DG540/541/542
Vishay Siliconix公司
宽带/视频“ T”开关
特点
D
D
D
D
D
D
D
宽带： 500兆赫
低串扰： -85分贝
高关断隔离： -80分贝@ 5 MHz的
“T”开关配置
TTL和CMOS逻辑兼容
快速切换-T
ON
： 45纳秒
低R
DS （ ON）
: 30
W
好处
D
D
D
D
D
D
D
平坦的频率响应
高色彩保真度
低插入损耗
提高系统性能
减少电路板空间
降低功耗
提高数据吞吐量
应用
D
D
D
D
D
D
D
D
射频和视频切换
RGB切换
局域网和广域网
视频路由
快速数据采集
吃
雷达/ FLR系统
视频复用
描述
该DG540 / 542分之541是高性能单片
专为开关RF宽带/视频开关，视频
和数字信号。通过利用一个“T”型开关配置
每个信道，这些设备实现特别低的
串扰和高关断隔离。串扰和关断隔离
该DG540通过引入额外得到进一步提高
信号引脚之间GND引脚。
为了实现TTL兼容，低通道电容和
快速的切换时间时， DG540家族是建立在
日前，Vishay Siliconix公司专有的D / CMOS工艺。每个开关
导电性能相同，在两个方向上的时候。
功能框图及引脚配置
DG540
双列直插式
IN
1
D
1
GND
S
1
V–
GND
S
4
GND
D
4
IN
4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
顶视图
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
IN
2
D
2
GND
S
2
V+
GND
S
3
GND
9
D4
D
3
IN
3
10 11 12 13
IN3
IN4
D3
GND
S
1
V–
GND
S
4
GND
4
5
6
7
8
18
17
16
15
14
GND
S
2
V+
GND
S
3
GND
DG540
PLCC
IN 1
IN 2
D1
D2
3
2
1
20 19
真值表
逻辑
0
1
开关
关闭
ON
逻辑“0”的
v
0.8 V
1
逻辑“1”的
w
2 V
顶视图
文档编号： 70055
S- 00399 -REV 。 G， 13 - 09月99
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
4-1
DG540/541/542
Vishay Siliconix公司
功能框图及引脚配置
DG541
双列直插式和SOIC
IN
1
D
1
GND
S
1
V–
S
4
GND
D
4
DG542
双列直插式和SOIC
IN
2
D
2
GND
S
2
V+
S
3
GND
D
3
IN
1
D
1
S
1
V–
GND
S
4
D
4
IN
4
1
2
3
4
5
6
7
8
顶视图
16
15
14
13
12
11
10
9
IN
2
D
2
S
2
V+
GND
S
3
D
3
IN
3
1
2
3
4
5
6
7
8
顶视图
16
15
14
13
12
11
10
9
真值表 - DG541
逻辑
0
1
逻辑“0”的
v
0.8 V
逻辑“1”的
w
2 V
真值表 - DG542
逻辑
0
1
开关
关闭
ON
SW
1
， SW
2
关闭
ON
逻辑“0”的
v
0.8 V
逻辑“1”的
w
2 V
SW
3
， SW
4
ON
关闭
订购信息
温度范围
包
产品型号
DG540
-40到85°C
20引脚塑料DIP
20引脚PLCC
20引脚Sidebraze
DG540DJ
DG540DN
DG540AP
DG540AP/883
-55到125°C
DG541
16引脚塑料DIP
-40到85°C
16引脚窄体SOIC
16引脚Sidebraze
DG541DJ
DG541DY
DG541AP
-55到125°C
DG541AP / 883 ， 5962-9076401MEA
DG542
-40到85°C
16引脚塑料DIP
16引脚窄体SOIC
16引脚Sidebraze
DG542DJ
DG542DY
DG542AP
DG542AP / 883 ， 5962-91555201MEA
文档编号： 70055
S- 00399 -REV 。 G， 13 - 09月99
-55到125°C
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
4-2
DG540/541/542
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
V +至V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至21 V
V +至GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至21 V
V-至GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -19 V至0.3 V
数字输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （ V-） -0.3 V至（V + ） +0.3 V
或20mA ，以先到者为准
V
S
, V
D
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （ V-） -0.3 V至（ V-） +14 V
或20mA ，以先到者为准
连续电流（任何终端） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20毫安
当前，S或D（脉冲1毫秒， 10 ％的占空比最大值）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40毫安
储存温度
（AP后缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到150_C
（ DJ ， DN ， DY后缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到125_C
功率耗散（包）一个
16引脚塑料DIP
b
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
20引脚塑料DIP
c
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
16引脚窄体SOIC
d
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
