DG201HS
Vishay Siliconix公司
高速四通道SPST CMOS模拟开关
描述
该DG201HS是含有一种改进的单片器件
四个独立的模拟开关。它被设计成提供
高速，模拟信号的低误差切换。结合
低导通电阻（ 25
Ω)
以高速（叔
ON
： 38毫微秒），则
DG201HS非常适合于高速数据采集
要求。
为了实现高电压等级和出色的开关
的性能， DG201HS上建立一个专用的
高电压硅栅工艺。外延层
防止闭锁。
每个开关导电性能相同，在两个方向的时候
上，并阻止输入电压的电源值时关闭。
特点
快速切换-T
ON
： 38纳秒
低导通电阻： 25
Ω
低漏： 100 pA的
低电荷注入
TTL / CMOS逻辑兼容
单电源兼容性
高额定电流： - 30毫安
无铅
可用的
RoHS指令*
柔顺
好处
更快的吞吐量
更高的精确度
降低基底误差
升级现有的设计
简单接口
替换HI201HS ， ADG201HS
节省空间（ TSSOP ）
应用
数据采集
高可靠性系统
采样保持电路
通信系统
自动测试设备
积分器复位电路
菜刀
增益切换
航空电子学
功能框图及引脚配置
双列直插式， SOIC和TSSOP
D
1
IN
1
D
1
S
1
V-
GND
S
4
D
4
IN
4
1
2
3
4
5
6
7
8
顶视图
16
15
14
13
12
11
10
9
IN
2
D
2
S
1
S
2
V-
V+
NC
NC
S
3
D
3
IN
3
GND
S
4
7
8
15
14
NC
S
3
6
16
NC
关键
3
4
5
2
1
20
19
18
17
S
2
V+
IN
1
LCC
NC
IN
2
D
2
真值表
逻辑
0
1
逻辑"0"
≤
0.8 V
逻辑"1"
≥
2.4 V
开关
ON
关闭
9
D
4
10
IN
4
11
12
13
D
3
NC IN
3
顶视图
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 70038
S- 71241 -REV 。 G， 25军， 07
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1
DG201HS
Vishay Siliconix公司
订购信息
温度范围
包
16引脚塑料DIP
产品型号
DG201HSDJ
DG201HSDJ-E3
DG201HSDY
DG201HSDY-E3
DG201HSDY-T1
DG201HSDY-T1-E3
DG201HSDQ
DG201HSDQ-E3
DG201HSDQ-T1
DG201HSDQ-T1-E3
16引脚窄体SOIC
- 4085 ℃下
16引脚TSSOP
绝对最大额定值
参数
V +至V-
GND到V-
数字输入，V
S
, V
D
连续电流（任何终端）
当前，S或D （脉冲在1毫秒， 10 ％占空比）
储存温度
（后缀）
（D后缀）
16引脚塑料DIP
c
功率耗散（包）
b
a
极限
44
25
（ V - ） - 4 （V +） + 4或
30毫安，以先到为准
30
100
- 65 150
- 65 125
470
900
600
900
单位
V
mA
°C
16引脚CERDIP
d
16引脚窄体SOIC和TSSOP
e
LCC-20
d
mW
注意事项：
一。在S信号
X
, D
X
或IN
X
超过V +或V-由内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免6毫瓦/°C， 75°C以上。
。减免12毫瓦/°C， 75°C以上。
。减免7.6毫瓦/°C， 75°C以上。
原理图（典型值CHANNEL ）
V+
5V
REG
水平
SHIFT /
DRIVE
IN
X
V-
V+
S
X
D
X
GND
V-
图1 。
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2
文档编号： 70038
S- 71241 -REV 。 G， 25军， 07
DG201HS
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非指定
V+ = 15 V, V- = - 15 V
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
r
DS （ ON）
MATCH
关机漏电流
I
D（关闭）
渠道渗漏
当前
数字控制
输入高电压
输入，低电压
输入电容
输入电流
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
输出建立时间至0.1％
电荷注入
关断隔离
相声
（通道 - 通道）
源关断电容
流掉电容
通道导通电容
漏 - 源
电容
电源
正电源电流
负电源电流
耗电量
c
I+
I-
P
C
V+ = 15 V, V- = - 15 V
V
IN
= 0或5伏
房间
满
房间
满
满
4.5
10
3.5
-6
240
-6
240
mW
10
mA
t
ON
t
OFF1
t
OFF2
t
s
Q
OIRR
X
TALK
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
C
DS （关闭）
V
S
, V
D
= 0 V ， F = 1兆赫
C
L
= 1 nF的，V
S
= 0 V
V
根
= 0 V ，R
根
= 0
Ω
R
L
= 1千欧，C
L
= 10 pF的
F = 100千赫
任何其他通道交换机
R
L
= 1千欧，C
L
= 10 pF的
F = 100千赫
R
L
= 1千欧，C
L
= 35 pF的
V
S
= ± 10 V, V
INH
= 3 V
见图2
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
48
30
150
180
-5
85
dB
房间
房间
房间
房间
房间
100
8
8
30
0.5
pF
pC
60
75
50
70
60
75
50
70
I
D（上）
V
类似物
r
DS （ ON）
I
S
= - 10毫安，V
D
= ± 8.5 V
V+ = 13.5 V, V- = - 13.5 V
满
房间
满
房间
房间
满
房间
满
房间
满
满
满
满
V
IN
被测= 0.8 V， 3 V
满
5
-1
1
-1
1
25
3
0.1
0.1
0.1
V-
V+
50
75
-1
- 60
-1
- 60
-1
- 60
2.4
0.8
1
60
1
60
1
60
-1
- 20
-1
- 20
-1
- 20
2.4
0.8
V-
V+
50
75
1
20
1
20
1
20
V
Ω
%
符号
V
IN
= 3 V, 0.8 V
f
温度
b
典型值
c
后缀
- 55至125℃的
民
d
最大
d
后缀
- 4085 ℃下
民
d
最大
d
单位
I
S（ OFF）
V+ = 16.5 V, V- = - 16.5 V
V
D
= ± 15.5 V
V
S
= ± 15.5 V
V+ = 16.5 V, V- = - 16.5 V
V
S
= V
D
= ± 15.5 V
nA
