子的端
是暴露的铜（未镀），为在制造单片化过程的结果。焊料圆角处露铜唇不能
保证不要求保证足够的底侧的焊料互连。
文档编号： 69904
S- 72760 -REV 。 A， 04 -FEB -08
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3
新产品
DG611A/DG612A/DG613A
Vishay Siliconix公司
规格双电源
V+ = + 5 V, V- = - 5 V
- 40 125°C
- 4085 ℃下
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
导通电阻
导通电阻匹配
导通电阻平坦度
关闭
漏电流
开关ON
漏电流
数字控制
输入电流，V
IN
低
输入电流，V
IN
高
输入电容
e
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
突破前先
延时
电荷注入
e
关断隔离
e
通道到通道
相声
e
3 dB带宽
e
源关断电容
e
流掉电容
e
排水导通电容
e
总谐波
失真
e
电源
电源电流
负电源电流
地电流
符号
V
类似物
r
ON
Δr
ON
r
平整度
I
S（ OFF）
I
D（关闭）
I
D（上）
测试条件
除非指定
V+ = + 5 V, V- = - 5 V
V
IN
= 2.0 V, 0.8 V
a
温度。
b
满
典型值。
c
分钟。
d
-5
马克斯。
d
5
115
160
4
6.5
40
60
分钟。
d
-5
马克斯。
d
5
115
140
4
5.5
40
55
单位
V
I
S
= 1毫安， V
D
= - 3 V, 0 V, + 3 V
I
S
= 1毫安， V
D
= ± 3 V
I
S
= 1毫安， V
D
= - 3 V, 0 V, + 3 V
V+ = 5.5 V, V- = - 5.5 V
V
D
= + 4.5 V/- 4.5 V
V
S
= - 4.5 V/+ 4.5 V
V+ = 5.5 V, V- = - 5.5 V
V
D
= V
S
= ± 4.5 V
V
IN
根据测试= 0.8 V
V
IN
被测= 2.0 V
F = 1 MHz的
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
满
满
房间
房间
满
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
72
0.7
25
± 0.02
± 0.02
± 0.02
- 0.1
-2
- 0.1
-2
- 0.1
-6
- 0.1
- 0.1
Ω
0.1
2
0.1
2
0.1
6
0.1
0.1
- 0.1
- 0.25
- 0.1
- 0.25
- 0.1
- 0.25
- 0.1
- 0.1
0.1
0.25
0.1
0.25
0.1
0.25
0.1
0.1
nA
I
IL
I
IH
C
IN
0.005
0.005
2
27
16
15
A
pF
t
ON
t
关闭
t
BBM
Q
OIRR
X
TALK
BW
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
THD
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
V
S
= ± 3 V ，见图1
DG613A只，V
S
= 3 V
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
V
g
= 0 V ，R
g
= 0
Ω,
C
L
= 1 nF的
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 pF的
F = 10MHz的
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 pF的
F = 1兆赫; V
S
= 0 V
F = 1兆赫; V
S
= V
D
= 0 V
信号= 1 V
RMS
， 20赫兹到20千赫兹，
R
L
= 600
Ω
55
90
35
50
2
2
55
75
35
45
ns
1
- 62
- 90
720
2
3
9
0.01
pC
dB
兆赫
pF
%
I+
I-
I
GND
V+ = + 5 V, V- = - 5 V
V
IN
= 0或5伏
房间
满
房间
满
房间
满
0.001
- 0.001
- 0.001
- 0.1
-1
- 0.1
-1
0.1
1
- 0.1
-1
- 0.1
-1
0.1
1
A
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4
文档编号： 69904
S- 72760 -REV 。 A， 04 -FEB -08
新产品
DG611A/DG612A/DG613A
Vishay Siliconix公司
规格为单极性用品
测试条件
除非指定
V+ = + 5 V, V- = 0 V
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
导通电阻
导通电阻匹配
导通电阻平坦度
V
类似物
r
ON
Δr
ON
r
平整度
I
S（ OFF）
I
D（关闭）
I
D（上）
V+ = + 5 V, V- = 0 V
I
S
= 1毫安， V
D
= + 3.5 V
V+ = + 5 V, V- = 0 V,
I
S
= 1毫安， V
D
= + 3.5 V
符号
V
IN
= 2.0 V, 0.8 V
a
V+ = + 5 V, V- = 0 V
- 40 125°C
- 4085 ℃下
温度。
b
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
满
满
房间
房间
满
房间
满
房间
满
满
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
满
典型值。
c
分钟。
d
0
马克斯。
d
5
180
235
6
10
80
120
分钟。
d
0
马克斯。
d
5
180
215
6
9
80
110
单位
V
139
1
56
± 0.02
± 0.02
± 0.02
- 0.1
-2
- 0.1
-2
- 0.1
-6
- 0.1
- 0.1
Ω
V+ = + 5 V, V- = 0 V,
I
S
= 1毫安， V
D
= 0 V, + 3.5 V
V+ = 5.5 V, V- = 0 V
V
D
= 4.5 V/1 V
V
S
= 1 V/4.5 V
V+ = 5.5 V, V- = 0 V
V
D
= V
S
= 1 V/4.5 V
V
IN
根据测试= 0.8 V
V
IN
被测= 2.0 V
F = 1 MHz的
关闭
漏电流
开关ON
漏电流
数字控制
输入电流，V
IN
低
输入电流，V
IN
高
输入电容
e
动态特性
开启时间
e
打开-O FF时间
e
突破前先
e
延时
电荷注入
e
关断隔离
e
通道到通道
相声
e
3 dB带宽
e
源关断电容
e
流掉电容
e
排水导通电容
e
电源
电源电流
负电源电流
地电流
0.1
2
0.1
2
0.1
6
0.1
0.1
- 0.1
- 0.25
- 0.1
- 0.25
- 0.1
- 0.25
- 0.1
- 0.1
0.1
0.25
0.1
0.25
0.1
0.25
0.1
0.1
nA
I
IL
I
IH
C
IN
0.005
0.005
2
33
16
19
A
pF
t
ON
t
关闭
t
BBM
Q
OIRR
X
TALK
BW
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 3 V ，见图1
DG613A只，V
S
= 3 V
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
V
g
= 0 V ，R
g
= 0
Ω,
C
L
= 1 nF的
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 pF的
F = 10MHz的
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 pF的
F = 1兆赫; V
S
= 0 V
F = 1兆赫; V
S
= V
D
= 0 V
60
100
35
50
2
2
60
90
35
45
ns
2.3
- 61
- 90
675
3
5
9
0.001
- 0.001
- 0.001
- 0.1
-1
- 0.1
-1
0.1
1
- 0.1
-1
- 0.1
-1
0.1
1
pC
dB
兆赫
pF
I+
I-
I
GND
V
IN
= 0或5伏
房间
满
房间
满
A
文档编号： 69904
S- 72760 -REV 。 A， 04 -FEB -08
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