20引脚PLCC
d
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
16 ， 20引脚DIP Sidebraze
e
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
注意事项：
一。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
B 。减免6.5毫瓦/ _C以上25_C
。减免7毫瓦/ _C以上25_C
。减免10毫瓦/ _C上述75°C
。减免12毫瓦/ _C上述75°C
470毫瓦
800毫瓦
640毫瓦
800毫瓦
900毫瓦
原理图（典型值CHANNEL ）
V+
GND
V
REF
S
IN
–
+
D
V–
图1 。
文档编号： 70055
S- 00399 -REV 。 G， 13 - 09月99
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
4-3
DG540/541/542
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
漏源
导通电阻
r
DS （ ON）
MATCH
SOURCE OFF
漏电流
流掉
漏电流
通道上
漏电流
V
类似物
r
DS （ ON）
Dr
DS （ ON）
I
S（ OFF）
I
D（关闭）
I
D（上）
V
S
= 0 V, V
D
= 10 V
V
S
= 10 V, V
D
= 0 V
V
S
= V
D
= 0 V
V– = –5 V, V+ = 12 V
满
房间
满
房间
房间
满
房间
满
房间
满
30
2
–0.05
–0.05
–0.05
–10
–500
–10
–500
–10
–1000
–5
5
60
100
6
10
500
10
500
10
1000
–10
–100
–10
–100
–10
–100
–5
5
60
75
6
10
100
10
100
10
100
nA
A
V
W
后缀
-55到125°C
后缀
-40到85°C
符号
V+ = 15 V, V– = –3 V
V
INH
= 2 V, V
INL
= 0.8 V
f
温度
b
典型值
c
民
d
最大
d
民
d
最大
d
单位
I
S
= -10毫安，V
D
= 0 V
,
数字控制
输入电压高
输入电压低
输入电流
V
INH
V
INL
I
IN
V
IN
= GND或V +
满
满
房间
满
0.05
–1
–20
2
0.8
1
20
–1
–20
2
V
0.8
1
20
mA
动态特性
在国家输入电容
e
关机状态下输入电容
e
关态输出电容
e
带宽
C
秒（上）
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
BW
V
S
= V
D
= 0 V
V
S
= 0 V
V
D
= 0 V
R
L
= 50
W
见图5
DG540
DG541
启动时间
t
ON
R
L
= 1千瓦
C
L
= 35 p
pF
50% t 90%
to
见图2
关闭时间
t
关闭
DG542
电荷注入
Q
C
L
= 1000 PF， V
S
= 0 V
见图3
R
IN
= 75
W
R
L
= 75
W
F = 5兆赫
参见图4
R
IN
= 10
W
, R
L
= 75
W
F = 5兆赫，参见图6
DG540
DG541
DG542
DG542
DG540
DG541
房间
房间
房间
房间
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
房间
14
2
2
500
45
55
20
25
70
130
100
160
50
85
60
85
70
130
100
160
ns
50
85
60
85
pC
20
4
4
20
4
4
兆赫
pF
F
–25
–80
–60
–75
–85
隔离
在I L I
OIRR
dB
一切敌对串音
X
TALK （ AH ）
电源
正电源电流
负电源电流
I+
所有通道ON或OFF
I–
房间
满
–3.2
–6
–9
–6
–9
房间
满
3.5
6
9
6
9
mA
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，不受生产测试。
f.
V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
文档编号： 70055
S- 00399 -REV 。 G， 13 - 09月99
4-4
DG540/541/542
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
电源电流与温度的关系
6
5
4
I+
I S （关闭） ， I D （关闭） - 泄漏
3
2
我（毫安）
1
0
–1
–2
I–
–3
–4
–5
–55
–35
–15
5
25
45
65
温度（℃）
85
105
125
0.1帕
–55
–25
0
25
50
75
温度（℃）
100
125
I
GND
1 nA的
10 nA的
100 nA的
I
D（关闭）
, I
S（ OFF）
与温度的关系
100 pA的
10 pA的
1 pA的
r
DS （ ON）
与漏极电压
160
R DS（ON ）漏源导通电阻（
W
)
–
R DS（ON ）漏源导通电阻（
W
)
–
140
120
100
80
60
40
20
0
–3
–1
1
3
5
7
9
11
V
D
- 漏极电压（ V）
–55_C
V+ = 15 V
V– = –3 V
125_C
42
40
38
36
34
32
V +恒
42
V+ = 10 V
40
38
V-恒
V– = –5 V
V+ = 12 V
36
34
V– = –3 V
32
V+ = 15 V
30
20
18
–5
–4
–3
–2
–1
0
V- - 负电源（ V）
30
20
18
10 11 12 13 14 15 16
V + - 正电源（ V）
V– = –1 V
25_C
在电容
22
20
18
16
ISO （ dB）的
C（ pF）的
14
12
10
–30
8
6
0
2
4
6
8
10
12
14
V
D
- 漏极电压（ V）
–20
–10
1
–110
–100
–90
–80
–70
–60
–50
–40
DG542
关断隔离
R
L
= 75
W
DG540
DG541
10
的F - 频率（MHz ）
100
文档编号： 70055