V
INH
V
INL
C
IN
I
INH
还是我
INL
V
pF
A
ns
注意事项：
答。请参阅处理方案流程图。
b.Room = 25°C ，完全=由操作温度决定的后缀。
c.Typical值是辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
d.The代数惯例，由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
设计e.Guaranteed ，不受生产测试。
F。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
文档编号： 70038
S- 71241 -REV 。 G， 25军， 07
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3
DG201HS
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
对于单电源
测试条件
除非指定
V + = 10.8 V至16.5 V ，
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
关机漏电流
I
D（关闭）
渠道渗漏
当前
数字控制
输入高电压
输入，低电压
输入电容
输入电流
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
输出建立时间至0.1％
电荷注入
关断隔离
相声
（通道 - 通道）
源关断电容
流掉电容
通道导通电容
电源
正电源电流
耗电量
c
t
ON
t
OFF1
t
OFF2
t
s
Q
OIRR
X
TALK
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
I+
P
C
C
L
= 1 nF的，V
S
= 0 V
V
根
= 0 V ，R
根
= 0
Ω
R
L
= 1千欧，C
L
= 10 pF的
F = 100千赫
任何其他通道交换机
R
L
= 1千欧，C
L
= 10 pF的
F = 100千赫
F = 1 MHz的
V
类似物
= 0 V
R
L
= 1千欧，C
L
= 35 pF的
V
S
= 2 V, V = 10.8 V
见图2
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
50
70
50
70
150
180
10
85
dB
房间
房间
房间
房间
满
满
100
10
10
30
10
150
10
150
mA
mW
pF
pC
50
70
50
70
I
D（上）
+ I
秒（上）
V
类似物
r
DS （ ON）
I
S（ OFF）
I
S
= - 10毫安，V
D
= 8.5 V
V+ = 10.8 V
V+ = 16.5 V
V
S
= 0.5 V, 10 V
V
D
= 10 V, 0.5 V
V+ = 16.5 V
V
D
= 0.5 V, 10 V
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
满
满
满
V+ = 16.5 V
V
IN
被测= 0.8 V， 3 V
满
5
-1
1
-1
1
65
0.1
0.1
0.1
-1
- 60
-1
- 60
-1
- 60
2.4
0.8
0
V+
90
120
1
60
1
60
1
60
0
V+
90
120
1
20
1
20
1
20
V
Ω
符号
V- = GND = 0 V ，V
IN
= 3 V, 0.8 V
f
温度
b
典型值
c
后缀
- 55至125℃的
民
d
最大
d
后缀
- 4085 ℃下
民
d
最大
d
单位
-1
- 20
-1
- 20
-1
- 20
2.4
nA
V
INH
V
INL
C
IN
I
INH
还是我
INL
0.8
V
pF
A
ns
V+ = 15 V, V
IN
= 0或5伏
注意事项：
答。请参阅处理方案流程图。
b.Room = 25°C ，完全=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
d.The代数惯例，由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
设计e.Guaranteed ，不受生产测试。
F。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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4
文档编号： 70038
S- 71241 -REV 。 G， 25军， 07
DG201HS
Vishay Siliconix公司
典型特征
70
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（ Ω ）
60
50
±5V
40
± 10 V
30
± 15 V
20
± 20 V
10
0
- 20 - 16 - 12
-8
-4
0
4
8
12
16
20
V
D
- 漏极电压（ V）
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（ Ω ）
25 ℃，除非另有说明
50
V+ = 15 V
V- = - 15 V
40
125 °C
30
85 °C
25 °C
20
0 °C
- 55 °C
10
0
- 15
- 10
-5
0
5
10
15
V
D
- 漏极电压（ V）
r
DS （ ON）
与V
D
与电源电压
180
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（ Ω ）
160
140
120
100
80
10 V
60
40
20
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
V
D
- 漏极电压（ V）
12 V
15 V
7V
泄漏
1 nA的
V+ = 5 V
10 nA的
r
DS （ ON）
与V
D
和温度
I
D（上）
100 pA的
I
S（关闭） ，
I
D（关闭）
10 pA的
- 60 - 40 - 20
0
20
40
60
80
100 120 140
温度（℃）
r
DS （ ON）
与V
D
与单电源电压
2.5
55
漏电流与温度的关系
2
切换时间（纳秒）
50
V TH （ V）
1.5
45
1
40
t
ON
0.5
35
t
关闭
0
4
6
8
10
12
14
16
18
20
正电源（ V）
30
±4
±6
±8
± 10
± 12
± 14
± 16
± 18
± 20
电源电压（ V）
输入开关阈值与电源电压
开关时间与电源电压
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S- 71241 -REV 。 G， 25军， 07
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