S- 00399 -REV 。 G， 13 - 09月99
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
4-5
DG540/541/542
Vishay Siliconix公司
宽带/视频“ T”开关
特点
D
D
D
D
D
D
D
宽带： 500兆赫
低串扰： -85分贝
高关断隔离： -80分贝@ 5 MHz的
“T”开关配置
TTL和CMOS逻辑兼容
快速切换-T
ON
： 45纳秒
低R
DS （ ON）
: 30
W
好处
D
D
D
D
D
D
D
平坦的频率响应
高色彩保真度
低插入损耗
提高系统性能
减少电路板空间
降低功耗
提高数据吞吐量
应用
D
D
D
D
D
D
D
D
射频和视频切换
RGB切换
局域网和广域网
视频路由
快速数据采集
吃
雷达/ FLR系统
视频复用
描述
该DG540 / 542分之541是高性能单片
专为开关RF宽带/视频开关，视频
和数字信号。通过利用一个“T”型开关配置
每个信道，这些设备实现特别低的
串扰和高关断隔离。串扰和关断隔离
该DG540通过引入额外得到进一步提高
信号引脚之间GND引脚。
为了实现TTL兼容，低通道电容和
快速的切换时间时， DG540家族是建立在
日前，Vishay Siliconix公司专有的D / CMOS工艺。每个开关
导电性能相同，在两个方向上的时候。
功能框图及引脚配置
DG540
双列直插式
IN
1
D
1
GND
S
1
V–
GND
S
4
GND
D
4
IN
4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
顶视图
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
IN
2
D
2
GND
S
2
V+
GND
S
3
GND
9
D4
D
3
IN
3
10 11 12 13
IN3
IN4
D3
GND
S
1
V–
GND
S
4
GND
4
5
6
7
8
18
17
16
15
14
GND
S
2
V+
GND
S
3
GND
DG540
PLCC
IN 1
IN 2
D1
D2
3
2
1
20 19
真值表
逻辑
0
1
开关
关闭
ON
逻辑“0”的
v
0.8 V
1
逻辑“1”的
w
2 V
顶视图
文档编号： 70055
S- 00399 -REV 。 G， 13 - 09月99
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
4-1
DG540/541/542
Vishay Siliconix公司
功能框图及引脚配置
DG541
双列直插式和SOIC
IN
1
D
1
GND
S
1
V–
S
4
GND
D
4
DG542
双列直插式和SOIC
IN
2
D
2
GND
S
2
V+
S
3
GND
D
3
IN
1
D
1
S
1
V–
GND
S
4
D
4
IN
4
1
2
3
4
5
6
7
8
顶视图
16
15
14
13
12
11
10
9
IN
2
D
2
S
2
V+
GND
S
3
D
3
IN
3
1
2
3
4
5
6
7
8
顶视图
16
15
14
13
12
11
10
9
真值表 - DG541
逻辑
0
1
逻辑“0”的
v
0.8 V
逻辑“1”的
w
2 V
真值表 - DG542
逻辑
0
1
开关
关闭
ON
SW
1
， SW
2
关闭
ON
逻辑“0”的
v
0.8 V
逻辑“1”的
w
2 V
SW
3
， SW
4
ON
关闭
订购信息
温度范围
包
产品型号
DG540
-40到85°C
20引脚塑料DIP
20引脚PLCC
20引脚Sidebraze
DG540DJ
DG540DN
DG540AP
DG540AP/883
-55到125°C
DG541
16引脚塑料DIP
-40到85°C
16引脚窄体SOIC
16引脚Sidebraze
DG541DJ
DG541DY
DG541AP
-55到125°C
DG541AP / 883 ， 5962-9076401MEA
DG542
-40到85°C
16引脚塑料DIP
16引脚窄体SOIC
16引脚Sidebraze
DG542DJ
DG542DY
DG542AP
DG542AP / 883 ， 5962-91555201MEA
文档编号： 70055
S- 00399 -REV 。 G， 13 - 09月99
-55到125°C
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
4-2
DG540/541/542
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
V +至V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至21 V
V +至GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至21 V
V-至GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -19 V至0.3 V
数字输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （ V-） -0.3 V至（V + ） +0.3 V
或20mA ，以先到者为准
V
S
, V
D
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （ V-） -0.3 V至（ V-） +14 V
或20mA ，以先到者为准
连续电流（任何终端） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20毫安
当前，S或D（脉冲1毫秒， 10 ％的占空比最大值）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40毫安
储存温度
（AP后缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到150_C
（ DJ ， DN ， DY后缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到125_C
功率耗散（包）一个
16引脚塑料DIP
b
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
20引脚塑料DIP
c
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
16引脚窄体SOIC
d
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
20引脚PLCC
d
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
16 ， 20引脚DIP Sidebraze
e
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
注意事项：
一。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
B 。减免6.5毫瓦/ _C以上25_C
。减免7毫瓦/ _C以上25_C
。减免10毫瓦/ _C上述75°C
。减免12毫瓦/ _C上述75°C
470毫瓦
800毫瓦
640毫瓦
800毫瓦
900毫瓦
原理图（典型值CHANNEL ）
V+
GND
V
REF
S
IN
–
+
D
V–
图1 。
文档编号： 70055
S- 00399 -REV 。 G， 13 - 09月99
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
4-3
DG540/541/542
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
漏源
导通电阻
r
DS （ ON）
MATCH
SOURCE OFF
漏电流
流掉
漏电流
通道上
漏电流
V
类似物
r
DS （ ON）
Dr
DS （ ON）
I
S（ OFF）
I
D（关闭）
I
D（上）
V
S
= 0 V, V
D
= 10 V
V
S
= 10 V, V
D
= 0 V
V
S
= V
D
= 0 V
V– = –5 V, V+ = 12 V
满
房间
满
房间
房间
满
房间
满
房间
满
30
2
–0.05
–0.05
–0.05
–10
–500
–10
–500
–10
–1000
–5
5
60
100
6
10
500
10
500
10
1000
–10
–100
–10
–100
–10
–100
–5
5
60
75
6
10
100
10
100
10
100
nA
A
V
W
后缀
-55到125°C
后缀
-40到85°C
符号
V+ = 15 V, V– = –3 V
V
INH
= 2 V, V
INL
= 0.8 V
f
温度
b
典型值
c
民
d
最大
d
民
d
最大
d
单位
I
S
= -10毫安，V
D
= 0 V
,
数字控制
输入电压高
输入电压低
输入电流
V
INH
V
INL
I
IN
V
IN
= GND或V +
满
满
房间
满
0.05
–1
–20
2
0.8
1
20
–1
–20
2
V
0.8
1
20
mA
动态特性
在国家输入电容
e
关机状态下输入电容
e
关态输出电容
e
带宽
C
秒（上）
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
BW
V
S
= V
D
= 0 V
V
S
= 0 V
V
D
= 0 V
R
L
= 50
W
见图5
DG540
DG541
启动时间
t
ON
R
L
= 1千瓦
C
L
= 35 p
pF
50% t 90%
to
见图2
关闭时间
t
关闭
DG542
电荷注入
Q
C
L
= 1000 PF， V
S
= 0 V
见图3
R
IN
= 75
W
R
L
= 75
W
F = 5兆赫
参见图4
R
IN
= 10
W
, R
L
= 75
W
F = 5兆赫，参见图6
DG540
DG541
DG542
DG542
DG540
DG541
房间
房间
房间
房间
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
房间
14
2
2
500
45
55
20
25
70
130
100
160
50
85
60
85
70
130
100
160
ns
50
85
60
85
pC
20
4
4
20
4
4
兆赫
pF
F
–25
–80
–60
–75
–85
隔离
在I L I
OIRR
dB
一切敌对串音
X
TALK （ AH ）
电源
正电源电流
负电源电流
I+
所有通道ON或OFF
I–
房间
满
–3.2
–6
–9
–6
–9
房间
满
3.5
6
9
6
9
mA
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，不受生产测试。
f.
V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
文档编号： 70055
S- 00399 -REV 。 G， 13 - 09月99
4-4
DG540/541/542
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
电源电流与温度的关系
6
5
4
I+
I S （关闭） ， I D （关闭） - 泄漏
3
2
我（毫安）
1
0
–1
–2
I–
–3
–4
–5
–55
–35
–15
5
25
45
65
温度（℃）
85
105
125
0.1帕
–55
–25
0
25
50
75
温度（℃）
100
125
I
GND
1 nA的
10 nA的
100 nA的
I
D（关闭）
, I
S（ OFF）
与温度的关系
100 pA的
10 pA的
1 pA的
r
DS （ ON）
与漏极电压
160
R DS（ON ）漏源导通电阻（
W
)
–
R DS（ON ）漏源导通电阻（
W
)
–
140
120
100
80
60
40
20
0
–3
–1
1
3
5
7
9
11
V
D
- 漏极电压（ V）
–55_C
V+ = 15 V
V– = –3 V
125_C
42
40
38
36
34
32
V +恒
42
V+ = 10 V
40
38
V-恒
V– = –5 V
V+ = 12 V
36
34
V– = –3 V
32
V+ = 15 V
30
20
18
–5
–4
–3
–2
–1
0
V- - 负电源（ V）
30
20
18
10 11 12 13 14 15 16
V + - 正电源（ V）
V– = –1 V
25_C
在电容
22
20
18
16
ISO （ dB）的
C（ pF）的
14
12
10
–30
8
6
0
2
4
6
8
10
12
14
V
D
- 漏极电压（ V）
–20
–10
1
–110
–100
–90
–80
–70
–60
–50
–40
DG542
关断隔离
R
L
= 75
W
DG540
DG541
10
的F - 频率（MHz ）
100
文档编号： 70055
S- 00399 -REV 。 G， 13 - 09月99
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
4-5
DG540/541/542
宽带/视频“ T”开关
特点
D
D
D
D
D
D
D
宽带： 500兆赫
低串扰： -85分贝
高关断隔离： -80分贝@ 5 MHz的
“T”开关配置
TTL兼容的逻辑
快速切换-T
ON
： 45纳秒
低R
DS （ ON）
: 30
W
好处
D
D
D
D
D
D
D
平坦的频率响应
高色彩保真度
低插入损耗
提高系统性能
减少电路板空间
降低功耗
提高数据吞吐量
应用
D
D
D
D
D
D
D
D
射频和视频切换
RGB切换
局域网和广域网
视频路由
快速数据采集
吃
雷达/ FLR系统
视频复用
描述
该DG540 / 542分之541是高性能单片
专为开关RF宽带/视频开关，视频
和数字信号。通过利用一个“T”型开关配置
在每个通道上，这些设备实现特别低的
串扰和高关断隔离。串扰和
关断隔离的DG540由被进一步改进
引入信号引脚之间额外的GND引脚。
为了实现TTL兼容，低通道电容
和快速的切换时间时， DG540家族是建立在
Siliconix公司专有的D / CMOS工艺。每个开关
导电性能相同，在两个方向上的时候。
功能框图和引脚配置
DG540
双列直插式
IN
1
D
1
GND
S
1
V–
GND
S
4
GND
D
4
IN
4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
顶视图
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
IN
2
D
2
GND
S
2
V+
GND
S
3
GND
D
3
IN
3
S
1
V–
GND
S
4
GND
4
5
6
7
8
9 10 11 12 13
顶视图
D
3
GND
D
4
IN
4
IN
3
18
17
16
15
14
GND
S
2
V+
GND
S
3
0
1
GND
DG540
PLCC
D
1
IN
1
2
IN
2
1 20 19
D
2
3
真值表
逻辑
开关
关闭
ON
逻辑“0”的
v
0.8 V
逻辑“1”的
w
2 V
1
更新此数据表可以通过传真致电Siliconix公司FaxBack ， 1-408-970-5600索取。请要求FaxBack文档＃ 70055 。
Siliconix公司
S- 53694 -REV 。 E， 28日， 97
1
DG540/541/542
功能框图和引脚配置（续）
DG541
双列直插式和SOIC
IN
1
D
1
S
1
V–
GND
S
4
D
4
IN
4
1
2
3
4
5
6
7
8
顶视图
16
15
14
13
12
11
10
9
IN
2
D
2
S
2
V+
GND
S
3
D
3
IN
3
IN
1
D
1
GND
S
1
V–
S
4
GND
D
4
1
2
3
4
5
6
7
8
顶视图
DG542
双列直插式和SOIC
16
15
14
13
12
11
10
9
IN
2
D
2
GND
S
2
V+
S
3
GND
D
3
真值表 - DG541
逻辑
0
1
逻辑“0”的
v
0.8 V
逻辑“1”的
w
2 V
真值表 - DG542
开关
关闭
ON
逻辑
0
1
SW
1
， SW
2
关闭
ON
逻辑“0”的
v
0.8 V
逻辑“1”的
w
2 V
SW
3
， SW
4
ON
关闭
订购信息
温度范围
DG540
-40to 85
_C
-40到85°C
-55到125°C
20引脚塑料DIP
20引脚PLCC
20引脚Sidebraze
DG540DJ
DG540DN
DG540AP
DG540AP/883
包
产品型号
DG541
-40到85°C
16引脚塑料DIP
16引脚窄体SOIC
-55到125°C
16引脚Sidebraze
DG541DJ
DG541DY
DG541AP
DG541AP/883
DG542
-40到85°C
-55到125°C
16引脚塑料DIP
16引脚窄体SOIC
16引脚Sidebraze
DG542DJ
DG542DY
DG542AP
DG542AP/883
2
Siliconix公司
S- 53694 -REV 。 E， 28日， 97
DG540/541/542
绝对最大额定值
V +至V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至21 V
V +至GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至21 V
V-至GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -19 V至0.3 V
数字输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （ V-） -0.3 V至（V + ） +0.3 V
或20mA ，以先到者为准
V
S
, V
D
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （ V-） -0.3 V至（ V-） +14 V
或20mA ，以先到者为准
连续电流（任何终端） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20毫安
当前，S或D（脉冲1毫秒， 10 ％的占空比最大值）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40毫安
储存温度
（AP后缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到150_C
（ DJ ， DN ， DY后缀） 。 。 。 。 。 -65到125_C
功率耗散（包）一个
16引脚塑料DIP
b
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
20引脚塑料DIP
c
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
16引脚窄体SOIC
d
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
20引脚PLCC
d
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
16 ， 20引脚DIP Sidebraze
e
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
注意事项：
一。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
B 。减免6.5毫瓦/ _C以上25_C
。减免7毫瓦/ _C以上25_C
。减免10毫瓦/ _C上述75°C
。减免12毫瓦/ _C上述75°C
470毫瓦
800毫瓦
640毫瓦
800毫瓦
900毫瓦
原理图（典型值CHANNEL ）
V+
GND
V
REF
S
IN
–
+
D
V–
图1 。
Siliconix公司
S- 53694 -REV 。 E， 28日， 97
3
DG540/541/542
特定网络阳离子
a
测试条件
除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
漏源
导通电阻
r
DS （ ON）
MATCH
SOURCE OFF
漏电流
流掉
漏电流
通道上
漏电流
V
类似物
r
DS （ ON）
Dr
DS （ ON）
I
S（ OFF）
I
D（关闭）
I
D（上）
V
S
= 0 V, V
D
= 10 V
V
S
= 10 V, V
D
= 0 V
V
S
= V
D
= 0 V
V– = –5 V, V+ = 12 V
I
S
= -10毫安，V
D
= 0 V
,
满
房间
满
房间
房间
满
房间
满
房间
满
30
2
–0.05
–0.05
–0.05
–10
–500
–10
–500
–10
–1000
–5
5
60
100
6
10
500
10
500
10
1000
–10
–100
–10
–100
–10
–100
–5
5
60
75
6
10
100
10
100
10
100
nA
V
W
后缀
-55到125°C
后缀
-40到85°C
符号
V+ = 15 V, V– = –3 V
VV
3
V
INH
= 2 V, V
INL
= 0.8 V
f
温度
b
典型值
c
民
d
最大
d
民
d
最大
d
单位
数字控制
输入电压高
输入电压低
输入电流
V
INH
V
INL
I
IN
V
IN
= GND或V +
满
满
房间
满
0.05
–1
–20
2
0.8
1
20
–1
–20
2
0.8
1
20
mA
V
动态特性
在国家输入电容
e
关机状态下输入电容
e
关态输出电容
e
带宽
C
秒（上）
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
BW
V
S
= V
D
= 0 V
V
S
= 0 V
V
D
= 0 V
R
L
= 50
W
见图5
DG540
DG541
启动时间
t
ON
R
L
= 1千瓦
W
C
L
= 35 pF的
p
50 ％至90％
见图2
DG542
DG540
DG541
DG542
电荷注入
Q
C
L
= 1000 PF， V
S
= 0 V
见图3
R
IN
= 75
W
R
L
= 75
W
F = 5兆赫
参见图4
DG540
DG541
DG542
房间
房间
房间
房间
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
房间
14
2
2
500
45
55
20
25
70
130
100
160
50
85
60
85
70
130
100
160
50
85
60
85
pC
ns
20
4
4
20
4
4
兆赫
pF
关闭时间
t
关闭
–25
–80
–60
–75
–85
关断隔离
OIRR
dB
一切敌对串音
X
TALK （ AH ）
R
IN
= 10
W
, R
L
= 75
W
F = 5兆赫，参见图6
电源
正电源电流
负电源电流
I+
所有通道ON或OFF
I–
房间
满
房间
满
3.5
–3.2
–6
–9
6
9
–6
–9
6
9
mA
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，不受生产测试。
F。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
4
Siliconix公司
S- 53694 -REV 。 E， 28日， 97
DG540/541/542
典型特征
6
5
4
I
S（ OFF）
, I
D（关闭）
- 泄漏
3
2
我（毫安）
1
0
–1
–2
–3
–4
–5
–55 –35 –15
0.1帕
5
25 45 65
温度（℃）
85
105 125
–55
–25
0
25
50
75
温度（℃）
100
125
I–
I
GND
I+
1 nA的
100 pA的
10 pA的
1 pA的
10 nA的
电源电流与温度的关系
100 nA的
I
D（关闭）
, I
S（ OFF）
与温度的关系
160
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
W
)
140
120
100
80
60
40
20
0
–3
–1
r
DS （ ON）
与漏极电压
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
W
)
V+ = 15 V
V– = –3 V
125_C
V +恒
42
V+ = 10 V
40
38
36
34
32
30
20
18
V+ = 15 V
V+ = 12 V
40
38
42
V-恒
V– = –5 V
36
34
32
30
20
18
–5 –4 –3 –2 –1
0
10 11 12 13 14 15 16
V + - 正电源（ V）
V– = –1 V
V– = –3 V
25_C
–55_C
1
3
5
7
9
11
V
D
- 漏极电压（ V）
V- - 负电源（ V）
22
20
18
在电容
–110
–100
–90
–80
ISO （ dB）的
关断隔离
DG540
DG542
DG541
16
C（ pF）的
14
12
10
–70
–60
–50
–40
–30
8
6
0
2
4
6
8
10
12
14
V
D
- 漏极电压（ V）
–20
–10
1
10
的F - 频率（MHz ）
100
Siliconix公司
S- 53694 -REV 。 E， 28日， 97
5
DG540 ， DG541 ， DG542
Vishay Siliconix公司
宽带/视频“ T”开关
描述
该DG540 ， DG541 ， DG542是高性能
单片宽带/视频切换器设计用于切换
射频，视频和数字信号。通过利用"T"开关
每个通道上的结构中，这些设备实现
极低的串扰和高关断隔离。该
串扰和关断隔离的DG540的进一步提高
通过引入信号引脚之间额外的GND引脚。
为了实现TTL兼容，低通道电容和
快速的切换时间时， DG540家族是建立在威世
Siliconix公司专有的D / CMOS工艺。每个开关
导电性能相同，在两个方向上的时候。
特点
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
宽带宽： 500 MHZ
低串扰： - 85分贝
高关断隔离： - 80分贝在5 MHz
"T"交换机配置
TTL和CMOS逻辑兼容
快速开关 - 吨
ON
： 45纳秒
低R
DS （ ON）
: 30
符合RoHS指令2002/95 / EC
好处
平坦的频率响应
高色彩保真度
低插入损耗
提高系统性能
减少电路板空间
降低功耗
提高数据吞吐量
射频和视频切换
RGB切换
局域网和广域网
视频路由
快速数据采集
吃
雷达/ FLR系统
视频复用
DG540
PLCC
IN 1
IN 2
应用
功能框图及引脚配置
DG540
双列直插式
IN
1
D
1
GND
S
1
V-
GND
S
4
GND
D
4
IN
4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
顶视图
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
IN
2
D
2
GND
S
2
V+
GND
S
3
GND
9
D4
D
3
IN
3
10 11 12 13
IN3
IN4
D3
GND
S
1
V-
GND
S
4
GND
4
5
6
7
8
18
17
16
15
14
GND
S
2
V+
GND
S
3
GND
3
2
D1
1
20 19
顶视图
真值表
逻辑
0
1
逻辑“0”的
0.8
V
逻辑“1”的
2
V
文档编号： 70055
S11-1429 -REV 。 H， 18月， 11
www.vishay.com
1
开关
关闭
ON
本文如有更改，恕不另行通知。
本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
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D2
DG540 ， DG541 ， DG542
Vishay Siliconix公司
功能框图及引脚配置
DG541
双列直插式和SOIC
IN
1
D
1
S
1
V-
GND
S
4
D
4
IN
4
IN
2
D
2
S
2
V+
GND
S
3
D
3
IN
3
IN
1
D
1
GND
S
1
V-
S
4
GND
D
4
1
2
3
4
5
6
7
8
DG542
双列直插式和SOIC
16
15
14
13
12
11
10
9
顶视图
IN
2
D
2
GND
S
2
V+
S
3
GND
D
3
1
2
3
4
5
6
7
8
顶视图
16
15
14
13
12
11
10
9
真值表 - DG541
逻辑
0
1
逻辑"0"
0.8
V
逻辑"1"
2
V
开关
关闭
ON
真值表 - DG542
逻辑
0
1
逻辑"0"
0.8
V
逻辑"1"
2
V
SW
1
， SW
2
关闭
ON
SW
3
， SW
4
ON
关闭
订购信息
温度范围
DG540
- 4085 ℃下
- 55至125℃的
DG541
- 4085 ℃下
- 55至125℃的
DG542
- 4085 ℃下
- 55至125℃的
16引脚塑料DIP
16引脚窄体SOIC
16引脚Sidebraze
DG542DJ-E3
DG542DY-T1-E3
DG542AP
DG542AP / 883 ， 5962-91555201MEA
16引脚塑料DIP
16引脚窄体SOIC
16引脚Sidebraze
DG541DJ-E3
DG541DY-T1-E3
DG541AP
DG541AP / 883 ， 5962-9076401MEA
包
20引脚塑料DIP
20引脚PLCC
20引脚Sidebraze
DG540DJ-E3
DG540DN-E3
DG540AP
DG540AP/883
产品型号
www.vishay.com
2
文档编号： 70055
S11-1429 -REV 。 H， 18月， 11
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DG540 ， DG541 ， DG542
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
V +至V-
V +至GND
V-至GND
数字输入
V
S
, V
D
连续电流（任何终端）
当前，S或D（脉冲在1毫秒， 10 ％的占空比最大值）
（AP后缀）
储存温度
（ DJ ， DN ， DY后缀）
16引脚塑料DIP
b
20引脚塑料DIP
c
功耗
（包）
a
16引脚窄体
20引脚PLCC
注意事项：
一。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
B 。减免6.5毫瓦/°C， 25°C以上。
。减免7毫瓦/°C， 25°C以上。
。减免10毫瓦/°C， 75°C以上。
。减免12毫瓦/°C， 75°C以上。
d
符号
极限
- 0.3 21
- 0.3 21
- 19 + 0.3
（ V - ） - 0.3至（V +） + 0.3
或20mA ，以先到者为准
（ V - ） - 0.3至（V +） + 14
或20mA ，以先到者为准
20
40
- 65 150
- 65 125
470
800
单位
V
mA
°C
SOIC
d
640
800
900
mW
16 ， 20引脚DIP Sidebraze
e
原理图
（典型频道）
V+
GND
V
REF
S
IN
-
+
D
V-
图1 。
文档编号： 70055
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3
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DG540 ， DG541 ， DG542
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非指定
V+ = 15 V, V- = - 3 V
参数
模拟开关
模拟信号范围
漏源
导通电阻
R
DS （ ON）
MATCH
来源OFF漏电流
流掉泄漏电流
通道泄漏电流
数字控制
输入电压高
输入电压低
输入电流
动态特性
在国家输入电容
e
关机状态下输入电容
e
关态输出电容
e
带宽
开启时间
C
秒（上）
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
BW
t
ON
V
S
= V
D
= 0 V
V
S
= 0 V
V
D
= 0 V
R
L
= 50
,
参见图5
DG540
DG541
R
L
= 1 k
C
L
= 35 pF的
50 ％至90％
见图2
DG542
DG540
DG541
DG542
电荷注入
Q
C
L
= 1000 PF， V
S
= 0 V
见图3
R
IN
= 75
R
L
= 75
DG540
DG541
F = 5兆赫
参见图4
DG542
R
IN
= 10
,
R
L
= 75
F = 5兆赫，参见图6
房间
房间
房间
房间
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
房间
14
2
2
500
45
55
20
25
- 25
- 80
- 60
- 75
- 85
dB
70
130
100
160
50
85
60
85
70
130
100
160
50
85
60
85
20
4
4
20
4
4
兆赫
pF
V
INH
V
INL
I
IN
V
IN
= GND或V +
满
满
房间
满
0.05
2
-1
- 20
0.8
1
20
2
-1
- 20
0.8
1
20
V
A
符号
V
类似物
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
I
S（ OFF）
I
D（关闭）
I
D（上）
V
INH
= 2 V, V
INL
= 0.8 V
f
V- = - 5 V, V+ = 12
I
S
= - 10毫安，V
D
= 0 V
V
S
= 0 V, V
D
= 10 V
V
S
= 10 V, V
D
= 0 V
V
S
= V
D
= 0 V
温度。
b
满
房间
满
房间
房间
满
房间
满
房间
满
典型值。
c
后缀
后缀
- 55 ° C至125°C - 40 ° C至85°C
分钟。
d
-5
30
2
- 0.05
- 0.05
- 0.05
- 10
- 500
- 10
- 500
- 10
- 1000
马克斯。
d
5
60
100
6
10
500
10
500
10
1000
分钟。
d
-5
马克斯。
d
5
60
75
6
10
100
10
100
10
100
单位
V
- 10
- 100
- 10
- 100
- 10
- 100
nA
ns
打开-O FF时间
t
关闭
pC
关断隔离
OIRR
一切敌对串音
电源
正电源电流
负电源电流
X
TALK （ AH ）
I+
所有通道ON或OFF
I-
房间
满
房间
满
3.5
- 3.2
-6
-9
6
9
-6
-9
6
9
mA
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25 ° C，完全=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，不受生产测试。
F。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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4
文档编号： 70055
S11-1429 -REV 。 H， 18月， 11
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DG540 ， DG541 ， DG542
Vishay Siliconix公司
典型特征
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
6
5
4
I+
I S （关闭） ， I D （关闭） - 泄漏
3
2
我（毫安）
1
0
-1
-2
I-
-3
-4
-5
- 55
0.1帕
1 nA的
10 nA的
100 nA的
I
GND
100 pA的
10 pA的
1 pA的
- 35
- 15
5
25
45
65
温度（℃）
85
105
125
- 55
- 25
0
25
50
75
温度（℃）
100
125
电源电流与温度的关系
160
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（ Ω ）
140
120
100
80
60
40
20
0
-3
-1
1
3
5
7
9
11
V
D
–
漏
电压
(V)
- 55 °C
R
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（ Ω ）
V+ = 15 V
V- = - 3 V
125 °C
42
I
D（关闭）
, I
S（ OFF）
与温度的关系
42
V+ = 10 V
40
38
36
34
32
V+ = 15 V
30
20
18
-5 -4 -3
-2 -1
0
V- - 负电源（ V）
30
20
18
10 11 12 13 14 15 16
V + - 正电源（ V）
V- = - 1 V
V+ = 12 V
40
38
V- = - 5 V
36
34
V- = - 3 V
32
25 °C
R
DS （ ON）
与漏极电压
22
20
18
16
ISO （ dB）的
C（ pF）的
- 110
- 100
- 90
- 80
- 70
- 60
- 50
- 40
V +恒
V-恒
R
L
= 75
Ω
DG540
14
12
10
DG542
DG541
- 30
8
6
0
2
4
6
8
10
12
14
V
D
- 漏极电压（ V）
- 20
- 10
1
10
的F - 频率（MHz ）
100
在电容
关断隔离
文档编号： 70055
S11-1429 -REV 。 H， 18月， 11
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本文如有更改，恕不另行通知。
本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
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